JPS63234285A - Edge dielectric breakdown protection for acel thin film display - Google Patents

Edge dielectric breakdown protection for acel thin film display

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JPS63234285A
JPS63234285A JP31915187A JP31915187A JPS63234285A JP S63234285 A JPS63234285 A JP S63234285A JP 31915187 A JP31915187 A JP 31915187A JP 31915187 A JP31915187 A JP 31915187A JP S63234285 A JPS63234285 A JP S63234285A
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JP
Japan
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dielectric
thin film
protective
stripe
thickness
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Application number
JP31915187A
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Japanese (ja)
Inventor
モハメッド・アイ・アブダラ
ロレンス・エル・ホープ
ティモシ・フォール
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Osram Sylvania Inc
Original Assignee
GTE Products Corp
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • H05B33/28Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode of translucent electrodes

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  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 マトリックスACエレクトロルミネセンス(ACEL)
薄膜ディスプレイは通常エツチングされた透明(例、イ
ンジウム−スズ−酸化物、即ちITo)電極或は導体を
有するガラス基板上の第一の誘電体層、蛍光体(例、Z
nS:Mn)層、及び第二の誘電体層よりなる多層スタ
ックとして製造されている。(ここでは「導体」及び「
電極」は互換可能に用いられる)6 逐次誘電体/蛍光体/誘電体薄膜層が引続き堆積されて
エレクトロルミネセンスディスプレイの心臓部を形成す
る。アルミニウム金属電極が最後に堆積され、透明導体
ストライプに直交する平行ストライプにエツチングされ
、ACELディスプレイの薄膜構造を完成する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Matrix AC Electroluminescence (ACEL)
Thin film displays typically consist of a first dielectric layer on a glass substrate with etched transparent (e.g., indium-tin-oxide, or ITo) electrodes or conductors, a phosphor (e.g., Z
nS:Mn) layer and a second dielectric layer. (Here, "conductor" and "
6 sequential dielectric/phosphor/dielectric thin film layers are subsequently deposited to form the heart of the electroluminescent display. Aluminum metal electrodes are finally deposited and etched into parallel stripes orthogonal to the transparent conductor stripes to complete the thin film structure of the ACEL display.

マトリックスディスプレイのためには、前部及び後部電
画構造は平行線の組であり、前部の透明な組(列)は後
部の組(行)に直交する。
For matrix displays, the front and rear electrographic structures are sets of parallel lines, with the front transparent set (columns) orthogonal to the rear set (rows).

誘電体の選択は、ACELm膜ディスプレイの機能及び
信頼性において重要な役割を果す。良好な誘電率及び絶
縁破壊耐力が要求される。
Dielectric selection plays an important role in the functionality and reliability of ACELm film displays. Good dielectric constant and dielectric breakdown strength are required.

ACELディスプレイの数多くの製造技術が報告されて
おり、電子ビーム、スパッターリング、熱的蒸発、原子
層エピタキシー或はこれらの方法の組合わせなどが挙げ
られる。
A number of fabrication techniques for ACEL displays have been reported, including electron beam, sputtering, thermal evaporation, atomic layer epitaxy, or a combination of these methods.

