JP2593657B2 - Ferroelectric liquid crystal electro-optical device - Google Patents

Ferroelectric liquid crystal electro-optical device

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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、強誘電性液晶の双安定状態を相互に切り換
えて駆動する電気光学変換装置に関し、特に駆動回路の
改良を目的とする。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electro-optical conversion device that drives a ferroelectric liquid crystal by switching between bistable states, and particularly to an improvement in a driving circuit.

〔発明の概要〕[Summary of the Invention]

本発明は強誘電性液晶の双安定状態を閾値電圧以上の
波高値を有するパルスで切り換え駆動する強誘電性液晶
電気光学装置において、第1の安定状態から第2の安定
状態へ切り換わるパルスの波高値と第2の安定状態から
第1の安定状態へ切り換わるパルスの波高値が異なるこ
とに着目し、第1フレームと第2フレームで、液晶に印
加する波高値を切り換えることにより、強誘電性液晶電
気光学装置のコントラストを高くすることができた。
The present invention relates to a ferroelectric liquid crystal electro-optical device that switches and drives a bistable state of a ferroelectric liquid crystal with a pulse having a peak value equal to or higher than a threshold voltage, wherein a pulse for switching from a first stable state to a second stable state is provided. Focusing on the fact that the peak value differs from the peak value of the pulse that switches from the second stable state to the first stable state, the peak value applied to the liquid crystal is switched between the first frame and the second frame. The contrast of the transparent liquid crystal electro-optical device could be increased.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来から強誘電性液晶の双安定状態を閾値電圧以上の
波高値を有するパルスで切り換え駆動し、かつ切り換え
た後の安定状態を交流パルスで保持する駆動方式の強誘
電性液晶電気光学装置は知られていた。例えばSID'85|n
t'|Symposium16,131(1985)の文献に述べられている。
Conventionally, there is known a driving type ferroelectric liquid crystal electro-optical device in which a bistable state of a ferroelectric liquid crystal is switched by a pulse having a peak value equal to or higher than a threshold voltage, and a stable state after the switching is maintained by an AC pulse. Had been. For example, SID'85 | n
t '| Symposium 16, 131 (1985).

まず、第2図に従来の強誘電性液晶セル(以下液晶セ
ルという)の構造を示す。1−1は対向配置された一対
の基板である。3は基板1−1間に挟持された強誘電性
液晶例えばカイラルスメクチックC液晶(以下SmC
いう)薄膜である。
First, FIG. 2 shows a structure of a conventional ferroelectric liquid crystal cell (hereinafter, referred to as a liquid crystal cell). 1-1 is a pair of substrates arranged opposite to each other. Reference numeral 3 denotes a ferroelectric liquid crystal sandwiched between the substrates 1-1, for example, a chiral smectic C liquid crystal (hereinafter, referred to as SmC * ) thin film.

2−2は基板1−1とSmC薄膜3の界面に存在する
一軸性及びランダム性の水平配向膜であり、液晶分子の
双安定状態を実現する。液晶分子の長軸(以下分子軸と
いう)は基板1に対して水平に配向しかつ層をなす。こ
れを上部から観察すると液晶分子は2つのドメインに区
別される。第1のドメインでは分子軸は層の法線4に対
して+θ傾いている。これが第1の安定状態5である。
液晶分子の自発分極7は上方を向いている。第2のドメ
インでは分子軸は層の法線4に対して、−θ傾いてい
る。これが第2の安定状態6である。
Reference numeral 2-2 denotes a uniaxial and random horizontal alignment film existing at the interface between the substrate 1-1 and the SmC * thin film 3, and realizes a bistable state of liquid crystal molecules. The major axis of the liquid crystal molecules (hereinafter referred to as molecular axis) is oriented horizontally with respect to the substrate 1 and forms a layer. When this is observed from above, the liquid crystal molecules are distinguished into two domains. In the first domain, the molecular axis is inclined by + θ with respect to the normal 4 of the layer. This is the first stable state 5.
The spontaneous polarization 7 of the liquid crystal molecules points upward. In the second domain, the molecular axis is inclined by -θ with respect to the normal 4 of the layer. This is the second stable state 6.

