JPS63236787A - 半導体単結晶の製造方法 - Google Patents
半導体単結晶の製造方法Info
- Publication number
- JPS63236787A JPS63236787A JP6897587A JP6897587A JPS63236787A JP S63236787 A JPS63236787 A JP S63236787A JP 6897587 A JP6897587 A JP 6897587A JP 6897587 A JP6897587 A JP 6897587A JP S63236787 A JPS63236787 A JP S63236787A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- melt
- dendrite
- single crystal
- semiconductor single
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 102
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 210000001787 dendrite Anatomy 0.000 claims abstract description 18
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 18
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N azanylidyneindigane Chemical compound [In]#N NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 6
- 239000008710 crystal-8 Substances 0.000 abstract description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 abstract 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- GVNVAWHJIKLAGL-UHFFFAOYSA-N 2-(cyclohexen-1-yl)cyclohexan-1-one Chemical compound O=C1CCCCC1C1=CCCCC1 GVNVAWHJIKLAGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101150065749 Churc1 gene Proteins 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010023204 Joint dislocation Diseases 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100038239 Protein Churchill Human genes 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明はチョクラルスキー法による半導体単結晶の結晶
引き上げに関する。
引き上げに関する。
（従来の技術）
近年、結晶欠陥がデバイス特性に与える影響が明確にな
り、結晶欠陥を減少させることが重要な問題となってい
る０例えば半導体単結晶内の転位密度が大になると、結
晶内に形成されたＰ／Ｎ接合の逆方向リーク電流が増加
するなど半導体素子特性が低下するとともに、信頼性に
も悪影響をおよぼすことが知られている。最近では半導
体素子の高集積化に伴って、半導体単結晶の転位や微少
欠陥の低減化の要求が増々強くなりつつある。
り、結晶欠陥を減少させることが重要な問題となってい
る０例えば半導体単結晶内の転位密度が大になると、結
晶内に形成されたＰ／Ｎ接合の逆方向リーク電流が増加
するなど半導体素子特性が低下するとともに、信頼性に
も悪影響をおよぼすことが知られている。最近では半導
体素子の高集積化に伴って、半導体単結晶の転位や微少
欠陥の低減化の要求が増々強くなりつつある。
従来、結晶欠陥の低減化の一つとして、不純物を添加し
た結晶融液中から結晶を引き上げる方法がある９例えば
、ＩｎＳｂ結晶においては、不純物として窒素、リン、
ヒ素等のＶ族元素が有効であり、窒素濃度がＩ Ｘ Ｉ
ＱＣ−〜ｌＸ１０ｃｍの範囲で有効であることが特開
