JPH10311936A - Optical module - Google Patents

Optical module

Info

Publication number
JPH10311936A
JPH10311936A JP12395897A JP12395897A JPH10311936A JP H10311936 A JPH10311936 A JP H10311936A JP 12395897 A JP12395897 A JP 12395897A JP 12395897 A JP12395897 A JP 12395897A JP H10311936 A JPH10311936 A JP H10311936A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
guide
optical module
semiconductor laser
mounting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP12395897A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Katsuhiko Goto
勝彦 後藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP12395897A priority Critical patent/JPH10311936A/en
Publication of JPH10311936A publication Critical patent/JPH10311936A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To realize a high light coupling efficiency equivalent to that of the conventional active alignment with a simple structure. SOLUTION: An LD mounted substrate 5 on whose surface 51 an LD 1 is attached is fitted on a guide substrate 3 provided with a guide groove 4 in whose internal part an optical fiber 2 is held and a recessed groove 7 continuing to the terminal part of the guide 4 so that the LD 1 is contained while the surface 51 is made to be a lower side and it has a space in the recessed groove 7 in a state that it is adjusted to be at the maximum position of a light output by making the surface 51 be in contact with the upper surface 31 of the guide substrate 31 and by moving the guide substrate 31 and the LD mounted substrate 5 relatively in a surface direction.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、光通信などに用
いられる光モジュールに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical module used for optical communication and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】図14は、従来の光モジュールの断面構
造図である。なお、図14中、10はLD(Laser Diod
e :半導体レーザ)、20は光ファイバ端子、70は非
球面レンズ、80はフランジ付パイプ、90はレンズホ
ルダ、91はゴムホルダ、92はケース、93はLD素
子パッケージである。LDの光出力を光ファイバに効率
よく結合させるためには、LDの発光点と光ファイバの
コアを精度良く位置合わせ(光軸合わせ)する必要があ
る。そのために、従来は、LD10をパッケージ93に
実装してLD10を発光させ、光ファイバ20を実装し
たホルダ91に対して、x,y,zの3軸方向に動かし
て光ファイバ20に結合される光出力をモニタしながら
位置を調整し、光出力が最大になる位置で溶接固定す
る。このようにLDを動作・発光させて光ファイバに結
合される光強度をモニタしながら位置調整して実装する
方式をアクティブアライメント方式と呼ぶが、この方式
では、x,y,zの3軸の位置調整を行うためこの光軸
調整に時間がかかり、光軸調整のコストに占める割合が
極めて高く低コスト化が困難である。また、LDをディ
スクリートにパッケージに実装するので小型化が困難で
ある。
2. Description of the Related Art FIG. 14 is a sectional structural view of a conventional optical module. In FIG. 14, reference numeral 10 denotes an LD (Laser Diod).
e: semiconductor laser), 20 is an optical fiber terminal, 70 is an aspheric lens, 80 is a flanged pipe, 90 is a lens holder, 91 is a rubber holder, 92 is a case, and 93 is an LD element package. In order to couple the optical output of the LD to the optical fiber efficiently, it is necessary to accurately align the light emitting point of the LD with the core of the optical fiber (optical axis alignment). For this purpose, conventionally, the LD 10 is mounted on a package 93 to cause the LD 10 to emit light, and the holder 10 on which the optical fiber 20 is mounted is moved in three directions of x, y, and z to be coupled to the optical fiber 20. Adjust the position while monitoring the light output, and fix by welding at the position where the light output is maximized. The method of operating and emitting the LD to adjust the position while monitoring the light intensity coupled to the optical fiber and mounting the LD is referred to as an active alignment method. In this method, three axes of x, y, and z are used. Since the position adjustment is performed, the optical axis adjustment takes a long time, and the ratio of the optical axis adjustment to the cost is extremely high, and it is difficult to reduce the cost. Further, since the LD is discretely mounted in a package, it is difficult to reduce the size.

