JP2806390B2 - 超電導体の接合方法 - Google Patents
超電導体の接合方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、超電導体どうしを接合する超電導体の接合
方法に関する。
方法に関する。
［従来の技術］ 超電導体どうしを接合する方法は、未だ研究段階であ
り、確立された方法は知られていない。しかし、従来の
接合技術の延長として以下の方法が考えられる。
り、確立された方法は知られていない。しかし、従来の
接合技術の延長として以下の方法が考えられる。
接合すべき超電導体の接合部に低融点金属を溶かし
て塗布し、これら超電導体の接合部どうしを突き合わせ
て前記低融点金属を冷却固化することにより接合する方
法。
て塗布し、これら超電導体の接合部どうしを突き合わせ
て前記低融点金属を冷却固化することにより接合する方
法。
超電導体の共沈物を出発材料とした粒径数μｍアン
ダーの超電導体の微粉末、または、乾式で合成された超
電導体の微粉末を分散媒体中に分散させて作成したペー
ストを接合すべき超電導体の接合部に塗布し、これら超
電導体の接合部どうしを突き合わせて焼結することによ
り接合する方法。
ダーの超電導体の微粉末、または、乾式で合成された超
電導体の微粉末を分散媒体中に分散させて作成したペー
ストを接合すべき超電導体の接合部に塗布し、これら超
電導体の接合部どうしを突き合わせて焼結することによ
り接合する方法。
銀微粉末を分散媒体中に分散させて作成した銀ペー
ストを接合すべき超電導体の接合部に塗布し、これら超
電導体の接合部どうしを突き合わせて焼結することによ
り接合する方法。
ストを接合すべき超電導体の接合部に塗布し、これら超
電導体の接合部どうしを突き合わせて焼結することによ
り接合する方法。
［発明が解決しようとする課題］ ところが、従来技術の延長上にある上述の各方法には
以下のような問題点があった。
以下のような問題点があった。
（イ） の方法 低融点金属が超電導体でないことから、前記接合面間
の低融点金属の部分が電気抵抗を持ち、接合した超電導
体間で超電導電流を流せなくなる。また、例えば、高い
臨界温度（Tc）を有する Y1Ba2Cu3O7-x、 Bi2Sr2Ca2Cu3O10、 Tl2Ba2Ca2Cu3O10 等の超電導体では、コヒーレンス長が数十Åである。し
たがって、接合部における超電導体間に介在される低融
点金属の厚さを数十Å以下としなければ超電導電流を流
すことができない。しかし、この接合剤たる低融点金属
の厚さをこのように薄くして接合することはほとんど不
可能である。
の低融点金属の部分が電気抵抗を持ち、接合した超電導
体間で超電導電流を流せなくなる。また、例えば、高い
臨界温度（Tc）を有する Y1Ba2Cu3O7-x、 Bi2Sr2Ca2Cu3O10、 Tl2Ba2Ca2Cu3O10 等の超電導体では、コヒーレンス長が数十Åである。し
たがって、接合部における超電導体間に介在される低融
点金属の厚さを数十Å以下としなければ超電導電流を流
すことができない。しかし、この接合剤たる低融点金属
の厚さをこのように薄くして接合することはほとんど不
可能である。
（ロ） の方法 この方法は、接合剤として、超電導体の微粉末を用い
るものであるから、前記のような不都合は回避でき
る。しかし、例えば、接合対象たる超電導体としてのY1
Ba2Cu3O7-xを、接合剤としてこの超電導体の微粉末を用
いて接合する場合を考えると、この場合の接合焼結温度
として、接合対象たる超電導体を製造する際の焼結温度
とほぼ同程度の温度を選定する必要がある。すなわち、
Y1Ba2Cu3O7-xを製造する際の焼結温度は920〜950℃であ
るから、十分な接合強度を得るためにはこの場合の接合
