JPS63258078A - 非晶質光電変換装置 - Google Patents
非晶質光電変換装置Info
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- JPS63258078A JPS63258078A JP62093503A JP9350387A JPS63258078A JP S63258078 A JPS63258078 A JP S63258078A JP 62093503 A JP62093503 A JP 62093503A JP 9350387 A JP9350387 A JP 9350387A JP S63258078 A JPS63258078 A JP S63258078A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野）
この発明は、ｐ型層とｎ型層の間にｉ型層を形成したア
モルファス太陽電池などに適用される非晶質光電変換装
置に関する。
モルファス太陽電池などに適用される非晶質光電変換装
置に関する。
第３図は従来のアモルファス太陽電池（「アモルファス
」講談社、ブルー・パックス、１３０〜１３６真に開示
）の−例を示す断面図である。同図に示すように、ｎ型
Ｓ電性を有する非晶質膜（以下ｎ型層１と称する）とｐ
型溝電性を有する非晶質膜（以下Ｐ型層２と称する）と
の間にｉ型溝電性を有する非晶質膜（以下ｉ型層３と称
する）の形成された０１０層が銀（八ｇ）、アルミニｌ
ツム（△ｉ）等の裏面Ｔｉ ｌｆｉ ４上に形成される
。更にＰ型層２上に酸化インジウムスズ（ＩＴｏ）、Ｍ
化スズ（Ｓｎ Ｏ，、）等の透明電極膜５が形成され、
この上面側の端部に銀、アルミニウム等の集電極６が設
けられる。
」講談社、ブルー・パックス、１３０〜１３６真に開示
）の−例を示す断面図である。同図に示すように、ｎ型
Ｓ電性を有する非晶質膜（以下ｎ型層１と称する）とｐ
型溝電性を有する非晶質膜（以下Ｐ型層２と称する）と
の間にｉ型溝電性を有する非晶質膜（以下ｉ型層３と称
する）の形成された０１０層が銀（八ｇ）、アルミニｌ
ツム（△ｉ）等の裏面Ｔｉ ｌｆｉ ４上に形成される
。更にＰ型層２上に酸化インジウムスズ（ＩＴｏ）、Ｍ
化スズ（Ｓｎ Ｏ，、）等の透明電極膜５が形成され、
この上面側の端部に銀、アルミニウム等の集電極６が設
けられる。
このアモルファス太陽電池に第３図の紙面に向かって上
方から（同図の矢符に示す）光が入射すると、その光は
透明４電ＶＡ５およびＰ型層２に−部吸収されるが、は
とんどはｉ型層３に吸収されて、そのエネルギーにより
光励起キャリヤ（Ｎ子および正孔）が発生する。そして
、ｐｉｎ接合によるｉ型層３内の電界によって電子はｒ
ｌ！Ｊｉ１へ正孔はＰ型層２へそれぞれ移動し、移動し
た電子は失血電極４に集められるとともに正孔は透明型
８Ａ膜５を経て集電極６に集められて、両電極４゜６間
に起電力が発生する。
方から（同図の矢符に示す）光が入射すると、その光は
透明４電ＶＡ５およびＰ型層２に−部吸収されるが、は
とんどはｉ型層３に吸収されて、そのエネルギーにより
光励起キャリヤ（Ｎ子および正孔）が発生する。そして
、ｐｉｎ接合によるｉ型層３内の電界によって電子はｒ
ｌ！Ｊｉ１へ正孔はＰ型層２へそれぞれ移動し、移動し
た電子は失血電極４に集められるとともに正孔は透明型
８Ａ膜５を経て集電極６に集められて、両電極４゜６間
に起電力が発生する。
第４図は多層構造のアモルファス太陽電池の断面図を示
しており、３個のｐｉｎ層を備えた多層構造となってい
る点のみが第３図の従来例と相違する。このアモルファ
ス太１１１ｆｆｉ池による光起電力の発生メカニズムは
、第３図のアモルファス太陽電池のそれと同様である。
しており、３個のｐｉｎ層を備えた多層構造となってい
る点のみが第３図の従来例と相違する。このアモルファ
ス太１１１ｆｆｉ池による光起電力の発生メカニズムは
、第３図のアモルファス太陽電池のそれと同様である。
ところで、上記した従来のアモルファス太ｌｌＢ？！池
は、ｎ型層１およびＰ型層２が非晶質のため暗導電率が
低く（１０−３〜１０−６８／α）、光起電力が小さい