この時自発分極7は下を向いている。両安定状態で自
発分極7の方向が互いに逆であることを利用して正負直
流パルスにより双安定状態のいずれか一方を選択するの
である。8−8は偏光軸を直交させて、対向配置された
一対の偏光板であって複屈折により、第1の安定状態と
第2の安定状態を光学的に識別するものである。例え
ば、第1の安定状態を光遮断状態(以下黒という)に、
又第2の安定状態を光通過状態(以下白という)に変換
する。9及び10はSmC薄膜3に駆動電圧を印加するた
めのマトリクス電極で第3図に示すように9は走査電極
(以下コモンという)、10は信号電極(以下セグメント
という)である。
At this time, the spontaneous polarization 7 faces downward. By utilizing the fact that the directions of the spontaneous polarization 7 are opposite to each other in the both stable states, one of the bistable states is selected by positive and negative DC pulses. Reference numeral 8-8 denotes a pair of polarizing plates arranged so as to face each other with their polarization axes orthogonal to each other, and optically distinguishes between the first stable state and the second stable state by birefringence. For example, the first stable state is changed to a light blocking state (hereinafter, referred to as black),
The second stable state is converted to a light passing state (hereinafter, referred to as white). Reference numerals 9 and 10 denote matrix electrodes for applying a drive voltage to the SmC * thin film 3, as shown in FIG.

第4図の(a)は交流バイアス平均化法を用いた線順
次駆動において1つのマトリクス画素(以下ドットとい
う)に印加される駆動波形を示す。第1フレームにおい
て選択期間中閾値以上の波高値を有する正負(コモン9
基準)のパルスP1及びP2が連続して加えられる。正パル
スP1により液晶分子は第2の安定状態に整列し続く負パ
ルスP2でスイッチングし第1の安定状態に整列する。こ
の状態が半選択期間中交流パルス印加により持続する。
交流パルスの波高値は閾値以下だからである。よって、
第1フレースでは第1の安定状態の黒が書き込まれる。
続いて第2フレームではパルスの極性が逆であるから白
が書き込まれる。ただし、本図では、P4及びP5は閾値以
下なので白は書き込まれず、第1フレームで書き込まれ
た黒が保存される。このP4及びP5の期間を非選択期間と
呼ぶ。またこの時の透過光強度の変化をフォトマルで測
定した結果を第4図(b)に示す。
FIG. 4A shows a drive waveform applied to one matrix pixel (hereinafter referred to as a dot) in line-sequential driving using the AC bias averaging method. In the first frame, a positive or negative signal having a peak value equal to or larger than the threshold value during the selection period (common 9)
Pulses P 1 and P 2 of the reference) are added sequentially. Liquid crystal molecules by the positive pulse P 1 is aligned to the first stable state and switched by the negative pulse P 2 to Tsuzuku aligned to the second stable state. This state is maintained by the application of the AC pulse during the half-selection period.
This is because the peak value of the AC pulse is equal to or less than the threshold. Therefore,
In the first frame, black in the first stable state is written.
Subsequently, in the second frame, white is written because the polarity of the pulse is reversed. However, in this view, since P 4 and P 5 is a threshold below white is not written, black written in the first frame is stored. The duration of this P 4 and P 5 is referred to as a non-selection period. FIG. 4 (b) shows the result of measuring the change in transmitted light intensity at this time using a photomultiplier.

ところで、選択期間P1及びP2、半選択期間P3、非選択
期間P4及びP5のパルスの波高値の関係は、P1及びP2のパ
ルスの波高値の絶対値をVとすれば、|P3|=V/N,|P4|=
|P5|=V・(N−2)/Nに選ばれる。こここでNはバイ
アス値と呼ばれるものである。また上記P1〜P5のパルス
の波高値は、第5図に示した抵抗を直列に接続したバイ
アス発生回路によって作られるVDD,V1,V2,V3,V4,V5の6
つの電圧値の組み合わせによって作られる。
By the way, the relationship between the pulse heights of the pulses in the selection periods P 1 and P 2 , the half-selection period P 3 , and the non-selection periods P 4 and P 5 is such that the absolute value of the pulse heights of the pulses P 1 and P 2 is V. If | P 3 | = V / N, | P 4 | =
| P 5 | = V · (N−2) / N. Here, N is called a bias value. The pulse wave height of the P 1 to P 5 are of V DD, V 1, V 2 , V 3, V 4, V 5 produced by the bias generation circuit connected to the resistance shown in FIG. 5 in series 6
It is made by a combination of two voltage values.

