JPS63239829A - Electronic device - Google Patents
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Links
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000011366 tin-based material Substances 0.000 claims description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 abstract description 6
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 5
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 abstract 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 241000218202 Coptis Species 0.000 description 3
- 235000002991 Coptis groenlandica Nutrition 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000006023 eutectic alloy Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子装置、特に、リードとペレットとのボン
ディング技術に関するもので、例えば、テープ・オート
メイテッド・ボンディングが使用されている半導体集積
回路装置（以下、ＩＣという、）に利用して有効なもの
に関する。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to electronic devices, and in particular to a bonding technique between leads and pellets, such as semiconductor integrated circuits using tape automated bonding. It relates to something useful for use in devices (hereinafter referred to as ICs).
薄形の実装を実現するためのテープ・キャリア型パッケ
ージを備えているＩＣとして、ペレットとリード群とが
テープ・オートメイテッド・ボンディング（Ｔａｐｅ
Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂ。As an IC equipped with a tape carrier type package to achieve thin packaging, the pellet and lead group are bonded using tape automated bonding (Tape Automated Bonding).
AutomatedB.
ｎｄｉｎｇ：ＴＡＢ）により機械的かつ電気的に接続さ
れるように構成されているものがある。すなわち、リー
ド群はポリイミド等のような絶縁性樹脂からなるキャリ
アテープ上に銅等のような導電材料を用いて付設されて
いる。このリード群の表面にはソルダビリティ−を高め
るため、めっき処理により、錫系金属膜が被着されてい
る。ペレットはこのテープに形成されているサポートリ
ング内に各バンプが各リードに整合するように配されて
、バンプおよびリードをボンディング工具により熱圧着
されることに接続される。その後、封止樹脂がサポート
リング、リードおよびペレットを封止するようにボンデ
ィングされることにより、樹脂封止パッケージが成形さ
れる。Some devices are configured to be mechanically and electrically connected by nding:TAB). That is, the lead group is attached using a conductive material such as copper on a carrier tape made of an insulating resin such as polyimide. A tin-based metal film is deposited on the surface of this lead group by plating to improve soldability. The pellets are arranged in a support ring formed on this tape so that each bump is aligned with each lead, and the bumps and leads are connected by thermocompression bonding with a bonding tool. Thereafter, a resin-sealed package is molded by bonding the support ring, leads, and pellets so as to seal them with a sealing resin.
なお、テープ・キャリア型ボンディング技術を述べであ
る例としては、株式会社工業調査会発行ｒｌｃ化実装技
術」昭和５７年４月１５日発行Ｐ１０７〜Ｐ１１３、が
ある。An example of the tape carrier type bonding technology is "RLC Mounting Technology" published by Kogyo Chosenkai Co., Ltd., April 15, 1980, pages 107 to 113.
このようなＴＡＢによるＩＣにおいては、めっき膜厚が
過大であると、インナリードボンディングにおいて金−
錫共晶流れによる短絡不良が発生し、逆に、めっき膜厚
が過小であると、リードの銅とめっき膜の錫との間に生
ずる金属間化合物により、アウタリードボンディングに
おけるソルダビリティ−が低下するという問題点がある
ことが、本発明者によって明らかにされた。In such TAB-based ICs, if the plating film thickness is too thick, gold-plating may occur during inner lead bonding.
Short-circuit failures occur due to tin eutectic flow, and conversely, if the plating film thickness is too small, solderability in outer lead bonding decreases due to intermetallic compounds generated between the copper of the lead and the tin of the plating film. The inventor of the present invention has discovered that there is a problem in that.
本発明の目的は、インナリードボンディングおよびアウ
タリードボンディングのいずれについても適正に実行さ
せることができる電子装置を提供することにある。An object of the present invention is to provide an electronic device that can properly perform both inner lead bonding and outer lead bonding.
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を説明すれば、次の通りである。An overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.
