JPS63260151A - 微細配線の形成方法 - Google Patents
微細配線の形成方法Info
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- JPS63260151A JPS63260151A JP9441787A JP9441787A JPS63260151A JP S63260151 A JPS63260151 A JP S63260151A JP 9441787 A JP9441787 A JP 9441787A JP 9441787 A JP9441787 A JP 9441787A JP S63260151 A JPS63260151 A JP S63260151A
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は微細配線の形成方法に関し、特に半導体装置の
高信頼性の配線の形成方法に関する。
高信頼性の配線の形成方法に関する。
従来、半導体装置の配線は第３図（ａ）に示す様に下層
配線１０２又は半導体面に対する配線接続孔を持った配
線３０８を形成した後、第３図（ｂ）に示す様にすぐに
次の眉間膜又はパッシベーション膜３０９の被着を行っ
ていた。この時、配線を形成する導体は抵抗率が低く且
つ比較的微細な加工が容易である事等の点から高純度の
アルミニウム又は数重量パーセントのシリコンを不純物
として混ぜたアルミニウム合金等が多く使用されて来た
。
配線１０２又は半導体面に対する配線接続孔を持った配
線３０８を形成した後、第３図（ｂ）に示す様にすぐに
次の眉間膜又はパッシベーション膜３０９の被着を行っ
ていた。この時、配線を形成する導体は抵抗率が低く且
つ比較的微細な加工が容易である事等の点から高純度の
アルミニウム又は数重量パーセントのシリコンを不純物
として混ぜたアルミニウム合金等が多く使用されて来た
。
前記の様に従来使用されていた高純度アルミニウム又は
数重量パーセントのシリコンを不純物として含有するア
ルミニウム合金を加工する事は比較的容易に行われてい
るが、素子の微細化に伴って配線寸法は縮小し、その為
エレクトロ・マイグレーションや熱履歴により発生する
ボイド等による断線の発生が問題となって来ている。又
、従来使用されていた数重量パーセントの銅を含有する
アルミニウム合金はエレクトロ・マイグレーションや熱
履歴により発生するボイド等に対しては高い耐性を有し
ているが、一方銅の塩化物も弗化物も通常ドライエツチ
ングで使用される条件下では気化しにくい為エツチング
面に残査として残ったりエツチングの進行をさまたげる
等の問題が有り微細の加工を安定に行うことは困難であ
った。
数重量パーセントのシリコンを不純物として含有するア
ルミニウム合金を加工する事は比較的容易に行われてい
るが、素子の微細化に伴って配線寸法は縮小し、その為
エレクトロ・マイグレーションや熱履歴により発生する
ボイド等による断線の発生が問題となって来ている。又
、従来使用されていた数重量パーセントの銅を含有する
アルミニウム合金はエレクトロ・マイグレーションや熱
履歴により発生するボイド等に対しては高い耐性を有し
ているが、一方銅の塩化物も弗化物も通常ドライエツチ
ングで使用される条件下では気化しにくい為エツチング
面に残査として残ったりエツチングの進行をさまたげる
等の問題が有り微細の加工を安定に行うことは困難であ
った。
本発明の目的は、微細な配線の形成が容易で、かつエレ
クトロ・マイグレーションや熱履歴により発生するボイ
ドに対する耐性が高く、更に配線抵抗をより小さくでき
る高信頼性の配線が得られる微細配線の製造方法を提供
することにある。
クトロ・マイグレーションや熱履歴により発生するボイ
ドに対する耐性が高く、更に配線抵抗をより小さくでき
る高信頼性の配線が得られる微細配線の製造方法を提供
することにある。
本発明の第１の発明の微細配線の形成方法は、半導体装
置の配線形成工程において、所望の配線接続孔を有した
層間絶縁膜上に第１金属の所望のパターンの配線を形成
する工程と、該配線に第二の金属の無電解鍍金を行う工
程とを有する事を特徴として構成される。
置の配線形成工程において、所望の配線接続孔を有した
層間絶縁膜上に第１金属の所望のパターンの配線を形成
する工程と、該配線に第二の金属の無電解鍍金を行う工