ところで、バイアス値はコントラストに影響を与える
ものであり、その様子を第6図に示す。この値の選び方
は、Japan Display'86 Proceeding PPに報告されてい
る。その結果によれば第7図のようなパルス波高値と透
過光強度が得られる強誘電性液晶では、バイアス値Nは
2γ/(γ−1)に等しく選ばれる。ここでγはVsat/V
thである。
Incidentally, the bias value affects the contrast, and the state is shown in FIG. How to choose this value is reported in Japan Display '86 Proceeding PP. According to the result, in the ferroelectric liquid crystal having the pulse peak value and the transmitted light intensity as shown in FIG. 7, the bias value N is selected to be equal to 2γ / (γ−1). Where γ is Vsat / V
th.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problems to be solved by the invention]

ところで、第7図は黒から白への変化を示したもので
あるが、実際には白から黒への変化も考えなければなら
ない。この様子を第8図に示す。図中aは黒から白、b
は白から黒への変化を示している。液晶材料及び配向方
法によっては、このように黒から白への変化aと白から
黒への変化bの波高値に差がある。このような液晶を上
記駆動方法で駆動するためには、γとしてVsat1/Vth2
値を用いなければならない。この場合、当然Vsat1/Vth2
の値はVsat1/Vth1の値よりも大きくなり、その結果、2
γ/(γ−1)の値で与えられるパイアス値Nは小さく
なってしまう。これは、第6図からもわかるようにコン
トラストが悪くなるという問題点を生じる。
FIG. 7 shows the change from black to white, but in practice, the change from white to black must also be considered. This is shown in FIG. In the figure, a is black to white, b
Indicates a change from white to black. Depending on the liquid crystal material and the alignment method, there is a difference between the peak values of the change a from black to white and the change b from white to black. Such liquid crystals to be driven by the drive method shall use the value of Vsat 1 / Vth 2 as gamma. In this case, naturally, Vsat 1 / Vth 2
Is greater than the value of Vsat 1 / Vth 1 , resulting in 2
The pierce value N given by the value of γ / (γ-1) becomes small. This causes a problem that the contrast deteriorates as can be seen from FIG.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

本発明は、表示品位の高い強誘電性電気光学装置を提
供するために、第1フレームと第2フレームでの駆動電
圧を、バイアス発生回路に付加したトランジスタをON,O
FFさせることによって、変えるようにしたものである。
According to the present invention, in order to provide a ferroelectric electro-optical device having a high display quality, a transistor in which a driving voltage in a first frame and a second frame is added to a bias generation circuit is turned on and off.
It is made to change by making it FF.

今、第1フレームで黒から白へ、第2フレームで白か
ら黒へ書き込むとする。したがって第8図において、第
1フレームではaの特性、第2フレームではbの特性に
注目すればよい。第1フレームでは、Vsat電圧はVsat1,
Vth電圧はVth1であり、第2フレームではVsat電圧はVsa
t2,Vth電圧はVth2である。したがって、第1フレームの
黒から白への書き換え波高値を、Vsat1電圧に選び、第
2フレームの白から黒への書き換え波高値をVsat2電圧
に選べば、各フレームでの閾値比はVsat1/Vth1,Vsat2/V
th2となり、前述したVsat1/Vth2よりも小さくなるため
その分、バイアス値を大きく選ぶことができる。また、
実際にはVsat1/Vth1とVsat2/Vth2の比は、等しくないの
でこの場合には両者の比の大きい方を選び、2γ/(γ
−1)に代入してバイアス値Nを決定する。
Now, assume that writing is performed from black to white in the first frame and from white to black in the second frame. Therefore, in FIG. 8, the characteristics of a in the first frame and the characteristics of b in the second frame may be noted. In the first frame, the Vsat voltage is Vsat 1 ,
Vth voltage is Vth 1, Vsat voltage in the second frame Vsa
The t 2 and Vth voltages are Vth 2 . Therefore, if the peak value of rewriting from black to white in the first frame is selected as Vsat 1 voltage and the peak value of rewriting from white to black in the second frame is selected as Vsat 2 voltage, the threshold ratio in each frame is Vsat 1 1 / Vth 1 , Vsat 2 / V
th 2, and the correspondingly to become smaller than Vsat 1 / Vth 2 described above, it is possible to choose a large bias value. Also,
Actually, the ratio between Vsat 1 / Vth 1 and Vsat 2 / Vth 2 is not equal, so in this case, the larger ratio of both is selected and 2γ / (γ
-1) to determine the bias value N.

