JPS63262833A - 固体電解コンデンサ及びその製法 - Google Patents
固体電解コンデンサ及びその製法Info
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- JPS63262833A JPS63262833A JP63083961A JP8396188A JPS63262833A JP S63262833 A JPS63262833 A JP S63262833A JP 63083961 A JP63083961 A JP 63083961A JP 8396188 A JP8396188 A JP 8396188A JP S63262833 A JPS63262833 A JP S63262833A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/15—Solid electrolytic capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は、誘電体とし作用する酸化層で被覆された弁作
用金属から成る陽極として使用される焼結体と、陰極と
して使用される半導体電解質と、導電性ラッカによって
構成される陰極接触部とを有する面体電解コンデンサに
関する。
用金属から成る陽極として使用される焼結体と、陰極と
して使用される半導体電解質と、導電性ラッカによって
構成される陰極接触部とを有する面体電解コンデンサに
関する。
第１図はこの種のコンデンサの断面図を示すものである
。陽極１を形成するために弁作用金属２、例えばタンタ
ルの粉末状粒子を圧縮し、熱処理により焼結させる。こ
の焼結体を成形処理し、これにより弁作用金属２の粒子
の表面に誘電的に作用する酸化層３、例えばタンタル−
コンデンサの場合Ｔａ、Ｏ，を形成する。
。陽極１を形成するために弁作用金属２、例えばタンタ
ルの粉末状粒子を圧縮し、熱処理により焼結させる。こ
の焼結体を成形処理し、これにより弁作用金属２の粒子
の表面に誘電的に作用する酸化層３、例えばタンタル−
コンデンサの場合Ｔａ、Ｏ，を形成する。
次いでこうして形成された成形体上に更に半導体電解質
４、例えばＭ ｎ Ｏｔから成る陰極を形成させる。す
なわち成形体を例えば金属−塩溶液中に浸漬し、半導体
電解質を熱分解により製造する。
４、例えばＭ ｎ Ｏｔから成る陰極を形成させる。す
なわち成形体を例えば金属−塩溶液中に浸漬し、半導体
電解質を熱分解により製造する。
その際陰極は一般に同じ処理工程を数回実施することに
より製造する。
より製造する。
陰極接触部には導電ラシカ層６を使用するが、この場合
一般には一層良好な電流遷移を得るため導電ラッカ層６
と陰極４との間に黒鉛ＩＷ５を配設する。陽極接触部は
弁作用金属から圧縮及び焼結された導線７により構成さ
れる。
一般には一層良好な電流遷移を得るため導電ラッカ層６
と陰極４との間に黒鉛ＩＷ５を配設する。陽極接触部は
弁作用金属から圧縮及び焼結された導線７により構成さ
れる。
この種のコンデンサは３つの要素、すなわちａ） 誘電
損 ｂ） 個々の弁作用金属粒子間における半導体電解質の
抵抗 Ｃ） 被覆された陽極の接触 から成る等価直列抵抗（ＥＳＲ）を有する。
損 ｂ） 個々の弁作用金属粒子間における半導体電解質の
抵抗 Ｃ） 被覆された陽極の接触 から成る等価直列抵抗（ＥＳＲ）を有する。
ａ）に記載の誘電損は材料との関連において必然的に生
じるが、ｂ）及びＣ）に記載の要素は陽極を種々の形状
に構成することによって制御することができる。
じるが、ｂ）及びＣ）に記載の要素は陽極を種々の形状
に構成することによって制御することができる。
次に簡略化した模型で種々の陽極形式の質的比較を行う
。
。
導電ラッカ及び陽極間の抵抗は多くの並列抵抗から成り
、これらは各導電ラッカ表面のそれぞれの点から半導体
電解質を存する溝を介して焼結体のそれぞれの点へ導か
れる。
、これらは各導電ラッカ表面のそれぞれの点から半導体
電解質を存する溝を介して焼結体のそれぞれの点へ導か
れる。
この多数の点の代わりに第２図に示すように１つの中心