すなわち、キャリアテープに付設されている複数本のリ
ードと、リード群にボンディングされているペレットと
を備えている電子装置において、前記リード群に金ｉ膜
をインナリード側で薄く、アウタリード側で厚くなるよ
うに被着したものである。That is, in an electronic device that includes a plurality of leads attached to a carrier tape and a pellet bonded to a lead group, the gold i film is applied to the lead group thinner on the inner lead side and thicker on the outer lead side. It is coated to look like this.
前記した手段によれば、インナリード側の金属膜が薄く
形成されているため、インナリードボンディングにおい
て余剰の金属による共晶合金の流れが発生するのは防止
される。他方、アウタリード側の金属膜は厚く形成され
ているため、アウタリードボンディングにおいて金属間
化合物の生成によって金属膜が少々失われたとしてもソ
ルダビリティ−の低下は防止される。According to the above-described means, since the metal film on the inner lead side is formed thinly, it is possible to prevent the flow of the eutectic alloy due to excess metal during inner lead bonding. On the other hand, since the metal film on the outer lead side is formed thickly, deterioration in soldability is prevented even if the metal film is slightly lost due to the formation of intermetallic compounds during outer lead bonding.
したがって、インナリードボンディングおよびアウタリ
ードボンディングのいずれについても適正なボンディン
グを実行させることができる。Therefore, proper bonding can be performed for both inner lead bonding and outer lead bonding.
第１図は本発明の一実施例であるＴＡＢが使用されたｔ
Ｃを示す縦断面図、第２図はその製造途中を示す平面図
、第３図はリードの拡大部分縦断面図、第４図はインナ
リードボンディングを示す縦断面図、第５図はポツティ
ング作業を示す縦断面図、第６図はアウタリードボンデ
ィングを示す縦断面図である。FIG. 1 shows a case where TAB, which is an embodiment of the present invention, is used.
Figure 2 is a plan view showing the manufacturing process, Figure 3 is an enlarged vertical cross-sectional view of the lead, Figure 4 is a vertical cross-sectional view showing inner lead bonding, and Figure 5 is a potting work. FIG. 6 is a vertical cross-sectional view showing outer lead bonding.
本実施例において、このＩＣＩはそのペレットとリード
群とがテープ・オートメイテッド・ボンディングにより
機械的かつ電気的に接続されている。すなわち、キャリ
ア用のテープ２はポリイミド等のような絶縁性樹脂を用
いて、同一パターンが長手方向に連続するように一体成
形されている。In this embodiment, the pellet and lead group of this ICI are mechanically and electrically connected by tape automated bonding. That is, the carrier tape 2 is integrally molded using an insulating resin such as polyimide so that the same pattern continues in the longitudinal direction.
但し、説明および図示は一単位だけについて行われてい
る。テープ２の両側端辺部にはピッチ送りに使用される
送り孔３が等ピンチに配されて開設されており、両側の
送り孔群間にはサポートリング４が等ピッチをもって１
列縦隊に配されて形成されている。サポートリング４は
略長方形の枠形状に形成されており、その枠内側空所は
後記するペレットを収容するためのベレット収容部５を
実質的に構成している。サポートリング４の外側空所６
には保持部材７が四隅に配されて、サポートリング４を
保持するように一体的に架設されている。However, the description and illustration are made for only one unit. Feed holes 3 used for pitch feeding are arranged at equal intervals on both side edges of the tape 2, and support rings 4 are arranged at equal pitches between the groups of perforations on both sides.
They are arranged in columns. The support ring 4 is formed in the shape of a substantially rectangular frame, and the space inside the frame substantially constitutes a pellet accommodating portion 5 for accommodating pellets to be described later. Outer cavity 6 of support ring 4
Holding members 7 are disposed at the four corners of the support ring 4, and are integrally constructed to hold the support ring 4.
