JPS63261901A - Strip line for microwave hybrid integrated circuit - Google Patents
Strip line for microwave hybrid integrated circuitInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、マイクロ波ストリップ線路を有するマイクロ
波ハイブリッド集積回路に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a microwave hybrid integrated circuit having a microwave stripline.
従来、マイクロ波ハイブリッド集積回路において形成さ
れるマイクロ波ストリップ線路に関しては、特公昭60
−14521号公報に示されているように、金属板等の
板状の接地導体を基板としてその上に誘電体を設け、更
にその上にストリップ導体を形成し、ストリップ線路と
していた。また、誘電体を基板として、そのどちらか片
面に接地導体を形成して反対側の面にストリップ導体を
形成していた。Conventionally, regarding microwave strip lines formed in microwave hybrid integrated circuits, Japanese Patent Publication No. 60
As shown in Japanese Patent No. 14521, a dielectric material is provided on a plate-shaped ground conductor such as a metal plate as a substrate, and a strip conductor is further formed on the substrate to form a strip line. Further, a dielectric is used as a substrate, and a ground conductor is formed on one side of the substrate, and a strip conductor is formed on the opposite side.
上記した従来技術の問題点として以下のもの力【ある。 Problems with the above-mentioned conventional technology include the following.
接地導体を基板とした場合、基板として熱#張係数の小
さいものを使う必要が有り、使用できる材料の種類に制
限があった。When the ground conductor is used as a substrate, it is necessary to use a substrate with a small thermal tensile coefficient, and there are restrictions on the types of materials that can be used.
また、たとえ基板に熱膨張係数の小さいものを使ったと
しても、その上に形成される誘電体のそれに比較すると
、基板の熱膨張係数はかなり大きなものである。したが
って、更に誘電体の材質ま。Further, even if a substrate with a small coefficient of thermal expansion is used, the coefficient of thermal expansion of the substrate is considerably large compared to that of the dielectric material formed thereon. Therefore, it also depends on the dielectric material.
でも制限されることになる。But it will be limited.
金属板を基板として、その上に誘電体を形成する場合に
は、部品等を搭載する都合上、必要な機械的強度を保つ
為、特に誘電体層を厚(しなければならない。したがっ
て必然的にパターン幅も広くなり小形化には不向きであ
る。When a dielectric is formed on a metal plate as a substrate, the dielectric layer must be particularly thick in order to maintain the necessary mechanical strength in order to mount components, etc. Therefore, it is necessary to The pattern width also becomes wider, making it unsuitable for miniaturization.
すなわち従来、板厚0@B1mの結晶セラミック誘電体
基板(比u t ’its gr = 9 、6 、使
用周波数f;800MHzvCで)上にストリップ線路
を形成するとストリップ導体の幅WはQ、9mmとなり
、かなり大きい面積を有し℃いて、小形化には限度があ
る。That is, conventionally, when a strip line is formed on a crystalline ceramic dielectric substrate with a board thickness of 0@B1 m (ratio u t 'its gr = 9,6, working frequency f: 800 MHz vC), the width W of the strip conductor becomes Q, 9 mm. , and has a fairly large area, so there is a limit to miniaturization.
さらに、基板には、ストリップ線路のみでなくそれを利
用した電子回路を組み込む為の部品ラウンドも設けなけ
ればならないので、特に誘電体を厚くしなければならな
い場合には部品ラウンド間の浮遊容量が問題となる。こ
のことは、特に高利得増幅器を組んだ場合、発振の原因
にもなりかねない。Furthermore, the board must include not only strip lines but also component rounds to incorporate electronic circuits that utilize them, so stray capacitance between component rounds becomes a problem, especially when the dielectric must be thick. becomes. This may cause oscillation, especially when a high gain amplifier is used.
接地導体上に誘電体層を形成したものを基板として、高
周波回路を組み込み、その基板の一部に他の回路を組み
込んだ場合には、この回路の下には誘電体を介して接地
導体が存在する為、この回路と接地導体間との間に浮遊
容量が生ずるのはさけられない。When a high-frequency circuit is built into a board with a dielectric layer formed on a ground conductor, and other circuits are built into a part of the board, the ground conductor is placed under this circuit through the dielectric. Therefore, it is unavoidable that stray capacitance will occur between this circuit and the ground conductor.
