JPS63226978A - Edge emission type optical semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は端面発光型光半導体装置に関し、特に光ファイ
バとの結合が容易に得られる発光ダイオードや半導体レ
ーザ装置等の端面発光型光半導体装置に関する。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to an edge-emitting optical semiconductor device, and particularly to an edge-emitting optical semiconductor device such as a light emitting diode or a semiconductor laser device that can be easily coupled with an optical fiber. Regarding.
−ａに、光ファイバ通信装置に用いられる光源には、発
光ダイオードや半導体レーザ装置等が用いられる。この
うち、端面発光型発光ダイオードや半導体レーザ装置の
ような端面で発光を行う端面発光型光半導体装置は、発
光部の面積が狭いため、小さなコア径を有する光ファイ
バに対しても高い結合効率が得られる。しかしこの場合
には、端面発光型光半導体装置の発光部と光ファイバと
の位置合わせを高精度に行う必要があり、従来では第６
図或いは第７図に示すような組立て方法が行われている
。-a, a light emitting diode, a semiconductor laser device, or the like is used as a light source used in an optical fiber communication device. Among these, edge-emitting optical semiconductor devices that emit light at the edge, such as edge-emitting light-emitting diodes and semiconductor laser devices, have a narrow light-emitting area, so they have high coupling efficiency even for optical fibers with small core diameters. is obtained. However, in this case, it is necessary to align the light emitting part of the edge-emitting optical semiconductor device and the optical fiber with high precision, and conventionally, the sixth
An assembly method as shown in the figure or FIG. 7 is performed.
第６図はその一例であり、サブマウント４１上に搭載さ
れる端面発光型光半導体装置４２の発光部４３と光ファ
イバ４４との位置決めは、光ファイバ端４４ａからの光
出力をモニタしながら両者の位置決めを行い、その最適
位置でソルダ４５を用いて光ファイバを固定する方式で
ある。FIG. 6 shows an example of this, and the positioning of the light emitting part 43 of the edge-emitting optical semiconductor device 42 mounted on the submount 41 and the optical fiber 44 is performed while monitoring the light output from the optical fiber end 44a. In this method, the optical fiber is positioned at the optimum position using a solder 45.
また、第７図に示す他の例は、サブマウント５１上に端
面発光型光半導体装置５２の発光部５３に正対する位置
にＶ溝５６を形成しておき、この■溝５６内に光ファイ
バ５４をソルダ５５で固定することにより、半導体装置
５２と光ファイバ５４の位置決めを行う方式である。In another example shown in FIG. 7, a V-groove 56 is formed on the submount 51 at a position directly facing the light-emitting part 53 of the edge-emitting optical semiconductor device 52, and an optical fiber is inserted into the V-groove 56. In this method, the semiconductor device 52 and the optical fiber 54 are positioned by fixing the optical fiber 54 with a solder 55.
上述した従来の方式の中、第６図の前者の方式では、光
出力をモニタしながら組立てなければならないために生
産性が低いという問題がある。更に、光出力をモニタし
て光ファイバとの位置合わせを確認しながら接続しても
、ソルダが固まった時点では動いてしまう危険性があり
、また経時的なソルダ劣化に伴う位置変動を生じる可能
性があるという問題を有している。Among the conventional methods described above, the former method shown in FIG. 6 has a problem in that productivity is low because the assembly must be performed while monitoring the optical output. Furthermore, even if you monitor the optical output and check the alignment with the optical fiber when connecting, there is a risk that the solder will move once it hardens, and the position may change due to solder deterioration over time. It has the problem of gender.
一方、第７図の後者の方式では、前者の方式のような位
置ずれの問題を解消可能であるが、この場合には、■溝
の形成時に端面発光型光半導体装置の発光部との位置合
わせに極めて高精度な位置決め技術が要求されるため、
生産性は向上せず、むしろ低下しているのが実情である
。On the other hand, in the latter method shown in FIG. 7, it is possible to solve the problem of positional deviation as in the former method, but in this case, it is necessary to Because extremely high-precision positioning technology is required for
The reality is that productivity is not improving, but is actually declining.