テキストの完全なページ或いは高分解グラフィクスを表
示することのできる大きい薄膜エレクトロルミネセンス
パネルを製造する目標が過去数年間に亘って激しく追求
されている0例えば、M、 R,ミラー等(M、R,M
iller etal、)、「完全ビデオ用マトリック
スを有する大面積エレクトロルミネセンスディスプレイ
(A Large−Area Electro−1%m
inescent Display with Mat
rix Addressingfor Full Vi
deo) J 、SID 86  Digast、pp
、167−170 (1986) ;M、 1.アブダ
ラ等(M、 1.Abdalla etal、)’電場
発光パネル開発のための歩留まり分析(Yiefd A
nalysis for Electrolumine
scent PanelDevelopment  )
  J  、 5PIE  Vol、256、Adva
nces  1nDisplay Technolog
y V、pp、83−88(1985) ;及びり、 
E、タナス等(L、E、 Tannas et al、
) 、rACTFEL  ディスプレイ(ACTFEL
 Djsplays ) J 、 SID 82Dig
est、 pp、 +22−123 (1982)参照
The goal of producing large thin-film electroluminescent panels capable of displaying full pages of text or high-resolution graphics has been intensely pursued over the past few years. ,M
Miller et al.), “A Large-Area Electro-1%m Display with Full Video Matrix”
inescent Display with Mat
rix Addressing for Full Vi
deo) J, SID 86 Digast, pp
, 167-170 (1986); M, 1. Abdalla et al. (M, 1. Abdalla et al.)'Yield analysis for electroluminescent panel development (Yiefd A
Analysis for Electrolumine
scentPanelDevelopment)
J, 5PIE Vol, 256, Adv.
nces 1nDisplay Technology
y V, pp, 83-88 (1985);
L, E, Tannas et al.
), rACTFEL display (ACTFEL
Djplays) J, SID 82Dig
est, pp. +22-123 (1982).

材料を評価する最も重要なパラメーターは、それが絶縁
破壊なしに保持することのできる電荷密度である。絶縁
破壊時の電荷密度は静電誘電率と絶縁破壊電場の積によ
り与えられる: Qba=εE tla この量は厚さ依存性である。約200〜400nmの範
囲のフィルムについては、絶縁破壊における電荷密度は
約3マイクロクーロン/平方センチメーターを越えるべ
きである。例えば電荷密度が約1.2マイクロク一ロン
/平方センチメートルに到達すると発光する。
The most important parameter to evaluate a material is the charge density it can hold without dielectric breakdown. The charge density at breakdown is given by the product of the electrostatic permittivity and the breakdown electric field: Qba=εE tra This quantity is thickness dependent. For films in the range of about 200-400 nm, the charge density at breakdown should exceed about 3 microcoulombs/square centimeter. For example, when the charge density reaches about 1.2 micron/cm2, light is emitted.

ディスプレイの解像度即ち行アドレス時に荷電すること
のできるライン数はデユーティサイクルに反比例し、そ
れは512ラインのディスプレイについては0.2%で
ある。
The display resolution, ie the number of lines that can be charged during row addressing, is inversely proportional to the duty cycle, which is 0.2% for a 512 line display.

60)(gにおいて、512行の全てを荷電するのに許
される時間は16ミリ秒であり、従って1列に割当てら
れる時間は16ミリ秒の0.2%即ち32マイクロ秒で
ある。フリッカ−を避けるためには、リフレッシュ速度
は少なくとも60Hgでなければならない。
60) (In g, the time allowed to charge all 512 rows is 16 ms, so the time allocated to one column is 0.2% of 16 ms or 32 microseconds. Flicker. To avoid this, the refresh rate must be at least 60 Hg.

L kHz未満では、輝度は周波数に線形に依存する。Below L kHz, brightness depends linearly on frequency.

より高い周波数においては輝度は蛍光体減衰時間により
制限される。
At higher frequencies the brightness is limited by the phosphor decay time.

装置の電気的及び光学的特性の安定も又実際的関心事と
なる領域である。
The stability of the electrical and optical properties of the device is also an area of practical concern.

ACELディスプレイの製造における一つの主たる困難
は、複雑なELスタックを堆積するに当って必要とされ
る正確な厚さの制御である。高速製造は特にこれを要求
する。膜厚変動はパネルを横切る駆動電圧変動として現
われる。実際的な用途のためには、膜厚は約±2%以内
に維持されるべきである。
One major difficulty in manufacturing ACEL displays is the precise thickness control required in depositing complex EL stacks. High speed manufacturing particularly requires this. Film thickness variations appear as drive voltage variations across the panel. For practical applications, the film thickness should be maintained within about ±2%.