集積回路を電気的に外部に引き出すためのリード８は複
数本が、テープ２の片側平面（以下、上面とする。）上
に配されて、銅箔等のような導電性材料を用いて溶着や
接着等のような適当な手段により固定的に付設されてい
る。リード８群はサポートリング４における両短辺側に
分けられて、サポートリング４を径方向に貫通するよう
に配設されており、各リー・ド８同士が互いに電気的に
非接続になるように形成されている。各リード８の内側
先端部はベレット収容部５内に突き出されることにより
インナリード９を構成しており、外側空所６を横断して
外方に突き出されたアウタリードＩＯはテープ２上に固
着されている。A plurality of leads 8 for electrically drawing out the integrated circuit to the outside are arranged on one side plane (hereinafter referred to as the top surface) of the tape 2 and welded using a conductive material such as copper foil. It is fixedly attached by suitable means such as adhesive or adhesive. The lead 8 groups are divided into both short sides of the support ring 4 and are arranged to penetrate the support ring 4 in the radial direction, so that the leads 8 are not electrically connected to each other. is formed. The inner tip of each lead 8 is projected into the pellet accommodating portion 5 to constitute an inner lead 9, and the outer lead IO, which is projected outward across the outer space 6, is fixed onto the tape 2. has been done.
本実施例において、リード８！ｌ￥の表面には金属膜と
しての錫めっき膜１１が被着されており、第３図に詳示
されているように、錫めっき１９１１はインナリード９
において薄く、アウタリードＩＯにおいて厚く形成され
ている。このように厚さの相異する錫めっき膜１１は、
例えば、リード８群全体に１回目のめっき処理でインナ
リード９側の薄手部１１ａを形成した後、薄手部１１ａ
をマスキングして２回目のめっき処理でアウタリードｌ
Ｏ側の厚手部１１ｂを形成する方法等により形成するこ
とができる。In this example, lead 8! A tin plating film 11 as a metal film is deposited on the surface of l\, and as shown in detail in FIG.
The outer lead IO is formed thinner and the outer lead IO is thicker. The tin plating films 11 having different thicknesses in this way are
For example, after forming the thin part 11a on the inner lead 9 side in the first plating process on the entire group of 8 leads, the thin part 11a
After masking, the outer lead l is coated with the second plating process.
It can be formed by a method of forming the thick portion 11b on the O side.
一方、集積回路（図示せず）が作り込まれたベレット１
２はサポートリング４のベレット収容部５に収容され得
る略長方形の小片に形成されており、その上面における
両灯辺部には金糸材料を用いて形成されたバンプ１３が
複数個、テープ２における各インナリード９に整合し得
るように配されて突没されている。On the other hand, a pellet 1 in which an integrated circuit (not shown) is built
2 is formed into a substantially rectangular small piece that can be accommodated in the pellet accommodating portion 5 of the support ring 4, and a plurality of bumps 13 made of gold thread material are formed on both lamp sides on the upper surface of the tape 2. It is arranged and protruded so as to be aligned with each inner lead 9.
リード８群にベレット１２がインナリードボンディング
される際、キャリアテープ２は複数のスプロケット（図
示せず）間に張設されて一方向に間欠送りされる。そし
て、張設されたキャリアテープ２の途中に配設されてい
るインナリードボンデインダステージにおいて、第４図
に示されているようにベレット１２はベレット収容部５
内にサポートリング４の下方から収容されるとともに、
各バンプ１３を各インナリード９にそれぞれ整合されて
ボンディング工具２１により熱圧着されることにより、
テープ２に組み付けられる。すなわち、リード８の表面
に被着されている錫めっき膜ｆｌと金糸材料から成るバ
ンプＩ２と間において、金−錫の共晶が形成されるため
、両者８と１２とは一体的に結合されることになる。When the inner lead bonding of the pellet 12 is performed to the group of leads 8, the carrier tape 2 is stretched between a plurality of sprockets (not shown) and is intermittently fed in one direction. Then, in the inner lead bonder stage disposed midway through the stretched carrier tape 2, the pellet 12 is inserted into the pellet accommodating portion 5 as shown in FIG.
is accommodated in the support ring 4 from below, and
By aligning each bump 13 with each inner lead 9 and bonding them by thermocompression using a bonding tool 21,
It is attached to tape 2. That is, since a gold-tin eutectic is formed between the tin plating film fl adhered to the surface of the lead 8 and the bump I2 made of gold thread material, both the leads 8 and 12 are integrally bonded. That will happen.