本発明は、光ファイバとの良好な結合を容易に実現可能
な端面発光型光半導体装置を提供することを目的として
いる。An object of the present invention is to provide an edge-emitting optical semiconductor device that can easily achieve good coupling with an optical fiber.
本発明の端面発光型光半導体装置は、半導体基板上に第
１のクラッド層、活性層、第２のクラッド層、キャップ
層等を積層し、かつ埋込み結晶成長によりストライプ状
の発光領域を形成し、このストライプ状発光領域と直交
し、かつ前記第１のクラブ、ド層謡達する深さの第１の
溝を形成して発光部と光ファイバ固定部とに区画分離し
、この光ファイバ固定部には、ストライプ状発光領域の
延長線上に位置し、かつ光ファイバを挿入して固定可能
な第２の溝を形成した構成としている。The edge-emitting optical semiconductor device of the present invention has a first cladding layer, an active layer, a second cladding layer, a cap layer, etc. stacked on a semiconductor substrate, and striped light emitting regions are formed by buried crystal growth. , a first groove is formed orthogonal to the striped light emitting region and has a depth that reaches the depth of the first club to separate the light emitting part and the optical fiber fixing part, and the optical fiber fixing part In this structure, a second groove is formed, which is located on an extension of the striped light emitting area and into which an optical fiber can be inserted and fixed.
ここで、第２の溝は、固定する光ファイバのクラッド径
と同等で、かつ前記活性層の光軸延長上に光ファイバの
コア部が位置する深さに形成している。Here, the second groove is formed to have a depth that is equivalent to the cladding diameter of the optical fiber to be fixed and at which the core portion of the optical fiber is located on the optical axis extension of the active layer.
次に、本発明を図面を参照して説明する。 Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.
第１図は本発明をＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ端面発光型発
光ダイオードに適用した第１の実施例の斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of a first embodiment in which the present invention is applied to an InGaAsP/InP edge-emitting type light emitting diode.
図において、ｎ形ＩｎＰ基板１上にｎ形ＩｎＰからなる
第１のクラッド層２．ｎ形１ｎＧａＡｓＰからなる活性
層３． ｐ形１ｎＰからなる第２のクラッド層４．
ｎ形Ｉ ｎＧａＡｓ Ｐからなるキャップ層５を順次積
層形成し、第２のクラッド層２に達する深さのストライ
プ状Ｐ″領域８をＺｎ拡散で形成した上で、キャップ層
５上及び前記基板１の裏面に各々電極６．７を設ける。In the figure, a first cladding layer 2 made of n-type InP is formed on an n-type InP substrate 1. Active layer 3 made of n-type 1nGaAsP. Second cladding layer 4 made of p-type 1nP.
A cap layer 5 made of n-type I nGaAs P is sequentially laminated, and a stripe-shaped P'' region 8 having a depth reaching the second cladding layer 2 is formed by Zn diffusion. An electrode 6.7 is provided on the back surface of each.
ここで、前記ストライプ状Ｐ″領域８の直下の活性層３
の一部がストライプ状発光領域９として構成される。Here, the active layer 3 immediately below the striped P″ region 8
A part of the light emitting region 9 is configured as a striped light emitting region 9.
一方、前記ストライプ状発光領域９と直交し、かつ少な
くとも第１のクラッド層２に達する深さの第１の溝１０
を設け、これにより光ファイバ固定部１４と発光部１５
とに絶縁状態で区画分離している。更にストライプ状発
光領域９の延長線上に幅か光ファイバクラッド径と同等
でかつ活性層３の光軸延長線上に光ファイバのコア部が
位置するように形成された深さの第２の溝１１を形成す
る。この第１の溝ｌＯ及び第２の溝１１は、ウェハ工程
でフォトレジスト膜をエツチング用マスクとし、例えば
Ｃ１を含む雰囲気中でのドライエツチングによって形成
することができる。On the other hand, a first groove 10 is perpendicular to the striped light emitting region 9 and has a depth that reaches at least the first cladding layer 2.
, thereby connecting the optical fiber fixing section 14 and the light emitting section 15.