基板の一部に絶縁体を使えば浮遊容量の発生をおさえら
れるが、そのような基板は構造が複雑で高価となる欠点
がある。Although it is possible to suppress the generation of stray capacitance by using an insulator in a part of the substrate, such a substrate has the disadvantage that it has a complicated structure and is expensive.
さらに基板を小形ハイブリッド化して基板にリードピン
を取付ける場合には、リードピンと基板の間の絶縁を完
全なものにする必要があり、これには複雑な工程を要す
る。Furthermore, when making a compact hybrid board and attaching lead pins to the board, it is necessary to perfect the insulation between the lead pins and the board, which requires a complicated process.
なお、ストリップラインを小形にするためには・実効波
長を短くする為、6rの大きい材質を使うか−接地導体
とストリップ導体との間融すなわちl!覧体層を薄くし
なければならないが誘電体基板とした場合には、機械的
強度を保つ為薄いものを使うことはできず、結局比肪電
率Mrの大きい誘電体を使わなければならない。これは
使用する材料の種類の選択が大きく制限され、設計上の
支障を来たすことになる。In addition, in order to make the strip line compact, - In order to shorten the effective wavelength, use a material with a large 6R - Interfusion between the ground conductor and the strip conductor, that is, l! The viewing layer must be made thin, but if a dielectric substrate is used, it cannot be made thin in order to maintain mechanical strength, and a dielectric with a high specific electric constant Mr must be used. This greatly limits the selection of the types of materials to be used, causing design problems.
また、誘電体を基板とした場合には、両面を加工しなけ
ればならず製造工程が増えるという問題があった。Further, when a dielectric material is used as a substrate, there is a problem in that both sides must be processed, which increases the number of manufacturing steps.
さらに、トランジスタ等の入力インピーダンスは5〜2
0Ωと非常に低い為、ストリップ線路のインピーダンス
整合をとるためかなり大きな導体面積をとる必要があっ
た。Furthermore, the input impedance of transistors etc. is 5 to 2
Since it is extremely low at 0Ω, it was necessary to take up a fairly large conductor area in order to match the impedance of the strip line.
本発明は、絶縁体を基板とし、その上に接地導体となる
導体、例えば印刷や蒸着その他の方法で形成し、その上
に誘電体を形成し、更にその上にストリップ導体を形成
することにより、上記従来技術上の問題点を解決したも
のである。The present invention uses an insulator as a substrate, forms a conductor to serve as a ground conductor on the substrate by printing, vapor deposition, or other methods, forms a dielectric material on top of the dielectric material, and further forms a strip conductor on top of that. , which solves the problems in the prior art described above.
上記のように形成されるストリップ線路は、マイクロ波
ストリップ線路を基板に構成する時に、片面の加工のみ
で済み、また膨張係数の似たものを使った時には、温度
変化による膨張に対する歪の影響を少なくすることがで
きる。The stripline formed as described above requires processing only on one side when configuring the microwave stripline on the substrate, and when using a material with a similar expansion coefficient, the effect of distortion on expansion due to temperature changes can be avoided. It can be reduced.
また、誘電体の裏面に導体を形成して、ストリップ線路
を形成したのでそのマイクロ波ストリップ線路の接地導
体により、接地導体の他の面に対して高周波的にシール
ドした状態になる。このため絶縁体基板の他の面に、高
周波的に干渉を受けない別の回路を自由に組むことや絶
縁体基板上のストリップ線路と他の部分を容易に電気的
に接紐することができる。したがって、基板のあらゆる
面を有効に利用出来る。Further, since a conductor is formed on the back surface of the dielectric to form a strip line, the ground conductor of the microwave strip line provides a state of high frequency shielding from other surfaces of the ground conductor. Therefore, it is possible to freely assemble another circuit that is not subject to high-frequency interference on other surfaces of the insulator substrate, and to easily connect the strip line on the insulator substrate and other parts electrically. . Therefore, all sides of the substrate can be used effectively.
以下に、本発明の一実施例を第1図を参照しながら説明
する。An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.
