JPS63271432A - Ferroelectric liquid crystal electro-optical device - Google Patents

Ferroelectric liquid crystal electro-optical device

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JPS63271432A
JPS63271432A JP10772387A JP10772387A JPS63271432A JP S63271432 A JPS63271432 A JP S63271432A JP 10772387 A JP10772387 A JP 10772387A JP 10772387 A JP10772387 A JP 10772387A JP S63271432 A JPS63271432 A JP S63271432A
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Abstract

PURPOSE:To obtain high contrast by switching rewriting crest values in a first frame and a second frame by using a transistor. CONSTITUTION:When a HIGH voltage is inputted to a gate of a transistor TR 17, the TR 17 conducts and a power supply voltage VLC of a negative side is outputted to an output V5. When a LOW voltage is inputted to the gate, the TR 17 becomes nonconductive, and when a resistance value of a resistance 16 is denoted as R16, a voltage of N.R.VLC/(N.R+R16) is outputted to the output V5. N denotes a bias value, R denotes a resistance value of resistances 11, 12, 14 and 15, and at the time of selecting the bias value to N, it can be executed by selecting the resistance value of the resistance 13 to (N-4)R. In such a way, the high contrast can be obtained.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、強誘電性液晶の双安定状態を相互に切り換え
て駆動する電気光学変換装置に関し、特に駆動回路の改
良を目的とする。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an electro-optical conversion device that drives a ferroelectric liquid crystal by mutually switching between bistable states, and particularly aims at improving the drive circuit.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

本発明は強誘電性液晶の双安定状態を闇値電圧以上の波
高値を有するパルスで切り換え駆動する強誘電性液晶電
気光学装置において、第1の安定状態から第2の安定状
態へ切り換わるパルスの波高値と第2の安定状態から第
1の安定状態へ切り換わるパルスの波高値が異なること
に着目し、第1フレームと第2フレームで、液晶に印加
する波高値を切り換えることにより、強誘電性液晶電気
光学装置のコントラストを高くすることができた。
The present invention provides a ferroelectric liquid crystal electro-optical device in which the bistable state of a ferroelectric liquid crystal is switched and driven by a pulse having a peak value higher than a dark value voltage. Focusing on the fact that the pulse height value of the pulse that switches from the second stable state to the first stable state is different, the pulse height value applied to the liquid crystal can be changed between the first frame and the second frame to increase the intensity. It was possible to increase the contrast of a dielectric liquid crystal electro-optical device.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来から強誘電性液晶の双安定状態を闇値電圧以上の波
高値を有するパルスで切り換え駆動し、かつ切り換えた
後の安定状態を交流パルスで保持する駆動方式の強誘電
性液晶電気光学装置は知られていた0例えばSID’8
5  l nt’ ISymposium16゜131
 (1985)の文献に述べられている。
Conventionally, ferroelectric liquid crystal electro-optical devices have a driving method in which the bistable state of ferroelectric liquid crystal is switched and driven with a pulse having a peak value higher than the dark value voltage, and the stable state after switching is maintained with an alternating current pulse. known 0 e.g. SID'8
5 lnt' ISymposium16゜131
(1985).

まず、第2図に従来の強誘電性液晶セル(以下液晶セル
という)の構造を示す。1−1は対向配置された一対の
基板である。3は基板1−1間に挟持された強誘電性液
晶例えばカイラルスメクチックC液晶(以下SmC”と
いう)薄膜である。
First, FIG. 2 shows the structure of a conventional ferroelectric liquid crystal cell (hereinafter referred to as liquid crystal cell). 1-1 is a pair of substrates arranged opposite to each other. Reference numeral 3 denotes a ferroelectric liquid crystal, such as a chiral smectic C liquid crystal (hereinafter referred to as "SmC") thin film, sandwiched between the substrates 1-1.

2−2は基板1−1とSmC”薄膜3の界面に存在する
一軸性及びランダム性の水平配向膜であり、液晶分子の
双安定状態を実現する。液晶分子の長軸(以下分子軸と
いう)は基板1に対して水平に配向しかつ層をなす、こ
れを上部から観察すると液晶分子は2つのドメインに区
別される。第1のドメインでは分子軸は層の法線4に対
して十〇傾いている。これが第1の安定状態5である。
2-2 is a uniaxial and random horizontally aligned film existing at the interface between the substrate 1-1 and the SmC thin film 3, which realizes a bistable state of liquid crystal molecules. ) are oriented horizontally with respect to the substrate 1 and form a layer. When observed from above, the liquid crystal molecules are divided into two domains. In the first domain, the molecular axis is 〇It is tilted. This is the first stable state 5.