温度を940℃程度とする必要がある。この接合温度を例
えば、920℃と低い温度にすると、接合強度が弱くなっ
て実用にならない。
るものであるから、前記のような不都合は回避でき
る。しかし、例えば、接合対象たる超電導体としてのY1
Ba2Cu3O7-xを、接合剤としてこの超電導体の微粉末を用
いて接合する場合を考えると、この場合の接合焼結温度
として、接合対象たる超電導体を製造する際の焼結温度
とほぼ同程度の温度を選定する必要がある。すなわち、
Y1Ba2Cu3O7-xを製造する際の焼結温度は920〜950℃であ
るから、十分な接合強度を得るためにはこの場合の接合
温度を940℃程度とする必要がある。この接合温度を例
えば、920℃と低い温度にすると、接合強度が弱くなっ
て実用にならない。
ところが、接合温度を940℃にすると、接合対象たる
超電導体自体が歪んだり、変形したりするという不都合
が生じてしまう。この事情は他の超電導体の場合も同じ
である。
超電導体自体が歪んだり、変形したりするという不都合
が生じてしまう。この事情は他の超電導体の場合も同じ
である。
（ハ） の方法 この方法は、上記及びの問題点を一応は回避可能
である。しかし、接合面に塗布された銀ペーストの銀が
焼結によって超電導体中に拡散していくため、この接合
部に空洞が生ずるおそれが高く、これにより、この接合
部での超電導電流を阻害するおそれがある。また、銀
は、Y1Ba2Cu3O7-xの接合には適用できるが、焼結温度が
高いことと、拡散した場合に超電導体としての性質を破
壊してしまう等の理由から、Bi2Sr2Ca2Cu3O10、Tl2Ba2C
a2Cu3O10等の他の超電導体の接合には用いることができ
ない。
である。しかし、接合面に塗布された銀ペーストの銀が
焼結によって超電導体中に拡散していくため、この接合
部に空洞が生ずるおそれが高く、これにより、この接合
部での超電導電流を阻害するおそれがある。また、銀
は、Y1Ba2Cu3O7-xの接合には適用できるが、焼結温度が
高いことと、拡散した場合に超電導体としての性質を破
壊してしまう等の理由から、Bi2Sr2Ca2Cu3O10、Tl2Ba2C
a2Cu3O10等の他の超電導体の接合には用いることができ
ない。
本発明は、上述の背景のもとでなされたものであり、
接合された超電導体が一体となって一つの超電導体とし
て作用することができるとともに、十分な接合強度を発
揮することができる超電導体の接合方法を提供すること
を目的としたものである。
接合された超電導体が一体となって一つの超電導体とし
て作用することができるとともに、十分な接合強度を発
揮することができる超電導体の接合方法を提供すること
を目的としたものである。
［課題を解決するための手段］ 本願の第１の発明は、以下の構成とすることで上述の
課題を解決している。
課題を解決している。
（１）接合すべき超電導体の接合面に、超電導物質と添
加物質とを含む接合剤を塗布し、これら接合面を突き合
わせて焼結することにより超電導体どうしを接合する超
電導体の接合方法であって、 前記接合すべき超電導体として、Y1Ba2Cu3O7-xの組成
を有する超電導物質または該超電導物質Y1Ba2Cu3O7-xに
おけるＹもしくはBaを他の元素で置換した組成を有し、
Y1Ba2Cu3O7-xの組成を有する超電導物質と同一または類
似の結晶構造を有する超電導物質の成型体を用い、 前記接合剤として、前記接合すべき超電導体の成型体
を構成する超電導物質と同一または類似の超電導物質
と、添加物質としてAgOもしくはCu2Oのいずれか１つま
たはAgOとCu2Oとの双方を含むものを用いることを特徴
とした構成。
加物質とを含む接合剤を塗布し、これら接合面を突き合
わせて焼結することにより超電導体どうしを接合する超
