JPS63238266A - Sputtering device - Google Patents
Sputtering deviceInfo
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- JPS63238266A JPS63238266A JP7063287A JP7063287A JPS63238266A JP S63238266 A JPS63238266 A JP S63238266A JP 7063287 A JP7063287 A JP 7063287A JP 7063287 A JP7063287 A JP 7063287A JP S63238266 A JPS63238266 A JP S63238266A
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Classifications
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、スパッタリング装置に関するものである。[Detailed description of the invention] Industrial applications The present invention relates to a sputtering device.
従来の技術
従来、スパッタリング装置のカソード部分は、第２図の
ようになっていた。2. Description of the Related Art Conventionally, the cathode portion of a sputtering apparatus has been constructed as shown in FIG.
以下、図面を参照しながら従来のスパッタリング装置に
ついて説明する。２１はカソード本体、２３はターゲッ
ト２２をボンディングするためのバッキングプレート、
２４はプラズマシールド、２６はシャッター、２６はタ
ーゲット２２を冷却するだめの冷却水の入口、２７は冷
却水出口である。２８はカソード本体２１及び基板ホル
ダー３０を支持するチャンバーである。また、３１はス
パッタリングにより膜が形成される基板で、基板ホルダ
ー３０に装着されている。２９はカソード本体２１をチ
ャンバー２８から絶縁するだめの絶縁物である。３２は
アルゴンガス導入口３４と真空排気ポンプをチャンバー
２８から遮断するだめのパルプである。３６はカソード
本体へ電力を供給するための電源である。A conventional sputtering apparatus will be described below with reference to the drawings. 21 is a cathode body, 23 is a backing plate for bonding the target 22,
24 is a plasma shield, 26 is a shutter, 26 is a cooling water inlet for cooling the target 22, and 27 is a cooling water outlet. 28 is a chamber that supports the cathode body 21 and the substrate holder 30. Further, 31 is a substrate on which a film is formed by sputtering, and is mounted on the substrate holder 30. 29 is an insulator that insulates the cathode body 21 from the chamber 28. Reference numeral 32 denotes a pulp that isolates the argon gas inlet 34 and the vacuum evacuation pump from the chamber 28. 36 is a power source for supplying power to the cathode body.
以下、その動作について説明する。チャンバー２８内を
真空ポンプ３３により１０ＴＯτｒ台の真空度まで排気
する。その後、アルゴンガスをアルゴンガス導入口３４
より導入して５Ｘ１０ Ｔｏｒｒ程度に設定し、カソ
ード本体２２へ電源３６により高周波または直流電力を
印加する。これによりチャンバー２８内にアルゴンイオ
ンと電子の共存するプラズマを発生させる。アルゴンイ
オンは、負に印加されたカソード本体２１へ引き寄せら
れ、ターゲット２２をたたく。次に、２Ｘ１０ Ｔｏ
ｒｒ程度に設定しシャッター２６を開く。たたき出され
たターゲット粒子は、反対方向の基板３１へ到達し膜が
形成される。The operation will be explained below. The inside of the chamber 28 is evacuated to a degree of vacuum on the order of 10TOτr by the vacuum pump 33. After that, argon gas is introduced into the argon gas inlet 34.
The high frequency or DC power is applied to the cathode main body 22 from the power source 36. As a result, plasma in which argon ions and electrons coexist is generated in the chamber 28. The argon ions are attracted to the negatively applied cathode body 21 and strike the target 22. Next, 2X10 To
rr and open the shutter 26. The ejected target particles reach the substrate 31 in the opposite direction and form a film.
発明が解決しようとする問題点
しかしながら上記のような構成では、基板以外にチャン
バーの壁面及びプラズマシールドなどにも膜が付着し、
特にプラズマシールドに付着した膜は、ターゲットに一
番近いため、膜の付着量が多い。そのため、膜の剥離が
早く、その落下によりターゲットとプラズマシールドが
電気的なショートを起こしたり、落下した膜が再度基板
へ付着して、膜質を悪くするという問題点を有していた
。Problems to be Solved by the Invention However, in the above configuration, the film adheres not only to the substrate but also to the wall surface of the chamber, the plasma shield, etc.
In particular, the film attached to the plasma shield has a large amount of film because it is closest to the target. Therefore, the film peels off quickly, and the falling film causes an electrical short between the target and the plasma shield, and the fallen film adheres to the substrate again, resulting in poor film quality.
本発明は上記問題点に鑑み、プラズマシールドに工夫を
施すことにより、電気的なシシートを防ぎ、膜質を向上
させることを目的とするものである。In view of the above-mentioned problems, the present invention aims to prevent electrical shedding and improve film quality by devising a plasma shield.