昭５４−１２２６８１に報上になると、その効果がより
顕著に現れることがｊｏｕｒｎａｌ ｏｒ ｃｒｙｓｔ
ａ＋ ｇｒｏｗｔｈ ４７ （１９７９年。
た結晶融液中から結晶を引き上げる方法がある９例えば
、ＩｎＳｂ結晶においては、不純物として窒素、リン、
ヒ素等のＶ族元素が有効であり、窒素濃度がＩ Ｘ Ｉ
ＱＣ−〜ｌＸ１０ｃｍの範囲で有効であることが特開
昭５４−１２２６８１に報上になると、その効果がより
顕著に現れることがｊｏｕｒｎａｌ ｏｒ ｃｒｙｓｔ
ａ＋ ｇｒｏｗｔｈ ４７ （１９７９年。
Ｐ７４６−７４８＞により報告されている。
しかしこの方法では、次のような問題点がある。固溶限
度内の不純物を添加しても、添加した不純物が完全に溶
解せず、ルツボの底に一部原形のまま残留ポリといっし
ょに残る場合があり、添加濃度が増すにしたがってこの
傾向が高くなることである。したがって、このように不
純物が残ると、当然不純物添加の効果は半減するか、あ
るいは全く見られず、製造された単結晶の転位密度の低
減を図ることができなくなる。
度内の不純物を添加しても、添加した不純物が完全に溶
解せず、ルツボの底に一部原形のまま残留ポリといっし
ょに残る場合があり、添加濃度が増すにしたがってこの
傾向が高くなることである。したがって、このように不
純物が残ると、当然不純物添加の効果は半減するか、あ
るいは全く見られず、製造された単結晶の転位密度の低
減を図ることができなくなる。
また、半導体単結晶引き上げにおいて添加した不純物を
完全に溶解させるために、引き上げチャンバの外からヘ
ラのようなものを挿入して結晶融液をかくはんする工夫
も考えられるが、かくはんスピードに制限があり、また
、装置も複雑になるなど欠点も多い。
完全に溶解させるために、引き上げチャンバの外からヘ
ラのようなものを挿入して結晶融液をかくはんする工夫
も考えられるが、かくはんスピードに制限があり、また
、装置も複雑になるなど欠点も多い。
（発明が解決しようとする問題点）
以上述べたように、従来の不純物を添加した結晶融液中
から結晶の引き上げを行う方法では、添加した物質が完
全に溶解しないので、不純物を添加した効果が得られず
、結晶欠陥の低減化が図られないという問題点がっな そこで本発明では、このような欠点を除去するもので、
添加した不純物の効率のよい結晶融液への溶解を行い、
低欠陥の単結晶を歩留り良く製造する方法を提供するこ
とを目的とする。
から結晶の引き上げを行う方法では、添加した物質が完
全に溶解しないので、不純物を添加した効果が得られず
、結晶欠陥の低減化が図られないという問題点がっな そこで本発明では、このような欠点を除去するもので、
添加した不純物の効率のよい結晶融液への溶解を行い、
低欠陥の単結晶を歩留り良く製造する方法を提供するこ
とを目的とする。
［発明の目的］
（問題点を解決するための手段）
上記目的を達成するために本発明の半導体単結晶の製造
方法では、種子結晶を不純物の添加した結晶融液表面に
接触させて形成しなデンドライト結晶によりその結晶融
液をかくはんした後、結晶引き上げを行うものである。
方法では、種子結晶を不純物の添加した結晶融液表面に
接触させて形成しなデンドライト結晶によりその結晶融
液をかくはんした後、結晶引き上げを行うものである。
（作用）
上記製造方法では、不純物を添加した結晶融液をデンド
ライト結晶によりかくはんするので、添加不純物の溶解
を効率よく行うことができる。
ライト結晶によりかくはんするので、添加不純物の溶解
を効率よく行うことができる。
（実施例）
以下本発明の一つの実施例を図面を参照して説明する０
本発明は単結晶引き上げ法による製造に広く適用できる
が、発明の実施例としてＩｎＳｂ単結晶につき、図面を
参照して説明する。第１図（ａ）乃至第１図（Ｃ）は本
発明を説明する工程断面図であり、本実施例に使用した
引き上げ装置の中に結晶材料を入れて結晶引き上げを説
明するものである。
本発明は単結晶引き上げ法による製造に広く適用できる
が、発明の実施例としてＩｎＳｂ単結晶につき、図面を
参照して説明する。第１図（ａ）乃至第１図（Ｃ）は本
発明を説明する工程断面図であり、本実施例に使用した
引き上げ装置の中に結晶材料を入れて結晶引き上げを説
明するものである。
第１図（ａ）に示すように、密封されたチャンバ１内の
石英ルツボ２に結晶材料を入れる。結晶材料としては、
結晶引き上げ用の高純度の１ｎＳｂ（インジウムアンチ
モン）多結晶と添加不純物である純度９９．９９９％、
窒素濃度５Ｘ１０Ｃ１＋１のＩｎＮ（窒化インジウム）