【0003】これに対して、小型化、低コスト化が可能
な光モジュールとして、平面実装型のパッシブアライメ
ント方式が開発されている。この方式では、図15に示
すように、LD10、光ファイバ20がそれぞれSi基
板30上に独立に精度良く機械的に位置決めされるた
め、光軸調整は行わない。光ファイバ20はSi基板3
0上に写真製版と異方性エッチングにより形成されたV
溝40に固定されるため、3次元の高精度位置決めが可
能である。一方、LD10は、その基板厚みのばらつき
による高さ方向の位置誤差をなくすため、発光点を下
側、すなわち、半導体基板上に結晶成長した半導体層が
下側になるようにして、位置認識マーカなどを用いて高
精度に位置決めされて、Si基板30の実装面60上に
実装される。しかし、このパッシブアライメント方式で
は、Si基板30の加工や位置認識マーカの形成などそ
の他多くの誤差要因があるため、光軸のずれを〜2μm
程度以下に抑えることはかなり難しく、LDの光出力を
光ファイバに高効率で結合することが要求される製品に
適用することは難しい。
On the other hand, a planar mounting type passive alignment method has been developed as an optical module that can be reduced in size and cost. In this method, as shown in FIG. 15, since the LD 10 and the optical fiber 20 are mechanically positioned independently and accurately on the Si substrate 30, no optical axis adjustment is performed. The optical fiber 20 is a Si substrate 3
V formed by photolithography and anisotropic etching
Since it is fixed to the groove 40, three-dimensional high-precision positioning is possible. On the other hand, in order to eliminate a position error in the height direction due to a variation in the thickness of the substrate, the LD 10 is set such that the light emitting point is on the lower side, that is, the semiconductor layer crystal-grown on the semiconductor substrate is on the lower side. It is positioned with high precision by using, for example, and mounted on the mounting surface 60 of the Si substrate 30. However, in this passive alignment method, there are many other error factors such as processing of the Si substrate 30 and formation of a position recognition marker.
It is very difficult to keep the optical output of the LD below this level, and it is difficult to apply the LD to a product that is required to couple the optical output of the LD to the optical fiber with high efficiency.