液晶分子の自発分極7は上方を向いている。第2のドメ
インでは分子軸は層の法114に対して、−〇傾いてい
る。これが第2の安定状態6である。
Spontaneous polarization 7 of the liquid crystal molecules points upward. In the second domain, the molecular axis is tilted -0 with respect to the layer law 114. This is the second stable state 6.

この時自発分極7は下を向いている。両安定状態で自発
分極7の方向が互いに逆であることを利用して正負直流
パルスにより双安定状態のいずれか一方を選択するので
ある。8−8は偏光軸を直交させて、対向配置された一
対の偏光板であって複屈折により、第1の安定状態と第
2の安定状態を光学的に識別するものである0例えば、
第1の安定状態を光遮断状態(以下黒という)に、又第
2の安定状態を光通過状態(以下白という)に変換する
。9及び10はSmC”薄膜3に駆動電圧を印加するた
めのマトリクス電極1第3図に示すように9は走査電極
(以下コモンという)、10は信号電極(以下セグメン
トという)である。
At this time, spontaneous polarization 7 is pointing downward. Utilizing the fact that the directions of the spontaneous polarizations 7 are opposite to each other in both stable states, one of the bistable states is selected using positive and negative DC pulses. Reference numeral 8-8 denotes a pair of polarizing plates facing each other with their polarization axes perpendicular to each other, and optically distinguishes the first stable state and the second stable state by birefringence.
The first stable state is converted into a light blocking state (hereinafter referred to as black), and the second stable state is converted into a light passing state (hereinafter referred to as white). 9 and 10 are matrix electrodes 1 for applying a driving voltage to the SmC thin film 3. As shown in FIG. 3, 9 is a scanning electrode (hereinafter referred to as common), and 10 is a signal electrode (hereinafter referred to as segment).

第4図の+a)は交流バイアス平均化法を用いた線順次
駆動において1つのマトリクス画素(以下ドツトという
)に印加される駆動波形を示す。第1フレームにおいて
選択期間中閾値以上の波高値を有する正負(コモン9基
準)のパルスP、及びpgが連続して加えられる。正パ
ルスP1により液晶分子は第2の安定状態に整列し続く
負パルスPtでスイッチングし第1の安定状態に整列す
る。この状態が半選択期間中交流パルス印加により持続
する。交流パルスの波高値は閾値以下だからである。よ
って、第1フレースでは第1の安定状態の黒が書き込ま
れる。続いて第、2フレームではパルスの極性が逆であ
るから白が書き込まれる。ただし、本図では、P4及び
P、は閾値以下なので白は書き込まれず、第1フレーム
で書き込まれた黒が保存される。このP、及びP、の期
間を非選択期間と呼ぶ、またこの時の透過光強度の変化
をフォトマルで測定した結果を第4図中)に示す。
+a) in FIG. 4 shows a driving waveform applied to one matrix pixel (hereinafter referred to as a dot) in line sequential driving using the AC bias averaging method. In the first frame, positive and negative (common 9 standard) pulses P and pg having peak values equal to or higher than the threshold are continuously applied during the selection period. The liquid crystal molecules are aligned in a second stable state by the positive pulse P1, and switched by the subsequent negative pulse Pt to be aligned in the first stable state. This state continues during the half selection period due to the application of AC pulses. This is because the peak value of the AC pulse is below the threshold value. Therefore, the first stable state black is written in the first frame. Subsequently, in the second frame, since the polarity of the pulse is reversed, white is written. However, in this figure, since P4 and P are less than the threshold values, white is not written, and black written in the first frame is saved. This period of P and P is called a non-selection period, and the results of measuring the change in transmitted light intensity at this time with a photomultiplier are shown in Fig. 4).

ところで、選択期間P1及びPR2半選択期間期間s 
、非選択期間P4及びP、のパルスの波高値、の関係は
、Pl及びP2のパルスの波高値の絶対値をVとすれば
、  l Ps  l =V/N。
By the way, the selection period P1 and PR2 half selection period period s
The relationship between the pulse height values of the pulses in the non-selection periods P4 and P is as follows, where V is the absolute value of the pulse height values of the pulses in Pl and P2, l Ps l =V/N.

l P4  l = l Ps  l =V ・(N−
2) 7Nニ選ばれる。こここでNはバイアス値と呼ば
れるものである。また上記P、〜P、のパルスの波高値
は、第5図に示した抵抗を直列に接続したバイアス発生
回路によって作られるV、。、V、、V、、V、。
l P4 l = l Ps l =V ・(N-
2) 7N is selected. Here, N is called a bias value. Further, the peak values of the pulses P, ~P, mentioned above are V, which are generated by a bias generation circuit having resistors connected in series as shown in FIG. ,V,,V,,V,.