電導体の接合方法であって、 前記接合すべき超電導体として、Y1Ba2Cu3O7-xの組成
を有する超電導物質または該超電導物質Y1Ba2Cu3O7-xに
おけるＹもしくはBaを他の元素で置換した組成を有し、
Y1Ba2Cu3O7-xの組成を有する超電導物質と同一または類
似の結晶構造を有する超電導物質の成型体を用い、 前記接合剤として、前記接合すべき超電導体の成型体
を構成する超電導物質と同一または類似の超電導物質
と、添加物質としてAgOもしくはCu2Oのいずれか１つま
たはAgOとCu2Oとの双方を含むものを用いることを特徴
とした構成。
また、本願の第２の発明は、以下の構成とすることで
上述の課題を解決している。
上述の課題を解決している。
（２）接合すべき超電導体の接合面に、超電導物質と添
加物質とを含む接合剤を塗布し、これら接合面を突き合
わせて焼結することにより超電導体どうしを接合する超
電導体の接合方法であって、 前記接合すべき超電導体として、Bi2-xPbx（Sr1-yC
ay）4Cu3OxもしくはBi2-xPbx（Sr1-yCay）3Cu2Oxの組成
を有する超電導物質、または、これら超電導物質の構成
元素の一部を他の元素に置換した組成を有し、これら超
電導物質と同一または類似の結晶構造を有する超電導物
質の成型体を用い、 前記接合剤として、前記接合すべき超電導体の成型体
を構成する超電導物質と同一または類似の超電導物質
と、添加物質としてBiO,Bi2O5、PbO、Pb2O3,Pb3O4,Tl2O
3もしくはCu2Oのいずれか１つまたはBiO,Bi2O5、PbO、P
b2O3,Pb3O4,Tl2O3もしくはCu2Oのうちのいずれか２以上
を組み合わせたものとを含むものを用いることを特徴と
した構成。
加物質とを含む接合剤を塗布し、これら接合面を突き合
わせて焼結することにより超電導体どうしを接合する超
電導体の接合方法であって、 前記接合すべき超電導体として、Bi2-xPbx（Sr1-yC
ay）4Cu3OxもしくはBi2-xPbx（Sr1-yCay）3Cu2Oxの組成
を有する超電導物質、または、これら超電導物質の構成
元素の一部を他の元素に置換した組成を有し、これら超
電導物質と同一または類似の結晶構造を有する超電導物
質の成型体を用い、 前記接合剤として、前記接合すべき超電導体の成型体
を構成する超電導物質と同一または類似の超電導物質
と、添加物質としてBiO,Bi2O5、PbO、Pb2O3,Pb3O4,Tl2O
3もしくはCu2Oのいずれか１つまたはBiO,Bi2O5、PbO、P
b2O3,Pb3O4,Tl2O3もしくはCu2Oのうちのいずれか２以上
を組み合わせたものとを含むものを用いることを特徴と
した構成。
さらに、本願の第３の発明は、以下の構成とすること
で上述の課題を解決している。
で上述の課題を解決している。
（３）接合すべき超電導体の接合面に、超電導物質と添
加物質とを含む接合剤を塗布し、これら接合面を突き合
わせて焼結することにより超電導体どうしを接合する超
電導体の接合方法であって、 前記接合すべき超電導体として、Tl2-x（Ba1-yCay）4
Cu3O10-zまたはTl2-x（Ba1-yCay）3Cu2O10-zの組成を有
する超電導物質またはこれら組成におけるTl、Baもしく
はCaを他の元素で置換した組成を有し、これらの組成を
有する超電導物質と同一または類似の結晶構造を有する
超電導物質の成型体を用い、 前記接合剤として、前記接合すべき超電導体の成型体
を構成する超電導物質と同一または類似の超電導物質
と、添加物質としてBiO,Bi2O5、PbO、Pb2O3,Pb3O4,Tl2O
3もしくはCu2Oのいずれか１つまたはBiO,Bi2O5、PbO、P
b2O3,Pb3O4,Tl2O3もしくはCu2Oのうちのいずれか２以上