という欠点がある。この光起電力を大きくする方法とし
てｎＩＸ！層１およびＰ型層２の非晶質中に結晶粒を含
まぜることが考えられる。このにうにすると、ｎ１層１
またはＰ型層２のフェルミレベルが伝導帯または価電子
帯により近づいて、ｒｒｓ：ｕ３のフェルミレベルとの
エネルギー差が大きくなり、これによりｉ型層３内の電
界が強くなってｉ型層３からｎ型層１またはＰ型層２へ
の１ヤリヤの移動がスムーズに行なわれるようになる。
は、ｎ型層１およびＰ型層２が非晶質のため暗導電率が
低く（１０−３〜１０−６８／α）、光起電力が小さい
という欠点がある。この光起電力を大きくする方法とし
てｎＩＸ！層１およびＰ型層２の非晶質中に結晶粒を含
まぜることが考えられる。このにうにすると、ｎ１層１
またはＰ型層２のフェルミレベルが伝導帯または価電子
帯により近づいて、ｒｒｓ：ｕ３のフェルミレベルとの
エネルギー差が大きくなり、これによりｉ型層３内の電
界が強くなってｉ型層３からｎ型層１またはＰ型層２へ
の１ヤリヤの移動がスムーズに行なわれるようになる。
このようなｉ型層３内の電界の強さは、上記結晶粒の粒
径を大きくするほど増大するが、反面、結晶粒を大きく
づるとｉ型１ｔ９ｊ３からｎ型層１またはｐ型層２ヘキ
ャリャが移動する際に、その界面領域で生じるキャリヤ
の再結合損失が増大するようになる。したがって、単に
結晶粒径を多ぎくするだけでは、充分な光起電力の発生
効率を得ることはできない。
径を大きくするほど増大するが、反面、結晶粒を大きく
づるとｉ型１ｔ９ｊ３からｎ型層１またはｐ型層２ヘキ
ャリャが移動する際に、その界面領域で生じるキャリヤ
の再結合損失が増大するようになる。したがって、単に
結晶粒径を多ぎくするだけでは、充分な光起電力の発生
効率を得ることはできない。
ちなみに、界面領域でのキャリヤ再結合１０失を低減す
るために結晶粒径を小さく設定した場合には、今度は、
ｉ型層３の電界が弱くなってやはり充分な光起電力の発
生効率を得ることはできない。
るために結晶粒径を小さく設定した場合には、今度は、
ｉ型層３の電界が弱くなってやはり充分な光起電力の発
生効率を得ることはできない。
この発明は、上記従来の問題を解決するためになされた
もので、優れた光電変換効率が得られる非晶質光電変換
装置を提供することを目的とする。
もので、優れた光電変換効率が得られる非晶質光電変換
装置を提供することを目的とする。
この発明は、ｐ型層とｎ型層の間にｉ型層を形成した非
晶質光電変換装置であって、上記目的を達成するため、
前記Ｐ型層または前記ｎ型層の非晶質中に結晶粒を含ま
せ、かつ結晶粒の粒径を、前記ｐ型層またはｎ型層の内
部領域で大きく設定するとともに、前記ｐ型層または前
記ｎ型層における前記ｉ型層との界面領域で小さく設定
している。
晶質光電変換装置であって、上記目的を達成するため、
前記Ｐ型層または前記ｎ型層の非晶質中に結晶粒を含ま
せ、かつ結晶粒の粒径を、前記ｐ型層またはｎ型層の内
部領域で大きく設定するとともに、前記ｐ型層または前
記ｎ型層における前記ｉ型層との界面領域で小さく設定
している。
この発明の非晶質光電変換装置によれば、ｐ型層または
ｎ７１層の内部領域に含まれる結晶粒の粒径を大ぎく設
定しているため、ｉ型層内の電界が強くなり、しかもＰ
型層またはｎ型層におけるｉ型層の界面領域に含まれる
結晶粒の粒径を小さく設定しているため、それらの界面
領域でのキャリアの再結合損失も低く抑えられる。
ｎ７１層の内部領域に含まれる結晶粒の粒径を大ぎく設
定しているため、ｉ型層内の電界が強くなり、しかもＰ
型層またはｎ型層におけるｉ型層の界面領域に含まれる
結晶粒の粒径を小さく設定しているため、それらの界面
領域でのキャリアの再結合損失も低く抑えられる。
（実施例〕
第１図はこの発明の一実施例である非晶質光電変換装置
を示寸断面図である。同図に示ずように、銀、アルミニ
ウム等の央而電極４上に不純物として燐を添加したｎ型
層１が形成される。このｎ型層１は例えば、グロー放電
法によって、シラン（ｓｚ−＋＞を水素（ト１２）で１
０倍以上希釈した反応ガスに燐化水素（ＰＨ３）を１％
添加して供給し、放電パワーを１０Ｗ〜２００Ｗとする
ことにより、粒径が１０Å〜５０人と小さい結晶粒Ｓを