V4.Vsの6つの電圧値の組み合わせによって作られ
る。
V4. It is created by a combination of six voltage values of Vs.

ところで、バイアス値はコントラストに影響を与えるも
のであり、その様子を第6図に示す。この値の選び方は
、Japan Display’86 Proceed
ingPPに報告されている。その結果によれば第7図
のようなパルス波高値と透過光強度が得られる強誘電性
液晶では、バイアス値Nは2T/(γ−1)に等しく選
ばれる。ここでTはV sat / V thである。
Incidentally, the bias value affects the contrast, and the situation is shown in FIG. 6. How to select this value is as per Japan Display'86 Proceed
Reported to ingPP. According to the results, in a ferroelectric liquid crystal that can obtain the pulse height value and transmitted light intensity as shown in FIG. 7, the bias value N is selected to be equal to 2T/(γ-1). Here, T is Vsat/Vth.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

ところで、第7図は黒から白への変化を示したものであ
るが、実際には白から黒への変化も考えなければならな
い、この様子を第8図に示す。図中aは黒から白、bは
白から黒への変化を示している。液晶材料及び配向方法
によっては、このよ゛うに黒から白への変化aと白から
黒への変化すの波高値に差がある。このような液晶を上
記駆動方法で駆動するためには、rとしてVsat、/
Vthzの値を用いなければならない、この場合、当然
Vsat+/Vth*の値はV sa L 1 / V
 th 1 の値よりも太き(なり、その結果、2T/
(γ−1)の値で与えられるバイアス値Nは小さくなっ
てしまう。
By the way, although FIG. 7 shows the change from black to white, in reality, the change from white to black must also be considered, and this situation is shown in FIG. 8. In the figure, a indicates a change from black to white, and b indicates a change from white to black. Depending on the liquid crystal material and alignment method, there is a difference in the peak value between the change from black to white and the change from white to black. In order to drive such a liquid crystal using the above driving method, r is Vsat, /
The value of Vthz must be used; in this case, the value of Vsat+/Vth* is naturally V sa L 1 / V
thicker than the value of th 1 (as a result, 2T/
The bias value N given by the value of (γ-1) becomes small.

これは、第6図からもわかるようにコントラストが悪く
なるという問題点を生じる。
As can be seen from FIG. 6, this causes a problem of poor contrast.

c問題点を解決するための手段〕 本発明は、表示品位の高い強誘電性電気光学装置を提供
するために、第1フレームと第2フレームでの駆動電圧
を、バイアス発生回路に付加したトランジスタをON、
OFFさせることによって、変えるようにしたものであ
る。
Means for Solving Problem c] In order to provide a ferroelectric electro-optical device with high display quality, the present invention provides a transistor in which drive voltages in the first frame and the second frame are applied to a bias generation circuit. Turn on,
This can be changed by turning it off.

今、第1フレームで黒から白へ、第2フレームで白から
黒へ書き込むとする。したがって第8図において、第1
フレームではaの特性、第2フレームではbの特性に注
目すればよい、第1フレームでは、Vsat電圧はVs
at++  Vth電圧はvth。
Now suppose that we write from black to white in the first frame and from white to black in the second frame. Therefore, in Figure 8, the first
In the first frame, it is sufficient to pay attention to the characteristic of a, and in the second frame to the characteristic of b.In the first frame, the Vsat voltage is Vs
at++ Vth voltage is vth.

であり、第2フレームではVsat電圧はVsat4゜
vth電圧はvth、である。したがって、第1フレー
ムの黒から白への書き換え波高値を、Vsatl″;t
t圧に選び、第2フレームの白から黒への書き換え波高
値をVsatl電圧に選べば、各フレームでの閾値比は
Vsat+/ V thl 、  Vsat!/ V 
tJとなり、前述したVsaLt/ Vthzよりも小
さくなるためその分、バイアス値を大きく選ぶことがで
きる。また、実際にはVsat+/ V th+ とV
saLz/ V thzの比は、等しくないのでこの場
合には両者の比の大きい方を選び、2T/(γ−1)に
代入してバイアス値Nを決定する。
In the second frame, the Vsat voltage is Vsat4° and the vth voltage is vth. Therefore, the peak value of the rewriting from black to white in the first frame is Vsatl'';t
t voltage and the peak value of rewriting from white to black in the second frame is selected as Vsatl voltage, the threshold ratio in each frame is Vsat+/V thl , Vsat! /V
tJ, which is smaller than the aforementioned VsaLt/Vthz, so the bias value can be selected to be larger accordingly. Also, in reality, Vsat+/V th+ and V
Since the saLz/V thz ratios are not equal, in this case the larger ratio is selected and substituted into 2T/(γ-1) to determine the bias value N.