It is separated into sections in an insulated state. Furthermore, a second groove 11 is formed on the extension line of the striped light emitting region 9 and has a width equal to the diameter of the optical fiber cladding and a depth such that the core portion of the optical fiber is located on the extension line of the optical axis of the active layer 3. form. The first groove 1O and the second groove 11 can be formed by dry etching in an atmosphere containing C1, for example, using a photoresist film as an etching mask in the wafer process.
前記第２の溝１１の深さは溝の形状及び光ファイバの径
によって決められる。例えば、ここでは溝を矩形に形成
しているので、活性層からの深さが光ファイバのクラッ
ド径の半径と等しく設定している。The depth of the second groove 11 is determined by the shape of the groove and the diameter of the optical fiber. For example, since the groove is formed in a rectangular shape here, the depth from the active layer is set equal to the radius of the cladding diameter of the optical fiber.
なお、７字状の溝の場合には、７字の形状と光ファイバ
の径によって最適な溝の深さが変わってくる。In the case of a figure-7 groove, the optimal depth of the groove changes depending on the shape of the figure-7 and the diameter of the optical fiber.
第２図及び第３図は、夫々第１図で示した端面発光型光
半導体装置に光ファイバを固定した状態を示す斜視図及
びその断面図である。2 and 3 are a perspective view and a sectional view, respectively, showing a state in which an optical fiber is fixed to the edge-emitting optical semiconductor device shown in FIG. 1.
図示のように、光ファイバ１２は第２の溝工１に挿入さ
れて、例えばＡｕＳｎ等のソルダ１３で固定されている
。この場合、光ファイバ固定部１４と発光素子部１５は
、少な（とも第１のクラッド層２に達する深さの第１の
溝１ｏで電気的に絶縁されているため、光ファイバ１２
を固定するために使用したソルダ１３によって発光素子
がシゴート等の電気特性的不良を発生することはない。As shown in the figure, the optical fiber 12 is inserted into the second groove 1 and fixed with a solder 13 made of, for example, AuSn. In this case, the optical fiber fixing part 14 and the light emitting element part 15 are electrically insulated by the first groove 1o, which has a depth that reaches the first cladding layer 2.
The solder 13 used for fixing the light emitting element will not cause defects in electrical characteristics such as cracking.
また、第２の溝１１は、ストライプ状発光領域９の延長
線上で光ファイバのクラッド径と同等に形成しているた
め、光ファイバのコア部１６とストライプ状発光領域９
の左右方向の位置ずれは、光ファイバのコア部の偏心量
及び第２の溝を形成する際に生じたウェハ工程でのマス
クの位置合わせ誤差によって決定される。これら゛は各
々０．５μｍ以下で、合計でも１μｍ以下の誤差であり
、殆ど問題にはならない。Moreover, since the second groove 11 is formed on the extension line of the striped light emitting region 9 to have the same diameter as the cladding of the optical fiber, the core portion 16 of the optical fiber and the striped light emitting region 9
The horizontal positional deviation is determined by the amount of eccentricity of the core portion of the optical fiber and the alignment error of the mask in the wafer process that occurs when forming the second groove. Each of these errors is less than 0.5 μm, and the total error is less than 1 μm, so it hardly poses a problem.
更に、第３図から判るように、光ファイバ１２を固定す
るために利用する第２の溝１１は、活性層３からの深さ
ｄが光ファイバクラッド径の半径と同等にしであるため
、光ファイバコア部１６と活性層３すなわちストライプ
状発光領域との高さ方向との位置ずれも少なく、この高
さ方向の位置ずれ量は光ファイバコア部の偏心量及び第
２の溝の深さのばらつきによって決定される。これらは
、各々０．５μｍ以下に抑え込むことが可能であるので
、合計の高さ方向の位置ずれ量は１μｍ以下に抑えるこ
とができ、これも殆ど問題にならない。Furthermore, as can be seen from FIG. 3, the depth d from the active layer 3 of the second groove 11 used for fixing the optical fiber 12 is equal to the radius of the optical fiber cladding diameter, so that the second groove 11 is used for fixing the optical fiber 12. There is also little misalignment in the height direction between the fiber core portion 16 and the active layer 3, that is, the striped light emitting region, and the amount of misalignment in the height direction is determined by the eccentricity of the optical fiber core portion and the depth of the second groove. Determined by variation. Since each of these can be suppressed to 0.5 μm or less, the total amount of positional deviation in the height direction can be suppressed to 1 μm or less, which is also hardly a problem.