【0004】また、特開平8−201664号公報に
は、半導体発光素子アレイと複数の光ファイバとを光結
合する光モジュールが提案されている。この光モジュー
ルは、図16(a)(b)に示すように、2本の光ファイバ1
000を一定のピッチで配列させて固定させるV溝30
0を有するガイド基板200を設けて、端面型半導体発
光素子アレイ500と2本の光ファイバ1000とを光
学的に結合させる光アレイ結合構造を備えるものであ
る。すなわち、上記2本の光ファイバ1000を上記V
溝300と同一のピッチで補助ガイド基板800に配列
して固定し、上記2本の光ファイバ1000の先端を上
記補助ガイド基板800とともに研磨した後、上記端面
型半導体発光素子アレイ500が背面実装されたガイド
基板200に上記2本の光ファイバ1000が一体の上
記補助ガイド基板800を実装したものである。上記ガ
イド基板200は、ベース基板100上に取付けられて
いる。上記端面型半導体発光素子アレイ500は、図1
7に示すように、2つの発光素子600が形成されてい
る。各発光素子600は、配線パッド700と接続され
ており、この配線パッド700の先端には導電性ポリマ
ー接着剤よりなるバンプ層120が形成されている。こ
のバンプ層120は、光モジュールにおいてガイド基板
200の上面に形成されているV溝側配線400と接触
される。上記端面型半導体発光素子アレイ500の断面
構造は、図18に示すように、p型GaAs基板140
上にp型GaAsバッファ層150、バンドギャップが
大きいp型AlGaAsクラッド層160、発光層であ
るAlGaAs活性層170、n型AlGaAsクラッ
ド層180、n型GaAsキャップ層190、n+ 型G
aAsコンタクト層2000が順次積層されたダブルヘ
テロ構造を備えるものである。各発光素子600のコン
タクト層2000には、それぞれn側電極230が形成
されており、基板140の裏面には、p側電極が形成さ
れている。また、この端面型半導体発光素子アレイ50
0そのものは、機械的な切断を行うことによって分離さ
れているため、その端面280付近には切りしろ部分2
20が形成されている。
Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 8-201664 proposes an optical module for optically coupling a semiconductor light emitting element array and a plurality of optical fibers. This optical module has two optical fibers 1 as shown in FIGS.
V-groove 30 for arranging and fixing 000 at a constant pitch
0 is provided, and an optical array coupling structure for optically coupling the end face type semiconductor light emitting element array 500 and the two optical fibers 1000 is provided. That is, the two optical fibers 1000 are connected to the V
After arranging and fixing the two optical fibers 1000 at the same pitch as the grooves 300 on the auxiliary guide substrate 800 and polishing the tips of the two optical fibers 1000 together with the auxiliary guide substrate 800, the end surface type semiconductor light emitting element array 500 is mounted on the back surface. The above-described auxiliary guide substrate 800 in which the two optical fibers 1000 are integrated with each other is mounted on the guide substrate 200. The guide substrate 200 is mounted on the base substrate 100. The end face type semiconductor light emitting element array 500 is shown in FIG.
As shown in FIG. 7, two light emitting elements 600 are formed. Each light emitting element 600 is connected to a wiring pad 700, and a bump layer 120 made of a conductive polymer adhesive is formed at the tip of the wiring pad 700. The bump layer 120 is in contact with the V-groove side wiring 400 formed on the upper surface of the guide substrate 200 in the optical module. As shown in FIG. 18, the cross-sectional structure of the end surface type semiconductor light emitting element array 500 is a p-type GaAs substrate 140.
A p-type GaAs buffer layer 150, a p-type AlGaAs cladding layer 160 having a large band gap, an AlGaAs active layer 170 serving as a light emitting layer, an n-type AlGaAs cladding layer 180, an n-type GaAs cap layer 190, and an n + -type G
It has a double hetero structure in which aAs contact layers 2000 are sequentially stacked. An n-side electrode 230 is formed on the contact layer 2000 of each light-emitting element 600, and a p-side electrode is formed on the back surface of the substrate 140. Further, the end surface type semiconductor light emitting element array 50
0 itself is separated by mechanical cutting, so that a margin 2
20 are formed.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】図14に示すアクティ
ブアライメント方式による光モジュールでは、LDと光
ファイバとの光軸調整にx,y,zの3軸の位置調整を
行うためこの光軸調整に時間がかかり、また、LD10
をディスクリートにパッケージ93に実装するため光モ
ジュールの小型化が困難であるという問題がある。
In the optical module based on the active alignment method shown in FIG. 14, the optical axis of the LD and the optical fiber is adjusted in three axes x, y and z. It takes time and LD10
Is discretely mounted on the package 93, which makes it difficult to reduce the size of the optical module.

【0006】図15に示すパッジブアライメント方式に
よる光モジュールでは、Si基板30の加工や位置認識
マーカの形成などその他多くの誤差要因があるため、光
軸のずれを〜2μm程度以下に抑えることはかなり難し
く、LDの光出力を光ファイバに高効率で結合すること
が要求される製品に適用することは難しいという問題が
ある。
In the optical module using the passive alignment method shown in FIG. 15, since there are many other error factors such as processing of the Si substrate 30 and formation of a position recognition marker, it is difficult to suppress the optical axis deviation to about 2 μm or less. There is a problem that it is quite difficult and it is difficult to apply it to a product that is required to couple the optical output of the LD to the optical fiber with high efficiency.

【0007】図16に示す光モジュールでは、上記パッ
ジブアライメント方式による光モジュールと同様に多く
の誤差要因があるため高効率で光結合できるものを実現
し難いという問題がある。また、端面型発光素子アレイ
500の発光素子600(発光部)がV溝300の中に
入るような形にエッチングする必要があること等、素子
の構造が限られる上、その製造が手間であるという問題
がある。さらに、端面型発光素子アレイ500は、補助
ガイド基板800とが直接接触されているため、端面型
発光素子アレイ500に補助ガイド基板800の荷重、
ダイボンド荷重等が直接加わり、信頼性上好ましくない
という問題がある。
The optical module shown in FIG. 16 has a problem that it is difficult to realize a module that can perform optical coupling with high efficiency because there are many error factors as in the optical module using the passive alignment method. In addition, the structure of the element is limited, such as the necessity of etching the light emitting element 600 (light emitting portion) of the end face type light emitting element array 500 so as to enter the V-shaped groove 300, and its manufacture is troublesome. There is a problem. Further, since the end surface type light emitting element array 500 is in direct contact with the auxiliary guide substrate 800, the load of the end surface type light emitting element array 500 on the auxiliary guide substrate 800 is reduced.
There is a problem that a die bond load or the like is directly applied, which is not preferable in terms of reliability.