点（２Ｐ）を焼結体内から選出する。導電ラッカ表面を
等間隔ａの各点でマークする。その際これは一定の大き
さの導電ラッカ平面片の代表として１つの点の配列に相
当するや 電気抵抗は次の式で計算する。
点（２Ｐ）を焼結体内から選出する。導電ラッカ表面を
等間隔ａの各点でマークする。その際これは一定の大き
さの導電ラッカ平面片の代表として１つの点の配列に相
当するや 電気抵抗は次の式で計算する。
１／Ｒ，−Σ１／Ｒ。
その際Ｒ，１は単純化されたＥＳＲであり、テスト値と
して１オーム／ｃＩｌの抵抗を設定した。
して１オーム／ｃＩｌの抵抗を設定した。
二次元的に考察した場合、同じ平面（−同じ容積）の次
に記載するいくつかの単純な陽極寸法でＥＳＨに対して
次の値が示される。
に記載するいくつかの単純な陽極寸法でＥＳＨに対して
次の値が示される。
第２図には連索の形状の陽極が示されているが、その高
さ、幅及び奥行はほぼ同じである０間隔ａを１．５１に
設定した。この値によってＥＳＲに対し以下の値が得ら
れる。
さ、幅及び奥行はほぼ同じである０間隔ａを１．５１に
設定した。この値によってＥＳＲに対し以下の値が得ら
れる。
１／Ｒ１−（４／１．５＋４／２．１２）／オームー４
．５５／オーム、ごれからＲ７寓０．２２オームである
。
．５５／オーム、ごれからＲ７寓０．２２オームである
。
第３図には第２図よりも長くて薄いか又は幅があって狭
い陽極体が示されており、これは面体電解コンデンサに
対しても使用できる。この場合等間隔ａでＥＳＲはＲ＊
−０，１６オームである。
い陽極体が示されており、これは面体電解コンデンサに
対しても使用できる。この場合等間隔ａでＥＳＲはＲ＊
−０，１６オームである。
第４図には十字状の陽極体を有する他の形状の陽極が示
されているが、これも従来の技術水準から公知のもので
ある。この形状の場合ＥＳＲはＲ３ｍｍ０，１２オーム
である。
されているが、これも従来の技術水準から公知のもので
ある。この形状の場合ＥＳＲはＲ３ｍｍ０，１２オーム
である。
従って陽極体を適当に形成することによってＥＳＲは約
２．．５分の１に減少させることができる。
２．．５分の１に減少させることができる。
上記のように外形によってＥＳＲを低くすることは可蛯
である。陽極体の電気抵抗にとって、導電ラッカ上にど
の位多くの点が存在するか（−導電ラッカ接触面）また
陽極体の中心における各点がどの位接近しているかは極
めて重要である。
である。陽極体の電気抵抗にとって、導電ラッカ上にど
の位多くの点が存在するか（−導電ラッカ接触面）また
陽極体の中心における各点がどの位接近しているかは極
めて重要である。
円筒型陽極の最小表面に対する基準点を得るにはＦ／Ｖ
値（表面／容積）を利用することができ（Ｆ／Ｖ）−ｉ
−””５．５４／Ｖ”’ （ｍ−’）コレ力ら例えば
Ｖ−１００ｍ”（７）場合（Ｆ／Ｖ）、ｉ。
値（表面／容積）を利用することができ（Ｆ／Ｖ）−ｉ
−””５．５４／Ｖ”’ （ｍ−’）コレ力ら例えば
Ｖ−１００ｍ”（７）場合（Ｆ／Ｖ）、ｉ。
−１，１９■−１となる。
直径：長さくφ：ｈ）−１：２の細長い陽極に対し７は
Ｆ／Ｖ−１，２６ｍ−’ （＋６％の付加的導電面）テ
アリ、＄：ｈ−１：４（７）場合Ｆ、；’Ｖ−１゜３６
−−’（＋１４％）となる、十字型陽極に対してはＦ／
Ｖ＝１．６■−１（＋３５％）となる。
Ｆ／Ｖ−１，２６ｍ−’ （＋６％の付加的導電面）テ
アリ、＄：ｈ−１：４（７）場合Ｆ、；’Ｖ−１゜３６
−−’（＋１４％）となる、十字型陽極に対してはＦ／
Ｖ＝１．６■−１（＋３５％）となる。
これは２種のタンタル−コンデンサの質を比較する場合
に利用することができる（導電面が多ければ多いはどＥ
ＳＲは小さい）。
に利用することができる（導電面が多ければ多いはどＥ
ＳＲは小さい）。
しかし出力密度が高い装置はど電気損（熱発生）の少な
い構成部材を必要とすることが示されている０例えば回
路網部分用には１００ ｋｌ（ｚまでのできるだけ少な
いＥＳＲを存する゛コンデンサが使用される。
い構成部材を必要とすることが示されている０例えば回
路網部分用には１００ ｋｌ（ｚまでのできるだけ少な
いＥＳＲを存する゛コンデンサが使用される。