の粉末を使用する。次に密封されたチャンバ１内を真空
度１０ Ｔｏｒｒまで排気して、窒素９０％と水素１０
％からなるフォーミングガスにより満たす、続いて上記
ルツボ２を取り囲むヒータ３で６００℃に加熱し、結晶
材料を融解してＩｎＳｂ結晶融液４をつくる。さらに、
＜２１１〉方位に切り出した種子結晶５を結晶取り付は
治具６に取り付ける。
石英ルツボ２に結晶材料を入れる。結晶材料としては、
結晶引き上げ用の高純度の１ｎＳｂ（インジウムアンチ
モン）多結晶と添加不純物である純度９９．９９９％、
窒素濃度５Ｘ１０Ｃ１＋１のＩｎＮ（窒化インジウム）
の粉末を使用する。次に密封されたチャンバ１内を真空
度１０ Ｔｏｒｒまで排気して、窒素９０％と水素１０
％からなるフォーミングガスにより満たす、続いて上記
ルツボ２を取り囲むヒータ３で６００℃に加熱し、結晶
材料を融解してＩｎＳｂ結晶融液４をつくる。さらに、
＜２１１〉方位に切り出した種子結晶５を結晶取り付は
治具６に取り付ける。
次に第１図（ｂ）に示すように、ルツボ２の温度を約５
５０℃まで下げさらに結晶取り付は治具６を回転数ｔｏ
ｒｐｍで回転させながら、種子結晶５をＩｎＳｂ結晶融
液４の表面に接触させる。このようにすることで、結晶
融液表面の一部分にデンドライト成長が起こる。さらに
、デンドライト結晶７が長さ２〜３ｃｍの樹枝状に成長
した段階で、結晶取り付は治具６の回転数を３０〜５
Ｑ ｒｐｍに上げる。したがって、デンドライト結晶７
が結晶融液内を数分間回転することにより結晶融液内で
かくはん効果が起り、ＩｎＮは完全にＩｎｃｈに溶解し
拡散することができる。
５０℃まで下げさらに結晶取り付は治具６を回転数ｔｏ
ｒｐｍで回転させながら、種子結晶５をＩｎＳｂ結晶融
液４の表面に接触させる。このようにすることで、結晶
融液表面の一部分にデンドライト成長が起こる。さらに
、デンドライト結晶７が長さ２〜３ｃｍの樹枝状に成長
した段階で、結晶取り付は治具６の回転数を３０〜５
Ｑ ｒｐｍに上げる。したがって、デンドライト結晶７
が結晶融液内を数分間回転することにより結晶融液内で
かくはん効果が起り、ＩｎＮは完全にＩｎｃｈに溶解し
拡散することができる。
次に、デンドライト結晶７を融解させるために結晶融液
温度を５７０℃に上げる。その後、第１図（Ｃ）に示す
ように一般に行われているチョクラルスキー法（例えば
引き上げ速度１００ ｍｍ／ｈ。
温度を５７０℃に上げる。その後、第１図（Ｃ）に示す
ように一般に行われているチョクラルスキー法（例えば
引き上げ速度１００ ｍｍ／ｈ。
回転数１０ ｒｐＨｌ、結晶融液温度５５５℃）により
単結晶の引き上げを行いＩｎＳｂ単結晶８を製造する。
単結晶の引き上げを行いＩｎＳｂ単結晶８を製造する。
このようにして得られた１ｎｓｂ単結晶を本発明者は以
下のようにして結晶性の評価を行った。この評価はエツ
チング法を用い、まず＜２１１＞方向に成長させたＩｎ
Ｓｂ単結晶インゴットから（１，１，１）面のウェハを
切り出し、この（１，１，１Ｊｒｎ面を粒径１６ｕｍの
ＡＩＯ粉末から０．０５ｕ ｍに至るまで順次研磨して
鏡面に仕上げた。次に研磨傷を取り除くため、組成比が
ＣＨＣＨ（０１−１）ＣＯＯＨ： ＨＮＯ＝６ ： １
のエツチング液を用いて２０℃で５分間エツチングした
。その後、さらにエッチピット検出のために組成比が４
９％ＨＦ：３５％Ｈρ２：ＨＯ＝１：２：２のエツチン
グ液を用いて２０℃で１分間エツチングした。
下のようにして結晶性の評価を行った。この評価はエツ
チング法を用い、まず＜２１１＞方向に成長させたＩｎ
Ｓｂ単結晶インゴットから（１，１，１）面のウェハを
切り出し、この（１，１，１Ｊｒｎ面を粒径１６ｕｍの
ＡＩＯ粉末から０．０５ｕ ｍに至るまで順次研磨して
鏡面に仕上げた。次に研磨傷を取り除くため、組成比が
ＣＨＣＨ（０１−１）ＣＯＯＨ： ＨＮＯ＝６ ： １
のエツチング液を用いて２０℃で５分間エツチングした
。その後、さらにエッチピット検出のために組成比が４
９％ＨＦ：３５％Ｈρ２：ＨＯ＝１：２：２のエツチン
グ液を用いて２０℃で１分間エツチングした。
その結果、転位に対応する０−ピット（ｄｉｓｌｏｃａ
ｔｉｏｎ−ｐｉｔ）、微少欠陥に対応するＳ−ピット（
ｓａｕｃｅｒ−１ｉｋｅ−ｐｉｔ）、及び中心となる部
分に不純物の析出あるいは欠陥があってこれを中心に［
１１０］方向にＳ−ピットが発生したＰ−ピット（Ｐｕ
ｎｃｈｉｎｇ−ｏｕｔ−Ｐｉｔ）等の各種ピットは観察
されず、低結晶欠陥のＩｎＳｂ単結晶が得られることが
わかった。
ｔｉｏｎ−ｐｉｔ）、微少欠陥に対応するＳ−ピット（