ところで、インナリードにおける錫めっき膜が厚ずぎる
と、金−錫の共晶流れが発生するため、その共晶流れ部
がベレットの上面に接触することにより、集積回路等に
おいて短絡不良が引き起こされる危険がある。By the way, if the tin plating film on the inner lead is too thick, a gold-tin eutectic flow will occur, which may come into contact with the top surface of the pellet, resulting in a short circuit failure in integrated circuits, etc. There is.
しかし、本実施例においては、インナリード９には薄い
膜厚の錫めっき膜１１ａが被着されているため、金〜錫
の共晶流れが発生することはなく、それによる短絡不良
の発生は未然に防止されることになる。However, in this embodiment, since the thin tin plating film 11a is coated on the inner lead 9, eutectic flow of gold to tin does not occur, and short circuit failures due to this do not occur. This will be prevented in advance.
このようにしてテープ・オートメイテッド・ボンディン
グされたベレット１２とリード８群との周囲には、エポ
キシ・フェノール樹脂等のような絶縁性樹脂がボッティ
ングにより供給されることにより、パンケージ１４がベ
レット１２およびインナリード９＃を樹脂封止するよう
に成形される。An insulating resin such as epoxy or phenolic resin is supplied by botting around the pellet 12 and the lead 8 groups that have been tape-automated bonded in this way, so that the pancage 14 is bonded to the pellet 12. And the inner lead 9# is molded to be sealed with resin.
すなわち、第５ＵＩ！Ｊに示されているようにポツティ
ング樹脂はポツティング装Ｗ、２２によりテープ２の上
方からサポートリング４のベレット収容部５を中心に満
遍無く塗布するように供給され、サポートリング４とベ
レット１２との隙間を通ってサポートリング４およびベ
レット１２の下面に回り込み、インナリードおよびベレ
ット１２を全体的に包囲して非気密封止することになる
。In other words, the 5th UI! As shown in J, the potting resin is supplied from above the tape 2 by the potting device W, 22 so as to be evenly applied to the pellet accommodating portion 5 of the support ring 4, and the potting resin is applied to the support ring 4 and the pellet 12. It passes around the support ring 4 and the lower surface of the pellet 12 through the gap, and completely surrounds the inner lead and the pellet 12 to form a non-hermetically sealed seal.
このようにして樹脂封止パッケージ１４を成形されたＩ
ＣＩはキャリアテープ２に付設された状態のまま、また
は、サポートリング４の外方位置で切断されてキャリア
テープ２から個別に分離された状態において、第６図に
示されているように、プリント配線基板２３上に配され
て、アウタリードＩＯとランドパッド２４との間がリフ
ローはんだ処理される。このとき、リード８の表面には
錫めっき膜１１が被着されているため、ソルダビリティ
−は良好に行われる。The resin-sealed package 14 is molded in this manner.
The CI can be printed as shown in FIG. 6 while attached to the carrier tape 2 or in a state where it is cut at an outer position of the support ring 4 and separated from the carrier tape 2. It is placed on the wiring board 23, and reflow soldering is performed between the outer lead IO and the land pad 24. At this time, since the tin plating film 11 is coated on the surface of the lead 8, the solderability is good.
ところで、アウタリードにおける錫めっき視が薄すぎる
と、はんだ処理時にリードの銅と錫との間に金属間化合
物が生成されることにより、錫めっき膜が実質的に減少
（所謂、やせ細る）ため、アウタリードとランドパッド
との間におけるソルダビリティ−が低下する。By the way, if the tin plating on the outer lead is too thin, an intermetallic compound is generated between the copper and tin of the lead during soldering, and the tin plating film is substantially reduced (so-called thinning). Solderability between the pad and the land pad decreases.
しかし、本実施例においては、リード８群におけるアウ
タリード１０には厚い膜厚の錫めっき膜１１ｂが被着さ
れているため、金属間化合物の生成によって絽めっき膜
１１ｂの膜厚が実質的に減少しても、必要な膜厚が確保
されることにより、金属間化学物生成によるソルダビリ
ティ−の低下は防止される。However, in this embodiment, since the thick tin plating film 11b is deposited on the outer lead 10 in the lead 8 group, the thickness of the tin plating film 11b is substantially reduced due to the formation of intermetallic compounds. However, by ensuring the necessary film thickness, deterioration in soldability due to the formation of intermetallic chemicals can be prevented.
