JPS63228768A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
- Publication number
- JPS63228768A JPS63228768A JP62063025A JP6302587A JPS63228768A JP S63228768 A JPS63228768 A JP S63228768A JP 62063025 A JP62063025 A JP 62063025A JP 6302587 A JP6302587 A JP 6302587A JP S63228768 A JPS63228768 A JP S63228768A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- active layer
- groove
- type
- type inp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 15
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 9
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXNLCSXBJCPWGL-UHFFFAOYSA-N [Ga].[As].[In] Chemical compound [Ga].[As].[In] KXNLCSXBJCPWGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BYDQGSVXQDOSJJ-UHFFFAOYSA-N [Ge].[Au] Chemical compound [Ge].[Au] BYDQGSVXQDOSJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
この発明は、端面発光ダイオードにかかり、半導体基体
の端面からＶ形の断面形状で形成され、基体内で基体表
面に斜交する面により終端された溝内に、活性層及びク
ラッド層を形成することにより、 低温においても発振しない安定した動作を確保するもの
である。
の端面からＶ形の断面形状で形成され、基体内で基体表
面に斜交する面により終端された溝内に、活性層及びク
ラッド層を形成することにより、 低温においても発振しない安定した動作を確保するもの
である。
本発明は半導体発光装置、特に端面発光ダイオード（Ｅ
ｌ、ＥＤ）の温度特性を向上する構造の改善に関する。
ｌ、ＥＤ）の温度特性を向上する構造の改善に関する。
ＥＬＥＤは厳しい環境条件或いは比較的に簡易なシステ
ム構成で、高い発光効率と先導波路への結合効率か得ら
れるために、光応用システムにますます多く利用されよ
うとしている。
ム構成で、高い発光効率と先導波路への結合効率か得ら
れるために、光応用システムにますます多く利用されよ
うとしている。
しかしながら従来の［ＥＬＥＤは環境温度条件がなお不
充分であり、その改善が必要とされている。
充分であり、その改善が必要とされている。
〔従来の技術と発明が解決しようとする問題点〕例えば
石英系ファイバによる光通信に適する波長１．２〜１．
６ ｔｎｎ程度の帯域のＥＬＥＤの一例として、例えば
第２図に示す構造が従来知られている。
石英系ファイバによる光通信に適する波長１．２〜１．
６ ｔｎｎ程度の帯域のＥＬＥＤの一例として、例えば
第２図に示す構造が従来知られている。
同図において、２１はｎ型インジウム燐（ＩｎＰ）基板
、２２はｐ型ＩｎＰ層、２３はｎ型ＩｎＰクラッド層、
２３ａはｎ型ＩｎＰ層、２４はインジウムガリウム砒素
Ｆｉ（ＩｎＧａＡｓＰ）活性層、２４ａはＩｎＧａＡｓ
Ｐ層、２５はｐ型ＩｎＰクラッド層、２６はｐ型１ｎＧ
ａＡｓＰ層、２７は二酸化シリコン（ＳｉＯｚ）等の絶
縁層、２８．２９は電極であり、活性層２４に垂直な面
で襞間した前後２端面に反射防止膜（図示されない）を
設けている。
、２２はｐ型ＩｎＰ層、２３はｎ型ＩｎＰクラッド層、
２３ａはｎ型ＩｎＰ層、２４はインジウムガリウム砒素
Ｆｉ（ＩｎＧａＡｓＰ）活性層、２４ａはＩｎＧａＡｓ
Ｐ層、２５はｐ型ＩｎＰクラッド層、２６はｐ型１ｎＧ
ａＡｓＰ層、２７は二酸化シリコン（ＳｉＯｚ）等の絶
縁層、２８．２９は電極であり、活性層２４に垂直な面
