JPS63241918A - 分子線結晶成長装置 - Google Patents
分子線結晶成長装置Info
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- JPS63241918A JPS63241918A JP7406287A JP7406287A JPS63241918A JP S63241918 A JPS63241918 A JP S63241918A JP 7406287 A JP7406287 A JP 7406287A JP 7406287 A JP7406287 A JP 7406287A JP S63241918 A JPS63241918 A JP S63241918A
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Links
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は分子線結晶成長装置内に付着する不要堆積物の
除去が安全かつ容易にできる分子線結晶成長装置に関す
る。
除去が安全かつ容易にできる分子線結晶成長装置に関す
る。
ヒ化ガリウム用分子線結晶成長装置（ＭＢＥ装置）にお
いて、ガリウム及びヒ素の分子線を容器内の基板に照射
して基板上にガリウムヒ素の結晶を成長させる。このと
き、基板に捕えられなかった分子線は容器や容器内の液
体窒素シュラウド。
いて、ガリウム及びヒ素の分子線を容器内の基板に照射
して基板上にガリウムヒ素の結晶を成長させる。このと
き、基板に捕えられなかった分子線は容器や容器内の液
体窒素シュラウド。
シャッタなどの部材に付着する。これら付着した不要の
ヒ素（有害物）は微粒子状であり、熱的機械的歪を多く
含んでいるため、容器内部材の保守時に容器に大気を導
入すると、付着したヒ素の容器に剥離し粉塵やフレーク
となって飛散する。また、付着したヒ素は、容器の付属
機器、例えば容器内を真空にするためのポンプの機能を
低下させ、熱電対、銅ガスケットなどを腐食する。これ
に対し従来、「分子線エピタキシ技術」 （工業調査会
。
ヒ素（有害物）は微粒子状であり、熱的機械的歪を多く
含んでいるため、容器内部材の保守時に容器に大気を導
入すると、付着したヒ素の容器に剥離し粉塵やフレーク
となって飛散する。また、付着したヒ素は、容器の付属
機器、例えば容器内を真空にするためのポンプの機能を
低下させ、熱電対、銅ガスケットなどを腐食する。これ
に対し従来、「分子線エピタキシ技術」 （工業調査会
。
１９８４年発行）に記載される如く、（１）真空容器へ
大気を導入する前に容器を十分にベークし、窒素ガスで
数回パージする、（２）局所排気装置を設ける、（３）
ビニールカーテンで作業場所を隔離するなどの方法が採
られているが、その作業が容易でなかった。
大気を導入する前に容器を十分にベークし、窒素ガスで
数回パージする、（２）局所排気装置を設ける、（３）
ビニールカーテンで作業場所を隔離するなどの方法が採
られているが、その作業が容易でなかった。
上記従来技術は付着物が有毒元素、例えばヒ素の場合の
取扱いについて配慮がされておらず、安全性の問題があ
った。
取扱いについて配慮がされておらず、安全性の問題があ
った。
本発明の目的は有毒元素を含有する不要付着物を安全な
安定した化合物とする機能を有し、これら化合物の除去
が容易な分子線結晶成長装置を提供することにある。
安定した化合物とする機能を有し、これら化合物の除去
が容易な分子線結晶成長装置を提供することにある。
上記目的は基板に捕えられなかった分子線が付着堆積す
る部分、シュラウド及び基板ホルダーの周囲に加熱ヒー
タを有する金属製の多孔板を取付け、有毒元素を加熱に
より無毒の安定した化合物に変化させることにより達成
される。
る部分、シュラウド及び基板ホルダーの周囲に加熱ヒー
タを有する金属製の多孔板を取付け、有毒元素を加熱に
より無毒の安定した化合物に変化させることにより達成
される。
多孔板には付着堆積した有毒元素はヒータにより加熱さ
れ、化合物半導体を構成するもう一方の元素と反応し１
元素単体より毒性の低い化合物となるので、その後の作
業の安全性が確保される。
れ、化合物半導体を構成するもう一方の元素と反応し１
元素単体より毒性の低い化合物となるので、その後の作
業の安全性が確保される。
以下本発明をヒ化ガリウム用分子線結晶成長装置の場合
の適用例について説明する。
の適用例について説明する。
図面は分子線結晶成長装置の真空容器及び容器内部材の
断面図で、真空容器１内にはモリブデン（Ｍｏ）の融点
の高い耐熱金属から成る基板ホルダー２上にエピタキシ
ャル成長させるガリウムヒ素（ＧａＡｓ）の基板３を配
し、基板ホルダー２の後部（裏側）に配したタンタル（
Ｔａ）の耐熱金属から成るヒータ４により基板ホルダー
２を加熱する。さらにマニプレータ５により基板ホルダ
ー２の位置や向きを調整するとともに回転させる。
断面図で、真空容器１内にはモリブデン（Ｍｏ）の融点
の高い耐熱金属から成る基板ホルダー２上にエピタキシ
ャル成長させるガリウムヒ素（ＧａＡｓ）の基板３を配
し、基板ホルダー２の後部（裏側）に配したタンタル（
Ｔａ）の耐熱金属から成るヒータ４により基板ホルダー
２を加熱する。さらにマニプレータ５により基板ホルダ
ー２の位置や向きを調整するとともに回転させる。
分子線源セル６からの分子線７を基板３に当ててエピタ
キシャル成長を行う、このような分子線結晶成長装置に
おいて加熱した分子線源セル６からの輻射による真空容
器１内の加熱や不要のガリウム及びヒ素原子が容器１内
及び容器１内の部材に付着するのを防止するために液体
窒素程度の温度に冷却できるシュラウド８で分子線源セ
ル６などの部材や容器１の内面を覆っている。
キシャル成長を行う、このような分子線結晶成長装置に
おいて加熱した分子線源セル６からの輻射による真空容
器１内の加熱や不要のガリウム及びヒ素原子が容器１内
及び容器１内の部材に付着するのを防止するために液体
