JPS63265443A - Probe device - Google Patents

Probe device

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Publication number
JPS63265443A
JPS63265443A JP62100673A JP10067387A JPS63265443A JP S63265443 A JPS63265443 A JP S63265443A JP 62100673 A JP62100673 A JP 62100673A JP 10067387 A JP10067387 A JP 10067387A JP S63265443 A JPS63265443 A JP S63265443A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
probe
measurement
chip
probe card
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62100673A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshiyuki Fukazawa
深沢 芳幸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP62100673A priority Critical patent/JPS63265443A/en
Publication of JPS63265443A publication Critical patent/JPS63265443A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To enlarge a measurement speed of a semiconductor wafer, by moving a probe needle while measurement of the semiconductor wafer is stopped and next measuring the semiconductor wafer. CONSTITUTION:A probe card 9, on which a probe needle 8 is mounted, is disposed on an opposite position of a measurement stage 7. This probe card 9 is movable in the X and Y directions relatively to the measurement stage 7. The probe needle 8 of the probe card 9 is disposed on the predetermined opposite position of IC chip siting. A measurement stage 7 is moved upwards to connect the probe needle 8 with each electrode pad which is formed on the IC chip, and a tester 17 is used to measure electrical characteristics of this IC chip. After the measurement of this IC chip is finished, the measurement stage 7 is moved downwards to keep the probe needle in non-contact with the electrode pad and the probe card 9 is moved in order to measure a second IC chip. These operations are repeated to perform the measurement of all IC chips which are formed on the wafer 6.

Description

【発明の詳細な説明】 (発明の目的〕 (産業上の利用分野) この発明は、プローブ装置に関する。[Detailed description of the invention] (Purpose of the invention) (Industrial application field) The present invention relates to a probe device.

(従来の技術) 従来のプローブ装置において、被測定体の電極とプロー
ブカードに取着されたプローブ針を接続させるには、プ
ローブ針は所定の位置に設置固定され、被測定体を載置
した載置台を移動させることにより実行していた。
(Prior art) In conventional probe devices, in order to connect the electrodes of the object to be measured and the probe needles attached to the probe card, the probe needles are installed and fixed at a predetermined position, and the object to be measured is placed on the probe card. This was done by moving the mounting table.

又、位置検出コイル及びプローブをウェハ上で移動自在
に支持する駆動手段を備えたプローブ装置は、特開昭5
8−145143号公報で周知である。
Further, a probe device equipped with a driving means for movably supporting a position detection coil and a probe on a wafer is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 5
It is well known from the publication No. 8-145143.

(発明が解決しようとする問題点) しかしながら上記したようなプローブ装置には以下に掲
げる問題点がある。
(Problems to be Solved by the Invention) However, the probe device as described above has the following problems.

まず、被測定体を載置した載置台を移動させることによ
り、被測定体の電極とプローブ針の接続を実行する場合
、大型の被測定体を測定するには被測定体を載置する載
置台を大型にしなければならない、このように載置台を
大型にすることは載置台の重量が増すことになり、載置
台を移動させるスピードが遅くなり、振動により精度が
悪くなり、製造コストも高くつくという問題点があった
First, when connecting the electrodes of the object to be measured and the probe needle by moving the mounting table on which the object to be measured is placed, it is necessary to move the mounting table on which the object is placed. The mounting table must be made larger. Increasing the mounting table in this way increases the weight of the mounting table, slows down the speed at which the mounting table can be moved, reduces accuracy due to vibration, and increases manufacturing costs. There was a problem with sticking.

又1位置検出コイル及びプローブをウニへ上で移動自在
に支持する駆動手段を備えたプローブ装置の場合、ウェ
ハの位置検出のために仮装線路をウェハに設け、この線
路に交播信号を流し、この信号により発生する磁界によ
り電磁誘導と上記位置検出コイルを利用することにより
ウェハ上の位置決めを行なっているものであるが、この
ような方法でプローブ針と被測定体の電極の位置決めを
実行すると位置決めが複雑なため位置決めに長時間を費
やし測定速度が低下してしま・うという問題点があった
In addition, in the case of a probe device equipped with a driving means for movably supporting a position detection coil and a probe above the sea urchin, a temporary line is provided on the wafer to detect the position of the wafer, and an alternating signal is passed through this line. Positioning on the wafer is performed using electromagnetic induction using the magnetic field generated by this signal and the above-mentioned position detection coil. However, when positioning the probe needle and the electrode of the object to be measured using this method, Since the positioning is complicated, it takes a long time and the measurement speed is reduced.