で襞間した前後２端面に反射防止膜（図示されない）を
設けている。
このＩｎＧａＡｓＰ活性層２４に、正孔をｐ型ＩｎＰク
ラッド層２５から、電子をｎ型ＩｎＰクラッドＮ２３が
ら注入して発光再結合を行わせるが、発光効率、結合効
率を高めるために、ＥＬＥＤの構造はこの従来例の様に
一般に半導体レーザダイオード（ＬＤ）に類似するもの
となり、レーザ発振に達しない動作状態、すなわち電極
２８．２９間に通ずる電流がレーザ発循開始の闇値電流
より小さい範囲でこれを動作させる。
ラッド層２５から、電子をｎ型ＩｎＰクラッドＮ２３が
ら注入して発光再結合を行わせるが、発光効率、結合効
率を高めるために、ＥＬＥＤの構造はこの従来例の様に
一般に半導体レーザダイオード（ＬＤ）に類似するもの
となり、レーザ発振に達しない動作状態、すなわち電極
２８．２９間に通ずる電流がレーザ発循開始の闇値電流
より小さい範囲でこれを動作させる。
このためにＢＬＥＤでは、例えば相当するＬＤに比較し
て活性層の厚さ及び幅を大きくしてキャリア及び光の密
度を低下させ、更に活性層に接して光吸収層を設けたり
、或いはＬ［）では襞間面とする端面を故意に荒れさせ
て帰還量を減少させる等の手段を施してレーザ発振状態
に入ることを抑止している。
て活性層の厚さ及び幅を大きくしてキャリア及び光の密
度を低下させ、更に活性層に接して光吸収層を設けたり
、或いはＬ［）では襞間面とする端面を故意に荒れさせ
て帰還量を減少させる等の手段を施してレーザ発振状態
に入ることを抑止している。
しかしながら闇値電流Ｊｔｈは経験的に次式で表される
顕著な温度依存性がある。
顕著な温度依存性がある。
Ｊ
Ｊ ｔｂ ＝ −Ｊ ｔｈｏ ｅＸｐ（）Ｔ。
ただしＴ４は活性層の温度であり、Ｔ、は特性温度と呼
ばれる値で接合の半導体材料などに依存する。
ばれる値で接合の半導体材料などに依存する。
この闇値電流の温度依存性から低温ではＥＬＥＤがレー
ザ発振状態に入り易くなり、例えば−２０℃程度以下で
は上記の手段を講じても安定した非発振発光を確保する
ことは困難な実情にある。
ザ発振状態に入り易くなり、例えば−２０℃程度以下で
は上記の手段を講じても安定した非発振発光を確保する
ことは困難な実情にある。
ｃ問題点を解決するだめの手段〕
前記問題点は、半導体基体の端面からＶ形の断面形状で
形成され、該基体内で基体表面に斜交する而により終端
された溝内に、活性層及びクラッド層が形成されてなる
本発明による半導体発光装置により解決される。
形成され、該基体内で基体表面に斜交する而により終端
された溝内に、活性層及びクラッド層が形成されてなる
本発明による半導体発光装置により解決される。
本発明によるＥＬＥＤは、■溝を基体表面に斜交する而
によって半導体基体内で終端し、これに活性層等を埋め
込み成長している。
によって半導体基体内で終端し、これに活性層等を埋め
込み成長している。
埋め込み成長された活性層はこの終端面近傍で湾曲し、
この端面で反射された光は活性層の界面で乱反射を繰り
返して減衰するためにζ帰還率が低下して非発振発光の
安定性が向上する。
この端面で反射された光は活性層の界面で乱反射を繰り
返して減衰するためにζ帰還率が低下して非発振発光の
安定性が向上する。
なおこのＥＬＥＤの構造は後述する実施例の如く、半導
体基体結晶の異方性エツチングと液相エピタキシャル成
長の性質とにより、容易に実現することができる。
体基体結晶の異方性エツチングと液相エピタキシャル成
長の性質とにより、容易に実現することができる。
以下本発明を実施例により具体的に説明する。
第１図は本発明の実施例を示す工程順模式断面図であり
、（ａｌ）〜（ｄｌ）はその中央近傍の＜０１１＞方向
に垂直な断面、（ａ２）〜（ｄ２）は■溝中央で基板面
に垂直な断面を示す。
、（ａｌ）〜（ｄｌ）はその中央近傍の＜０１１＞方向
に垂直な断面、（ａ２）〜（ｄ２）は■溝中央で基板面
に垂直な断面を示す。
第１図（ａｌ）、（ａ２）参照： 例えばｎ型ＩｎＰ基
板１ノ（１００）面上に、液相エピタキシャル成長法等
によりｐ型ＩｎＰ層２を厚さ例えば１．５−程度に成長
する。なお本実施例ではこの成長溶液は、！ｎ： Ｉｎ
Ｐ：Ｚｎ ＝ ３ｇ：３９．２ｍｇ：０．０２ｍｇとし
ている。
板１ノ（１００）面上に、液相エピタキシャル成長法等
