JPS63256959A - Manufacture of photomask - Google Patents
Manufacture of photomaskInfo
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Landscapes
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置を製造するためのホトリソグラフ
ィ工程において使用するホトマスクの作製方法に関する
。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a method for manufacturing a photomask used in a photolithography process for manufacturing semiconductor devices.
本発明は、ホトマスク層の欠陥を修正する工程を有する
ホトマスクの作製方法において、欠陥部の周囲に形成し
たレジスト層にクラックを発生させながらマスク材の被
着を行うことによシ、不要のマスク材を容易に剥離する
ことができるようにしたものである。The present invention provides a photomask manufacturing method that includes a step of correcting defects in a photomask layer, in which a mask material is applied while causing cracks in a resist layer formed around a defective part, thereby eliminating unnecessary masking. The material can be easily peeled off.
半導体装置を製造するためのホトリソグラフィ工程にお
いて使用するホトマスクは、作製中の諸問題によシホト
マスク層にピンホール、欠は等のいわゆる白欠陥が生じ
ることがある。従来第２図に示すように、このような白
欠陥を有するホトマスク（１）に対して、リフトオフ法
を用いた修正工程を行っている。この修正方法によれば
、先ずクロムＣｒよシ成るホトマスク層（２）に白欠陥
部（３）が生じている透明基板（４）（第２図Ａ）に対
して全面にポジ型のホトレジスト層（５）を形成した後
（第２図Ｂ）、白欠陥部（３）を含むその周囲に紫外線
（６）でスポット露光を行い（第２図Ｃ）、現像するこ
とによ如白欠陥部（３）の周囲のレジスト層（５）に開
口部（力を形成する（第２図Ｄ）。その後、スパッタリ
ング又ハ蒸着によシ全面に修正用のクロムＣｒ （８１
を被着しく第２図Ｅ）、不要のＣｒ（８）をレジスト層
（５）と共に有機系の剥離液で除去（リフトオフ）する
ことによシ白欠陥部（３）の修正を行っている（第２図
Ｆ）。In photomasks used in photolithography processes for manufacturing semiconductor devices, so-called white defects such as pinholes and chips may occur in the photomask layer due to various problems during manufacturing. Conventionally, as shown in FIG. 2, a photomask (1) having such white defects is subjected to a repair process using a lift-off method. According to this repair method, first, a positive photoresist layer is applied to the entire surface of the transparent substrate (4) (FIG. 2A) in which white defect areas (3) have occurred in the photomask layer (2) made of Cr. After forming (5) (Fig. 2B), the area including the white defect part (3) is spot exposed to ultraviolet light (6) (Fig. 2C), and developed to remove the white defect part. An opening is formed in the resist layer (5) around (3) (Fig. 2D). After that, a chromium Cr (81
The white defect (3) is corrected by removing (lift-off) unnecessary Cr (8) along with the resist layer (5) using an organic stripping solution. (Figure 2F).
上述した従来のホトマスク（１）の欠陥の修正方法によ
れば、第２図Ｅに示すように、全面が修正用のＣｒ（８
）で覆われているため、レジスト層（５）中に剥離液が
侵入しにくく、これによシレジスト層（５）を溶解して
上層の不要のＣｒ（３）と共に除去（リフトオフ）する
のが非常に困難であった。また、完全に除去されない不
要のＣｒ （８１が修正を要しないホトマスク層（２）
上に残ることによって二次的な欠陥が生じる虞れもあっ
た。According to the conventional method for repairing defects in the photomask (1) described above, as shown in FIG. 2E, the entire surface is covered with Cr(8
), it is difficult for the stripping solution to penetrate into the resist layer (5), which makes it easy to dissolve the resist layer (5) and remove it (lift-off) along with the unnecessary Cr(3) on the upper layer. It was extremely difficult. In addition, unnecessary Cr that is not completely removed (81 is a photomask layer (2) that does not require modification)
There was also a risk that secondary defects would occur if the particles remained on the surface.
本発明は、上記問題点を解決することができるホトマス
クの作製方法を提供するものである。The present invention provides a photomask manufacturing method that can solve the above problems.
本発明は、透明基板（４）上に形成されたホトマスク層
（２）の欠陥を修正する工程を有するホトマスク（１）
の作製方法において、ホトマスク層（２）の欠１Ｂの周
囲に開口部（７）を有するレジスト層（５）を形成する
工程と、全面への修正用マスク材（８）の柚着を行い、
欠陥部（３）内に修正用マスク材（８）を被着すると共
に、レジスト層（５）とその上のマスク材（８）にクラ
ック（９）を発生させる工程と、レジスト層（５）をそ
の上のマスク材（８）と共に除去する工程を有する。The present invention provides a photomask (1) having a step of correcting defects in a photomask layer (2) formed on a transparent substrate (4).