結晶セラミック誹電体基板1上にAy/Pb (銀パラ
ジウム)ペーストやeu(銅)ペースト等の導体を印刷
し焼成して接地導体層2を形成する(第1図A)。次に
前記接地導体層2の上に誘電体となるガラス等のペース
トを印刷し焼成し″C誘電体層5を形成する(纂1図B
)。更に、その上にAt/PAやCLLペーストを印刷
してストリップ導体4とする(第1図C)。A conductor such as Ay/Pb (silver palladium) paste or EU (copper) paste is printed on the crystal ceramic dielectric substrate 1 and fired to form a ground conductor layer 2 (FIG. 1A). Next, a dielectric paste such as glass is printed on the ground conductor layer 2 and fired to form a "C dielectric layer 5" (see Figure 1B).
). Further, At/PA or CLL paste is printed thereon to form the strip conductor 4 (FIG. 1C).
fil 111Dは、このようにして成形されたマイク
ロ波ストリップ線路を有するノ\イブリッド集積回路を
示す。このようにして形成されたマイクロ波ストリップ
腕路のインピーダンスZは、一般的には誘電体層5の厚
さ人と比誘電率1rとストリップ導体4の@Wにより次
式で求まる。fil 111D shows a hybrid integrated circuit with a microwave stripline formed in this way. The impedance Z of the microwave strip arm formed in this manner is generally determined by the following equation using the thickness of the dielectric layer 5, the relative dielectric constant 1r, and @W of the strip conductor 4.
なお、絶縁体基板1上に形成する材質2,5の膨張係数
は、絶縁体基板1と近似した膨張係数のものを使うこと
により熱膨張歪の問題のない/1イブリッド集積回路と
することができる。Note that by using materials 2 and 5 formed on the insulating substrate 1 with expansion coefficients similar to those of the insulating substrate 1, a /1 hybrid integrated circuit without the problem of thermal expansion distortion can be obtained. can.
第2図は、本発明に係る他の実施例を示したもので、絶
縁体基板1の両面に、前記の手段により同様にマイクロ
波ストリップ導体4を形成したものである。FIG. 2 shows another embodiment according to the present invention, in which microwave strip conductors 4 are similarly formed on both sides of an insulating substrate 1 by the above-described means.
第5図は、絶縁体基板1を基板として、その片面(上面
)に接地導体2.誘電体層5およびストリップ導体4を
形成したノ1イブリッド集積回路基。In FIG. 5, an insulator substrate 1 is used as a substrate, and a ground conductor 2. A hybrid integrated circuit board having a dielectric layer 5 and a strip conductor 4 formed thereon.
板において、前記絶縁基板の反対側の面(下面)に、前
記接地導体2を共通に用いて、前記の手段と同様にその
上に誘電体層5およびマイクロ波ストリップ線路4を形
成した他の一実施例を示したものである。In the plate, the ground conductor 2 is commonly used on the opposite surface (lower surface) of the insulating substrate, and a dielectric layer 5 and a microwave strip line 4 are formed thereon in the same manner as in the above means. This shows an example.
第4図は、−面に他の回路を構成する絶縁体基板1の他
の面に前記と同様な手段により、導体層2、誘電体層5
およびマイクロ波ストリップ線路4を形成した実施例を
示したものである。FIG. 4 shows that a conductor layer 2 and a dielectric layer 5 are formed on the other surface of the insulator substrate 1 on which other circuits are formed by the same method as described above.
2 shows an example in which a microwave strip line 4 is formed.
第5図は、絶縁体基板1に設けられた孔によって、この
基板10反対側に設けられた回路を前記ストリップ線路
4と電気的Vcm続する一実施例を示すものである。FIG. 5 shows an embodiment in which a circuit provided on the opposite side of the insulating substrate 10 is electrically connected to the strip line 4 by a hole provided in the insulating substrate 1.
最初に、基板1に設けられた孔を塞がな(・様に且つそ
の孔の中に入り込まない様に、孔より少し太き目に孔を
避ける部分を設げて接地導体2を形成し、さらにその上
に前記接地導体2と同様に孔を避ける部分を設けて誘電
体層5を形成する。更にその上にストリップ導体4を形
成して、本実施例に係る集積回路が作られる。First, the ground conductor 2 is formed by providing a part slightly thicker than the hole to avoid the hole so as not to block the hole provided in the board 1 and to prevent it from entering the hole. Further, a dielectric layer 5 is formed by providing a hole-avoiding portion in the same manner as the ground conductor 2. Further, a strip conductor 4 is formed on the dielectric layer 5 to form an integrated circuit according to this embodiment.