によりｐ型ＩｎＰ層２を厚さ例えば１．５−程度に成長
する。なお本実施例ではこの成長溶液は、！ｎ： Ｉｎ
Ｐ：Ｚｎ ＝ ３ｇ：３９．２ｍｇ：０．０２ｍｇとし
ている。
第１図（ｂｌ）、（ｂ２）参照： このｐ型１ｎＰ層２
上に例えば５ｉＯｚ等のマスク１１を設ける。本実施例
ではモニタ出力を得るために１チツプ当たり２個の矩形
の開口をマスク１１に設けており、その長辺を［ｎＰ結
晶の＜０１１＞方向、短辺Ｗ、を例えば１．５μｍとし
、その長辺方向に例えば１５−の間隔ｄ、、を隔ててい
る。
上に例えば５ｉＯｚ等のマスク１１を設ける。本実施例
ではモニタ出力を得るために１チツプ当たり２個の矩形
の開口をマスク１１に設けており、その長辺を［ｎＰ結
晶の＜０１１＞方向、短辺Ｗ、を例えば１．５μｍとし
、その長辺方向に例えば１５−の間隔ｄ、、を隔ててい
る。
このマスク１１を用いて塩酸（ＨＣＩ）と燐酸（１１３
ＰＯ４）との混合溶液等による異方性エツチング処理を
行う。このエツチング処理により、＜０１１＞方向に垂
直な断面がＶ字状で斜面が（１１１）８面の溝１２．１
２゛が、ｎ型ＩｎＰ基板１に達する深さに形成される。
ＰＯ４）との混合溶液等による異方性エツチング処理を
行う。このエツチング処理により、＜０１１＞方向に垂
直な断面がＶ字状で斜面が（１１１）８面の溝１２．１
２゛が、ｎ型ＩｎＰ基板１に達する深さに形成される。
マスク１１ノ開口が分離された位置のこの溝１２．１２
′ の終端では表面より溝の底の部分でエツチングが速
く進行し、端面が（１１１）面に近い逆メサ状となる。
′ の終端では表面より溝の底の部分でエツチングが速
く進行し、端面が（１１１）面に近い逆メサ状となる。
第１図（ｃｌ）、（ｃ２）参照： 液相エピタキシャル
成長法により、この溝１２．１２゛ 内にｎ型１ｎＰク
ラソド層３、ノンドープのＩｎＧａＡｓＰ活性層４、ｐ
型ＩｎＰクラッド層５を順次成長してクラッド層５を溝
の外まで拡げる。クラッド層３、活性層４と同時に溝外
にｎ型１ｎＰ層３ａ−、ＩｎＧａＡｓＰ層４ａがそれぞ
れ成長する。なお本実施例ではＩｎＰクラッド層５に連
続してｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層６を成長している。
成長法により、この溝１２．１２゛ 内にｎ型１ｎＰク
ラソド層３、ノンドープのＩｎＧａＡｓＰ活性層４、ｐ
型ＩｎＰクラッド層５を順次成長してクラッド層５を溝
の外まで拡げる。クラッド層３、活性層４と同時に溝外
にｎ型１ｎＰ層３ａ−、ＩｎＧａＡｓＰ層４ａがそれぞ
れ成長する。なお本実施例ではＩｎＰクラッド層５に連
続してｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層６を成長している。
本実施例では各成長溶液を、例えば
ｎ型１ｎＰクラッド層３
Ｉｎ：ＩｎＰ：Ｓｎ＝３ｇ：３９．２ｍｇ：１４．軸ｇ
ＩｎＧａＡｓＰ活性層４ ！ｎ：ＩｎＡｓ：ＩｎＰ：ＧａＡｓ＝３ｇ：１９２．７
ｍｇ：３０．１ｍｇ：４０．Ｔｍｇｐ型１ｎＰクラッド
層５ Ｉｒ＋：ＩｎＰ：Ｚｎ＝３ｇ：３６．２ｍｇ：０．０２
ｍｇとし、ＩｎＧａＡｓＰ活性層４の成長温度は６５０
ｔで、その厚さを中央で例えば０．１５μ踵としてい
る。
ＩｎＧａＡｓＰ活性層４ ！ｎ：ＩｎＡｓ：ＩｎＰ：ＧａＡｓ＝３ｇ：１９２．７
ｍｇ：３０．１ｍｇ：４０．Ｔｍｇｐ型１ｎＰクラッド
層５ Ｉｒ＋：ＩｎＰ：Ｚｎ＝３ｇ：３６．２ｍｇ：０．０２
ｍｇとし、ＩｎＧａＡｓＰ活性層４の成長温度は６５０
ｔで、その厚さを中央で例えば０．１５μ踵としてい
る。
このエピタキシャル成長によるＩｎＧａＡｓ１’活性層
４はその周辺近傍が上方に湾曲する傾向があり、溝１２
等の横方向の断面が所謂三日月形、＜ｏｉｉ＞方向の断
面は溝１２等の終端面近傍で上方に湾曲し、その他はほ
ぼ平坦な形状となる。なお本実施例ではこの活性層４の
幅Ｗ、が例えば２．５ハ、分離された間隔ｄ４が例えば
１０μｌとなっている。
４はその周辺近傍が上方に湾曲する傾向があり、溝１２
等の横方向の断面が所謂三日月形、＜ｏｉｉ＞方向の断
面は溝１２等の終端面近傍で上方に湾曲し、その他はほ
ぼ平坦な形状となる。なお本実施例ではこの活性層４の
幅Ｗ、が例えば２．５ハ、分離された間隔ｄ４が例えば
１０μｌとなっている。
第１図（ｄｌ）、（ｄ２）参照： この半導体基体上に