In the manufacturing method, a step of forming a resist layer (5) having an opening (7) around the cutout 1B of the photomask layer (2), and applying a correction mask material (8) to the entire surface,
A step of depositing a correction mask material (8) in the defective portion (3) and generating a crack (9) in the resist layer (5) and the mask material (8) thereon; and the mask material (8) thereon.
レジスト層（５）Ｋクラック（９）を発生させることは
、スフぐツタリング、蒸着等で形成するレジスト層（５
）と修正用マスク材（８）の膜厚比、装置内のアルゴン
Ａｒガスの流量、透明基板とＣｒのターグットとの距離
等の条件を適当に選ぶことＫより可能である。Resist layer (5) K Cracks (9) are caused by resist layer (5) formed by splattering, vapor deposition, etc.
) and the correction mask material (8), the flow rate of argon gas in the device, the distance between the transparent substrate and the Cr target, and other conditions can be appropriately selected.
本発明によれば、修正用マスク材（８）の全面への被着
を行った後、レジスト層（５）とその上のマスク材（８
）にはクラック（９）が生じているため、不要のマスク
材（８）を除去するために透明基板（４）を剥離液に浸
漬した際、剥離液がレジスト層（５）中に容易に侵入す
ることができる。この結果、レジスト層（５）トその上
の修正用マスク材（８）の除去を短時間且つ良好に行う
ことができるため、リフトオフ効果を大幅に向上させる
ことが可能になる。According to the present invention, after applying the correction mask material (8) to the entire surface, the resist layer (5) and the mask material (8) thereon are applied.
) has cracks (9), so when the transparent substrate (4) is immersed in a stripping solution to remove the unnecessary mask material (8), the stripping solution easily penetrates into the resist layer (5). can be invaded. As a result, it is possible to remove the resist layer (5) and the correction mask material (8) thereon in a short time and in a good manner, thereby making it possible to significantly improve the lift-off effect.
第１図を参照して本発明の詳細な説明する。 The present invention will be described in detail with reference to FIG.
第１図Ａは、通常の工程によシホ）−ｒスフ（１）を作
製した後、Ｃｒよシ成るホトマスク層（２）にピンホー
ル等の白欠陥部（３）が生じている状態を示す。そして
、このホトマスク（１１に対して修正を施すために、先
ず透明なガラス基板（４）の洗浄を行う。Figure 1A shows a state in which white defects such as pinholes (3) have occurred in the photomask layer (2) made of Cr after the fabrication process (1) is carried out using a normal process. show. In order to make corrections to this photomask (11), the transparent glass substrate (4) is first cleaned.
次に第１図Ｂに示すように、白欠陥部（３）内も含めて
全面にポジ型のホトレジスト層（５）を形成する。Next, as shown in FIG. 1B, a positive photoresist layer (5) is formed over the entire surface including the inside of the white defect portion (3).
次に第１図Ｃに示すように、白欠陥部（３）も含めてそ
の周囲に紫外線（６）等の光エネルギーをスポット照射
して露光する。Next, as shown in FIG. 1C, light energy such as ultraviolet rays (6) is spot irradiated onto the surrounding area including the white defect area (3) for exposure.
次に第１図りに示すように、現像することによシ白欠陥
部（３）の周囲のホトレジスト層（５）に開口部（７）
を形成する。Next, as shown in the first diagram, openings (7) are formed in the photoresist layer (5) around the white defect area (3) by development.
form.
次に第１図Ｅに示すように、スフぐツタリング（又は蒸
着等）によって全面に修正用マスク材となるクロム０ｒ
（８）を被着させる。このＣｒ（８）のス／ぐツタリン
グの際、ホトレジスト層（５）及びこの上のＣｒｆ８）
にクラック（９）が発生するようにホトレジスト層（５
）とＣｒ（８）の膜厚比、装置内のＡｒガスの流量、真
空度、ガラス基板（４）と０ｒ（８）のターグットとの
距離、スパッタリングパワー等を適当な値に制御する必
要がある。このような条件に設定した場合、第１図Ｅに
示す被着の初期状態から第１図Ｆに示す、Ｃｒ（８）が
約８５０ Ｘ被着した状態に到ると、Ｃｒ（８）の内部
応力によってホトレジスト層（５）の表面に引張り応力
が生じ、この結果金属であるＣｒ（８）と樹脂であるレ
ジスト層（５）との間に微妙な厄力差が生じる。このた
め、第１図Ｆに示すように、Ｃｒ （８）が８５０Ｘの
厚さに被着された後、ホトレジスト層（５）及びこの上
のＣｒ（８）にミクロン単位の微小なりラック（９）が
発生する。なお、白欠陥部（３）においては、Ｃｒ膜８
）の下にホトレジスト層（５）が形成されていないため
、クラック（９）は発生せず、通常のリフトオフ法によ
る場合と同様に安定したＣｒ膜を形成することができる
。Next, as shown in FIG.
