JPS63229815A - Exposure system - Google Patents
Exposure systemInfo
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- JPS63229815A JPS63229815A JP62064922A JP6492287A JPS63229815A JP S63229815 A JPS63229815 A JP S63229815A JP 62064922 A JP62064922 A JP 62064922A JP 6492287 A JP6492287 A JP 6492287A JP S63229815 A JPS63229815 A JP S63229815A
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Classifications
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野]
本発明は、レーザ光によって半導体ウェハ等の被露光体
を露光する露光装置に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an exposure apparatus that exposes an object to be exposed, such as a semiconductor wafer, with laser light.
〔従来の技術]
tCやLSI等の半導体ウェハ等に回路パターンを投影
して焼付ける露光装置では、非常に高い解像度が要求さ
れるため、その露光光源としてレーザ装置が用いられて
いる。[Prior Art] Exposure apparatuses that project and print circuit patterns onto semiconductor wafers such as tC and LSI require extremely high resolution, and therefore laser apparatuses are used as exposure light sources.
このようなレーザ装置を用いた露光装置において、マス
クパターンをウェハ面に焼付ける際には、マスクパター
ンとウェハの相対的位置関係を一致させるためのアライ
メント光を走査し、マスクパターンとウェハに形成され
たアライメントマークの相対位置を一致させる工程が焼
付は作業毎に実施される。In exposure equipment using such a laser device, when printing a mask pattern on the wafer surface, alignment light is scanned to match the relative positional relationship between the mask pattern and the wafer, and the mask pattern and the wafer are printed. A step of matching the relative positions of the alignment marks made is performed for each printing operation.
一方、この種の露光装置では露光用のレーザ装置をその
レーザ発振方向が垂直方向に成るように配置した縦置き
型のものと、レーザ発振方向が水平方向になるように配
置した横置き型のものがある。On the other hand, in this type of exposure equipment, there are two types: a vertical type in which the exposure laser device is arranged so that the laser oscillation direction is vertical, and a horizontal type in which the laser device is arranged so that the laser oscillation direction is horizontal. There is something.
そこで、上記のようなアライメント作業を実施するに際
し、横置き型のものでは第5図(a>に示ずようにレー
ザ管1のリアミラーの後部にレーザ発振方向に対し45
度の傾斜角を持つ折返しミラー4を設け、アライメント
用レーザ装置5から発生されたアライメント用のレーザ
光をレーザ管1のレーザ光振方向と直交する方向からり
アミラー3に入射し、フロントミラー2を介して投影光
学系に向けて出射し、これによってアライメント作業を
行うようにしている。同様に、縦置き型のものでも第5
図(b)に示すようにレーザ管1のリアミラー3の後部
に折返しミラー4を設け、レーザ発振方向と直交する方
向から入射されたアライメント光を折返しミラー4で曲
げてリアミラー3に入Ω(し、フロントミラー2を介し
て投影光学系に向けて出射することにより、アライメン
ト作業を行うようにしている。Therefore, when performing the above alignment work, in the horizontal type, as shown in Fig. 5 (a), it is necessary to place a
A folding mirror 4 having an inclination angle of 1.5 degrees is provided, and the alignment laser beam generated from the alignment laser device 5 is incident on the rear mirror 3 from a direction perpendicular to the laser beam vibration direction of the laser tube 1. The beam is emitted toward the projection optical system through the beam, and alignment work is thereby performed. Similarly, for vertically mounted models, the 5th
As shown in Figure (b), a folding mirror 4 is provided at the rear of the rear mirror 3 of the laser tube 1, and the alignment light incident from the direction perpendicular to the laser oscillation direction is bent by the folding mirror 4 and then enters the rear mirror 3. , the alignment work is performed by emitting the light toward the projection optical system via the front mirror 2.
〔発明が解決しようとする問題点)
ところが、上記のように折返しミラー4を露光用のレー
ザ装置の外部に設置する構成では、この折返しミラー4
との関係で露光用レーザ装置を縦方向に置くか、横方向
に置くかが決定されてしまい、構成上の自由度がないと
いう問題がある。[Problems to be Solved by the Invention] However, in the configuration in which the folding mirror 4 is installed outside the exposure laser device as described above, this folding mirror 4
The problem is that whether the exposure laser device is placed vertically or horizontally is determined depending on the relationship between the two, and there is no flexibility in terms of configuration.
本発明の目的は、露光用のレーザ装置を縦方向および横
方向のいずれにも自由に配置することができる露光装置
を提供することにある。An object of the present invention is to provide an exposure apparatus in which a laser device for exposure can be freely arranged in both the vertical and horizontal directions.
本発明は、アライメント光を入射する折返しミラーを露
光用レーザ装置のりアミラー側に一体化して組み込むこ
とにより、上記目的を達成している。The present invention achieves the above object by integrating and incorporating a folding mirror into which alignment light is incident on the rear mirror side of an exposure laser device.