【0008】本発明は、上記のような問題を解決するた
めになされたものであり、簡易な構造で従来のアクティ
ブアライメント方式と同等の高い光結合効率を実現でき
る光モジュールを得ることを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and has as its object to obtain an optical module which can realize a high optical coupling efficiency equivalent to that of a conventional active alignment system with a simple structure. I do.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明の請求項1による
光モジュールは、光ファイバと半導体レーザチップとを
対向させて配置して光結合する光モジュールにおいて、
上記光ファイバは、ガイド基板に保持されており、上記
半導体レーザチップは、LD実装基板にジャンクション
ダウンで取り付けられており、上記ガイド基板は、その
上面において、上記光ファイバを内部に保持するガイド
溝と、該ガイド溝の終端部分とつながっており、かつ上
記LD実装基板に取り付けた半導体レーザチップを収容
する凹溝とを設けたものであり、上記LD実装基板は、
その表面に上記半導体レーザチップを取り付けており、
該半導体レーザチップが上記ガイド基板の凹溝内に空間
を有して収容されるように該LD実装基板表面をガイド
基板の上面に当接させた状態で、ガイド基板とLD実装
基板とを相対的にその面方向に移動させながら光ファイ
バに結合される光出力が最大となる位置に位置決めされ
て、該ガイド基板上に取り付けられてなることを特徴と
するものである。
According to a first aspect of the present invention, there is provided an optical module for arranging an optical fiber and a semiconductor laser chip so as to face each other and optically coupling the optical fiber and the semiconductor laser chip.
The optical fiber is held on a guide substrate, the semiconductor laser chip is attached to the LD mounting substrate in a junction-down manner, and the guide substrate has a guide groove on its upper surface for holding the optical fiber therein. And a concave groove which is connected to an end portion of the guide groove and accommodates the semiconductor laser chip mounted on the LD mounting substrate. The LD mounting substrate is
The semiconductor laser chip is attached to the surface,
The guide substrate and the LD mounting substrate are moved relative to each other in a state where the surface of the LD mounting substrate is in contact with the upper surface of the guide substrate so that the semiconductor laser chip is housed with a space in the concave groove of the guide substrate. The optical fiber is characterized by being positioned at a position where the optical output coupled to the optical fiber is maximized while moving in the plane direction, and mounted on the guide substrate.

【0010】本発明の請求項2による光モジュールは、
上記請求項1による光モジュールにおいて、上記LD実
装基板は、半導体レーザチップを取り付けた表面からそ
の反対側の裏面にまで連続して、半導体レーザチップへ
の給電を行う電極が形成されてなることを特徴とするも
のである。
An optical module according to a second aspect of the present invention comprises:
2. The optical module according to claim 1, wherein the LD mounting substrate is formed with electrodes for supplying power to the semiconductor laser chip continuously from the surface on which the semiconductor laser chip is mounted to the rear surface on the opposite side. It is a feature.

【0011】本発明の請求項3による光モジュールは、
上記請求項1による光モジュールにおいて、上記LD実
装基板は、半導体レーザチップを取り付けた表面に半導
体レーザチップへの給電を行う電極が形成されており、
上記ガイド基板は、その上面にLD実装基板に形成した
上記電極と接触する位置に電極が形成されてなることを
特徴とするものである。
An optical module according to a third aspect of the present invention comprises:
2. The optical module according to claim 1, wherein the LD mounting board has an electrode formed on a surface on which the semiconductor laser chip is mounted, for supplying power to the semiconductor laser chip.
The guide substrate is characterized in that an electrode is formed on a top surface of the guide substrate at a position in contact with the electrode formed on the LD mounting substrate.