前記実施例によれば次の効果が得られる。According to the embodiment described above, the following effects can be obtained.
［１１！！！めっき膜をインナリードにおいて薄く形成
することにより、インナボンディングにおいて金バンプ
との間における金−錫の共晶流れを防止することができ
るため、それによる短絡不良の発生を未然に回避するこ
とができる。[11! ! ! By forming a thin plating film on the inner lead, it is possible to prevent gold-tin eutectic flow between the inner lead and the gold bump during inner bonding, thereby preventing the occurrence of short circuit defects. .
（２）錫めっき膜をアウタリードにおいて厚く形成する
ことにより、アウタリードボンディングにおいて、リー
ドの銅と錫との金属間化合物の生成による錫めっき膜の
膜厚減少が発生したとしても、必要な膜厚は確保するこ
とができるため、ソルダビリティ−の低下を防止するこ
とができる。(2) By forming a thick tin plating film on the outer lead, even if the thickness of the tin plating film decreases due to the formation of an intermetallic compound between the copper and tin of the lead during outer lead bonding, the necessary film thickness will be maintained. Since this can be ensured, deterioration in solderability can be prevented.
（３）錫めっき膜をインナリードにおいて薄く、アウタ
リードにおいて厚くそれぞれ形成することにより、イン
ナリードボンディング時における短絡不良の発生を防止
しつつ、アウタリードボンディング時におけるソルダビ
リティ−の低下を防止することができるため、電子装置
の品質および信頼性を高めることができる。(3) By forming the tin plating film thinly on the inner lead and thickly on the outer lead, it is possible to prevent the occurrence of short circuit failures during inner lead bonding and to prevent a decrease in soldability during outer lead bonding. As a result, the quality and reliability of electronic devices can be improved.
＋４１ＴＡＢによるｔＣを提供することにより、薄形化
を促進させることができるため、ＩＣカードを実現化さ
せることができる。By providing tC by +41TAB, it is possible to promote thinning of the IC card, thereby making it possible to realize an IC card.
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。Although the invention made by the present inventor has been specifically explained above based on Examples, it goes without saying that the present invention is not limited to the Examples and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. Nor.
金Ｍ膜は錫系材料を使用するに限らず、金糸材料等を使
用してもよい、また、被着手段はめっき処理を使用する
に限らず、蒸着処理等を使用してもよい。The gold M film is not limited to a tin-based material, but may also be a gold thread material, and the deposition means is not limited to plating, but may also be a vapor deposition process or the like.
金Ｍ膜の厚さを部分的に相異させる手段としては、リー
ド全体に薄い金属膜を形成しておいてインナリードボン
ディングおよびパンケージ成形が終了した後、アウタリ
ードに金属膜をさらに重ねて形成する方法等を、使用し
てもよい。As a means of partially varying the thickness of the gold M film, a thin metal film is formed over the entire lead, and after inner lead bonding and pancage forming are completed, a metal film is further formed on the outer lead. methods etc. may be used.
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるテープ・キャリア型
パッケージを備えたＩＣに通用した場合について説明し
たが、それに限定されるものではなく、トランジスタや
、その他の電子装置全般に通用することができる。In the above explanation, the invention made by the present inventor has mainly been explained in the case where it is applied to an IC equipped with a tape carrier type package, which is the field of application in which the invention was made by the present inventor, but the invention is not limited to this. , can be applied to other electronic devices in general.
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである。A brief explanation of the effects obtained by typical inventions disclosed in this application is as follows.
リード群に金属膜をインナリードにおいて薄く、アウタ
リードにおいて厚（それぞれ形成することにより、イン
ナリードボンディング時における短絡不良の発生を防止
するとともに、アウタリードボンディング等におけるソ
ルダビリティ−の低下をも防止することができる。By forming the metal film on the lead group thinner on the inner leads and thicker on the outer leads, it is possible to prevent the occurrence of short circuit failures during inner lead bonding, and also to prevent deterioration of soldability during outer lead bonding, etc. Can be done.