従って本発明の課題は冒頭に記載した面体電解コンデン
サを、ＥＳＲが更に一層少な（なるように構成すること
にある。
サを、ＥＳＲが更に一層少な（なるように構成すること
にある。
この課題は本発明によれば、焼結体が平均直径約０．１
〜約３ｍｍの空洞ををすることによって解決される。
〜約３ｍｍの空洞ををすることによって解決される。
空洞は有利には平均直径が約０．５〜約ｌ１ｍ１までの
ぼぼ球形をしているか又は長さ約１０ｍｍまでのホース
形をしている。焼結体の総容量に対する空洞の割合は有
利には約１０〜約７５容量％である。
ぼぼ球形をしているか又は長さ約１０ｍｍまでのホース
形をしている。焼結体の総容量に対する空洞の割合は有
利には約１０〜約７５容量％である。
焼結体のこの大気孔形状により、空洞は半導体電解質で
被覆された後もそのまま残存することができ、それによ
り焼結体中に導電ラッカが侵入可能となる。こうして導
電ラッカ平面並びに焼結体の中心に対する導電ラッカの
隔たりも改良され、その結果本発明の実施形ではより大
きな導電ラッカ接触面積が得られるだけではなく、半導
体電解質中の電流通路も小さくなる。
被覆された後もそのまま残存することができ、それによ
り焼結体中に導電ラッカが侵入可能となる。こうして導
電ラッカ平面並びに焼結体の中心に対する導電ラッカの
隔たりも改良され、その結果本発明の実施形ではより大
きな導電ラッカ接触面積が得られるだけではなく、半導
体電解質中の電流通路も小さくなる。
本発明によるコンデンサは特に有利には陽極体を形成す
るために使用される弁作用金属粉末に平均直径約０．１
〜３．０ｍｍ、有利には約０．５〜１．０−の樟脳粒子
又は平均直径約０．１〜約３．０鵬及び長さ約１０ｍ以
下の樟脳糸を付加し、この混合物を陽極体にプレス加工
し、引続き檀Ｉ＝を加熱することにより蒸発させ、これ
により空洞が圧縮体に残留するように処理することによ
って製造される。
るために使用される弁作用金属粉末に平均直径約０．１
〜３．０ｍｍ、有利には約０．５〜１．０−の樟脳粒子
又は平均直径約０．１〜約３．０鵬及び長さ約１０ｍ以
下の樟脳糸を付加し、この混合物を陽極体にプレス加工
し、引続き檀Ｉ＝を加熱することにより蒸発させ、これ
により空洞が圧縮体に残留するように処理することによ
って製造される。
ドイツ連邦共和国特許出順公開第２６１０２２４号明細
書から、樟脳粉末をいわゆる圧縮助剖（潤滑剤）として
電解コンデンサ用陽極体を製造する際に使用することは
公知であるが、この場合樟脳粒子の平均直径はマイクロ
メータの範囲内にあり、従って空洞は焼結体中には殆ん
ど存在しない。
書から、樟脳粉末をいわゆる圧縮助剖（潤滑剤）として
電解コンデンサ用陽極体を製造する際に使用することは
公知であるが、この場合樟脳粒子の平均直径はマイクロ
メータの範囲内にあり、従って空洞は焼結体中には殆ん
ど存在しない。
次に本発明によるコンデンサの利点を測定値に基づき記
載する。
載する。
第５図には周波数に対するＥＳＲ／Ｚ （皮相抵抗）経
過が示されており、これは第２図に示した形状の陽極を
有する従来の５６μＦ／１５Ｖ−コンデンサにより得ら
れる。１００ｋＨｚでのＥＲ３は２２１ｍオームであり
、より高い周波数では２００ｍオーム以下に更に低下す
る。
過が示されており、これは第２図に示した形状の陽極を
有する従来の５６μＦ／１５Ｖ−コンデンサにより得ら
れる。１００ｋＨｚでのＥＲ３は２２１ｍオームであり
、より高い周波数では２００ｍオーム以下に更に低下す
る。
第６図には第５図と同じ定格データ及び同じ陽極形を有
するコンデンサの測定値が記載されているが、陽極体は
本発明により空洞を有する形式のものである。ＥＳＲは
ｌ ＯｋＨｚ 〜Ｉ ＭＨｚで明らかに５０ｍオーム以
下であり、１００ｋＨｚ 〜４００ｋＨｚでは４０ｍオ
ーム以下である。
するコンデンサの測定値が記載されているが、陽極体は
本発明により空洞を有する形式のものである。ＥＳＲは
ｌ ＯｋＨｚ 〜Ｉ ＭＨｚで明らかに５０ｍオーム以
下であり、１００ｋＨｚ 〜４００ｋＨｚでは４０ｍオ
ーム以下である。
従って本発明によるコンデンサのＺ／ＥＳＲは第７図に
