JPS63238993A - 超電導半田 - Google Patents

超電導半田

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Publication number
JPS63238993A
JPS63238993A JP62074791A JP7479187A JPS63238993A JP S63238993 A JPS63238993 A JP S63238993A JP 62074791 A JP62074791 A JP 62074791A JP 7479187 A JP7479187 A JP 7479187A JP S63238993 A JPS63238993 A JP S63238993A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
superconducting
superconductive
solder
group
melting point
Prior art date
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Pending
Application number
JP62074791A
Other languages
English (en)
Inventor
Minoru Yokota
稔 横田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Publication date
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Publication of JPS63238993A publication Critical patent/JPS63238993A/ja
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    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E40/00Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
    • Y02E40/60Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment

Landscapes

  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉    □ この発明は超電導半田に関し、さらに詳述するならば、
超電導マグネット等に用いられている超電導線の端末部
等の接合に使用される超電導半田に関する。
〈従来の技術〉 超電導マグネット等に使用される超電導線の接合にあっ
ては、Pb−9n、Pb−B1等の超電導特性を示す低
融点半田を用いて超電導線の端末部同士をオーバーラツ
プさせて接合一体化するオーバーラツプ法、半田で接合
一体化したのち周囲を安定化スリーブでかしめる方法、
あるいは超電導線の端末部同士を半田内に含浸させる半
田含浸法等種々の接合法が行なわれている。
〈発明が解決しようとする問題点〉 しかしながら、超電導5線の端末部分間等、超電導線同
士の接合部分を、上記のような従来の半田で接合一体化
したものにあっては、超電導線部分に比べ、接合部分で
の臨界電流、臨界磁場および臨界温度等の超電導特性が
劣り、例えば温度上昇にて接合部分が超電導状態から常
電導状態に転移した場合には、発熱等の弊害が発生する
ことになり、接合部での超電導特性の改善が強く要望さ
れていた。
〈発明の目的〉 この発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、臨
界温度が高く、接合部での超電導特性を向上できる超電
導半田を提供することを目的とする。
く問題点を解決するための手段〉 上記の目的を達成するためのこの発明の構成は、超電導
特性を保有する低融点半田へ、セラミックス系超電導物
質を混在させた超電導半田に存する。
上記低融点半田としては、Pb、 Pb−8n、Pb−
B1゜Pb−Ag、Sn等の超電導特性を示すものが挙
げられる。
また、上記セラミックス系超電導物質としては、超電導
物質を構成する元素を含有するものであれば単体、化合
物のいずれの形態でも使用しえる。
該元素としては、周期律表1族、■族、■族および酸素
、窒素、フッ素、炭素、硫黄などが例示される。より詳
細には、セラミックス系超電導物質は!a族元素、II
a族元素および■a族元素より選択された少なくとも1
種の元素、Ib族元素、nb族元素およびmb族より選
択された少なくともIMiの元素、および酸素、窒素、
フッ素、炭素、硫黄から選択された少なくとも1種の元
素を含有しているものを例示できる。
上記周期律表1族元索のうち、Ia族元素としては、L
 is N a s K s Rb s CsおよびF
rなどが挙げられ、Ib族元素としては、Cu、Agお
よびAuが挙げられる。また、周期律表■族元素のうち
、IIa族元素としては、Be%Mg1Ca s S 
r s B aおよびRaが挙げられ、nb族元素とし
ては、Zns Cd等が挙げられる。周期律表■族元素
のうち、IIIa族元素としては、Sc。
Yやランタノイド系元素であるLa、Ce、Pr。
Nds Pms Sm、Eu5Gds Tb%Dy5H
O,E r、Tm、Yb%Lu、アクチノイド系元素、
例えば、AC等が挙げられる。また、■b族元元素して
は、AJSGa、I n、TJ等が挙げられる。
上記元素のうち、Ila族元索元素 a *  S r
のいずれかであり、ma族元素がSe、Y、Laのうち
いずれかであることが好ましく、特にY−Ba−Cu−
0系の超電導物質がより好ましい実施となる。
さらに、セラミックス系超電導物質は臨界温度が液体窒
素温度以上であることが好ましく、特に80に以上であ
ることが安定した超電導特性を維持するうえで好適であ
る。
く作用〉 以上の構成の超電導半田によれば、Pb、 Pb−8n
 。
Pb−B1.Pb−Ag、Sn等の超電導特性を示す従
来の低融点半田に対し、臨界温度の高いセラミック不系
超電導物質を混在させたものゆえ、超電導線の接合、部
等での超電導特性をより安定した状態で維持できる。
即ち、例えば温度上昇等にて接合部分が超電導状態から
常電導状態に転移した場合であっても、臨界温度の高い
セラミックス系超電導物質を混在させたものゆえ、この
セラミックス系超電導物質部分を超電導電流が流れるこ
ととなり、接合部分での発熱は抑えられ、超電導特性を
良好に維持できる。
〈実施例〉 周期律表■族元素としてBa、III族元素としてYを
選び、Y20s 、BaC0a 、Cu2Oの酸化物粉
末を(Ba   、Y   )2cuoaの配合比で混
0.2  0.8 合し、成型、圧縮、焼結(約950℃X 1Ohr) 
、粉砕を3回繰り返し、最終的に粒径約数塵の粉体を得
た。この粉体の臨界温度は約80にであった。
この粉体をPb−5%Snの半田へ体積比で約5%混入
して超電導半田を得た。
次に、安定化材としてCuを混入したNb−Tl系超電
導線の端末部の接合を、上記超電導半田を用いて行なっ
た。そして80に付近で、接合部の電気抵抗を測定した
ところ、接合部分での電気抵抗は、従来のPb−8n成
分のみからなる半田がlロー10Ωであったのに対し、
t o−12Ωであり、著しく電気抵抗が低下している
ことを確認できた。
これは、超電導線の接続部分に上記Pb、 Pb−8n
Pb−B1 、 Pb−Ag 、 STI等よりも臨界
温度の高いセラミックス系超電導物質を混在させた超電
導半田を用いて接合したので、この接合部分にあって、
少なくとも部分的に超電導現象が起こっているからであ
ると考えられる。
なお、超電導線を凹型の安定化銅に連続的に埋め込み、
これらを、超電導半田を用いて一体化した場合にも上記
と同様な結果が得られた。
〈発明の効果〉 以上のようにこの発明の超電導半田によれば、超電導特
性を有する低融点半田において、セラミックス系超電導
物質を混在させたものゆえ、超電導線の端末部等の接合
部分での電気伝導特性を著しく向上させることができる
という特有の効果を奏する。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、超電導特性を保有する低融点半田へ、セラミックス
    系超電導物質を混在させたことを特徴とする超電導半田
    。 2、セラミックス系超電導物質の臨界温度が液体窒素温
    度以上である上記特許請求の範囲第1項記載の超電導半
    田。 3、セラミックス系超電導物質が周期律表IIa族元素、
    IIIa族元素及び銅からなる酸化物である上記特許請求
    の範囲第1項記載の超電導半田。 4、IIa族元素がBa又はsrのいずれかであり、III
    a族元素がSc、Y、Laのうちのいずれかである上記
    特許請求の範囲第3項記載の超電導半田。 5、IIa族元素がBaであり、IIIa族元素がYである
    上記特許請求の範囲第3項記載の超電導半田。
JP62074791A 1987-03-27 1987-03-27 超電導半田 Pending JPS63238993A (ja)

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