ITOシート抵抗がディスプレイの大きさ及び解像度に
対して余りに高い場合には操作における非均一性も又生
じ得る。この問題の大きさはディスプレイの大きさと共
に迅速に増大する。
Non-uniformity in operation can also occur if the ITO sheet resistance is too high for the display size and resolution. The magnitude of this problem increases rapidly with display size.

早発の絶縁破壊を回避するためには、全ての層はできる
限り清浄で最小密度の欠陥は粒子或いはピンホールによ
り引起こされるべきである。電極系の一体性は歩留まり
に決定的な影響を有する。
To avoid premature dielectric breakdown, all layers should be as clean as possible with a minimum density of defects caused by particles or pinholes. The integrity of the electrode system has a decisive impact on yield.

電極堆積操作はショート或いは開放部のない平滑な行及
び列を与えるべきである。
The electrode deposition operation should yield smooth rows and columns with no shorts or opens.

本発見の前には、膜被覆を改良し、電界集中を減少させ
、及び行エツジにおける絶縁破壊を防止するためにIT
Offi上に丸められた或いは傾斜をつけられたエツジ
が用いられていた。しかしながら、エツジ絶縁破壊保護
に関してはこの方法は不適切であった0本発明はこの問
題を解決するものである。
Prior to this discovery, IT techniques were used to improve membrane coverage, reduce electric field concentration, and prevent dielectric breakdown at row edges.
Rounded or beveled edges have been used on Offi. However, this method is inadequate for edge breakdown protection. The present invention solves this problem.

l豆m 本発明は従って透明電極(即ち導体)のエツジに沿って
保護誘電体ストライプを用いる新規ACNMiC8Mミ
ニレフトロルミネセンスディスプレイけられたものであ
る。
The present invention is therefore a novel ACNMiC8M mini left luminescent display that uses protective dielectric stripes along the edges of transparent electrodes (i.e. conductors).

特に本発明は、エツチングされた透明導体の平行ストラ
イプを含むガラス基材上に配置された第一の誘電体層、
蛍光体層、及び第二の誘電体層を含む多層スタックより
なり1.該多層スタックが更に少なくとも透明導体のエ
ツジに沿って置かれた誘電体の保護ストライプを含むこ
とを特徴とするAC薄膜エレクトロルミネセンスディス
プレイ装置に向けられたものである。
In particular, the present invention provides a first dielectric layer disposed on a glass substrate comprising parallel stripes of etched transparent conductor;
Consisting of a multilayer stack comprising a phosphor layer and a second dielectric layer1. The present invention is directed to an AC thin film electroluminescent display device, characterized in that the multilayer stack further includes a dielectric protective stripe disposed along at least the edge of the transparent conductor.

本発明は又、透明導体のエツジにおける早発絶縁破壊に
対してAC薄膜エレクトロルミネセンスディスプレイ装
置を保護する方法にも向けられたものである。
The present invention is also directed to a method of protecting an AC thin film electroluminescent display device against premature dielectric breakdown at the edges of transparent conductors.

この保護は、誘電体のストライプを透明導体のエツジに
沿って堆積することにより達成される。
This protection is achieved by depositing stripes of dielectric along the edges of the transparent conductor.

女ましい−1・の  ・曇日 本発明は電場発光薄膜ディスプレイ、特にAC駆動エレ
クトロルミネセンス(ACEL)ディスプレイを早発エ
ツジ絶縁破壊から保護すること及び保護されたディスプ
レイ装置に向けられたものである。
The present invention is directed to protecting electroluminescent thin film displays, particularly AC powered electroluminescent (ACEL) displays, from premature edge breakdown and to protected display devices. .

第1図は通常のACELスタックを図示するものである
。基板10は典型的にはガラスである。
FIG. 1 illustrates a typical ACEL stack. Substrate 10 is typically glass.

図示される如く、基板上の第一層は典型的には約300
0オングストロームの厚さのITOフィルムである透明
電極(即ち導体)層12である。
As shown, the first layer on the substrate typically has about 300
The transparent electrode (or conductor) layer 12 is a 0 angstrom thick ITO film.