孔の上の部分に形成されたストリップ導体4は孔を通じ
て絶縁体基板1の他の面と電気的に接続され得るが、上
部ス) IJツブ導体4と下部接地溝・体2が孔の回り
の部分で接触しない様にするため、誘電体層5の形成の
時には、孔を避ける部分は下部接地導体2よりも小さく
して接地導体2の露出部を少なくして形成する。The strip conductor 4 formed above the hole can be electrically connected to the other surface of the insulator substrate 1 through the hole, but the upper IJ tube conductor 4 and the lower ground groove/body 2 are connected around the hole. In order to avoid contact at the parts, when forming the dielectric layer 5, the part to avoid the hole is made smaller than the lower ground conductor 2, so that the exposed part of the ground conductor 2 is reduced.
第6図は、絶縁体基板10表面に形成する接地導体2の
孔を避ける部分を設けずに形成した前記第5図に示した
実施例の変形を示したもので、ストリップ導体4は、接
地導体2と電気的に接続され、且つ絶縁体基板1の一面
に形成された回路が孔を通じて他の面に設けられた接地
導体2に電気的に接続されるようにしたものである。FIG. 6 shows a modification of the embodiment shown in FIG. 5 in which the ground conductor 2 formed on the surface of the insulator substrate 10 is not provided with a hole-avoiding part, and the strip conductor 4 is grounded. A circuit electrically connected to the conductor 2 and formed on one surface of the insulating substrate 1 is electrically connected to the ground conductor 2 provided on the other surface through the hole.
第7図は、前記のように絶縁体基板11C貫通した孔を
投げない他の変形実施例を示したもので、ストリップ導
体4は接地導体2には電気的に接続。FIG. 7 shows another modified embodiment in which the hole passing through the insulator substrate 11C is not provided as described above, and the strip conductor 4 is electrically connected to the ground conductor 2.
されるが、反対側の面に配置された他の回路とは接続さ
れないようにしたものである。However, it is not connected to other circuits placed on the opposite side.
本発明によれば、印刷や蒸着あるいは他の方法。 According to the invention, printing, vapor deposition or other methods.
で絶縁体基板上に接地導体、誘電体層、ス) IJツブ
導体を全て構成するので、設計段階において、誘電体層
の比誘電率εr、この誘電体層の厚さり。Since a ground conductor, a dielectric layer, and an IJ tube conductor are all constructed on an insulating substrate, at the design stage, the relative permittivity εr of the dielectric layer and the thickness of this dielectric layer are determined.
ストリップ導体の幅Wを自由に選択することが出来る。The width W of the strip conductor can be freely selected.
特に、接地導体を基板とした浮遊容量の問題や、誘電体
を基板とした場合の両面を加工しなければならず製造工
程が増えるという問題が除去され、本発明によれば基板
の片面のみで全て構成することが出来、かつその場合に
も浮遊容量が生じないという極め℃優れた効果がある。In particular, the problem of stray capacitance when a ground conductor is used as a substrate, and the problem that when a dielectric is used as a substrate, both sides must be processed and the manufacturing process increases are eliminated, and according to the present invention, only one side of the substrate is required. It is possible to configure all of them, and even in that case, there is an extremely excellent effect that no stray capacitance occurs.
さらに誘電体を基板とする場合にも、このような浮遊容
量の問題を考慮しなくて済むという効果の他、製造工程
上両面加工を必要としないということば製造コストの面
で著しい効果がある。Furthermore, when a dielectric material is used as the substrate, there is an effect that there is no need to consider such a problem of stray capacitance, and there is also a significant effect in terms of manufacturing cost since double-sided processing is not required in the manufacturing process.
例えば従来の方法では、結晶セラミック誘電体基板を使
った場合には50Ωの線路を作るのにストリップ導体の
幅W=0.6mm以下にするにはなかなか難しかったが
本発明によれば、同じ50Ωの線路を作るのに、gy=
5の材料を使えば、A : 60fim。For example, with the conventional method, it was quite difficult to make the strip conductor width W = 0.6 mm or less to make a 50 Ω line when using a crystalline ceramic dielectric substrate, but according to the present invention, it is difficult to make the strip conductor width W = 0.6 mm or less. To make a railway line, gy=
If you use the materials in step 5, A: 60fim.