ｓａｕｃｅｒ−１ｉｋｅ−ｐｉｔ）、及び中心となる部
分に不純物の析出あるいは欠陥があってこれを中心に［
１１０］方向にＳ−ピットが発生したＰ−ピット（Ｐｕ
ｎｃｈｉｎｇ−ｏｕｔ−Ｐｉｔ）等の各種ピットは観察
されず、低結晶欠陥のＩｎＳｂ単結晶が得られることが
わかった。
また、エッチピット密度は従来の結晶融液をかくはんし
ない方法により単結晶を形成した場合の９ Ｘ １０”
Ｃ龜対して本発明の製造方法により単結晶を形成した場
合は５Ｘ１０ｃｍとなり、顕著に低減したことがわかっ
た。
ない方法により単結晶を形成した場合の９ Ｘ １０”
Ｃ龜対して本発明の製造方法により単結晶を形成した場
合は５Ｘ１０ｃｍとなり、顕著に低減したことがわかっ
た。
なお、上記実施例ではデンドライト結晶を作成した後、
結晶引き上げを行って単結晶を形成しているが、デンド
ライト結晶を作成し、結晶ｉｔ ？Ｆｉをかくはんし、
その後デンドライト結晶を融解させる工程の所要時間は
本実施例の場合約３０分であるので５引き上げ全工程に
及ぼす影響はほとんどない。
結晶引き上げを行って単結晶を形成しているが、デンド
ライト結晶を作成し、結晶ｉｔ ？Ｆｉをかくはんし、
その後デンドライト結晶を融解させる工程の所要時間は
本実施例の場合約３０分であるので５引き上げ全工程に
及ぼす影響はほとんどない。
［発明の効果］
以上述べたように本発明によれば、デンドライト結晶を
作成しこのデンドライト結晶により不純物を添加した結
晶融液をかくはんするので、結晶融液中の添加不純物を
効率よく溶解でき、低欠陥の単結晶を再現性よく製造す
ることができる。
作成しこのデンドライト結晶により不純物を添加した結
晶融液をかくはんするので、結晶融液中の添加不純物を
効率よく溶解でき、低欠陥の単結晶を再現性よく製造す
ることができる。
第１図（ａ）乃至第１図（Ｃ）は本発明の一実施例を説
明するための引き上げ装置の断面図を示したものである
。 １・・・・チャンバ ２・・・・石英ルツボ ３・・・・ヒータ ４・・・・結晶材料 ５・・・・種子結晶 ６・・・・結晶取り付は治具 ７・・・・デンドライト結晶 ８・・・・１ｎｓｂ単結晶
明するための引き上げ装置の断面図を示したものである
。 １・・・・チャンバ ２・・・・石英ルツボ ３・・・・ヒータ ４・・・・結晶材料 ５・・・・種子結晶 ６・・・・結晶取り付は治具 ７・・・・デンドライト結晶 ８・・・・１ｎｓｂ単結晶
Claims (2)
- （１）不純物を添加した結晶融液中から引き上げ法によ
り半導体単結晶を製造する半導体単結晶の製造方法にお
いて、種子結晶を結晶融液表面に接触させて、その結晶
融液表面の少なくとも一部にデンドライト成長起こしデ
ンドライト結晶を形成する工程と、前記デンドライト結
晶を回転することにより、前記結晶融液をかくはんする
工程と、前記かくはんした結晶融液中から結晶引き上げ
を行う工程とを含むことを特徴とする半導体単結晶の製
造方法。 - （２）前記結晶融液がＩｎＳｂ（インジウムアンチモン
）とＩｎＮ（インジウム窒素）とからなることを特徴と
する特許請求の範囲第（１）項記載の半導体単結晶の製
造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6897587A JPS63236787A (ja) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | 半導体単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6897587A JPS63236787A (ja) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | 半導体単結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63236787A true JPS63236787A (ja) | 1988-10-03 |
Family
ID=13389181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6897587A Pending JPS63236787A (ja) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | 半導体単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63236787A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05163093A (ja) * | 1991-12-10 | 1993-06-29 | Nippon Mektron Ltd | 単結晶育成方法 |