ITO層に、隣接して第一の誘電体層14があり、これ
は例えばY、O,,5i3Na及び/又はAl2O3か
ら選ばれる材料よりなるものである。蛍光体層16は第
一の誘電体層14及び第二の誘電体層18の間に挾まれ
ている。蛍光体層は典型的には約5000オングストロ
ームの厚さであり、ZnS:Mnなどの材料よりなる。
Adjacent to the ITO layer is a first dielectric layer 14, which is made of a material selected from, for example, Y, O, , 5i3Na and/or Al2O3. A phosphor layer 16 is sandwiched between a first dielectric layer 14 and a second dielectric layer 18. The phosphor layer is typically about 5000 angstroms thick and is made of a material such as ZnS:Mn.

アルミニウムのような金属電極20がACELスタック
を完成する。
A metal electrode 20, such as aluminum, completes the ACEL stack.

第1図に示された通常のACELスタックは例えば光を
発生するために約10’ボルト/ c mより高い電界
を必要とする。エツチングされた透明電極における鋭い
段が電界強度化の源であることが判明している。
The typical ACEL stack shown in FIG. 1, for example, requires an electric field higher than about 10' volts/cm to generate light. Sharp steps in the etched transparent electrode have been found to be the source of field enhancement.

この電界強度化はスタックが第2図に示すように透明導
体のエツジにおいてより薄くなっているという事実によ
るものと思われる。成る閾値より高い電圧がかけられる
と透明導体のエツジに沿った領域が先ず光り始めること
が判明した。
This field enhancement is believed to be due to the fact that the stack is thinner at the edges of the transparent conductor as shown in FIG. It has been found that regions along the edges of the transparent conductor begin to glow first when a voltage higher than the threshold is applied.

第2図に鑑みて、エツジにおける電界(El)は次式に
より規定される: ■ E、=□ のに対し、ビクセル内の電界(E2)は次式で規定され
: ここにV/d 、はV / d *より大きい。
In view of Figure 2, the electric field (El) at the edge is defined by the following formula: ■ E, = □, whereas the electric field (E2) in the vixel is defined by the following formula: where V/d, is greater than V/d*.

ディスプレイを通る電界を増大して所望の明度水準を達
成すると上記エツジにおける早発絶縁破壊を生ずる可能
性がある。透明導体列はこの様にして絶縁破壊が生ずる
場所において永久的に中断されてしまう。従って全列或
はその一部の損失が生じ、その結果ディスプレイの品質
及び総括的外観を減少させる。
Increasing the electric field through the display to achieve the desired brightness level can result in premature breakdown at the edges. The transparent conductor array is thus permanently interrupted at the location where dielectric breakdown occurs. Therefore, a loss of the entire column or a portion thereof occurs, resulting in a reduction in the quality and overall appearance of the display.

その様な絶縁破壊の発生の確率が透明導体のエツジに沿
って誘電体ストライプを堆積することにより実質的に減
少することができるか或は完全に除去されることが見出
された。
It has been found that the probability of such breakdown occurring can be substantially reduced or completely eliminated by depositing dielectric stripes along the edges of the transparent conductor.

その様なエツジ保護誘導体ストライプの一つの好ましい
例を第3図に図示する。
One preferred example of such an edge-protected dielectric stripe is illustrated in FIG.

エツジ保護ストライプはその様な保護を必要とする透明
導体のエツジの位置に置かれるのみでよいのが有利であ
る。例えば、それは第3図に示される如く、透明電極の
間の間隙を充填する必要はない。但し、これが実際に起
ったにしてもそれはそれによって与えられるエツジ保護
に有害ではない。
Advantageously, edge protection stripes need only be placed at the edges of the transparent conductor that require such protection. For example, it is not necessary to fill the gaps between the transparent electrodes, as shown in FIG. However, even if this does occur, it is not detrimental to the edge protection provided thereby.