なお、第1フレームと第2フレームで書き換え波高値
を変える具体的回答については実施例の項で説明する。
A specific answer for changing the rewrite peak value between the first frame and the second frame will be described in the section of the embodiment.

〔実施例〕〔Example〕

第1図に本発明の具体的回路を示す。抵抗11〜16は直
列に接続されその両端は電源に接続されている。抵抗1
1,12,14,15は同一の抵抗値を持ったものであり、その値
をRとする。今、バイアス値をNに選ぶには抵抗13の抵
抗値を(N−4)Rに選べば良い。
FIG. 1 shows a specific circuit of the present invention. The resistors 11 to 16 are connected in series, and both ends are connected to a power supply. Resistance 1
1, 12, 14, and 15 have the same resistance value, and the value is R. Now, in order to select the bias value to be N, the resistance value of the resistor 13 should be selected to be (N-4) R.

抵抗16の両端にはトランジスタ17のソース、及びドレ
インが接続されており、ゲートには制御信号が入力され
る。今、トランジスタ17のゲートにHIGH電圧が入力され
ると、トランジスタ17はnchトランジスタのため導通
し、出力V5には、負側の電源電圧VLCが出力される。一
方、ゲートにLOW電圧が入力されるとトランジスタ17
は、非導通となり、出力V5にはN・R・VLC/(N・R+
R16)の電圧が出力される。
The source and the drain of the transistor 17 are connected to both ends of the resistor 16, and a control signal is input to the gate. Now, when the HIGH voltage to the gate of the transistor 17 is input, the transistor 17 is conductive for nch transistor, the output V 5, the power supply voltage V LC of negative side is output. On the other hand, when LOW voltage is input to the gate, transistor 17
Becomes non-conductive, the output V 5 N · R · V LC / (N · R +
R16) is output.

ここでR16は抵抗16の抵抗値である。明らかにVLC>N
・R・VLC(N・R+R16)の関係が成り立つ。
Here, R16 is the resistance value of the resistor 16. Clearly V LC > N
・ The relationship of R · V LC (N · R + R16) is established.

したがって、VLCを前述のVsat1に、N・R・VLC/(N
・R+R16)を前述のVsat2の電圧に等しくするように、
VLCとR16及びRの値を適当に選択する。このような回路
で、第1フレームにおいては、トランジスタ17のゲート
にHIGH電圧、第2フレームにおいては、LOW電圧を印加
する。
Accordingly, the V LC to Vsat 1 described above, N · R · V LC / (N
・ R + R16) should be equal to the above-mentioned voltage of Vsat2.
VLC and the values of R16 and R are chosen appropriately. In such a circuit, a HIGH voltage is applied to the gate of the transistor 17 in the first frame, and a LOW voltage is applied in the second frame.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

本発明によれば、第1フレームと第2フレームでの書
き換え波高値をトランジスタを用いて切り換えることに
より、バイアス値を大きく選ぶことができるため、コン
トラストの高い強誘電性液晶電気光学装置を得ることが
できるという効果がある。
According to the present invention, it is possible to obtain a ferroelectric liquid crystal electro-optical device having a high contrast because a bias value can be largely selected by switching a rewrite peak value between a first frame and a second frame using a transistor. There is an effect that can be.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明によるバイアス発生回路、第2図は従来
の液晶セルの斜視図、第3図は従来の液晶セルの電極配
置図、第4図(a)は従来の駆動波形図、(b)はその
時の光学応答波形図、第5図は従来のバイアス発生回路
図、第6図はコントラスト比のバイアス値依存性を示す
図、第7図はパルス波高値と透過光強度の関係を示す
図、第8図は、本発明を説明するためのパルス波高値と
透過光強度の関係を示す図。 1−1……基板 2−2……配向膜 3……カイラルスメクチックC液晶 8−8……偏光板 9……走査電極 10……信号電極 11〜16……抵抗 17……トランジスタ
FIG. 1 is a bias generation circuit according to the present invention, FIG. 2 is a perspective view of a conventional liquid crystal cell, FIG. 3 is an electrode arrangement diagram of the conventional liquid crystal cell, FIG. b) is an optical response waveform diagram at that time, FIG. 5 is a conventional bias generation circuit diagram, FIG. 6 is a diagram showing the bias value dependence of the contrast ratio, and FIG. 7 is a diagram showing the relationship between the pulse peak value and the transmitted light intensity. FIG. 8 is a diagram showing a relationship between a pulse peak value and transmitted light intensity for explaining the present invention. 1-1: substrate 2-2: alignment film 3: chiral smectic C liquid crystal 8-8: polarizing plate 9: scanning electrode 10: signal electrode 11-16: resistance 17: transistor