(8) is applied. During this Cr(8) sputtering, the photoresist layer (5) and the Crf8)
The photoresist layer (5) is
) and Cr(8), the flow rate of Ar gas in the device, the degree of vacuum, the distance between the glass substrate (4) and the target of 0r(8), the sputtering power, etc. must be controlled to appropriate values. be. When such conditions are set, when the initial state of deposition shown in Figure 1E reaches the state of approximately 850X of Cr(8) deposited as shown in Figure 1F, the amount of Cr(8) increases. Tensile stress is generated on the surface of the photoresist layer (5) due to internal stress, and as a result, a subtle difference in strength occurs between the metal Cr(8) and the resin resist layer (5). For this reason, as shown in FIG. ) occurs. In addition, in the white defect part (3), the Cr film 8
) Since the photoresist layer (5) is not formed under the photoresist layer (5), cracks (9) do not occur, and a stable Cr film can be formed as in the case of the normal lift-off method.
次に第１図Ｇに示すように、このガラス基板（４）をレ
ジストを溶解することができる剥離液中に浸漬（又は吹
き付ける）してホトレジスト層（５）をその上のＣｒ（
８）と共に除去する。この浸漬の際、剥離液はクラック
（９）からレジスト層（５）中に容易に侵入することが
できるため、レジスト層（５）をその上の不要なＣｒ（
８）と共に短時間で除去（リフトオフ）することができ
る。Next, as shown in FIG. 1G, this glass substrate (4) is immersed (or sprayed) in a stripping solution capable of dissolving the resist, and the photoresist layer (5) is removed from the Cr(
8). During this immersion, the stripping solution can easily penetrate into the resist layer (5) through the cracks (9), so that the resist layer (5) is removed from unnecessary Cr(
8) and can be removed (lifted off) in a short time.
本発明によれば、ホトマスクの修正工程におけるレジス
ト層の剥離性が良好になるため、不要なりロムＣｒの除
去を容易に、且つ短時間で行うことができる。これによ
シ、クロムが残って二次的に発生する欠陥がなくなるた
め、ホトマスクの品質が大幅に向上する。また、このよ
うにリフトオフ工程が簡単になるため、自動化も容易に
なる。According to the present invention, since the peelability of the resist layer in the photomask repair process is improved, unnecessary ROM Cr can be easily removed in a short time. This greatly improves the quality of the photomask by eliminating defects caused by residual chromium. Furthermore, since the lift-off process is simplified in this way, automation is also facilitated.
第１図Ａ−Ｇは実施例の工程図、第２図Ａ−Ｆは従来例
の工程図である。
（１）ハホトマスク、（２）はホトマスク層、（３）は
白欠陥部、（４）はガラス基板、（５）はホトレジスト
層、（６）は紫外線、（７）は開口部、（８）はＣｒ、
（９）はクラックである。FIGS. 1A to 1G are process diagrams of the embodiment, and FIGS. 2A to 2F are process diagrams of the conventional example. (1) Photomask, (2) Photomask layer, (3) White defect, (4) Glass substrate, (5) Photoresist layer, (6) Ultraviolet light, (7) Opening, (8) is Cr,
(9) is a crack.
Claims (1)
工程を有するホトマスクの作製方法において、 上記ホトマスク層の欠陥部の周囲に開口部を有するレジ
スト層を形成する工程と、 全面へのマスク材の被着を行い、上記欠陥部内にマスク
材を被着すると共に、レジスト層とその上のマスク材に
クラックを発生させる工程と、上記レジスト層をその上
のマスク材と共に除去する工程 を有するホトマスクの作製方法。[Scope of Claims] A method for producing a photomask comprising the step of correcting defects in a photomask layer formed on a transparent substrate, the step of forming a resist layer having an opening around a defective portion of the photomask layer; A process of depositing a mask material on the entire surface, depositing the mask material in the defective part, and generating cracks in the resist layer and the mask material above it, and removing the resist layer together with the mask material above it. A method for manufacturing a photomask, comprising the step of:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62091420A JPS63256959A (en) | 1987-04-14 | 1987-04-14 | Manufacture of photomask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62091420A JPS63256959A (en) | 1987-04-14 | 1987-04-14 | Manufacture of photomask |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63256959A true JPS63256959A (en) | 1988-10-24 |
Family
ID=14025876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62091420A Pending JPS63256959A (en) | 1987-04-14 | 1987-04-14 | Manufacture of photomask |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63256959A (en) |
-
1987
- 1987-04-14 JP JP62091420A patent/JPS63256959A/en active Pending
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