第１図は本発明の一実施例であるＴＡＢが使用されたＩ
Ｃを示す縦断面図、
第２図はその製造途中を示す平面図、
第３図はリードの拡大部分縦断面図、
第４図はインナリードボンディングを示す縦断面図、
第５図はポツティング作業を示す縦断面図、第６図はア
ウタリードボンディングを示す縦断面図である。
ｌ・・・ＴＡＢが使用されているＩＣ（１子装置）、２
・・・テープ、３・・・送り孔、４・・・サポートリン
グ、５・・・ペレット収容部、６・・・外側空所、７・
・・保持部材、８・・・リード、９・・・インナリード
、１０・・・アウタリード、１１・・・錫めっき膜（金
属膜）、ｌｌａ・・・薄手部、ｌｌｂ・・・厚手部、１
２・・・ペレット、１３・・・バンブ、１４・・・パン
ケージ、２１・・・ボンディング工具、２２・・・ポツ
ティング装置、２３・・・プリント配線基板、２４・・
・ランドパッド。
第 １ 図
第 ２ 図
第 ３ 図
斤
第 ４ 図
第 ５ 図
第 ６ 図Figure 1 shows an example of the present invention in which TAB is used.
Figure 2 is a plan view showing the manufacturing process, Figure 3 is an enlarged vertical cross-sectional view of the lead, Figure 4 is a vertical cross-sectional view showing inner lead bonding, Figure 5 is a potting work. FIG. 6 is a vertical cross-sectional view showing outer lead bonding. l...IC in which TAB is used (1 child device), 2
... tape, 3 ... feed hole, 4 ... support ring, 5 ... pellet storage section, 6 ... outer space, 7 ...
...Holding member, 8...Lead, 9...Inner lead, 10...Outer lead, 11...Tin plating film (metal film), lla...Thin part, llb...Thick part, 1
2... Pellet, 13... Bump, 14... Pan cage, 21... Bonding tool, 22... Potting device, 23... Printed wiring board, 24...
・Land pad. Figure 1 Figure 2 Figure 3 Figure 4 Figure 5 Figure 6
Claims (1)
、リード群にボンディングされているペレットとを備え
ており、前記リード群に金属膜がインナリード側で薄く
、アウタリード側で厚くそれぞれ被着されていることを
特徴とする電子装置。 ２、金属膜が、錫系材料を用いてめっき処理により形成
されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の電子装置。 ３、金属膜が、リード全体に薄く形成された後、インナ
リード側をマスクしてアウタリードに重ね合わせて厚く
形成されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の電子装置。 ４、アウタリード側の金属膜が、パッケージ成形後、厚
く形成されることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の電子装置。[Claims] 1. The carrier tape includes a plurality of leads attached to the carrier tape and a pellet bonded to the lead group, and the lead group has a thin metal film on the inner lead side and a thin metal film on the outer lead side. An electronic device characterized in that each of the electronic devices is thickly coated with . 2. The electronic device according to claim 1, wherein the metal film is formed by plating using a tin-based material. 3. The electronic device according to claim 1, wherein the metal film is formed thinly over the entire lead and then formed thickly by masking the inner lead side and overlapping the outer lead. 4. The electronic device according to claim 1, wherein the metal film on the outer lead side is formed thickly after package molding.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62071445A JPS63239829A (en) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | Electronic device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62071445A JPS63239829A (en) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | Electronic device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63239829A true JPS63239829A (en) | 1988-10-05 |
Family
ID=13460756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62071445A Pending JPS63239829A (en) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | Electronic device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63239829A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994011902A1 (en) * | 1992-11-17 | 1994-05-26 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Lead frame and semiconductor device using same |
-
1987
- 1987-03-27 JP JP62071445A patent/JPS63239829A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994011902A1 (en) * | 1992-11-17 | 1994-05-26 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Lead frame and semiconductor device using same |
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