(作用〕
アライメント光は露光用レーザ装置内の折返しミラーに
よってその光路が直角に曲げられてリアミラーに入射す
る。従って、露光用レーザ装置は、縦方向および横方向
のいずれにも自由に配置することができる。(Function) The optical path of the alignment light is bent at right angles by the folding mirror in the exposure laser device and enters the rear mirror.Therefore, the exposure laser device can be freely placed in both the vertical and horizontal directions. Can be done.
第1図は本発明の主要部の一実施例を示す概略構成図で
あり、同図(a)は露光用のレーザ装置を縦方向に配置
した例を示し、同図(b)は横方向に配置した例を示し
ている。いずれの構成においてもレーザ管1のリアミラ
ー3の後部に折返しミラー4がレーザ発振方向に対し4
5度の傾斜角を持って一体的に取付けられている。そし
て、この折返しミラー4を介してアライメント用レーザ
装置5からのアライメント用し−゛ザ光がリアミラー3
に入射され、フロントミラー2から出射させるように構
成されている。FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an embodiment of the main part of the present invention. FIG. 1(a) shows an example in which a laser device for exposure is arranged vertically, and FIG. An example is shown below. In both configurations, a folding mirror 4 is attached to the rear of the rear mirror 3 of the laser tube 1 at a angle of 44 mm with respect to the laser oscillation direction.
It is integrally installed with an inclination angle of 5 degrees. The alignment laser beam from the alignment laser device 5 passes through this folding mirror 4 to the rear mirror 3.
It is configured so that the light enters the front mirror 2 and exits from the front mirror 2.
従って、露光装置の重心位置を下げたい場合は、第2図
の斜視図に示すようにレーザ管1を横方向に置き、ここ
から発生されたレーザ光をミラー7a〜7Cおよび8に
よってその光路を曲げて投影光学系6に入射する用に構
成することができる。。Therefore, when it is desired to lower the center of gravity of the exposure apparatus, the laser tube 1 is placed horizontally as shown in the perspective view of FIG. It can be configured to be bent to enter the projection optical system 6. .
また、露光用レーザ装置の設置面積を大きくとることが
できない場合は第3図の斜視図に示すように、レーザ管
1を縦方向に置き、ここから発生されたレーザ光をミラ
ー9.10によってその光路を曲げて投影光学系6に入
射するように構成することができる。If the installation area of the exposure laser device cannot be increased, the laser tube 1 may be placed vertically as shown in the perspective view of FIG. The light may be configured to enter the projection optical system 6 by bending its optical path.
ところで、第2図および第3図のいずれの構成において
も、露光用のレーザ光11およびアライメント12は第
4図に示すようにマスクパターンを形成したレチクル1
3を透過し、光学系14を介してウェハ15の表面に入
射されるが、アライメント光12を用いてのアライメン
ト作業を行う際に、露光用レーザ管1から発生させたエ
キシマレーザ光の一部で色素レーザを発生させ、この色
素レーザ光をアライメント光12として用いているもの
があるが、エキシマレーザ光自体がパルス光であるため
、アライメント用の位置検出情報が短時間の間しか得ら
れず、アライメント作業が困難になり、さらに光学系1
4のレンズとして色消しレンズを組込まなければならな
くなるという問題がある。Incidentally, in both the configurations shown in FIG. 2 and FIG.
3 and is incident on the surface of the wafer 15 via the optical system 14, but when performing alignment work using the alignment light 12, part of the excimer laser light generated from the exposure laser tube 1 There is a system that generates a dye laser and uses this dye laser light as the alignment light 12, but since the excimer laser light itself is pulsed light, position detection information for alignment can only be obtained for a short period of time. , alignment work becomes difficult, and optical system 1
There is a problem in that an achromatic lens must be incorporated as the fourth lens.
そこで、本実施例では露光用のエキシマレーザ光(波長
= 248.25n+n )に対して、アルゴンイオン
レーザ光(波長= 496.5r++++)を倍波結晶
(例えばβ−BaB204 )によって波長248.2
4nlの第2高調波へ変換し、これをアライメント光1
2として用いるようにしている。Therefore, in this embodiment, the argon ion laser beam (wavelength = 496.5r++++) is converted to a wavelength of 248.2 by using a harmonic crystal (for example, β-BaB204) for the excimer laser beam for exposure (wavelength = 248.25n+n).
Convert it to the second harmonic of 4nl and send it to the alignment light 1.
I am trying to use it as 2.