含んだｎ型層下部１ａがまず形成される。つぎに、例え
ば上記と同様の反応ガスに燐化水素を１％添加して供給
し、放電パワーを２００Ｗ〜４００Ｗとすることにより
、粒径が５０Å〜５００人と大きい結晶粒りを含んだｎ
型層中間部１ｂが形成される。このｎ型層中間部１ｂ上
には、ｎ型層下部１ａの場合と同様の方法で、粒径が１
０Å〜５０人の結晶粒Ｓを含んだｎ型層上部１Ｃが形成
される。こうして形成されたｎ型層１上にグロー放電法
によってアモルファスシリコン、アモルファスシリコン
ゲルマニウム等のｉ型層３が形成される。更に、このｉ
型層３上に、不純物としてボロンを添加したＰ型層２が
形成される。このＰ型層２は、例えば上記ｎ型層１の形
成法と同様にグロー放電法によって行なわれる。すなわ
ち、ｎ型層１の場合と同様の反応ガスにボラン（Ｂ２Ｈ
６）を１％添加して供給し、放電パワーをＩＯＷ〜２０
０Ｗとすることにより、粒径が１０Å〜５０人の結晶粒
Ｓを含んだｎ型層下部２ａがまず形成される。次に、放
電パワーを２００Ｗ〜４００Ｗに調節することにより、
粒径が５０Å〜５００人の結晶粒りを含むｎ型層中間部
２ｂが形成され、更に放電パワーをＩＯＷ〜２００Ｗに
調節することにより、粒径が１０Å〜５０人の結晶粒Ｓ
を含んだｎ型層下部２ａが形成される。こうして形成さ
れたｐ型層２上には、酸化インジウムスズ、酸化スズ等
の透明電極膜５が形成され、更にこの上面側の端部には
銀、アルミニウム等の集電極６が設けられる。
を示寸断面図である。同図に示ずように、銀、アルミニ
ウム等の央而電極４上に不純物として燐を添加したｎ型
層１が形成される。このｎ型層１は例えば、グロー放電
法によって、シラン（ｓｚ−＋＞を水素（ト１２）で１
０倍以上希釈した反応ガスに燐化水素（ＰＨ３）を１％
添加して供給し、放電パワーを１０Ｗ〜２００Ｗとする
ことにより、粒径が１０Å〜５０人と小さい結晶粒Ｓを
含んだｎ型層下部１ａがまず形成される。つぎに、例え
ば上記と同様の反応ガスに燐化水素を１％添加して供給
し、放電パワーを２００Ｗ〜４００Ｗとすることにより
、粒径が５０Å〜５００人と大きい結晶粒りを含んだｎ
型層中間部１ｂが形成される。このｎ型層中間部１ｂ上
には、ｎ型層下部１ａの場合と同様の方法で、粒径が１
０Å〜５０人の結晶粒Ｓを含んだｎ型層上部１Ｃが形成
される。こうして形成されたｎ型層１上にグロー放電法
によってアモルファスシリコン、アモルファスシリコン
ゲルマニウム等のｉ型層３が形成される。更に、このｉ
型層３上に、不純物としてボロンを添加したＰ型層２が
形成される。このＰ型層２は、例えば上記ｎ型層１の形
成法と同様にグロー放電法によって行なわれる。すなわ
ち、ｎ型層１の場合と同様の反応ガスにボラン（Ｂ２Ｈ
６）を１％添加して供給し、放電パワーをＩＯＷ〜２０
０Ｗとすることにより、粒径が１０Å〜５０人の結晶粒
Ｓを含んだｎ型層下部２ａがまず形成される。次に、放
電パワーを２００Ｗ〜４００Ｗに調節することにより、
粒径が５０Å〜５００人の結晶粒りを含むｎ型層中間部
２ｂが形成され、更に放電パワーをＩＯＷ〜２００Ｗに
調節することにより、粒径が１０Å〜５０人の結晶粒Ｓ
を含んだｎ型層下部２ａが形成される。こうして形成さ
れたｐ型層２上には、酸化インジウムスズ、酸化スズ等
の透明電極膜５が形成され、更にこの上面側の端部には
銀、アルミニウム等の集電極６が設けられる。
この非晶質光電変換ｇ置によれば、ｎ型層１またはＰ型
層２の内部領域（ｎ型層中間部１ｂまたはｎ型層中間部
２ｂ）に含まれる結晶粒りの粒径を５０Å〜５００人と
大きく設定したため、ｎ型層１またはＰ型層２のフェル
ミレベルが伝導帯または１１１ｍ子帯に近づいてｉ型層
３のフェルミレベルとのエネルギー差がそれぞれ大きく
なり、ｉ型層３の電界が強くなる。したがって、光の入
射によってｉ型層３内に発生した光励起キセリャ（電子
と正孔）は、ｉ型層３内の強い電界によってｎ型層１ま
たはＰ型層２への速やかに移動し、これにより光起電力
が高められる。しかも、ｎ型層１または１〕を層２と１
型層３との境界では、ｎ型層１またはＰ型層２における
ｉ型層３との界面領域（ｎ型層上部１ｃまたはｎ型層下