程とを有する事を特徴として構成される。
また、本発明の第２の発明の微細配線の形成方法は、半
導体装置の配線形成工程において、所望の配線接続孔を
有した層間絶縁膜上に第１金属の所望のパターンの配線
を形成する工程と、該配線に第二の金属の無電解鍍金を
行う工程と、更に第三の金属の無電解鍍金を行う工程と
を有する事を特徴として構成される。
導体装置の配線形成工程において、所望の配線接続孔を
有した層間絶縁膜上に第１金属の所望のパターンの配線
を形成する工程と、該配線に第二の金属の無電解鍍金を
行う工程と、更に第三の金属の無電解鍍金を行う工程と
を有する事を特徴として構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１の実施例を説明
する為に工程順に示した半導体素子の断面図である。
。第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１の実施例を説明
する為に工程順に示した半導体素子の断面図である。
まず、第１図（ａ＞に示す様に、下層の配線１０２又は
半導体面に対する配線接続孔を持った層間絶縁膜１０３
を形成した後の、半導体基板１０１の上に高純度アルミ
ニウムを使用して所望のパターンを持ったアルミニウム
配線１０４を形成する。
半導体面に対する配線接続孔を持った層間絶縁膜１０３
を形成した後の、半導体基板１０１の上に高純度アルミ
ニウムを使用して所望のパターンを持ったアルミニウム
配線１０４を形成する。
次に、第１図（ｂ）に示す様に、アルミニウム配線１０
４に適当な前処理を行った後に無電解鍍金を行い亜鉛１
０５を被着させる。
４に適当な前処理を行った後に無電解鍍金を行い亜鉛１
０５を被着させる。
続いて、第１図（Ｃ）に示す様に、亜鉛１０５に適当な
前処理を行った後に硫酸鋼を含む溶液により無電解鍍金
を行い銅１０６を被着させる。
前処理を行った後に硫酸鋼を含む溶液により無電解鍍金
を行い銅１０６を被着させる。
続いて、第１図（ｄ）に示す様に、パッシベーション膜
１０７の被着を行う。
１０７の被着を行う。
第２図（ａ）〜（ｄ）は本発明の第２の実施例を説明す
る為に工程順に示した半導体素子の縦断面図である。
る為に工程順に示した半導体素子の縦断面図である。
まず、第２図（ａ）に示す様に、下層の配線１０２又は
半導体面に対する配線接続孔を持った層間絶縁膜１０３
を形成した後の、半導体基板１０１の上に数重量パーセ
ントのシリコンを不純物として混ぜたアルミニウムを使
用して所望のパターンを持ったシリコン入りアルミニウ
ム配線２０４を形成する。
半導体面に対する配線接続孔を持った層間絶縁膜１０３
を形成した後の、半導体基板１０１の上に数重量パーセ
ントのシリコンを不純物として混ぜたアルミニウムを使
用して所望のパターンを持ったシリコン入りアルミニウ
ム配線２０４を形成する。
次に、第２図（ｂ）に示す様に、シリコン入りアルミニ
ウム配線２０４に適当な前処理を行った後に無電解鍍金
を行い亜鉛１０５を被着させる。
ウム配線２０４に適当な前処理を行った後に無電解鍍金
を行い亜鉛１０５を被着させる。
続いて、第２図（Ｃ）に示す様に、亜鉛１０５の表面に
適当な前処理を行った後にｆｉｇ’ Ｍニッケルを含む
溶液により無電解鍍金を行いニッケル２０６を被着させ
る。
適当な前処理を行った後にｆｉｇ’ Ｍニッケルを含む
溶液により無電解鍍金を行いニッケル２０６を被着させ
る。
続いて、第２図（ｄ）に示す様に、パッシベーション膜
１０７の被着を行う。
１０７の被着を行う。
以上説明した様に本発明は第一の金属として比較的エツ
チングの容易な材料を使用する事により微細な配線の形
成を容易とし、その上面及び側面を第二の金属又は第二
及び第三の金属により被覆する事でエレクトロ・マイグ
レーションや熱履歴により発生するボイドに対する耐性
を高くする事ができる。又、第一の金属に対する第二の
金属の堆積及び第二の金属に対する第三の金属の堆積を
無電解鍍金により行う為に比較的容易に選択的な堆積を
実現できる。
チングの容易な材料を使用する事により微細な配線の形
成を容易とし、その上面及び側面を第二の金属又は第二
及び第三の金属により被覆する事でエレクトロ・マイグ
レーションや熱履歴により発生するボイドに対する耐性
を高くする事ができる。又、第一の金属に対する第二の