この発明は上記点を改善するためになされたもので、半
導体ウェハの測定速度の高速化が可能となりなおかつプ
ローブ装置の製造コストの削減も可能となる効果を得る
プローブ装置を提供するものである。
The present invention has been made to improve the above-mentioned problems, and provides a probe device that can increase the measurement speed of semiconductor wafers and reduce the manufacturing cost of the probe device.

〔発明の構成〕[Structure of the invention]

(問題点を解決するための手段) この発明は、多数の半導体チップが設けられた半導体ウ
ェハの上記各半導体チップの電極にプローブ針を順次接
続して測定するに際し半導体ウェハを測定期間停止状態
で上記プローブ針を移動させて測定することを特徴とす
るプローブ装置を得るものである。
(Means for Solving the Problems) This invention provides a method for measuring a semiconductor wafer provided with a large number of semiconductor chips by sequentially connecting probe needles to the electrodes of each of the semiconductor chips, while keeping the semiconductor wafer in a stopped state for a measurement period. The present invention provides a probe device characterized in that measurements are made by moving the probe needle.

(作用効果) 半導体ウェハを測定期間停止状態でプローブ針を移動さ
せて測定することにより、半導体ウェハの測定速度の高
速化が可能となりなおかつプローブ装置の製造コストの
削減も可能となる効果が得られる。
(Operation and Effect) By measuring the semiconductor wafer by moving the probe needle while it is stopped during the measurement period, it is possible to increase the measurement speed of the semiconductor wafer, and it is also possible to reduce the manufacturing cost of the probe device. .

(実 施 例) 次に本発明プローブ装置を半導体ウエハブローバに適用
した一実施例を図面を参照して説明する。
(Embodiment) Next, an embodiment in which the probe device of the present invention is applied to a semiconductor wafer blower will be described with reference to the drawings.

このウエハブローバ■は第2図に示すように、ウェハ収
納部■、搬送部■、アライメント部(へ)。
As shown in FIG. 2, this wafer blower (2) has a wafer storage section (2), a transport section (2), and an alignment section (2).

測定部0で構成されている。このウェハ収納部■には、
ウェハ0を所定の間隔を設けて25枚設置可能なカセッ
トを収納する。収納されたカセットは、カセット載置台
に載置される。このカセット載置台は上下動可能な様に
構成されている。このウェラなどを基準に精度±1°位
まで予備アライメントした後、ウェハ(へ)を測定ステ
ージ■に搬送する。
It consists of a measuring section 0. In this wafer storage section■,
A cassette that can accommodate 25 wafers 0 at predetermined intervals is stored. The stored cassette is placed on a cassette mounting table. This cassette mounting table is configured to be movable up and down. After performing preliminary alignment to an accuracy of approximately ±1° using this well, etc. as a reference, the wafer is transferred to the measurement stage (2).

この搬送されたウェハ0は正確にアライメントされる。This transferred wafer 0 is accurately aligned.

上記ウェハ0の搬送は搬送部■で行なわれこの搬送の際
、塵などの発生を防止する意味で、ウェハ(へ)の裏面
を真空吸着して搬送するものが望ましい、さらに上記の
アライメント部に)には、CODカメラを使ったパター
ン認識機構やレーザによる認識機構が設置されている。
The transfer of the wafer 0 is carried out in the transfer section (■). During this transfer, it is preferable that the back side of the wafer (to) be vacuum suctioned and transferred in order to prevent the generation of dust. ) is equipped with a pattern recognition mechanism using a COD camera and a recognition mechanism using a laser.

設定部■において、測定ステージ■の対向位置には、プ
ローブ針0を取着したプローブカード0が設置されてい
る。
In the setting section (2), a probe card 0 to which a probe needle 0 is attached is installed at a position opposite to the measurement stage (2).