を組み合わせたものとを含むものを用いることを特徴と
した構成。
加物質とを含む接合剤を塗布し、これら接合面を突き合
わせて焼結することにより超電導体どうしを接合する超
電導体の接合方法であって、 前記接合すべき超電導体として、Tl2-x（Ba1-yCay）4
Cu3O10-zまたはTl2-x（Ba1-yCay）3Cu2O10-zの組成を有
する超電導物質またはこれら組成におけるTl、Baもしく
はCaを他の元素で置換した組成を有し、これらの組成を
有する超電導物質と同一または類似の結晶構造を有する
超電導物質の成型体を用い、 前記接合剤として、前記接合すべき超電導体の成型体
を構成する超電導物質と同一または類似の超電導物質
と、添加物質としてBiO,Bi2O5、PbO、Pb2O3,Pb3O4,Tl2O
3もしくはCu2Oのいずれか１つまたはBiO,Bi2O5、PbO、P
b2O3,Pb3O4,Tl2O3もしくはCu2Oのうちのいずれか２以上
を組み合わせたものとを含むものを用いることを特徴と
した構成。
［作用］ 上述の各構成によれば、接合すべき超電導体の接合面
に接合剤を塗布し、これら接合面を突き合わせて焼結す
ることにより、接合剤が固化するとともに拡散結合して
超電導体どうしが接合される。
に接合剤を塗布し、これら接合面を突き合わせて焼結す
ることにより、接合剤が固化するとともに拡散結合して
超電導体どうしが接合される。
この場合、上述の各構成における接合剤は、超電導体
物質と、添加物質とを含むものである。そして、これら
の添加物質はいずれも、前記超電体物質と混合した場合
に、この混合物の焼結温度を該超電導体物質単独におけ
る焼結温度よりも低くするような物質であり、かつ、接
合対象たる超電導体中に拡散した場合にもこの超電導体
の超電導性を破壊しない物質である。したがって、焼結
の際に接合対象たる超電導体を歪ませたり変形させた
り、あるいは、超電導性を低下させたりするおそれがな
い。さらには、前記接合剤が超電導体物質と添加物質と
を含むものであることから、焼結の際に、前記添加物質
が接合対象たる超電導体中に拡散移動した場合にも、こ
の移動によって生ずる空洞が超電導電流を阻害する程大
きくなることはない。
物質と、添加物質とを含むものである。そして、これら
の添加物質はいずれも、前記超電体物質と混合した場合
に、この混合物の焼結温度を該超電導体物質単独におけ
る焼結温度よりも低くするような物質であり、かつ、接
合対象たる超電導体中に拡散した場合にもこの超電導体
の超電導性を破壊しない物質である。したがって、焼結
の際に接合対象たる超電導体を歪ませたり変形させた
り、あるいは、超電導性を低下させたりするおそれがな
い。さらには、前記接合剤が超電導体物質と添加物質と
を含むものであることから、焼結の際に、前記添加物質
が接合対象たる超電導体中に拡散移動した場合にも、こ
の移動によって生ずる空洞が超電導電流を阻害する程大
きくなることはない。
［実施例］ （第１実施例） この実施例は、超電導体Y1Ba2Cu3O7-xの成型体どうし
を接合した例である。以下第１実施例を詳述する。
を接合した例である。以下第１実施例を詳述する。
＊接合対象の超電導体 臨界温度（Tc）が90KのY1Ba2Cu3O7-xの半インチペレ
ット。
ット。
＊用いた接合剤 AgOの粒径１μｍアンダー粉にY1Ba2Cu3O7-xの３μｍ
アンダー粉を50wt％添加し、よく混合し、トルエンをま
ぜてペースト状に形成したもの。
アンダー粉を50wt％添加し、よく混合し、トルエンをま
ぜてペースト状に形成したもの。
上記接合剤を上記超電導体の接合面に、厚さ約100μ
ｍ程度塗り付けた後、これを、900℃で10時間焼結し
た。
ｍ程度塗り付けた後、これを、900℃で10時間焼結し
た。
こうして接合した後、接合強度を測定したところ、0.