窒素程度の温度に冷却できるシュラウド８で分子線源セ
ル６などの部材や容器１の内面を覆っている。
シュラウド８や基板ホルダーを覆うように径０ 、１
ｍｎｏの細いステンレス鋼ワイヤでできた金網９が設置
されている。金網の端にはステンレス鋼でシースされた
ヒータ１０が取付けられている。
ｍｎｏの細いステンレス鋼ワイヤでできた金網９が設置
されている。金網の端にはステンレス鋼でシースされた
ヒータ１０が取付けられている。
基板３に捕えられなかった分子線に金網９に付着し、付
着物１１となる。
着物１１となる。
上述の如き構成として部品交換または保守等の作業が必
要になったとき、ヒータ１０により金網９を３００℃以
上に加熱する。加熱により付着物１１は反応を起こし、
ヒ化ガリウムとなる６ヒ化ガリウムは安定な化合物であ
り、ヒ素のように有毒ではない。安定な化合物とした後
は容器内での作業は通常の方法で行うことができる。
要になったとき、ヒータ１０により金網９を３００℃以
上に加熱する。加熱により付着物１１は反応を起こし、
ヒ化ガリウムとなる６ヒ化ガリウムは安定な化合物であ
り、ヒ素のように有毒ではない。安定な化合物とした後
は容器内での作業は通常の方法で行うことができる。
なお金網９には設置前にガリウムを厚み０．１μｍ程度
蒸着しておくことが特に有効である。これはヒ化ガリウ
ム成長の際は通常ヒ素の分子線をガリウムに比べて多量
に照射するので、付着物１１中にはヒ素が過剰に存在す
る場合が多く、そのため金網よりガリウムを供給するこ
とにより、安定な化合物形成を促進するためである。
蒸着しておくことが特に有効である。これはヒ化ガリウ
ム成長の際は通常ヒ素の分子線をガリウムに比べて多量
に照射するので、付着物１１中にはヒ素が過剰に存在す
る場合が多く、そのため金網よりガリウムを供給するこ
とにより、安定な化合物形成を促進するためである。
なお上記実施例においてはヒ化ガリウムのみについて説
明したが、その他の■−ｖ族化合物半導体１例えばイン
ジウム−リン、■−■族化合物半導体においても有効で
ある。また、金網以外のもの、例えば、適当な大きな多
数の孔を設けた多孔板を用いても同様の効果がある。
明したが、その他の■−ｖ族化合物半導体１例えばイン
ジウム−リン、■−■族化合物半導体においても有効で
ある。また、金網以外のもの、例えば、適当な大きな多
数の孔を設けた多孔板を用いても同様の効果がある。
本発明によれば真空容器内に付着する不要の有毒元素を
安全かつ安定な化合物として取出すので作業が容易かつ
安全に行えるという効果がある。
安全かつ安定な化合物として取出すので作業が容易かつ
安全に行えるという効果がある。
図面本発明に係わる分子線結晶成長装置の断面図である
。 １・・・真空容器、２・・・基板ホルダー、３・・・基
板、４・・・ヒータ、５・・・マニプレータ、６・・・
分子線源セル。 ７・・・分子線、８・・・シュラウド、９・・・金網、
１０・・・１゛□心 ヒータ、１１・・・付着物。
・、−、ｊ、ｊパノ゛
。 １・・・真空容器、２・・・基板ホルダー、３・・・基
板、４・・・ヒータ、５・・・マニプレータ、６・・・
分子線源セル。 ７・・・分子線、８・・・シュラウド、９・・・金網、
１０・・・１゛□心 ヒータ、１１・・・付着物。
・、−、ｊ、ｊパノ゛
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、分子線結晶成長装置において、基板に捕えられない
分子線を付着させる低温面の直前に加熱用ヒータを有す
る金属製の網を設置し、これら分子線を捕集し、加熱に
よる安定な化合物を形成させることを特徴とする分子線
結晶成長装置。 ２、特許請求の範囲第１項記載のものにおいて、金属製
の網に第III族元素の被覆を前以て行なつたことを特徴
とする分子線結晶成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7406287A JPS63241918A (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | 分子線結晶成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7406287A JPS63241918A (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | 分子線結晶成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63241918A true JPS63241918A (ja) | 1988-10-07 |
Family
ID=13536332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7406287A Pending JPS63241918A (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | 分子線結晶成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63241918A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014030310A1 (ja) | 2012-08-23 | 2014-02-27 | バンドー化学株式会社 | 導電性ペースト |
-
1987
- 1987-03-30 JP JP7406287A patent/JPS63241918A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014030310A1 (ja) | 2012-08-23 | 2014-02-27 | バンドー化学株式会社 | 導電性ペースト |
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