このプローブカード0は測定ステージ■と相対的にX方
向およびY方向に移動可能である。このプローブカード
0の移動は第1図に示すように構成されている。支持体
(1o)は回転軸(11)を介してモータ(12)に連
結しており、モータ(12)の回転により支持体(lO
)は回転軸(11)上を螺合作用でスライドする。この
支持体(10)に連結している回転軸(13)は1回転
軸(11)と直交するように設置されて&【る、この回
転軸(13)はモータ(14)に連結していて、モータ
(14)の回転により支持体(15)が螺合作用で回転
軸(13)上をスライドする。この支持体(15)はプ
ローブカードコネクタ(16)を保持している。このプ
ローブカードコネクタ(16)にプローブカード■の一
側端を挿入し嵌合保持させる。このプローブカード■の
嵌合部は外部接続部であり。
This probe card 0 is movable in the X and Y directions relative to the measurement stage (2). The movement of the probe card 0 is configured as shown in FIG. The support (1o) is connected to a motor (12) via a rotating shaft (11), and rotation of the motor (12) causes the support (lO
) slides on the rotating shaft (11) by screwing. A rotating shaft (13) connected to this support (10) is installed perpendicular to the single rotating shaft (11), and this rotating shaft (13) is connected to a motor (14). As the motor (14) rotates, the support body (15) slides on the rotating shaft (13) due to the screwing action. This support (15) holds a probe card connector (16). One end of the probe card (1) is inserted into the probe card connector (16) and held in place. The fitting part of this probe card ■ is an external connection part.

この接続部からプローブ針■まではプローブカード■上
に回路配線がなされている。さらにプローブカードコネ
クタ(16)からテスタ(17)に配線(18)されて
いる、即ち、テスタ(17)から配線(18)、プロー
ブカードコネクタ(16)およびプローブカード■の回
路配線を介してプローブ針(ハ)までは電気的に導通可
能な如く配線されている0、 次にこのウエハプローバ■の動作作用を説明する。
Circuit wiring is made on the probe card ■ from this connection point to the probe needle ■. Furthermore, the probe is wired (18) from the probe card connector (16) to the tester (17), that is, the probe is connected via the wire (18) from the tester (17), the probe card connector (16), and the circuit wiring of the probe card ■. The wiring up to the needle (C) is electrically conductive.Next, the operation of this wafer prober (2) will be explained.

ウェハ収納部■からウェハ0を搬送部■でアライメント
部(へ)を介して測定ステージ■に搬送する。
The wafer 0 is transferred from the wafer storage section (2) to the measurement stage (2) via the alignment section (2) by the transfer section (2).

この搬送されたウェハ(へ)はアライメント部に)で正
確に位置決めされている。この位置決めとは、プローブ
カード■のX/Y移動方向と、ウェハ0に形成されたス
クライブラインとの方向を一致させることである0次に
、この位置決めされたウェハ■に規則的に多数形成され
た半導体(ICチップ)の電気特性の測定を実行する。
The transferred wafer is accurately positioned in the alignment section. This positioning means matching the X/Y movement direction of the probe card ■ with the direction of the scribe line formed on the wafer 0. Next, a large number of scribe lines are regularly formed on the positioned wafer ■. The electrical characteristics of the semiconductor (IC chip) are measured.

この測定は、まず予め定めておいた所定のICチップの
設定対向位置にプローブカード■のプローブ針(へ)を
設定する。
In this measurement, first, the probe needle of the probe card (2) is set at a position facing a predetermined IC chip.