金属の堆積及び第二の金属に対する第三の金属の堆積を
無電解鍍金により行う為に比較的容易に選択的な堆積を
実現できる。
更に、第二の金属又は第三の金属を第一の金属より抵抗
率の低い金属にする事によって配線抵抗をより小さくで
きる可能性がある。
率の低い金属にする事によって配線抵抗をより小さくで
きる可能性がある。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１の実施例を説明す
るために工程順に示した半導体素子の縦断面図、第２図
（ａ）〜（ｄ）は本発明の第二の実施例を説明するため
に工程順に示した半導体素子の縦断面図、第３図（ａ）
、（ｂ）は従来技術を説明する為に工程順に示した半導
体素子の縦断面図である。 １０１・・・半導体基板、１０２・・・下層配線、１０
３・・・層間絶縁膜、１０４・・・アルミニウム配線、
１０５・・・亜鉛、１０６・・・銅、１０７・・・パッ
シベーション膜、２０４・・・シリコン入りアルミニウ
ム配線、２０６・・・ニッケル、３０８・・・配線、３
０９・・・層間膜又はパッシベーション膜。 牛１図
るために工程順に示した半導体素子の縦断面図、第２図
（ａ）〜（ｄ）は本発明の第二の実施例を説明するため
に工程順に示した半導体素子の縦断面図、第３図（ａ）
、（ｂ）は従来技術を説明する為に工程順に示した半導
体素子の縦断面図である。 １０１・・・半導体基板、１０２・・・下層配線、１０
３・・・層間絶縁膜、１０４・・・アルミニウム配線、
１０５・・・亜鉛、１０６・・・銅、１０７・・・パッ
シベーション膜、２０４・・・シリコン入りアルミニウ
ム配線、２０６・・・ニッケル、３０８・・・配線、３
０９・・・層間膜又はパッシベーション膜。 牛１図
Claims (2)
- （１）半導体装置の配線形成工程において、所望の配線
接続孔を有した層間絶縁膜上に第１の金属の所望のパタ
ーンの配線を形成する工程と、該配線に第二の金属の無
電解鍍金を行う工程とを有する事を特徴とする微細配線
の形成方法。 - （２）半導体装置の配線形成工程において、所望の配線
接続孔を有した層間絶縁膜上に第１の金属の所望のパタ
ーンの配線を形成する工程と、該配線に第二の金属の無
電解鍍金を行う工程と、更に第三の金属の無電解鍍金を
行う工程とを有する事を特徴とする微細配線の形成方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9441787A JPS63260151A (ja) | 1987-04-17 | 1987-04-17 | 微細配線の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9441787A JPS63260151A (ja) | 1987-04-17 | 1987-04-17 | 微細配線の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63260151A true JPS63260151A (ja) | 1988-10-27 |
Family
ID=14109662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9441787A Pending JPS63260151A (ja) | 1987-04-17 | 1987-04-17 | 微細配線の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63260151A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI694492B (zh) * | 2017-12-21 | 2020-05-21 | 南亞科技股份有限公司 | 半導體元件之精細互連的製備方法 |
-
1987
- 1987-04-17 JP JP9441787A patent/JPS63260151A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI694492B (zh) * | 2017-12-21 | 2020-05-21 | 南亞科技股份有限公司 | 半導體元件之精細互連的製備方法 |
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