、例えば５ｉ０２等の絶縁層７、金／亜鉛／金（＾ｕ／
Ｚｎ／Ａｕ）等からなるｐ側電極８、金ゲルマニウム／
金（ＡｕＧｅ／ Ａ ｕ ）等からなるｎ側電極９を設
け、襞間により出力側の光導波路の長さり、＝２８０Ｑ
、モニタ出力側の先導波路の長さＬ ２ ＝ １０μｌ
程度とし、襞間面に反射防止１ｆｉｌＯとして例えば窒
化シリコン（ＳｉＮや）を厚さ０．２μｍ程度に設けて
いる。
、例えば５ｉ０２等の絶縁層７、金／亜鉛／金（＾ｕ／
Ｚｎ／Ａｕ）等からなるｐ側電極８、金ゲルマニウム／
金（ＡｕＧｅ／ Ａ ｕ ）等からなるｎ側電極９を設
け、襞間により出力側の光導波路の長さり、＝２８０Ｑ
、モニタ出力側の先導波路の長さＬ ２ ＝ １０μｌ
程度とし、襞間面に反射防止１ｆｉｌＯとして例えば窒
化シリコン（ＳｉＮや）を厚さ０．２μｍ程度に設けて
いる。
本実施例は約２５０μＷの前方出力光が溝１２側から得
られてスペクトルの最大値は波長１．２７．ｗにあり、
そのモニタ出力が溝１２゛側から得られるが、目的とし
た低温におけるＬＥＤ動作の安定性は、例えば−２５℃
において確保されている。
られてスペクトルの最大値は波長１．２７．ｗにあり、
そのモニタ出力が溝１２゛側から得られるが、目的とし
た低温におけるＬＥＤ動作の安定性は、例えば−２５℃
において確保されている。
なお上記実施例ではモニタ出力を取り出すために溝１２
°を設けて活性層等の埋め込み成長を行っているが、モ
ニタ出力が不必要の場合にはこれらが不要であることは
言うまでもない。
°を設けて活性層等の埋め込み成長を行っているが、モ
ニタ出力が不必要の場合にはこれらが不要であることは
言うまでもない。
以上説明した如（本発明によれば、ＥＬＥＤが低温にお
いてレーザ発振状態となることが抑止され、広い温度範
囲に亙って安定した動作が確保されて、光応用システム
を利用し得る環境条件の拡大に大きく貢献する。
いてレーザ発振状態となることが抑止され、広い温度範
囲に亙って安定した動作が確保されて、光応用システム
を利用し得る環境条件の拡大に大きく貢献する。
第１図は実施例の工程順模式断面図、
第２図は従来例の模式断面図である。
図において、
１はｎ型１ｎＰ基板、 ２はｐ型ＩｎＩ’層、３
はｎ型１ｎＰクラッド層、３ａはｎ型１ｎＰ層、４はＩ
ｎＧａＡｓＰ活性層、 ４ａはＩｎＧａＡｓＰ層、
５はｐ型１ｎＰクラッド層、 ６はｐ型１ｎＧａＡｓＰ
層、７は絶縁層、 ８．９は電極、１１は
マスク、 １２．１２”は溝を示す。 −こ２、
はｎ型１ｎＰクラッド層、３ａはｎ型１ｎＰ層、４はＩ
ｎＧａＡｓＰ活性層、 ４ａはＩｎＧａＡｓＰ層、
５はｐ型１ｎＰクラッド層、 ６はｐ型１ｎＧａＡｓＰ
層、７は絶縁層、 ８．９は電極、１１は
マスク、 １２．１２”は溝を示す。 −こ２、
Claims (1)
- 半導体基体の端面からＶ形の断面形状で形成され、該基
体内で基体表面に斜交する面により終端された溝内に、
活性層及びクラッド層が形成されてなることを特徴とす
る半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62063025A JPS63228768A (ja) | 1987-03-18 | 1987-03-18 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62063025A JPS63228768A (ja) | 1987-03-18 | 1987-03-18 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63228768A true JPS63228768A (ja) | 1988-09-22 |
Family
ID=13217375
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62063025A Pending JPS63228768A (ja) | 1987-03-18 | 1987-03-18 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63228768A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02150079A (ja) * | 1988-11-30 | 1990-06-08 | Oki Electric Ind Co Ltd | スーパールミネッセントダイオード |