【0012】本発明の請求項4による光モジュールは、
上記請求項1による光モジュールにおいて、上記ガイド
基板および上記LD実装基板には、両者を噛み合わせる
段差部がそれぞれ形成されてなることを特徴とするもの
である。
An optical module according to a fourth aspect of the present invention comprises:
2. The optical module according to claim 1, wherein the guide substrate and the LD mounting substrate are formed with step portions for engaging the both.

【0013】本発明の請求項5による光モジュールは、
上記請求項1による光モジュールにおいて、上記LD実
装基板は、ガイド基板のガイド溝内に保持した光ファイ
バにおける先端部の上部と当接する段差部が形成されて
なることを特徴とするものである。
An optical module according to claim 5 of the present invention comprises:
In the optical module according to the first aspect, the LD mounting board is characterized in that a step portion is formed which comes into contact with an upper portion of a distal end of the optical fiber held in the guide groove of the guide board.

【0014】本発明の請求項6による光モジュールは、
光ファイバと半導体レーザチップとを対向させて配置し
て光結合する光モジュールにおいて、上記光ファイバ
は、ガイド基板に保持されており、上記半導体レーザチ
ップは、LD実装基板に取り付けられており、上記ガイ
ド基板は、一方の端部から他方の端部まで貫かれ、その
内部に上記光ファイバを保持するガイド溝が上面に形成
されており、上記LD実装基板は、その表面側におい
て、半導体レーザチップを取付ける実装表面と、該実装
表面に隣接する位置を切り欠いて設けた切欠面とを有し
ており、該半導体レーザチップが上記ガイド基板の外側
に配置されるように該切欠面をガイド基板の上面に当接
させてガイド基板とLD実装基板とを相対的にその面方
向に移動させながら光ファイバに結合される光出力が最
大となる位置に調整された状態で、該ガイド基板上に取
り付けられてなることを特徴とするものである。
An optical module according to a sixth aspect of the present invention comprises:
In an optical module in which an optical fiber and a semiconductor laser chip are arranged opposite to each other and optically coupled, the optical fiber is held on a guide substrate, and the semiconductor laser chip is mounted on an LD mounting substrate. The guide substrate is penetrated from one end to the other end, and a guide groove for holding the optical fiber is formed on the upper surface inside the guide substrate. The LD mounting substrate has a semiconductor laser chip on the surface side. A mounting surface, and a cutout surface provided by cutting out a position adjacent to the mounting surface, and the cutout surface is formed on the guide substrate so that the semiconductor laser chip is arranged outside the guide substrate. The guide substrate and the LD mounting substrate are moved relative to each other in the direction of the surface while being in contact with the upper surface of the optical fiber, while being adjusted to a position where the optical output coupled to the optical fiber is maximized. In state and it is characterized by comprising attached to said guide substrate.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION

実施の形態1.図1は、本発明の実施の形態1による光
モジュールの一部を示す模式図であり、図2は、その断
面模式図である。図において、1は半導体レーザチップ
(以下「LD」という。)、2は光ファイバ(先端をφ
125μmの素線の状態にしたもの)、3は光ファイバ
2とLD1とを配置するガイド基板としてのSi基板、
4は光ファイバ2を内部に保持するガイド溝としてのV
溝、5はLD1を実装するLD実装基板(Si基板また
はセラミック製などのキャリア)、6はLD実装基板5
の上にパターニング形成されたメタライズ電極、7は深
さ400μm程度の溝である。
Embodiment 1 FIG. FIG. 1 is a schematic view showing a part of an optical module according to Embodiment 1 of the present invention, and FIG. 2 is a schematic sectional view thereof. In the figure, 1 is a semiconductor laser chip (hereinafter referred to as “LD”), 2 is an optical fiber (the tip is φ
3 is an Si substrate as a guide substrate on which the optical fiber 2 and the LD 1 are arranged;
4 is V as a guide groove for holding the optical fiber 2 inside.
The groove 5 is an LD mounting substrate (a carrier such as a Si substrate or a ceramic) on which the LD 1 is mounted, and 6 is an LD mounting substrate 5
A metallized electrode 7 formed by patterning is a groove having a depth of about 400 μm.