W=150μmであり、また#y==5.5の材料を使
えばA=40μs、W=100μmとなるという様に製
造技術に応じて自由に設計することができ、容易にかつ
安価VC構成出来る効果がある。W = 150 μm, and if a material with #y = = 5.5 is used, A = 40 μs and W = 100 μm, so it can be freely designed according to manufacturing technology, making it easy and inexpensive to configure a VC. There is a possible effect.
また、トランジスタ等の入力インピーダンス迄5〜20
Ωと非常に低い為、今までかなり大形になりてぃた入力
ラインに対しても小さい導体面#lC。In addition, the input impedance of transistors etc. is 5 to 20
Because the Ω is very low, the conductor surface #lC is small even for input lines that have been quite large up until now.
よってストリップラインのインピーダンス整合t5とる
ことが出来る。Therefore, impedance matching t5 of the strip line can be achieved.
本発明の装置では、ストリップ導体面から、接地導体の
裏面へ通りぬけて行(電気力線数はキモ裏側の面にある
電荷には一切関係しない。したがって特別な本発明にお
いては、基板のM911vC加工作業を必要としない。In the device of the present invention, a line passes through from the strip conductor surface to the back surface of the ground conductor (the number of electric lines of force has no relation to the charge on the back surface of the substrate. Therefore, in the special present invention, the M911vC of the board No processing work required.
また接地導体層がシールド機能をもつので、高周波的干
渉を考鳳することなく、他の回路をそのまま組み込むこ
とが出来、基板の両面を有効に利用できるという効果が
ある。Furthermore, since the ground conductor layer has a shielding function, other circuits can be incorporated as they are without considering high frequency interference, and both sides of the board can be used effectively.
第1図は、本発明の一実施例であるマイクロ波ハイブリ
ッド基板の製造工程を示す概略断面図、第2図から第7
図は、その変形実施例の概略断面図を示す図である。
1・・・接地導体層
2・・・誘電体層
6・・・ストリップ導体
4・・・結晶セラミック誘電体基板
/〜)・、
゛、ノ
代理人弁理士 小 川 勝 男−1・
躬 (ロFIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the manufacturing process of a microwave hybrid board according to an embodiment of the present invention, and FIGS.
The figure is a diagram showing a schematic cross-sectional view of the modified example. 1...Grounding conductor layer 2...Dielectric layer 6...Strip conductor 4...Crystal ceramic dielectric substrate B
Claims (1)
接地導体層上に形成される誘電体層と、該誘電体層上に
形成されるストリップ導体層とからなることを特徴とす
るマイクロ波ハイブリッド集積回路のストリップ線路。 2、絶縁体基板の一表面に形成される接地導体層と、該
接地導体層上に形成される第一の誘電体層および前記絶
縁体基板の他の面に形成される第二の誘電体層と、該第
一および第二の誘電体層上にそれぞれ形成される第一の
ストリップ導体層および第二のストリップ導体層とから
なることを特徴とするマイクロ波ハイブリッド集積回路
のストリップ線路。 3、前記絶縁体基板の反対面に他の回路を有することを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載のマイクロ波ハイ
ブリッド集積回路のストリップ線路。[Claims] 1. A ground conductor layer formed on one surface of an insulating substrate, a dielectric layer formed on the ground conductor layer, and a strip conductor layer formed on the dielectric layer. A microwave hybrid integrated circuit strip line characterized by comprising: 2. A ground conductor layer formed on one surface of the insulator substrate, a first dielectric layer formed on the ground conductor layer, and a second dielectric layer formed on the other surface of the insulator substrate. 1. A strip line for a microwave hybrid integrated circuit, comprising a first strip conductor layer and a second strip conductor layer formed on the first and second dielectric layers, respectively. 3. The strip line of the microwave hybrid integrated circuit according to claim 1, further comprising another circuit on the opposite surface of the insulating substrate.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62095172A JPS63261901A (en) | 1987-04-20 | 1987-04-20 | Strip line for microwave hybrid integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
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JP62095172A JPS63261901A (en) | 1987-04-20 | 1987-04-20 | Strip line for microwave hybrid integrated circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JPS63261901A true JPS63261901A (en) | 1988-10-28 |
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Family Applications (1)
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JP62095172A Pending JPS63261901A (en) | 1987-04-20 | 1987-04-20 | Strip line for microwave hybrid integrated circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JPS63261901A (en) |
-
1987
- 1987-04-20 JP JP62095172A patent/JPS63261901A/en active Pending
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