第４図は上述した実施例を更に改善する例である。すな
わち、チップのウェハ収率を向上させるためには、チッ
プサイズを大きくすることは好ましくはなく、したがっ
て光ファイバの固定部１４の面積を可及的に小さくする
ことが望まれる。しかし、一方では固定部１４を小さく
すると光ファイバの固定が不十分になる。FIG. 4 shows an example in which the above-described embodiment is further improved. That is, in order to improve the wafer yield of chips, it is not preferable to increase the chip size, and therefore it is desirable to reduce the area of the optical fiber fixing part 14 as much as possible. However, on the other hand, if the fixing portion 14 is made smaller, the optical fiber will not be fixed sufficiently.
このため、同図のように、端面発光型光半導体装置の基
板１をソルダ１７よってサブマウント１８に固定すると
ともに、半導体装置１に固定されている光ファイバ１２
の延長部分をもソルダ１９によってサブマウント１８に
固定している。これにより、光ファイバ１２の支持強度
が確保され、端面発光型光半導体装置の発光部との位置
ずれ防止が強化されている。Therefore, as shown in the figure, the substrate 1 of the edge-emitting optical semiconductor device is fixed to the submount 18 with the solder 17, and the optical fiber 12 fixed to the semiconductor device 1 is
The extended portion is also fixed to the submount 18 by solder 19. This ensures the support strength of the optical fiber 12 and strengthens the prevention of misalignment with the light emitting part of the edge-emitting optical semiconductor device.
第５図は本発明の第２の実施例を示し、ここでは端面発
光型光半導体装置としてＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ半導体
レーザ装置の例を示している。FIG. 5 shows a second embodiment of the present invention, in which an example of an AlGaAs/GaAs semiconductor laser device is shown as an edge-emitting optical semiconductor device.
図において、ｎ形ＧａＡｓ基板２１上に、ｎ形ＡｌＸＧ
ａ＋−ｘ ＡＳからなる第１のクラッド層２２、ｎ形Ａ
１ ｙ Ｇ ａ ＋−ｙ Ａ Ｓからなる活性層２３
、ｐ形ＡｌＸＧａ、−ＸＡｓからなる第２のクラッド層
２４、ｎ形ＧａＡｓからなるキャップ層２５を順次積層
形成し、かつ第２のクラッド層２２に達する深さのスト
ライプ状ｐ″領域２８を形成し、キャップ層２５上及び
半導体基板２１の裏面に各々電極２６．２７を設けてい
る。ここで、ストライプ状ｐ″領域２８の直下の活性層
がストライプ状発光領域２９となる。In the figure, n-type AlXG is placed on an n-type GaAs substrate 21.
First cladding layer 22 made of a+-x AS, n-type A
Active layer 23 consisting of 1 y G a + - y A S
, a second cladding layer 24 made of p-type AlXGa, -XAs, and a cap layer 25 made of n-type GaAs are sequentially laminated, and a striped p'' region 28 with a depth reaching the second cladding layer 22 is formed. However, electrodes 26 and 27 are provided on the cap layer 25 and on the back surface of the semiconductor substrate 21, respectively.Here, the active layer directly under the striped p'' region 28 becomes the striped light emitting region 29.
そして、このストライプ状発光領域２９と直交し、かつ
少なくとも第１のクラッド層２２に達する深さの第１の
溝３０を適宜間隔離して２本形成し、中央に発光部３５
を、その両側に光ファイバ固定部３４．３４を夫々形成
する。また、これら光ファイバ固定部３４．３４には、
ストライプ状発光領域２９の延長線上に幅が光ファイバ
クラッド径と同等でかつ活性層２３の光軸延長上に光フ
ァイバのコア部が位置するように形成された深さの第２
の溝３１．３１を夫々形成する。これらの第１及び第２
の溝は第１の実施例で説明したのと同様な方法で形成す
ることができる。Then, two first grooves 30 which are perpendicular to the striped light emitting region 29 and have a depth that reaches at least the first cladding layer 22 are formed at appropriate intervals, and a light emitting part 35 is formed in the center.