2Kg/cm2以上であった。
2Kg/cm2以上であった。
また、この接合界面を四端子法で測定したところ、Tc
が90Kの超電導特性を示すことが確認された。
が90Kの超電導特性を示すことが確認された。
第１図は、接合剤に添加する超電導体（Y1Ba2Cu
3O7-x）の混合割合を種々変え、各々の場合の接合剤を
用いて接合し、各場合の接合強度を測定した結果を示す
グラフである。図において、縦軸が接合強度Ｆ（単位;K
g/cm2）、横軸が超電導体の混合割合α（単位;wt％）で
ある。
3O7-x）の混合割合を種々変え、各々の場合の接合剤を
用いて接合し、各場合の接合強度を測定した結果を示す
グラフである。図において、縦軸が接合強度Ｆ（単位;K
g/cm2）、横軸が超電導体の混合割合α（単位;wt％）で
ある。
なお、この場合、超電導体の混合割合αが０に近付く
にしたがって接合強度が増すが、超電導体の混合割合を
０にすると、接合後、該接合部が超電導性を示さなくな
る。このため、少なくともαの値を20以上とする必要が
あった。
にしたがって接合強度が増すが、超電導体の混合割合を
０にすると、接合後、該接合部が超電導性を示さなくな
る。このため、少なくともαの値を20以上とする必要が
あった。
（第２実施例） この実施例も、超電導体Y1Ba2Cu3O7-xの成型体どうし
を接合した例であるが、用いた接合剤が前記第１実施例
を異なる。以下第２実施例を詳述する。
を接合した例であるが、用いた接合剤が前記第１実施例
を異なる。以下第２実施例を詳述する。
＊接合対象の超電導体（第１実施例と同じ） 臨界温度（Tc）が90KのY1Ba2Cu3O7-xの半インチペレ
ット。
ット。
＊用いた接合剤 Cu2OペーストにY1Ba2Cu3O7-xの３μｍアンダー粉を20
wt％添加し、よく混合してペースト状に形成したもの。
wt％添加し、よく混合してペースト状に形成したもの。
上記接合剤を上記超電導体の接合面に、厚さ約100μ
ｍ程度塗り付けた後、これを、920℃で10時間焼結し
た。
ｍ程度塗り付けた後、これを、920℃で10時間焼結し
た。
こうして接合した後、接合強度を測定したところ、0.
5Kg/cm2であった。
5Kg/cm2であった。
また、この接合界面を四端子法で測定したところ、Tc
が90Kの超電導特性を示すことが確認された。
が90Kの超電導特性を示すことが確認された。
（第３実施例） この実施例は、超電導体Bi1.7Pb0.3Sr2Ca2Cu3O10の成
型体どうしを接合した例である。以下第３実施例を詳述
する。
型体どうしを接合した例である。以下第３実施例を詳述
する。
＊接合対象の超電導体 臨界温度（Tc）が100KのBi1.7Pb0.3Sr2Ca2Cu3O10の半
インチペレット。
インチペレット。
＊用いた接合剤 Pb3O4の粒径３μｍアンダー粉にBi2Sr2Ca2Cu3O10の３
μｍアンダー粉を50wt％添加し、よく混合し、さらに、
トルエン10wt％をまぜてペースト状に形成したもの。
μｍアンダー粉を50wt％添加し、よく混合し、さらに、
トルエン10wt％をまぜてペースト状に形成したもの。
上記接合剤を上記超電導体の接合面に、厚さ約100μ
ｍ程度塗り付けた後、これを、830℃で10時間焼結し
た。
ｍ程度塗り付けた後、これを、830℃で10時間焼結し
た。
こうして接合した後、接合強度を測定したところ、0.