更にこの誘導体ストライプは透明導体のエツジにおいて
、電界の値を減少させる十分な幅及び厚さで作られるこ
とができることが見出された。
Furthermore, it has been found that the dielectric stripes can be made of sufficient width and thickness to reduce the value of the electric field at the edges of the transparent conductor.

第1図に図示されるタイプのACELディスプレイ装置
において、エツジ保護誘電体ストライプの「十分な厚さ
」は約200〜1000オングストローム、好ましくは
約500オングストロームであると決定された。ストラ
イプの幅は透明導体のエツジをカバーするだけでよい。
In an ACEL display device of the type illustrated in FIG. 1, a "sufficient thickness" for the edge protection dielectric stripes has been determined to be about 200 to 1000 Angstroms, preferably about 500 Angstroms. The width of the stripes only needs to cover the edges of the transparent conductor.

例示された実施態様において、これは約7ミクロンの幅
になった。その他の場合には、より大きな或いはより小
さな幅が必要である。殆んどの場合において、ストライ
プの厚さはエツジにおいて電界を好ましくは20〜50
%減少させるのに十分であるべきである0幅は、エツジ
がカバーされている限り、一般的に所望の結果に影響を
及ぼさない。
In the illustrated embodiment, this was approximately 7 microns wide. In other cases, larger or smaller widths are required. In most cases, the stripe thickness is such that the electric field at the edges is preferably between 20 and 50
The zero width, which should be sufficient to reduce the percentage, generally does not affect the desired result as long as the edges are covered.

その他(?)ACELディスプレイ装置に対してはエツ
ジ保護誘電体ストライプの厚さは第1図の装置に適用可
能な値とは異なる。しかしながら、本発明の開示内容を
考慮すれば、当業者は容易に特別の応用に対する適当な
「十分な厚さ」を決定することができるであろう。
For other (?) ACEL display devices, the thickness of the edge protection dielectric stripes will be different from the values applicable to the device of FIG. However, in view of the present disclosure, one skilled in the art will readily be able to determine an appropriate "sufficient thickness" for a particular application.

加えて、本発明の好ましい誘電体材料、即ちA1□0.
は第1図のタイプのACELディスプレイ装置に用いら
れた際に上記「十分な厚さ」の値を有するが、誘電体材
料の変更も又その「十分な厚さ」に適用可能な値の適当
な調整を必要とする。ここでもまた本発明の開示内容に
基づいて当業者はこれらの値を容易に決定することがで
きるであろう。
In addition, preferred dielectric materials of the present invention, namely A1□0.
has the above-mentioned "sufficient thickness" value when used in an ACEL display device of the type shown in FIG. requires some adjustment. Again, those skilled in the art will be able to readily determine these values based on the present disclosure.

第3図に図示される如く、本発明のエツジ保護ストライ
プがACEL電極エツジに添加される場合に、次の式が
満足される: この様に、通常のACELディスプレイ駆動条件下に生
ずるエツジ絶縁破壊の可能性は完全に削除することがで
きる。
As illustrated in FIG. 3, when the edge protection stripes of the present invention are added to the ACEL electrode edges, the following equation is satisfied: Thus, the edge breakdown that occurs under normal ACEL display driving conditions possibility can be completely removed.

本発明を更に本発明の理解を助ける下記実施例を参照し
て説明するが、しかし、それは本発明を限定するものと
考えられるべぎではない。ここに報告される全ての%は
特に断りのない限り重量%である。全ての温度は摂氏度
で表わされる。
The present invention will be described with reference to the following examples which will further aid in understanding the invention, but which should not be considered as limiting the invention. All percentages reported herein are by weight unless otherwise specified. All temperatures are expressed in degrees Celsius.

L− 透明導体を約180ミクロン幅の平行ストライプにエツ
チングした。引続きエツジ保護層を通常のリフト・オフ
・フォトリングラフィ技術を用いてフォトマスクを通し
て堆積した。
L- A transparent conductor was etched into parallel stripes approximately 180 microns wide. An edge protection layer was then deposited through a photomask using conventional lift-off photolithography techniques.