示した十字形陽極を有する５６μＦ／１５ｖの従来のコ
ンデンサのＺ／ＥＳＲ値（この場合已ＳＲは１０ ｋＨ
ｚ 〜Ｉ ＭＢ２で約８０ｍオームである）をも下回る
。
示した十字形陽極を有する５６μＦ／１５ｖの従来のコ
ンデンサのＺ／ＥＳＲ値（この場合已ＳＲは１０ ｋＨ
ｚ 〜Ｉ ＭＢ２で約８０ｍオームである）をも下回る
。
詳細に記載したモデル及び第５図及び第７図からの測定
値を質的に比較した場合、モデルに応じての計算値に対
する上記ＥＳＲ値の割合は、十分に使用可能である程度
に一致する（理論値２２０：１２０、実測値２２０ニア
７）、この誤差は第４図に示した十字形が第７図で測定
したコンデンサの形状と完全に一致していないことに起
因する。
値を質的に比較した場合、モデルに応じての計算値に対
する上記ＥＳＲ値の割合は、十分に使用可能である程度
に一致する（理論値２２０：１２０、実測値２２０ニア
７）、この誤差は第４図に示した十字形が第７図で測定
したコンデンサの形状と完全に一致していないことに起
因する。
更に第８図は第２図に示した形状の陽極を存する従来の
２０μＦ／２０ ＶコンデンサのＺ／Ｅ ＳＲ凸曲線示
し、第９図には第３図に示した平面陽極形を存する従来
の２０μＦ／２０ ＶコンデンサのＺ／Ｅ Ｓ Ｒ曲線
が示されている。ＥＳＲ値の理論比２２（１１６０に対
し実測値は２５６＋１６７であり、これは同様に第３図
に示した陽極形と第９図で使用したものとが完全には一
致していないことによる。
２０μＦ／２０ ＶコンデンサのＺ／Ｅ ＳＲ凸曲線示
し、第９図には第３図に示した平面陽極形を存する従来
の２０μＦ／２０ ＶコンデンサのＺ／Ｅ Ｓ Ｒ曲線
が示されている。ＥＳＲ値の理論比２２（１１６０に対
し実測値は２５６＋１６７であり、これは同様に第３図
に示した陽極形と第９図で使用したものとが完全には一
致していないことによる。
第１Ｏ図には第２図に示したものに相応するが大気孔性
陽極である陽極形を有する２０μＦ／２０ｖコンデンサ
のＺ／ＥＳＲ曲線が示されている。
陽極である陽極形を有する２０μＦ／２０ｖコンデンサ
のＺ／ＥＳＲ曲線が示されている。
このコンデンサは２ＱｋＨｚで２９ｍオームのＥＳＲ値
に達するが、これに対して第８図による対照コンデンサ
は約１０倍も高いＥＳＲ値を有する。
に達するが、これに対して第８図による対照コンデンサ
は約１０倍も高いＥＳＲ値を有する。
最後に第１１図に定格値２７μＦ／１５Ｖのコンデンサ
を示すが、これはより高い細孔密度及び第２図による陽
極形の陽極を有する。
を示すが、これはより高い細孔密度及び第２図による陽
極形の陽極を有する。
次表は最も重要な測定値をまとめたものである。
本発明に応じて構成されたコンデンサは一層優れたＥ
Ｓ Ｒ（ａばかりでなく、より優れたＺ値をも有してい
ることがこの表及び図面から読み取れる。
Ｓ Ｒ（ａばかりでなく、より優れたＺ値をも有してい
ることがこの表及び図面から読み取れる。
同時に損失因子ｔａｎ δは、例えばｊａｎ ６１ ｋ
Ｈｚで約１０％から３〜４％に改善され（より高い周波
数の場合には一層良好である）、これにより大気孔性陽
極を有するコンデンサはより高い品質を生じる。
Ｈｚで約１０％から３〜４％に改善され（より高い周波
数の場合には一層良好である）、これにより大気孔性陽
極を有するコンデンサはより高い品質を生じる。
第６図によるコンデンサの場合空洞は全体の約３０容量
％であるが、これに対し第１０図及び第１１図によるコ
ンデンサでは約５０容量％である。
％であるが、これに対し第１０図及び第１１図によるコ
ンデンサでは約５０容量％である。
この細孔密度を調べるために大気孔性陽極及び対比的に
対照陽極を計量し、重量の差から孔の量を推論する。こ
の場合プレス密度は一定であることを前提とする。
対照陽極を計量し、重量の差から孔の量を推論する。こ
の場合プレス密度は一定であることを前提とする。
本発明により形成されたコンデンサの他の利点は、大気
孔性陽極をより高い電圧で成形できることであり１、こ
の場合成形圧力は対照陽極では約１２０Ｖであるが、３
０容量％の空洞を有するものの場合には約１３５Ｖ、ま