5Kg/cm2であった。
5Kg/cm2であった。
また、この結合界面を四端子法で測定したところ、Tc
が100Kの超電導特性を示すことが確認された。
が100Kの超電導特性を示すことが確認された。
なお、前記接合剤として、Pb3O4の代わりにBiO,Pb、P
b2O3,Tl2O3もしくはCu2Oを用いたものでもほぼ同様の結
果が得られた。
b2O3,Tl2O3もしくはCu2Oを用いたものでもほぼ同様の結
果が得られた。
（第４実施例） この実施例は、用いた接合剤が異なるほかは前記第３
実施例と同一の構成及び作用効果を有するので、接合剤
以外の説明は省略する。
実施例と同一の構成及び作用効果を有するので、接合剤
以外の説明は省略する。
＊用いた接合剤 PbOにBi2O3を50wt％添加して混合し、これに、さら
に、Bi2Sr2Ca2Cu3O10の３μｍアンダー粉を前記混合物
の全量の50wt％添加し、トルエンを加えてよく混合して
ペースト状に形成したもの。
に、Bi2Sr2Ca2Cu3O10の３μｍアンダー粉を前記混合物
の全量の50wt％添加し、トルエンを加えてよく混合して
ペースト状に形成したもの。
（第５実施例） この実施例は、超電導体Tl2-xBa2Ca2Cu3O10-y（ｘ＝
0.3、ｙ＝0.45）の成型体どうしを接合した例である。
以下第５実施例を詳述する。
0.3、ｙ＝0.45）の成型体どうしを接合した例である。
以下第５実施例を詳述する。
＊接合対象の超電導体 臨界温度（Tc）が110KのTl2-xBa2Ca2Cu3O10-y（ｘ＝
0.3、ｙ＝0.45）の半インチペレット。
0.3、ｙ＝0.45）の半インチペレット。
＊用いた接合剤 Pb3O4の粒径３μｍアンダー粉にTl2Ba2Ca2Cu3O10の３
μｍアンダー粉を50wt％添加し、よく混合し、さらに、
トルエン10wt％をまぜてペースト状に形成したもの。
μｍアンダー粉を50wt％添加し、よく混合し、さらに、
トルエン10wt％をまぜてペースト状に形成したもの。
上記接合剤を上記超電導体の接合面に、厚さ約100μ
ｍ程度塗り付けた後、これを、830℃で10時間焼結し
た。
ｍ程度塗り付けた後、これを、830℃で10時間焼結し
た。
こうして接合した後、接合強度を測定したところ、0.
5Kg/cm2であった。
5Kg/cm2であった。
また、この結合界面を四端子法で測定したところ、Tc
が110Kの超電導特性を示すことが確認された。
が110Kの超電導特性を示すことが確認された。
なお、前記接合剤として、Pb3O4の代わりにPb、Pb
2O3,BiO,Bi2O5もしくはCu2Oを用いたものでもほぼ同様
の結果が得られた。
2O3,BiO,Bi2O5もしくはCu2Oを用いたものでもほぼ同様
の結果が得られた。
（第６実施例） この実施例は、用いた接合剤が異なるほかは前記第５
実施例と同一の構成及び作用効果を有するので、接合剤
以外の説明は省略する。
実施例と同一の構成及び作用効果を有するので、接合剤
以外の説明は省略する。
＊用いた接合剤 Tl2O3にCuOを50wt％添加して混合し、これに、さら
に、Tl2Ba2Ca2Cu3O10の３μｍアンダー粉を前記混合物
の全量の50wt％添加し、トルエンを加えてよく混合して
ペースト状に形成したもの。
に、Tl2Ba2Ca2Cu3O10の３μｍアンダー粉を前記混合物
の全量の50wt％添加し、トルエンを加えてよく混合して
ペースト状に形成したもの。
（比較例） 第１比較例 臨界温度が90KのY1Ba2Cu3O7-xの超電導体の半インチ
ペレットの接合部に、Y1Ba2Cu3O7-xの微粉３μｍアンダ
ーの粉をトルエンでペースト状にして形成した接合剤を
約100μｍの厚さに塗布し、接合部を突き合わせて900℃
で10時間焼結した。
ペレットの接合部に、Y1Ba2Cu3O7-xの微粉３μｍアンダ
ーの粉をトルエンでペースト状にして形成した接合剤を
約100μｍの厚さに塗布し、接合部を突き合わせて900℃
で10時間焼結した。
この場合の接合強度は0.05Kg/cm2以下であった。
第２比較例 臨界温度が100KのBi1.7Pb0.3Sr2Ca2Cu3O10の超電導体
の半インチペレットの接合部に、Bi2Sr2Ca2Cu2O10の微
粉３μｍアンダーの粉をトルエンでペースト状にして形