, and optical fiber fixing parts 34 and 34 are formed on both sides thereof, respectively. In addition, these optical fiber fixing parts 34.34 include
A second layer having a width equal to the diameter of the optical fiber cladding is formed on the extension line of the striped light emitting region 29 and has a depth such that the core portion of the optical fiber is located on the extension of the optical axis of the active layer 23.
grooves 31 and 31 are formed, respectively. These first and second
The grooves can be formed in the same manner as described in the first embodiment.
しかる上で、光ファイバ３２．３２を各第２の溝３Ｌ３
１に挿入し、ソルダ３３．３３で固定することにより、
半導体レーザ装置と光ファイバとの結合ができる。Then, the optical fibers 32, 32 are inserted into each second groove 3L3.
By inserting it into 1 and fixing it with solder 33.33,
A semiconductor laser device and an optical fiber can be coupled.
この第２の実施例は半導体レーザ装置のレーザ光が同時
に２方向に射出される特性を生かし、その２方向へ射出
されるレーザ光を各々別々の光ファイバへ結合させた例
である。このような２方向から光出力を各々別々の光フ
ァイバへ結合した装置は、光ファイバ通信や光ファイバ
計測への新しい応用が期待される。This second embodiment is an example in which the characteristic of a semiconductor laser device that laser beams are simultaneously emitted in two directions is utilized, and the laser beams emitted in the two directions are coupled to separate optical fibers. Such a device that couples optical output from two directions to separate optical fibers is expected to have new applications in optical fiber communications and optical fiber measurements.
この第２の実施例の場合も、前記第１の実施例の場合に
説明したのと同様に極めて容易に高い結合効率が得られ
、かつ経時変化の少ない安定な結合効率を維持すること
ができる。In the case of this second embodiment, as described in the case of the first embodiment, high coupling efficiency can be obtained extremely easily, and stable coupling efficiency with little change over time can be maintained. .
以上説明したように本発明は、端面発光型光半導体装置
に設けたストライプ状の発、光領域に直交する第１の溝
を形成して半導体装置を発光部と光ファイバ固定部とに
区画分離し、この光ファイバ固定部には、ストライプ状
発光領域の延長線上に位置し、かつ光ファイバを挿入し
て固定可能な商用深さの第２の溝を形成しているので、
極めて容易に光ファイバとの高い結合効率が得られ、か
つ経時的もに安定な結合効率を維持する効果が得られる
。As explained above, the present invention provides a stripe-shaped light emitting device provided in an edge-emitting optical semiconductor device, and a first groove orthogonal to the light region is formed to partition the semiconductor device into a light emitting part and an optical fiber fixing part. However, this optical fiber fixing part has a second groove located on the extension line of the striped light emitting area and having a commercial depth into which the optical fiber can be inserted and fixed.
High coupling efficiency with an optical fiber can be obtained extremely easily, and the effect of maintaining stable coupling efficiency over time can be obtained.