-
1987
- 1987-03-18 JP JP62063025A patent/JPS63228768A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02150079A (ja) * | 1988-11-30 | 1990-06-08 | Oki Electric Ind Co Ltd | スーパールミネッセントダイオード |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5535231A (en) | Optoelectronic circuit including heterojunction bipolar transistor laser and photodetector | |
| US7020172B2 (en) | Long wavelength vertical cavity surface emitting laser | |
| US5636237A (en) | Semiconductor laser device which makes it possible to realize high-speed modulation | |
| JPH05226789A (ja) | 歪層量子井戸レーザを含む製品 | |
| JPH0365621A (ja) | レーザー光検出器の組み合せ | |
| US4819243A (en) | Semiconductor laser with active layer having a radiation emitting active region therein which extends through and is bounded by a current limiting blocking layer | |
| US4975752A (en) | Light-emitting diode | |
| JPS5848481A (ja) | モニタ−用光検出器内蔵面発光型発光ダイオ−ド | |
| US5309465A (en) | Ridge waveguide semiconductor laser with thin active region | |
| US6509580B2 (en) | Semiconductor device with current confinement structure | |
| US5173913A (en) | Semiconductor laser | |
| JPS63228768A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP2759275B2 (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 | |
| CN111082312A (zh) | 一种省隔离器边发射光器件及制作方法 | |
| JPS6386581A (ja) | 発光ダイオ−ド | |
| Grothe et al. | Influence of Mg doping on cutoff frequency and light output of InGaAsP/InP heterojunction LED's | |
| US5323412A (en) | Semiconductor laser device | |
| US4521887A (en) | W-shaped diffused stripe GaAs/AlGaAs laser | |
| JPS6218782A (ja) | 埋込み構造半導体レ−ザ | |
| KR950002208B1 (ko) | 레이저다이오드 및 그 제조방법 | |
| JPS61242091A (ja) | 半導体発光素子 | |
| GB2209869A (en) | Edge emitting light emissive diode | |
| JPH0377675B2 (ja) | ||
| JP3172558B2 (ja) | 半導体能動素子 | |
| JPH01313985A (ja) | 半導体発光装置の製造方法 |