このプローブ針■の設定は、モータ(12)および(1
4)を正逆を選択的に回転させて回転軸(11)および
(13)上を支持体(10)および(15)をスライド
させてプローブカード0を移動させることにより行なう
。ここで測定ステージ■を上動させてプローブ針(へ)
とICチップに形成された電極パッドを接続し、この接
続状態でテスタ(17)によりこのICチップの電気特
性を測定する。このICチップの測定終了後測定ステー
ジ■を下動させて、プローブ針■と電極パッドを非接触
状態として1次のICチップの測定のためにプローブカ
ード■を移動させる。又、X方向隣りのICチップを測
定する際のプローブカード■の移動は、回転軸(11)
に支持体(10)を固定とし、この状態でモータ(14
)を回転させ支持体(15)を回転軸(13)上をIC
チップの幅分だけスライドさせることにより実行する。
The setting of this probe needle ■ is the motor (12) and (1
4) is carried out by selectively rotating forward and backward, sliding the supports (10) and (15) on the rotation shafts (11) and (13), and moving the probe card 0. Now move the measurement stage ■ up and move the probe needle (toward).
and the electrode pads formed on the IC chip, and in this connected state, the electrical characteristics of this IC chip are measured by a tester (17). After the measurement of this IC chip is completed, the measurement stage (2) is moved down to bring the probe needle (2) and the electrode pad into a non-contact state, and the probe card (2) is moved for the first measurement of the IC chip. Also, when measuring adjacent IC chips in the X direction, the probe card ■ moves using the rotation axis (11).
The support body (10) is fixed to the motor (14) in this state.
) and rotate the support (15) onto the rotating shaft (13).
This is done by sliding the tip by the width of the chip.

又X方向隣りのICチップを測定する際のプローブカー
ド■の移動は、回転軸(13)に支持体(15)を固定
とし、この状態でモータ(12)を回転させ支持体(1
0)を回転軸(11)上をICチップの幅分だけスライ
ドさせることにより実行する。このような動作を繰返し
て、ウェハ0に形成されたすべてのICチップの測定を
実行する。測定終了後のウェハ0はウェハ収納部■に搬
送部■により搬送される。
In addition, to move the probe card (2) when measuring an adjacent IC chip in the
0) is executed by sliding the width of the IC chip on the rotating shaft (11). By repeating these operations, all IC chips formed on wafer 0 are measured. After the measurement is completed, the wafer 0 is transferred to the wafer storage section (2) by the transfer section (2).

この発明は上記実施例に限定されるものではない0例え
ば被測定体として半導体ウェハのかわりに液晶基板やガ
ラス基板などを使用してもかまわない、さらにプローブ
カードの移動方法としても必ずしもモータを使わなくと
も良く、エア制御によりプローブカードを移動してもか
まわない。
The present invention is not limited to the above embodiments. For example, a liquid crystal substrate or a glass substrate may be used instead of a semiconductor wafer as the object to be measured, and a motor may not necessarily be used as the method for moving the probe card. It is not necessary, and the probe card may be moved by air control.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例を説明するためのプローブカ
ード設置の説明図、第2図は第1図のウエハプローバの
図である。 8・・・プローブ針    9・・・プローブカード1
0、15・・・支持体    11.13・・・回転軸
12、14・・・モータ
FIG. 1 is an explanatory diagram of probe card installation for explaining one embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a diagram of the wafer prober of FIG. 1. 8... Probe needle 9... Probe card 1
0, 15... Support body 11.13... Rotating shaft 12, 14... Motor

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 多数の半導体チップが設けられた半導体ウェハの上記各
半導体チップが電極にプローブ針を順次接続して測定す
るに際し半導体ウェハを測定期間停止状態で上記プロー
ブ針を移動させて測定することを特徴とするプローブ装
置。
When measuring a semiconductor wafer provided with a large number of semiconductor chips by sequentially connecting probe needles to electrodes of each of the semiconductor chips, the measurement is performed by moving the probe needles while the semiconductor wafer is stopped for a measurement period. Probe equipment.
JP62100673A 1987-04-23 1987-04-23 Probe device Pending JPS63265443A (en)

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JP62100673A JPS63265443A (en) 1987-04-23 1987-04-23 Probe device

Applications Claiming Priority (1)

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JP62100673A JPS63265443A (en) 1987-04-23 1987-04-23 Probe device

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JPS63265443A true JPS63265443A (en) 1988-11-01

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ID=14280281

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JP62100673A Pending JPS63265443A (en) 1987-04-23 1987-04-23 Probe device

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KR100389909B1 (en) * 1995-11-21 2003-08-30 삼성전자주식회사 Probe card of wafer level test and connection method between test equipments

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