フォトマスクは透明電極の約166ミクロンをカバーす
るように適当に配列して、透明電極の各側に約7ミクロ
ンのエツジ保護誘電体層によりカバーされるべき部分を
残した。
The photomask was suitably aligned to cover about 166 microns of the transparent electrode, leaving about 7 microns on each side of the transparent electrode to be covered by an edge protection dielectric layer.

この場合に用いられたエツジ保護誘電体層はAlzOs
であり、それは電子ビーム技術により約500オングス
トロームの厚さに堆積された。膜堆積に際し、基板は室
温に保たれた。エツジ保護誘電体ストライプを堆積後、
フォトマスクをアセトンに溶解することにより除去した
The edge protection dielectric layer used in this case was AlzOs.
, which was deposited by electron beam techniques to a thickness of approximately 500 angstroms. The substrate was kept at room temperature during film deposition. After depositing the edge protection dielectric stripes,
The photomask was removed by dissolving it in acetone.

引続きその他の層、即ち第一の誘電体層、蛍光体層、第
二の誘電体層及び後部電極を堆積して薄膜電場発光スタ
ックを完成した。
Subsequently, other layers were deposited: a first dielectric layer, a phosphor layer, a second dielectric layer, and a back electrode to complete the thin film electroluminescent stack.

本発明をその好ましい実施態様を含んで詳細に説明した
。しかしながら、当業者は本発明の開示内容を考慮して
本発明について修正及び/又は改良を加えるかもしれな
いが、それらは尚特許請求の範囲に示した如く本発明の
範囲及び趣旨に含まれるものである。
The invention has been described in detail, including its preferred embodiments. However, those skilled in the art may make modifications and/or improvements to the present invention in light of the disclosure of the present invention, which are still within the scope and spirit of the present invention as indicated in the claims. It is.

4、   の1.Iな言′日 第1図はAC駆動薄膜エレクトロルミネセンススタック
の基本構造を図示する。
4. No. 1. Figure 1 illustrates the basic structure of an AC driven thin film electroluminescent stack.

第2図は透明電極のエツジにおける電界強度化を図示す
る。
FIG. 2 illustrates the field strength at the edges of the transparent electrode.

第3図は本発明の補助的エツジ保護を用いる場合の透明
電極エツジにおける電界強度化に及ぼす影響を図示する
(注:それは除去された)。
FIG. 3 illustrates the effect on field strength at the transparent electrode edge when using the supplemental edge protection of the present invention (note: it has been removed).

FIG、 1 dり FIG、 2 手続補正書(方式2 %式% 事件の表示 昭和62年 特願第319151  号発
明の名称  ACEL薄膜ディスプレイにおけるエツジ
絶縁破壊保酔 補正をする者 事件との関係           特許出願人名称ジ
ー・ティー・イー・プロダクツ・コーポレイション電話
273−6436番 ゛パ二。
FIG, 1 driFIG, 2 Procedural amendment (method 2 % formula % Indication of case 1988 Japanese Patent Application No. 319151 Title of invention Relationship with the ACEL thin film display edge insulation breakdown correction case Patent application Person name GTE Products Corporation Telephone number: 273-6436.

氏 名  (6781)  弁理士 倉  内  基 
 弘  □同 1m正命令通知の日付 昭和65年3月29日補正の対
象 願書の発明者の欄 明細書 図  面            1通補正の内容  
別紙の通り
Name (6781) Patent attorney Motoki Kurauchi
Hiroshi □1m Date of notice of order March 29, 1985 Inventor's column Specification drawings of the application to be amended 1 copy Contents of amendment
As per attached sheet