成した接合剤を約100μｍの厚さに塗布し、接合部を突
き合わせて830℃で10時間焼結した。
の半インチペレットの接合部に、Bi2Sr2Ca2Cu2O10の微
粉３μｍアンダーの粉をトルエンでペースト状にして形
成した接合剤を約100μｍの厚さに塗布し、接合部を突
き合わせて830℃で10時間焼結した。
この場合の接合強度は0.1Kg/cm2以下であった。
第３比較例 臨界温度が100KのTl2-xBa2Ca2Cu3O10-y（ｘ＝0.3、ｙ
＝0.45）の超電導体の半インチペレットの接合部に、Tl
2Ba2Ca2Cu3O10の微粉３μｍアンダーの粉をトルエンで
ペースト状にして形成した接合剤を約100μｍの厚さに
塗布し、接合部を突き合わせて830℃で10時間焼結し
た。
＝0.45）の超電導体の半インチペレットの接合部に、Tl
2Ba2Ca2Cu3O10の微粉３μｍアンダーの粉をトルエンで
ペースト状にして形成した接合剤を約100μｍの厚さに
塗布し、接合部を突き合わせて830℃で10時間焼結し
た。
この場合の接合強度は0.1Kg/cm2以下であった。
［発明の効果］ 以上詳述したように、本発明は、接合剤として、超電
導体物質と、添加物質とを含むものを用い、この添加物
質を、前記超電導体物質と混合した場合に、この混合物
の焼結温度を該超電導体物質単独における焼結温度より
も低くするような物質であり、かつ、接合対象たる超電
導体中に拡散した場合にもこの超電導体の超電導性を破
壊しない物質で構成したもので、これにより、焼結の際
に接合対象たる超電導体を歪ませたり変形させたり、あ
るいは、超電導性を破壊したりするおそれを除去すると
ともに、前記添加物質が接合対象たる超電導体中に拡散
してもこの移動によって生ずる空洞が超電導電流を阻害
する程大きくなることがないようにし、接合部において
も超電導性を確保しつつ十分な接合強度を得ることを可
能にしたものである。
導体物質と、添加物質とを含むものを用い、この添加物
質を、前記超電導体物質と混合した場合に、この混合物
の焼結温度を該超電導体物質単独における焼結温度より
も低くするような物質であり、かつ、接合対象たる超電
導体中に拡散した場合にもこの超電導体の超電導性を破
壊しない物質で構成したもので、これにより、焼結の際
に接合対象たる超電導体を歪ませたり変形させたり、あ
るいは、超電導性を破壊したりするおそれを除去すると
ともに、前記添加物質が接合対象たる超電導体中に拡散
してもこの移動によって生ずる空洞が超電導電流を阻害
する程大きくなることがないようにし、接合部において
も超電導性を確保しつつ十分な接合強度を得ることを可
能にしたものである。
第１図は本発明の第１実施例における接合剤の超電導体
の混合割合と接合強度との関係を示すグラフである。
の混合割合と接合強度との関係を示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C04B 37/00 C01G 1/00 - 57/00 H01L 39/00 - 39/24 H01B 12/00
Claims (3)
- 【請求項１】接合すべき超電導体の接合面に、超電導物
質と添加物質とを含む接合剤を塗布し、これら接合面を
突き合わせて焼結することにより超電導体どうしを接合
する超電導体の接合方法であって、 前記接合すべき超電導体として、Y1Ba2Cu3O7-xの組成を
有する超電導物質または該超電導物質Y1Ba2Cu3O7-xにお
けるＹもしくはBaを他の元素で置換した組成を有し、Y1
Ba2Cu3O7-xの組成を有する超電導物質と同一または類似
の結晶構造を有する超電導物質の成型体を用い、 前記接合剤として、前記接合すべき超電導体の成型体を
構成する超電導物質と同一または類似の超電導物質と、
添加物質としてAgOもしくはCu2Oのいずれか１つまたはA
gOとCu2Oとの双方を含むものを用いることを特徴とした
超電導体の接合方法。 - 【請求項２】接合すべき超電導体の接合面に、超電導物
質と添加物質とを含む接合剤を塗布し、これら接合面を
突き合わせて焼結することにより超電導体どうしを接合
する超電導体の接合方法であって、 前記接合すべき超電導体として、Bi2-xPbx（Sr1-yCay）
4Cu3OxもしくはBi2-xPbx（Sr1-yCay）3Cu2Oxの組成を有