このようなアライメント光を用いることにより、アライ
メント時は露光用のエキシマレーザ光を発生させる必要
がなくなり、その寿命を延ばすことができるようになる
。さらに、露光用のレーザ光と非常に近い波長のアライ
メント光であるため、光学系に色ン肖しレンズを組込む
必要もなくなる。By using such alignment light, there is no need to generate excimer laser light for exposure during alignment, and its life can be extended. Furthermore, since the alignment light has a wavelength very similar to that of the exposure laser light, there is no need to incorporate a tinting lens into the optical system.
さらに、アルゴンイオンレーザ光自体は連続光であるた
め、アライメント用の位置検出情報も長時間に亘って取
出すことができ、アライメント作く1が楽になる。さら
に、アライメント光となるアルゴンイオンレーザ光の強
度を下げることにより、アライメント光によってウェハ
15が露光されてしまうのを防止することができる。Furthermore, since the argon ion laser beam itself is continuous light, position detection information for alignment can be extracted over a long period of time, making alignment easier. Furthermore, by lowering the intensity of the argon ion laser beam serving as the alignment light, it is possible to prevent the wafer 15 from being exposed by the alignment light.
なお、この場合高調波としてエキシマレーザの波長に対
応するものを含むものであればアルゴンイオンレーザ以
外の他のレーザ光もこれを適宜倍波することによって同
僅に用いることができる。In this case, laser light other than the argon ion laser can be used to the same extent by suitably harmonics, as long as it includes harmonics corresponding to the wavelength of the excimer laser.
[発明の効果]
以上のように本発明によれば、露光用のレーザ装置を縦
方向および横方向のいずれの方向にも自由に配置するこ
とができる。[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, the laser device for exposure can be freely arranged in either the vertical direction or the horizontal direction.
第1図は本発明の一実施例を示す主要部の概略構成図、
第2図、13よび第3図は露光装置の全体構成の実施例
を示す斜視図、第4図は投影光学系の原理的な構成図、
第5図は従来例の構成図である。
1・・・レーザ管、2・・・フロントミラー、3・・・
リアミラー、4・・・折返しミラー、5・・・アライメ
ント用レーザ装置、6・・・投影光学系。
第2図
第3図
第4図FIG. 1 is a schematic configuration diagram of main parts showing an embodiment of the present invention;
2, 13, and 3 are perspective views showing examples of the overall configuration of the exposure apparatus, and FIG. 4 is a diagram showing the principle configuration of the projection optical system.
FIG. 5 is a configuration diagram of a conventional example. 1... Laser tube, 2... Front mirror, 3...
Rear mirror, 4... Returning mirror, 5... Laser device for alignment, 6... Projection optical system. Figure 2 Figure 3 Figure 4
Claims (3)
ミラー間においてレーザ光を共振させて出力するレーザ
装置と、このレーザ装置から出力されるレーザ光を被露
光体に照射する投影光学系とを備えた露光装置において
、 前記レーザ装置のレーザ発振方向と直交する方向から入
力されるアライメント用のレーザ光を前記リアミラーに
入力する折返しミラーを前記レーザ装置に一体化して組
込んだことを特徴とする露光装置。(1) A laser device including a front mirror and a rear mirror, which outputs laser light by resonating it between these mirrors, and a projection optical system which irradiates the object to be exposed with the laser light output from the laser device. An exposure apparatus characterized in that a folding mirror for inputting an alignment laser beam input from a direction perpendicular to a laser oscillation direction of the laser apparatus to the rear mirror is integrated into the laser apparatus. Device.
装置から発振されたレーザ光の高調波を用いることを特
徴とする特許請求の範囲第(1)項記載の露光装置。(2) The exposure apparatus according to claim (1), wherein harmonics of a laser beam oscillated from another laser device are used as the alignment laser beam.
ライメント用のレーザ光として他のレーザ光の第2高調
波を用いることを特徴とする特許請求の範囲第(1)項
記載の露光装置。(3) The exposure apparatus according to claim (1), wherein the laser device is an excimer laser, and the second harmonic of another laser beam is used as the alignment laser beam.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62064922A JPS63229815A (en) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | Exposure system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62064922A JPS63229815A (en) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | Exposure system |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63229815A true JPS63229815A (en) | 1988-09-26 |
Family
ID=13272020
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62064922A Pending JPS63229815A (en) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | Exposure system |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63229815A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01243796A (en) * | 1988-03-25 | 1989-09-28 | Mitsubishi Electric Corp | Picture encoding and transmitting device |
JPH05235454A (en) * | 1992-02-19 | 1993-09-10 | Fanuc Ltd | Laser oscillator |
-
1987
- 1987-03-19 JP JP62064922A patent/JPS63229815A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01243796A (en) * | 1988-03-25 | 1989-09-28 | Mitsubishi Electric Corp | Picture encoding and transmitting device |
JPH05235454A (en) * | 1992-02-19 | 1993-09-10 | Fanuc Ltd | Laser oscillator |
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