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために、本発明のスパッタリング
装置は、プラズマシールドの内部または外部にヒーター
、ランプなどの加熱手段及び冷却手段を設けたものであ
る。Means for Solving the Problems In order to solve the above problems, the sputtering apparatus of the present invention is provided with a heating means such as a heater or a lamp, and a cooling means inside or outside the plasma shield.
作 用 この技術手段による作用は、次のようになる。For production The effect of this technical means is as follows.
すなわち、膜を付着させる以前にプラズマシールドを加
熱しておくことにより、膜が付着するプラズマシールド
の表面を活性な状態にしておくことができる。そのため
、膜の付着力が向上し、剥離が少なくなる。従って、タ
ーゲットとプラズマシールドとの電気的シヲート及びタ
ーゲット上へ落下した膜による悪影響は少なくなる。That is, by heating the plasma shield before attaching the film, the surface of the plasma shield to which the film is attached can be kept in an active state. Therefore, the adhesion of the film is improved and peeling is reduced. Therefore, the electrical seating between the target and the plasma shield and the negative effects of the film falling onto the target are reduced.
実施例
以下本発明の一実施例のスパッタリング装置について図
面を参照しながら説明する。EXAMPLE Hereinafter, a sputtering apparatus according to an example of the present invention will be described with reference to the drawings.
第１図は本発明の一実施例におけるスパッタリング装置
を示すものである。第１図において、１はカソード本体
、３はターゲット２をボンディングするためのバッキン
グプレート、６はプラズマシールド４を加熱するための
ヒーター、６は加熱した部分を冷却するための冷却手段
である。７はシャッターである。８はターゲット２を冷
却するための冷却水入口、９は冷却水出口である。１゜
はカソード本体１及び基板ホルダー１２を支持するチャ
ンバーである。また、１３はスパッタリングにより膜が
形成される基板で、基板ホルダー１２に装着されている
。１１はカソード本体１をチャンバー１０から絶縁する
ための絶縁物である。１４はアルゴンガス導入口１６と
真空排気ポンプ１６をチャンバー１０から遮断するため
のパルプである。１７はカソード本体１へ電力を供給す
るための電源である。FIG. 1 shows a sputtering apparatus in one embodiment of the present invention. In FIG. 1, 1 is a cathode body, 3 is a backing plate for bonding the target 2, 6 is a heater for heating the plasma shield 4, and 6 is a cooling means for cooling the heated portion. 7 is a shutter. 8 is a cooling water inlet for cooling the target 2, and 9 is a cooling water outlet. 1° is a chamber that supports the cathode body 1 and the substrate holder 12. Further, 13 is a substrate on which a film is formed by sputtering, and is mounted on the substrate holder 12. 11 is an insulator for insulating the cathode body 1 from the chamber 10. Reference numeral 14 denotes a pulp for blocking the argon gas inlet 16 and the vacuum pump 16 from the chamber 10. 17 is a power source for supplying power to the cathode body 1.
以下、その動作について説明する。チャンバー１０内を
真空ポンプ１６により１０”−６Ｔｏ ｒ ｒ台の真空
度まで排気する。その後、アルクンガスをアルゴンガス
導入口１６より導入して５Ｘ１０”” Ｔｏｒｒ程度に
設定し、カソード本体１へ電源１７にょシ高周波または
直流電力を印加する。これによりチャンバー１０内にア
ルゴンイオンと電子の共存するプラズマを発生させる。The operation will be explained below. The inside of the chamber 10 is evacuated to a vacuum level of 10"-6 Torr by the vacuum pump 16. Then, alkung gas is introduced from the argon gas inlet 16 to set the pressure to about 5X10" Torr, and the power source 17 is supplied to the cathode body 1. High frequency or direct current power is applied, thereby generating plasma in which argon ions and electrons coexist in the chamber 10.
アルゴンイオンは、負に印加されたカソード本体１へ引
き寄せられ、ターゲット２をたたく。次に、２Ｘ１０−
２Ｔｏｒｒ程度に設定しシャッター７を開く。たたき出
されたターゲット粒子は、反対方向の基板１３へ到達し
、膜が形成される。ここで、プラズマシールド４内のヒ
ーター６は温度調整機構にて常にプラズマシールド４が
１００〜４ｏｏ℃の領域の一部分で一定温度となるよう
に調整されている。そのため、付着した膜の密着性は強
固なものとなる。また、このヒーターは、チャンバーが
大気開放されても通電した状態を維持される。そのため
、大気になるときのヒートシラツクに対しても、膜の剥
離は少なくなる。The argon ions are attracted to the cathode body 1 to which a negative voltage is applied and strike the target 2. Next, 2X10-
Set to about 2 Torr and open shutter 7. The ejected target particles reach the substrate 13 in the opposite direction, forming a film. Here, the heater 6 in the plasma shield 4 is adjusted by a temperature adjustment mechanism so that the plasma shield 4 always has a constant temperature in a part of the range of 100 to 40°C. Therefore, the adhesion of the attached film becomes strong. Furthermore, this heater remains energized even when the chamber is opened to the atmosphere. Therefore, the peeling of the film is reduced even when subjected to heat shock when exposed to the atmosphere.