た４０容量％の空洞を有するものでは約１５０ｖに達し
得る。
孔性陽極をより高い電圧で成形できることであり１、こ
の場合成形圧力は対照陽極では約１２０Ｖであるが、３
０容量％の空洞を有するものの場合には約１３５Ｖ、ま
た４０容量％の空洞を有するものでは約１５０ｖに達し
得る。
更に半導体電解質の被覆は、この大きな空洞が硝酸マン
ガン貯蔵物質として作用することからより少なくて済む
ことは有利である。
ガン貯蔵物質として作用することからより少なくて済む
ことは有利である。
プレス密度が同じ場合にはまれにＣ■生成物が増加する
ことが観察されるが、これは微細孔により付加的に露出
面がタンタル上に生ずることに起因する。
ことが観察されるが、これは微細孔により付加的に露出
面がタンタル上に生ずることに起因する。
第１ＩＩは面体電解コンデンサの断面図、第２図は通常
の形状の陽極を示す図、第３図は長くて薄い又は幅があ
って狭い陽極を示す略示図、第４図は十字状の陽極を示
す略示図、第５図は従来の５６μＦ／１５Ｖコアデアす
のＺ／ＥＳＲ曲線図、第６図は大気孔性陽極を有する本
発明の５６μＦ／１５ｖコンデンサのＺ／Ｅ Ｓ Ｒ曲
線図、第７図は十字状陽極を有する従来の５６μＦ／１
５ＶコンデンサのＺ／Ｅ Ｓ Ｒ曲線図、第８図は従来
の２０μＦ／２０ＶコンデンサのＺ／ＥＳＲ曲線図、第
９図は平面陽極を存する従来の２０μＦ／２０Ｖコンデ
ンサのＺ／ＥＳＲ曲線図、第１０図は大気孔性陽極を有
する従来の２０μＦ／２０ＶコンデンサのＺ／ＥＳＲ曲
線図及び第１１図は高い細孔密度の陽極を有する２２７
μＦ／１５ＶコンデンサのＺ／ＥＳＲ曲線図である。 １・・・陽極 ２・・・弁作用金属 ３・・・酸化層 ４・・・半導体電解質（ＭｎＯｔ陰極）５・・・黒鉛層 ６・・・導電ラッカ層 ７・・・導線 ＩＧ １ ＦＩＧ １１ ｆ→
の形状の陽極を示す図、第３図は長くて薄い又は幅があ
って狭い陽極を示す略示図、第４図は十字状の陽極を示
す略示図、第５図は従来の５６μＦ／１５Ｖコアデアす
のＺ／ＥＳＲ曲線図、第６図は大気孔性陽極を有する本
発明の５６μＦ／１５ｖコンデンサのＺ／Ｅ Ｓ Ｒ曲
線図、第７図は十字状陽極を有する従来の５６μＦ／１
５ＶコンデンサのＺ／Ｅ Ｓ Ｒ曲線図、第８図は従来
の２０μＦ／２０ＶコンデンサのＺ／ＥＳＲ曲線図、第
９図は平面陽極を存する従来の２０μＦ／２０Ｖコンデ
ンサのＺ／ＥＳＲ曲線図、第１０図は大気孔性陽極を有
する従来の２０μＦ／２０ＶコンデンサのＺ／ＥＳＲ曲
線図及び第１１図は高い細孔密度の陽極を有する２２７
μＦ／１５ＶコンデンサのＺ／ＥＳＲ曲線図である。 １・・・陽極 ２・・・弁作用金属 ３・・・酸化層 ４・・・半導体電解質（ＭｎＯｔ陰極）５・・・黒鉛層 ６・・・導電ラッカ層 ７・・・導線 ＩＧ １ ＦＩＧ １１ ｆ→
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）誘電体として作用する酸化層で被覆された弁作用金
属から成る陽極として使用される焼結体と、陰極として
使用される半導体電解質と、導電性ラッカによって構成
される陰極接触部とを有する面体電解コンデンサにおい
て、焼結体が平均直径約０．１〜約３ｍｍの空洞を有し
ていることを特徴とする固体電解コンデンサ。 ２）空洞がほぼ球形であることを特徴とする請求項１記
載の固体電解コンデンサ。 ３）空洞の平均直径が約０．５〜約１ｍｍであることを
特徴とする請求項２記載の固体電解コンデンサ。 ４）空洞が長さ約１０ｍｍ以下のホース形であることを
特徴とする請求項１記載の固体電解コンデンサ。 ５）焼結体の総容量に対する空洞の容量比が約１０〜約
７５容量％であることを特徴とする請求項１ないし４の
１つに記載の固体電解コンデンサ。 ６）弁作用金属がタンタルから成り、半導体電解質が二
酸化マンガンから成ることを特徴とする請求項１ないし
５の１つに記載の固体電解コンデンサ。 ７）誘電体として作用する酸化層で被覆された弁作用金
属から成る陽極として使用される焼結体と、陰極として
使用される半導体電解質と、導電性ラッカによって構成
される陰極接触部とを有する固体電解コンデンサを製造
する方法において、陽極体を形成するのに使用される弁