なお、第1フレームと第2フレームで書き換え波高値を
変える具体的回答については実施例の項で説明する。
Note that a specific solution for changing the rewriting peak value between the first frame and the second frame will be explained in the embodiment section.

〔実施例〕〔Example〕

第1図に本発明の具体的回路を示す、抵抗11〜16は
直列に接続されその両端は電源に接続されている。抵抗
11.12.14.15は同一の抵抗値を持ったもので
あり、その値をRとする。今、バイアス値をNに選ぶに
は抵抗13の抵抗値を(N−4)Hに選べば良い。
FIG. 1 shows a specific circuit of the present invention.Resistors 11 to 16 are connected in series, and both ends thereof are connected to a power source. Resistors 11, 12, 14, and 15 have the same resistance value, and let R be that value. Now, in order to select the bias value to be N, the resistance value of the resistor 13 should be selected to be (N-4)H.

抵抗16の両端にはトランジスタ17のソース、及びド
レインが接続されており、ゲートには制御信号が入力さ
れる。今、トランジスタ17のゲートにHIGH電圧が
入力されると、トランジスタ17はnch )ランジス
タのため導通し、出力■、には、負側の電源電圧VLC
が出力される。一方、ゲートにLOW電圧が入力される
とトランジスタ17は、非導通となり、出力V、にはN
−R−VLC/ (N・R+R16)の電圧が出力され
る。
The source and drain of a transistor 17 are connected to both ends of the resistor 16, and a control signal is input to the gate. Now, when a HIGH voltage is input to the gate of the transistor 17, the transistor 17 becomes conductive because it is a transistor (nch), and the negative side power supply voltage VLC is applied to the output
is output. On the other hand, when a LOW voltage is input to the gate, the transistor 17 becomes non-conductive, and the output V is N
-R-VLC/ (NR+R16) voltage is output.

ここでR16は抵抗16の抵抗値である。明らかにVL
c>N−R−VLC/ (N−R+ R16)の関係が
成り立つ。
Here, R16 is the resistance value of the resistor 16. Obviously VL
The relationship c>N-R-VLC/(N-R+R16) holds true.