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】強誘電性液晶薄膜と、該薄膜に接し液晶分
子の双安定整列を実現する配向膜と、双安定整列状態を
光学的明暗に変換する部材と、双安定状態を切り換える
ための電圧を該薄膜に印加するマトリクス配置された電
極よりなる液晶パネルと、交流バイアス平均化法により
双安定状態を線順次に書き込む駆動回路よりなる強誘電
性液晶電気光学装置において、第1の安定状態を書き込
むためのパルスの波高値と、第2の安定状態を書き込む
ためのパルスの波高値を異ならすことができる駆動手段
と、第1の安定状態を書き込むときの飽和電圧Vsat1
閾値電圧Vth1との比γ及び第2の安定状態を書き込む
ときの飽和電圧Vsat2と閾値電圧Vth2との比γの二つ
の値γ、γの大きい方を使って、駆動波形のバイア
ス値Nを決定した駆動手段を有することを特徴とする強
誘電性液晶電気光学装置。
1. A ferroelectric liquid crystal thin film, an alignment film which is in contact with the thin film and realizes bistable alignment of liquid crystal molecules, a member for converting a bistable alignment state into optically bright and dark, and a switch for switching the bistable state. In a ferroelectric liquid crystal electro-optical device comprising a liquid crystal panel comprising electrodes arranged in a matrix for applying a voltage to the thin film and a driving circuit for writing a bistable state line-sequentially by an AC bias averaging method, Drive means capable of making the peak value of the pulse for writing the first stable state different from the peak value of the pulse for writing the second stable state, a saturation voltage Vsat 1 and a threshold voltage Vth for writing the first stable state 1 ratio gamma 1 and two values gamma 1 ratio gamma 2 of the saturation voltage Vsat 2 and the threshold voltage Vth 2 obtained when the first write second stable state between, with the larger gamma 2, the bias of the drive waveform Drive with determined value N Ferroelectric and having a stepped liquid crystal electro-optical device.
【請求項2】強誘電性液晶薄膜と、該薄膜に接し液晶分
子の双安定整列を実現する配向膜と、双安定整列状態を
光学的明暗に変換する部材と、双安定状態を切り換える
ための電圧を該薄膜に印加するマトリクス配置された電
極よりなる液晶パネルと、交流バイアス平均化法により
双安定状態を線順次に書き込む駆動回路よりなる強誘電
性液晶電気光学装置において、第1の安定状態を書き込
むためのパルスの波高値と、第2の安定状態を書き込む
ためのパルスの波高値が異なっており、前記駆動回路は
該第1の安定状態を書き込むためのパルスの波高値と、
該第2の安定状態を書き込むためのパルスの波高値とを
異ならすことができる回路を具備しており、該回路は、
バイアス発生回路のうちの少なくとも1つの抵抗に並列
にトランジスタが接続されていることを特徴とする強誘
電性液晶電気光学装置。
2. A ferroelectric liquid crystal thin film, an alignment film in contact with the thin film to realize bistable alignment of liquid crystal molecules, a member for converting a bistable alignment state to optically bright and dark, and a switch for switching the bistable state. In a ferroelectric liquid crystal electro-optical device comprising a liquid crystal panel comprising electrodes arranged in a matrix for applying a voltage to the thin film and a driving circuit for writing a bistable state line-sequentially by an AC bias averaging method, The peak value of the pulse for writing the first stable state is different from the peak value of the pulse for writing the second stable state, and the drive circuit has the peak value of the pulse for writing the first stable state,
A circuit capable of making the peak value of a pulse for writing the second stable state different from that of the pulse,
A ferroelectric liquid crystal electro-optical device, wherein a transistor is connected in parallel to at least one resistor of the bias generation circuit.
【請求項3】該トランジスタのゲート入力には、第1フ
レーム及び第2フレームに同期した、HIGHまたはLOWの
電圧が印加されることを特徴とする特許請求の範囲第2
項記載の強誘電性液晶電気光学装置。
3. A high voltage or a low voltage synchronized with the first frame and the second frame is applied to a gate input of the transistor.
Item 8. The ferroelectric liquid crystal electro-optical device according to Item 1.
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