-
1987
- 1987-03-25 JP JP6897587A patent/JPS63236787A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05163093A (ja) * | 1991-12-10 | 1993-06-29 | Nippon Mektron Ltd | 単結晶育成方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6162708A (en) | Method for producing an epitaxial silicon single crystal wafer and the epitaxial silicon single crystal wafer | |
| US6858094B2 (en) | Silicon wafer and silicon epitaxial wafer and production methods therefor | |
| US7704318B2 (en) | Silicon wafer, SOI substrate, method for growing silicon single crystal, method for manufacturing silicon wafer, and method for manufacturing SOI substrate | |
| JP4224966B2 (ja) | シリコン単結晶ウエーハの製造方法、エピタキシャルウエーハの製造方法、シリコン単結晶ウエーハの評価方法 | |
| JPH11189495A (ja) | シリコン単結晶及びその製造方法 | |
| JP2000007486A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JP3601383B2 (ja) | エピタキシャル成長用シリコンウエーハ及びエピタキシャルウエーハ並びにその製造方法 | |
| US6802899B1 (en) | Silicon single crystal wafer and manufacturing process therefor | |
| US8252404B2 (en) | High resistivity silicon wafers | |
| EP0964435A1 (en) | Pre-epitaxial heat treatment method for a silicon epitaxial wafer | |
| KR100368331B1 (ko) | 반도체 웨이퍼의 열처리 방법 및 이를 통해 제조된 반도체 웨이퍼 | |
| JPH11322491A (ja) | シリコン単結晶ウエ―ハの製造方法およびシリコン単結晶ウエ―ハ | |
| US6468881B1 (en) | Method for producing a single crystal silicon | |
| JPS63236787A (ja) | 半導体単結晶の製造方法 | |
| JP3412531B2 (ja) | リンドープシリコン単結晶ウエーハ及びエピタキシャルシリコンウエーハ及びこれらの製造方法 | |
| JP4463950B2 (ja) | シリコンウエーハの製造方法 | |
| JP4296740B2 (ja) | シリコン単結晶ウエーハの製造方法およびシリコン単結晶ウエーハならびにエピタキシャルウエーハ | |
| JPH06271388A (ja) | 半導体単結晶棒の製造方法 | |
| JP2003073191A (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| JPH05121319A (ja) | 半導体装置の製造法 | |
| JPH08319197A (ja) | インジウムアンチモン単結晶の製造方法 | |
| JPH0733582A (ja) | 半導体単結晶の製造方法 | |
| JPH02229796A (ja) | ｐ型低転位密度ＩｎＰ単結晶基板材料 | |
| JP3726622B2 (ja) | 半導体シリコンウエーハの製造方法 | |
| JPH061700A (ja) | インジウムアンチモン単結晶の製造方法 |