部２ａ）に含まれる結晶粒Ｓの粒径を１０Å〜５０人と
小さく設定したために、その界面でのキャリＶの再結合
損失が低く抑えられ多くのキャリＡ７がｎ型層１または
Ｐ型層２へ移動可能となって、この点でも、光起電力が
高められる。
層２の内部領域（ｎ型層中間部１ｂまたはｎ型層中間部
２ｂ）に含まれる結晶粒りの粒径を５０Å〜５００人と
大きく設定したため、ｎ型層１またはＰ型層２のフェル
ミレベルが伝導帯または１１１ｍ子帯に近づいてｉ型層
３のフェルミレベルとのエネルギー差がそれぞれ大きく
なり、ｉ型層３の電界が強くなる。したがって、光の入
射によってｉ型層３内に発生した光励起キセリャ（電子
と正孔）は、ｉ型層３内の強い電界によってｎ型層１ま
たはＰ型層２への速やかに移動し、これにより光起電力
が高められる。しかも、ｎ型層１または１〕を層２と１
型層３との境界では、ｎ型層１またはＰ型層２における
ｉ型層３との界面領域（ｎ型層上部１ｃまたはｎ型層下
部２ａ）に含まれる結晶粒Ｓの粒径を１０Å〜５０人と
小さく設定したために、その界面でのキャリＶの再結合
損失が低く抑えられ多くのキャリＡ７がｎ型層１または
Ｐ型層２へ移動可能となって、この点でも、光起電力が
高められる。
第２図にこの発明の伯の実施例である非晶質光電変換装
置の断面図を示す。この非晶質光電変換装置が上記第１
図の非晶質光電変換装置と相違する点は、上記第１図の
非晶質光電変換装置がｐｉｎ１５ｉが１個であるのに対
し、この非晶質光電変換装置ではｐｉｎ層が３個設けら
れている。その他の構成は、上記第１図の非晶質光電変
換装置と同じであるため、同一部分に同一符号を付して
その説明を省略する。
置の断面図を示す。この非晶質光電変換装置が上記第１
図の非晶質光電変換装置と相違する点は、上記第１図の
非晶質光電変換装置がｐｉｎ１５ｉが１個であるのに対
し、この非晶質光電変換装置ではｐｉｎ層が３個設けら
れている。その他の構成は、上記第１図の非晶質光電変
換装置と同じであるため、同一部分に同一符号を付して
その説明を省略する。
この非晶質光電変換装置では、ｐｉｎ層とｐｉｎ層の接
続部分、つまりｎ型層下部１ａとｎ型層下部２ａに含ま
れる結晶粒Ｓの粒径を１０Å〜５０人と小さくすること
により、それらの接続部において第４図のアモルファス
同士の接続の場合と同様のオーミック特性を得ることが
できる。
続部分、つまりｎ型層下部１ａとｎ型層下部２ａに含ま
れる結晶粒Ｓの粒径を１０Å〜５０人と小さくすること
により、それらの接続部において第４図のアモルファス
同士の接続の場合と同様のオーミック特性を得ることが
できる。
なお、上記実施例に３３いては、ｎ型層１またはＰ型層
２における衷面電極４または透明電極膜５との界面領域
に含まれる結晶粒Ｓの粒径を１０Å〜５０人と小さく設
定しているが、この領域に含まれる結晶粒の粒径は大き
く設定してもかまわない。また、結晶粒の粒径を２種類
（１０Å〜５０人のものと５０Å〜５００人のもの）の
サイズに設定した場合について説明したが、３種類以上
のサイズに設定してもよく、また層の厚み方向に沿って
粒径を連続的に変化させてもよい。
２における衷面電極４または透明電極膜５との界面領域
に含まれる結晶粒Ｓの粒径を１０Å〜５０人と小さく設
定しているが、この領域に含まれる結晶粒の粒径は大き
く設定してもかまわない。また、結晶粒の粒径を２種類
（１０Å〜５０人のものと５０Å〜５００人のもの）の
サイズに設定した場合について説明したが、３種類以上
のサイズに設定してもよく、また層の厚み方向に沿って
粒径を連続的に変化させてもよい。
以上のように、この発明の非晶質光電変換装置によれば
、Ｐ型層またはｎ型層に結晶粒を含まけて、Ｐ型層また
はｎ型層の内部領域に含まれる結晶粒の粒径を大きく設
定するとともに、Ｐ型層またはｎ型層におけるｉ型層と
の界面領域に含まれる結晶粒の粒径を小さく設定してい
るため、ｉ型層内の電界を強くしながら界面領域での再
結合ＩＱ失を低くおさえて、優れた光電変換効率が１η
られという効果が得られる。
、Ｐ型層またはｎ型層に結晶粒を含まけて、Ｐ型層また
はｎ型層の内部領域に含まれる結晶粒の粒径を大きく設
定するとともに、Ｐ型層またはｎ型層におけるｉ型層と