する超電導物質、または、これら超電導物質の構成元素
の一部を他の元素に置換した組成を有し、これら超電導
物質と同一または類似の結晶構造を有する超電導物質の
成型体を用い、 前記接合剤として、前記接合すべき超電導体の成型体を
構成する超電導物質と同一または類似の超電導物質と、
添加物質としてBiO,Bi2O5、PbO、Pb2O3,Pb3O4,Tl2O3も
しくはCu2Oのいずれか１つまたはBiO,Bi2O5、PbO、Pb2O
3,Pb3O4,Tl2O3もしくはCu2Oのうちのいずれか２以上を
組み合わせたものとを含むものを用いることを特徴とし
た超電導体の接合方法。 - 【請求項３】接合すべき超電導体の接合面に、超電導物
質と添加物質とを含む接合剤を塗布し、これら接合面を
突き合わせて焼結することにより超電導体どうしを接合
する超電導体の接合方法であって、 前記接合すべき超電導体として、Tl2-x（Ba1-yCay）4Cu
3O10-zまたはTl2-x（Ba1-yCay）3Cu2O10-zの組成を有す
る超電導物質またはこれら組成におけるTl、Baもしくは
Caを他の元素で置換した組成を有し、これらの組成を有
する超電導物質と同一または類似の結晶構造を有する超
電導物質の成型体を用い、 前記接合剤として、前記接合すべき超電導体の成型体を
構成する超電導物質と同一または類似の超電導物質と、
添加物質としてBiO,Bi2O5、PbO、Pb2O3,Pb3O4,Tl2O3も
しくはCu2Oのいずれか１つまたはBiO,Bi2O5、PbO、Pb2O
3,Pb3O4,Tl2O3もしくはCu2Oのうちのいずれか２以上を
組み合わせたものとを含むものを用いることを特徴とし
た超電導体の接合方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1123269A JP2806390B2 (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | 超電導体の接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1123269A JP2806390B2 (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | 超電導体の接合方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02302380A JPH02302380A (ja) | 1990-12-14 |
| JP2806390B2 true JP2806390B2 (ja) | 1998-09-30 |
Family
ID=14856383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1123269A Expired - Fee Related JP2806390B2 (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | 超電導体の接合方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2806390B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2505802B2 (ja) * | 1987-04-10 | 1996-06-12 | 住友電気工業株式会社 | セラミックス系超電導材の接続方法 |
| JPH01103965A (ja) * | 1987-10-16 | 1989-04-21 | Nikkiso Co Ltd | 超伝導材の接合方法 |
| JPH02296778A (ja) * | 1989-05-12 | 1990-12-07 | Ngk Insulators Ltd | セラミック超電導体の製法 |
-
1989
- 1989-05-17 JP JP1123269A patent/JP2806390B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02302380A (ja) | 1990-12-14 |
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