冷却手段６は、ターゲット交換時にやけどをしないため
装着されている。The cooling means 6 is installed to prevent burns when replacing targets.
なお、ヒーターはランプなどで（よく、外付けでもよい
。又、上記実施例では、磁石を用いない二極スパッタリ
ング装置について説明したが、各種の他のスパッタリン
グ装置にも同様に適用可能である。Note that the heater may be a lamp or the like (preferably, it may be externally attached.Also, in the above embodiment, a two-pole sputtering apparatus that does not use a magnet has been described, but it can be similarly applied to various other sputtering apparatuses.
発明の効果
以上のように本発明は、プラズマシールドへヒーターラ
ンプなどの加熱手段及び冷却手段を設けることにより膜
の剥離が少なくなる。そのため、ターゲットとプラズマ
シールドとの電気的なシゴートは少なくなり、膜質も向
上する。さらに、量産装置においてはメンテナンスの頻
度が少なくなり、生産性が飛躍的に向上する。Effects of the Invention As described above, in the present invention, peeling of the film is reduced by providing a heating means such as a heater lamp and a cooling means to the plasma shield. Therefore, electrical interference between the target and the plasma shield is reduced, and the film quality is also improved. Furthermore, mass production equipment requires less frequent maintenance, dramatically improving productivity.
第１図は本発明の一実施例におけるスパッタリング装置
の断面図、第２図は従来例を示す図である。
” １・・・・・・カソード本体、２−・−−−−ター
ゲット、４・・・・・・プラズマシールド、５・・・・
・・冷却手段、６・・・・・・ヒーター、１ｏ・・・・
・・チャンバー、１３・・・・・・基板。FIG. 1 is a sectional view of a sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a diagram showing a conventional example. ” 1... Cathode body, 2...---Target, 4... Plasma shield, 5...
...Cooling means, 6...Heater, 1o...
...Chamber, 13...Substrate.
Claims (1)
ドのプラズマシールドに加熱手段及び冷却手段を設けた
ことを特徴とするスパッタリング装置。A sputtering apparatus comprising a cathode and a substrate in a vacuum chamber, and a plasma shield of the cathode provided with heating means and cooling means.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7063287A JPS63238266A (en) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | Sputtering device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7063287A JPS63238266A (en) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | Sputtering device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63238266A true JPS63238266A (en) | 1988-10-04 |
Family
ID=13437208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7063287A Pending JPS63238266A (en) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | Sputtering device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63238266A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4966669A (en) * | 1988-12-20 | 1990-10-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Vacuum-film-forming apparatus and method |
| JPH04123257U (en) * | 1991-04-16 | 1992-11-06 | ソニー株式会社 | Bias ECR plasma CVD equipment |
| EP0562035A1 (en) * | 1990-12-11 | 1993-09-29 | Lam Research Corporation | Minimization of particle generation in cvd reactors and methods |
| US5589041A (en) * | 1995-06-07 | 1996-12-31 | Sony Corporation | Plasma sputter etching system with reduced particle contamination |
-
1987
- 1987-03-25 JP JP7063287A patent/JPS63238266A/en active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4966669A (en) * | 1988-12-20 | 1990-10-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Vacuum-film-forming apparatus and method |
| EP0562035A1 (en) * | 1990-12-11 | 1993-09-29 | Lam Research Corporation | Minimization of particle generation in cvd reactors and methods |
| EP0562035A4 (en) * | 1990-12-11 | 1995-12-13 | Lam Res Corp | Minimization of particle generation in cvd reactors and methods |
| EP0562035B2 (en) † | 1990-12-11 | 2001-09-05 | Lam Research Corporation | Minimization of particle generation in cvd reactors and methods |
| JPH04123257U (en) * | 1991-04-16 | 1992-11-06 | ソニー株式会社 | Bias ECR plasma CVD equipment |
| US5589041A (en) * | 1995-06-07 | 1996-12-31 | Sony Corporation | Plasma sputter etching system with reduced particle contamination |
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