作用金属粉末に平均直径約０．１〜約０、３ｍｍ（有利
には約０．５〜約１．０ｍｍ）の樟脳粒子又は平均直径
約０．１〜約０．３ｍｍ及び長さ約１０ｍｍ以下の樟脳
糸を付加し、この混合物を陽極体にプレス加工し、引続
き樟脳を加熱することにより蒸発させ、これによりプレ
ス加工体中に空洞を残すことを特徴とする固体電解コン
デンサの製法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3711973 | 1987-04-09 | ||
| DE3711973.7 | 1987-04-09 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63262833A true JPS63262833A (ja) | 1988-10-31 |
Family
ID=6325215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63083961A Pending JPS63262833A (ja) | 1987-04-09 | 1988-04-05 | 固体電解コンデンサ及びその製法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0286866B1 (ja) |
| JP (1) | JPS63262833A (ja) |
| DE (1) | DE3874586D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007073946A (ja) * | 2005-08-10 | 2007-03-22 | Sekisui Chem Co Ltd | 固体電解コンデンサ用陽極体の製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4225920A1 (de) * | 1992-08-05 | 1994-02-10 | Roederstein Kondensatoren | Kondensator, insbesondere Elektrolytkondensator |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3316133A (en) * | 1964-01-31 | 1967-04-25 | Sprague Electric Co | Process for aluminum capacitor electrodes |
| US3627520A (en) * | 1970-01-29 | 1971-12-14 | Sprague Electric Co | Method of producing porous sintered tantalum |
-
1988
- 1988-03-18 EP EP88104370A patent/EP0286866B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-03-18 DE DE8888104370T patent/DE3874586D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-04-05 JP JP63083961A patent/JPS63262833A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007073946A (ja) * | 2005-08-10 | 2007-03-22 | Sekisui Chem Co Ltd | 固体電解コンデンサ用陽極体の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0286866A1 (de) | 1988-10-19 |
| DE3874586D1 (de) | 1992-10-22 |
| EP0286866B1 (de) | 1992-09-16 |
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