の界面領域に含まれる結晶粒の粒径を小さく設定してい
るため、ｉ型層内の電界を強くしながら界面領域での再
結合ＩＱ失を低くおさえて、優れた光電変換効率が１η
られという効果が得られる。
第１図はこの発明の一実施例である非晶質光電変換装置
を示す断面図、第２図はこの発明の他の実施例である非
晶質光電変換装置を示す断面図、第３図は従来のアモル
ファス太陽電池の断面図、第４図は従来の多層構造をｂ
つアモルファス太陽電池の断面図である。 図において、１はｎｔ層、１Ｃはｎ型層上部、２はｐ型
層、２ａはｐ型層下部、３は１型層、Ｌ。 Ｓは結晶粒である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 第３図 第４図 手続補正書（自発） 、発明の名称 非晶質光電変換装置 、補正をする者 代表者志岐守哉 ４、代理人 ５、補正の対象 明細書 ６、補正の内容 （１） 明細書第７頁第５行のｒボラン」を、「ジボ
ラン」に訂正する。 （２） 明細書第９頁第１２行ないし第１３行の「第
４図・・・オーミック特性」を、「第４図に示すような
アモルファス同士の接続の場合に生じるオーミック特性
に近い特性」に訂正する。 以上
を示す断面図、第２図はこの発明の他の実施例である非
晶質光電変換装置を示す断面図、第３図は従来のアモル
ファス太陽電池の断面図、第４図は従来の多層構造をｂ
つアモルファス太陽電池の断面図である。 図において、１はｎｔ層、１Ｃはｎ型層上部、２はｐ型
層、２ａはｐ型層下部、３は１型層、Ｌ。 Ｓは結晶粒である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 第３図 第４図 手続補正書（自発） 、発明の名称 非晶質光電変換装置 、補正をする者 代表者志岐守哉 ４、代理人 ５、補正の対象 明細書 ６、補正の内容 （１） 明細書第７頁第５行のｒボラン」を、「ジボ
ラン」に訂正する。 （２） 明細書第９頁第１２行ないし第１３行の「第
４図・・・オーミック特性」を、「第４図に示すような
アモルファス同士の接続の場合に生じるオーミック特性
に近い特性」に訂正する。 以上
Claims (2)
- （１）ｐ型層とｎ型層の間にｉ型層を形成した非晶質光
電変換装置において、 前記Ｐ型層または前記ｎ型層の非晶質中に結晶粒を含ま
せ、かつ結晶粒の粒径を、前記ｐ型層または前記ｎ型層
の内部領域で大きく設定するとともに、前記ｐ型層また
は前記ｎ型層における前記ｉ型層との界面領域で小さく
設定したことを特徴とする非晶質光電変換装置。 - （２）前記ｐ型層または前記ｎ型層の内部領域に含まれ
る結晶粒の粒径を５０Å〜５００Åとし、前記ｐ型層ま
たは前記ｎ型層における前記ｉ型層との界面領域に含ま
れる結晶粒の粒径を１０Å〜５０Åとした特許請求の範
囲第１項記載の非晶質光電変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62093503A JPS63258078A (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | 非晶質光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62093503A JPS63258078A (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | 非晶質光電変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63258078A true JPS63258078A (ja) | 1988-10-25 |
Family
ID=14084148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62093503A Pending JPS63258078A (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | 非晶質光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63258078A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5184200A (en) * | 1991-03-27 | 1993-02-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Thin film semiconductor device with particular grain size |