したがって、VLCを前述のVsat+に、N−R・V
LC/ (N−R+ R16)を前述のVsat2の電
圧に等しくするように、VLCとR16及びRの値を適
当に選択する。このような回路で、第1フレームにおい
ては、トランジスタ17のゲートにHI G H電圧、
第2フレームにおいては、LOW電圧を印加する。
Therefore, VLC is set to the above-mentioned Vsat+, N-R・V
The values of VLC and R16 and R are appropriately selected so that LC/(N-R+R16) is equal to the voltage of Vsat2 mentioned above. In such a circuit, in the first frame, a HIGH voltage is applied to the gate of the transistor 17,
In the second frame, a LOW voltage is applied.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明によれば、第1フレームと第2フレームでの書き
換え波高値をトランジスタを用いて切り換えることによ
り、バイアス値を大きく選ぶことができるため、コント
ラストの高い強誘電性液晶電気光学装置を得ることがで
きるという効果がある。
According to the present invention, by switching the rewriting peak values in the first frame and the second frame using a transistor, a large bias value can be selected, so that a ferroelectric liquid crystal electro-optical device with high contrast can be obtained. It has the effect of being able to.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明によるバイアス発生回路、第2図は従来
の液晶セルの斜視図、第3図は従来の液晶セルの電極配
置図、第4図taiは従来の駆動波形図、(blはその
時の光学応答波形図、第5図は従来のバイアス発生回路
図、第6図はコントラスト比のバイアス値依存性を示す
図、第7図はパルス波高値と透過光強度の関係を示す図
、第8図は、本発明を説明するためのパルス波高値と透
過光強度の関係を示す図。 1−1・・・基板 2−2・・・配向膜 3・・・・・カイラルスメクチックcンa晶8−8・・
・偏光板 9・・・・・走査電極 10・・・・・・信号電極 11〜16・・・抵抗 17・・・・・トランジスタ 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 従来の液晶セルの霞稀配宜図 第3図 従来の病上4JrtJ波形図 第4図(a) 第4図(a)の九字庇菩放形図 第4図(b) バイアス死生回路図 第5図 l バ°イアス4直N コシドアスト比のパイ下ス[4范与aを示T図第6図
Fig. 1 is a bias generation circuit according to the present invention, Fig. 2 is a perspective view of a conventional liquid crystal cell, Fig. 3 is an electrode arrangement diagram of a conventional liquid crystal cell, Fig. 4 is a conventional drive waveform diagram, (bl is An optical response waveform diagram at that time, FIG. 5 is a conventional bias generation circuit diagram, FIG. 6 is a diagram showing the bias value dependence of contrast ratio, and FIG. 7 is a diagram showing the relationship between pulse peak value and transmitted light intensity. Fig. 8 is a diagram showing the relationship between pulse height value and transmitted light intensity for explaining the present invention. 1-1...Substrate 2-2...Alignment film 3...Chiral smectic film a crystal 8-8...
・Polarizing plate 9...Scanning electrode 10...Signal electrodes 11 to 16...Resistor 17...Transistor and above Applicant Seiko Electronics Co., Ltd. Haze arrangement of conventional liquid crystal cell Figure 3 Conventional 4JrtJ waveform diagram Figure 4 (a) Figure 4 (a)'s 9-character eaves and eaves diagram Figure 4 (b) Bias life and death circuit diagram Figure 5 l Bias 4-direction N Fig. 6 shows the pi lower ratio of the cosidoast ratio [4 degrees and a]

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)強誘電性液晶薄膜と、該薄膜に接し液晶分子の双
安定整列を実現する配向膜と、双安定整列状態を光学的
明暗に変換する部材と、双安定状態を切り換えるための
電圧を該薄膜に印加するマトリクス配置された電極より
なる液晶パネルと、交流バイアス平均化法により双安定
状態を線順次に書き込む駆動回路よりなる強誘電性液晶
電気光学装置において、第1の安定状態を書き込むため
のパルスの波高値と、第2の安定状態を書き込むための
パルスの波高値が異なっていることを特徴とする強誘電
性液晶電気光学装置。
(1) A ferroelectric liquid crystal thin film, an alignment film that is in contact with the thin film and realizes bistable alignment of liquid crystal molecules, a member that converts the bistable alignment state into optical brightness, and a voltage for switching the bistable state. A first stable state is written in a ferroelectric liquid crystal electro-optical device consisting of a liquid crystal panel made up of electrodes arranged in a matrix that applies voltage to the thin film, and a drive circuit that writes bistable states line-sequentially by an AC bias averaging method. A ferroelectric liquid crystal electro-optical device characterized in that a pulse height value of a pulse for writing a second stable state is different from a pulse height value of a pulse for writing a second stable state.
(2)前記駆動回路は該第1の安定状態を書き込むため
のパルスの波高値と、該第2の安定状態を書き込むため
のパルスの波高値とを異ならすことができる回路を具備
していることを特徴とした特許請求の範囲第1項記載の
強誘電性液晶電気光学装置。
(2) The drive circuit includes a circuit that can make the peak value of the pulse for writing the first stable state different from the peak value of the pulse for writing the second stable state. A ferroelectric liquid crystal electro-optical device according to claim 1, characterized in that:
(3)該回路は、バイアス発生回路のうちの少なくとも
1つの抵抗に並列にトランジスタを接続されていること
を特徴とする特許請求の範囲第2項記載の強誘電性液晶
電気光学装置。
(3) The ferroelectric liquid crystal electro-optical device according to claim 2, wherein the circuit includes a transistor connected in parallel to at least one resistor of the bias generating circuit.
(4)該トランジスタのゲート入力には、第1フレーム
及び第2フレームに同期した、HIGHまたはLOWの
電圧が印加されることを特徴とする特許請求の範囲第3
項記載の強誘電性液晶電気光学装置。
(4) Claim 3, characterized in that a HIGH or LOW voltage is applied to the gate input of the transistor in synchronization with the first frame and the second frame.
The ferroelectric liquid crystal electro-optical device described in .
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JPS61179421A (en) * 1984-10-15 1986-08-12 Seiko Instr & Electronics Ltd Smectic liquid crystal display device
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