第１図は本発明の第１実施例の光ファイバ固定前の状態
の斜視図、第２図は光ファイバを固定した状態の斜視図
、第３図はその側断面図、第４図は第１の実施例の改善
例を示す斜視図、第５図は第２実施例の斜視図、第６図
及び第７図は夫々異なる従来構造の斜視図である。
■、２１・・・基板、２，２２・・・第１のクラッド層
、３．２３・・・活性層、４．２４・・・第２のクラッ
ド層、５．２５・・・キャンプ層、６．７．２６．２７
・・・電極、８．２８・・・ｐ＋ａｌ域、９，２９・・
・ストライプ状発光領域、１０．３０−・・第１の溝、
１１．３１・・・第２の溝、１２．３２・・・光ファイ
バ、１３．３３・・・ソルダ、１４．３４・・・光ファ
イバ固定部、１５．３５・・・発光部、１６・・・光フ
ァイバコア部、１７・・・ソルダ、１８・・・サブプレ
ート、１９・・・ソルダ、４１．５１・・・サブプレー
ト、４２．５２・・・端面発光型光半導体装置、４３．
５３・・・発光部、４４゜５４・・・光ファイバ、４５
．５５・・・ソルダ、５６・・・Ｖ溝。
第２図
第３図
第４図
第５図
第６°図
第７図FIG. 1 is a perspective view of the first embodiment of the present invention before the optical fiber is fixed, FIG. 2 is a perspective view of the optical fiber fixed, FIG. 3 is a side sectional view thereof, and FIG. FIG. 5 is a perspective view showing an improvement of the first embodiment, FIG. 5 is a perspective view of the second embodiment, and FIGS. 6 and 7 are perspective views of different conventional structures. ■, 21... Substrate, 2, 22... First cladding layer, 3.23... Active layer, 4.24... Second cladding layer, 5.25... Camp layer, 6.7.26.27
...electrode, 8.28...p+al region, 9,29...
- Striped light emitting region, 10.30-... first groove,
11.31... Second groove, 12.32... Optical fiber, 13.33... Solder, 14.34... Optical fiber fixing part, 15.35... Light emitting part, 16. . . . Optical fiber core portion, 17 . . . Solder, 18 .
53... Light emitting part, 44° 54... Optical fiber, 45
．． 55...Solder, 56...V groove. Figure 2 Figure 3 Figure 4 Figure 5 Figure 6 Figure 7
Claims (2)
のクラッド層、キャップ層等を積層し、かつ埋込み結晶
成長によりストライプ状の発光領域を形成した端面発光
型光半導体装置において、前記ストライプ状発光領域と
直交し、かつ前記第１のクラッド層に達する深さの第１
の溝を形成して発光部と光ファイバ固定部とに区画分離
し、この光ファイバ固定部には、前記ストライプ状発光
領域の延長線上に位置し、かつ光ファイバを挿入して固
定可能な第２の溝を形成したことを特徴とする端面発光
型光半導体装置。(1) A first cladding layer, an active layer, a second cladding layer, and a second cladding layer on a semiconductor substrate.
In an edge-emitting optical semiconductor device in which a cladding layer, a cap layer, etc. are laminated, and a stripe-shaped light emitting region is formed by buried crystal growth, the edge-emitting optical semiconductor device is perpendicular to the stripe-shaped light-emitting region and reaches the first cladding layer. depth first
A groove is formed to separate the light emitting part and the optical fiber fixing part, and the optical fiber fixing part has a groove that is located on the extension line of the striped light emitting area and into which the optical fiber can be inserted and fixed. 1. An edge-emitting optical semiconductor device characterized by having two grooves formed therein.
同等で、かつ前記活性層の光軸延長上に光ファイバのコ
ア部が位置する深さに形成してなる特許請求の範囲第１
項記載の端面発光型光半導体装置。(2) The second groove is formed to a depth that is equal to the cladding diameter of the optical fiber to be fixed and that the core portion of the optical fiber is located on the optical axis extension of the active layer. 1
An edge-emitting optical semiconductor device as described in 2.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP62059963A JPS63226978A (en) | 1987-03-17 | 1987-03-17 | Edge emission type optical semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62059963A JPS63226978A (en) | 1987-03-17 | 1987-03-17 | Edge emission type optical semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63226978A true JPS63226978A (en) | 1988-09-21 |
Family
ID=13128327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62059963A Pending JPS63226978A (en) | 1987-03-17 | 1987-03-17 | Edge emission type optical semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63226978A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997006458A1 (en) * | 1995-08-03 | 1997-02-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical device and method of manufacturing it |
-
1987
- 1987-03-17 JP JP62059963A patent/JPS63226978A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997006458A1 (en) * | 1995-08-03 | 1997-02-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical device and method of manufacturing it |
| US6406196B1 (en) | 1995-08-03 | 2002-06-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical device and method for producing the same |
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