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、エッチングされた透明導体の平行ストライプを含む
ガラス基材上に配置された第一の誘電体層、蛍光体層、
及び第二の誘電体層を含む多層スタックよりなり、該多
層スタックが更に少なくとも透明導体のエッジに沿って
置かれた誘電体の保護ストライプを含むことを特徴とす
るAC薄膜エレクトロルミネセンスディスプレイ装置。 2、誘電体の保護ストライプが、少なくとも部分的に、
エッチングされた透明導体の平行ストライプ間の空間を
満たす特許請求の範囲第1項記載のAC薄膜エレクトロ
ルミネセンスディスプレイ装置。 3、誘電体の保護ストライプがY_2O_3、Si_3
N_4、Al_2O_3或はそれらの任意の組み合わせ
よりなる群から選ばれる特許請求の範囲第2項記載のA
C薄膜エレクトロルミネセンスディスプレイ装置。 4、誘電体の保護ストライプがAl_2O_3である特
許請求の範囲第3項記載のAC薄膜エレクトロルミネセ
ンスディスプレイ装置。 5、誘電体の保護ストライプの厚さが約200〜100
0オングストロームである特許請求の範囲第4項記載の
AC薄膜エレクトロルミネセンスディスプレイ装置。 6、誘電体の保護ストライプの厚さが約500オングス
トロームである特許請求の範囲第5項記載のACエレク
トロルミネセンスディスプレイ装置。 7、透明電極のエッジに沿って十分な厚さの誘電体の保
護ストライプを堆積することを特徴とする透明電極のエ
ッジにおける早発の絶縁破壊に対してAC薄膜エレクト
ロルミネセンスディスプレイ装置を保護する方法。 8、誘電体の保護ストライプがY_2O_3、Si_3
N_4、Al_2O_3或はそれらの任意の組合わせよ
りなる群から選ばれる特許請求の範囲第7記載の方法。 9、保護ストライプの誘電体がAl_2O_3である特
許請求の範囲第8項記載の方法。 10、保護誘電体ストライプの厚さが約500〜約10
00オングストロームである特許請求の範囲第9項記載
の方法。 11、保護誘電体ストライプの厚さが約500オングス
トロームである特許請求の範囲第10項記載の方法。
[Claims] 1. A first dielectric layer, a phosphor layer, disposed on a glass substrate comprising parallel stripes of etched transparent conductors;
and a second dielectric layer, the multilayer stack further comprising a protective stripe of dielectric disposed along at least the edge of the transparent conductor. 2. The dielectric protective stripe is at least partially
An AC thin film electroluminescent display device as claimed in claim 1, which fills the spaces between parallel stripes of etched transparent conductors. 3. Dielectric protective stripes are Y_2O_3, Si_3
A of claim 2 selected from the group consisting of N_4, Al_2O_3, or any combination thereof.
C thin film electroluminescent display device. 4. The AC thin film electroluminescent display device according to claim 3, wherein the dielectric protective stripe is Al_2O_3. 5. The thickness of the dielectric protection stripe is about 200~100mm
5. The AC thin film electroluminescent display device of claim 4, wherein the AC thin film electroluminescent display device is 0 angstrom. 6. The AC electroluminescent display device of claim 5, wherein the dielectric protective stripe has a thickness of about 500 Angstroms. 7. Protecting AC thin film electroluminescent display devices against premature dielectric breakdown at the edges of transparent electrodes, characterized by depositing a protective stripe of dielectric material of sufficient thickness along the edges of the transparent electrodes. Method. 8. Dielectric protective stripes are Y_2O_3, Si_3
8. The method of claim 7, wherein the material is selected from the group consisting of N_4, Al_2O_3, or any combination thereof. 9. The method according to claim 8, wherein the dielectric of the protective stripe is Al_2O_3. 10. The thickness of the protective dielectric stripe is about 500 to about 10
10. The method of claim 9, wherein the thickness is 0.00 angstroms. 11. The method of claim 10, wherein the protective dielectric stripe has a thickness of about 500 Angstroms.
JP31915187A 1986-12-19 1987-12-18 Edge dielectric breakdown protection for acel thin film display Pending JPS63234285A (en)

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