| JPH0548126A (ja) * | 1991-08-09 | 1993-02-26 | Sharp Corp | 光電変換素子およびその製造方法 |
| US5769963A (en) * | 1995-08-31 | 1998-06-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic device |
| EP0949685A2 (en) * | 1998-03-16 | 1999-10-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor element and its manufacturing method |
| EP0860885A3 (en) * | 1997-02-19 | 2000-05-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic device, photoelectric transducer and method of manufacturing same |
| WO2001069690A1 (en) * | 2000-03-13 | 2001-09-20 | Sony Corporation | Optical energy transducer |
| EP1255304A3 (en) * | 1997-08-01 | 2003-10-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic element and method of producing same |
-
1987
- 1987-04-15 JP JP62093503A patent/JPS63258078A/ja active Pending
Cited By (12)
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| EP0949685A2 (en) * | 1998-03-16 | 1999-10-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor element and its manufacturing method |
| EP0949685A3 (en) * | 1998-03-16 | 2007-06-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor element and its manufacturing method |
| WO2001069690A1 (en) * | 2000-03-13 | 2001-09-20 | Sony Corporation | Optical energy transducer |
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| EP1265297A4 (en) * | 2000-03-13 | 2003-07-02 | Sony Corp | OPTICAL ENERGY TRANSDUCER |
| US7199303B2 (en) | 2000-03-13 | 2007-04-03 | Sony Corporation | Optical energy conversion apparatus |
| JP4752168B2 (ja) * | 2000-03-13 | 2011-08-17 | ソニー株式会社 | 光エネルギー変換装置 |
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