【0016】実施の形態1による光モジュールは、図
1,2に示すように、光ファイバ2は、ガイド基板とし
てのSi基板3に保持され、LD1は、LD実装基板5
に取り付けられ、これら光ファイバ2のファイバ端面2
1とLD1の出射端面11とを対向させて配置して光結
合するものである。上記Si基板3は、その上面31に
おいて、上記光ファイバ2を内部に保持するV溝4と、
このV溝4の終端部分とつながっている溝7とを設けた
ものである。このV溝4は、写真製版、異方性エッチン
グにより形成され、深さは溝の幅に応じて高精度に決定
される。なお、Si基板3は、このような構造を有する
ものであればSi基板に限らずにセラミック製のもので
もよい。上記LD実装基板5は、Si基板またはセラミ
ック製などのキャリアからなり、その表面51に上記L
D1を取り付けている。LD実装基板5は、その表面5
1を下側にして、表面51に取り付けたLD1が上記S
i基板3の溝7内に空間を有して収容されるようにして
Si基板3上に取り付けられている。LD実装基板5の
表面51は、Si基板3の上面31に当接されている。
また、このLD実装基板5は、Si基板3とLD実装基
板5とを相対的に横方向に移動させ光ファイバ2に結合
される光出力が最大となる位置に調整された状態でSi
基板3上に固定されている。さらにLD実装基板5は、
LD1を取付けた面51からその反対側の面にまで連続
して、LD1に給電を行うためのメタライズ電極6がパ
ターン形成されている。
In the optical module according to the first embodiment, as shown in FIGS. 1 and 2, the optical fiber 2 is held on a Si substrate 3 as a guide substrate, and the LD 1 is mounted on an LD mounting substrate 5.
And the fiber end faces 2 of these optical fibers 2
1 and the light-emitting end face 11 of the LD 1 are arranged to face each other and optically coupled. The Si substrate 3 has, on its upper surface 31, a V-groove 4 for holding the optical fiber 2 therein,
A groove 7 connected to the end of the V groove 4 is provided. The V-groove 4 is formed by photolithography and anisotropic etching, and the depth is determined with high precision according to the width of the groove. The Si substrate 3 is not limited to the Si substrate as long as it has such a structure, and may be a ceramic substrate. The LD mounting substrate 5 is made of a carrier such as a Si substrate or a ceramic, and the surface
D1 is attached. The LD mounting substrate 5 has a surface 5
The LD 1 mounted on the surface 51 with the S
It is mounted on the Si substrate 3 so as to be housed with a space in the groove 7 of the i substrate 3. The surface 51 of the LD mounting substrate 5 is in contact with the upper surface 31 of the Si substrate 3.
Further, the LD mounting board 5 is moved in the lateral direction by relatively moving the Si substrate 3 and the LD mounting board 5 so that the Si substrate 3 and the LD mounting board 5 are adjusted to the position where the optical output coupled to the optical fiber 2 is maximized.
It is fixed on the substrate 3. Further, the LD mounting board 5
A metallized electrode 6 for supplying power to the LD 1 is formed in a pattern continuously from the surface 51 on which the LD 1 is mounted to the opposite surface.

【0017】上記LD1は、図3に示すように、その表
面13をLD実装基板5の表面51に実装させている。
すなわち、LD1の発光点1aのある表面側をLD実装
基板5の表面51と対向させ、LD実装基板5の表面5
1にパターン形成されたメタライズ電極6上にハンダ1
4によりLD1を固定している。そして、LD実装基板
5上に実装したLD1は、図4に示すように、その裏面
12にはLD実装基板5の表面51に形成された別のメ
タライズ電極6と金ワイヤ8により電気的に接続され
る。
The surface 13 of the LD 1 is mounted on the surface 51 of the LD mounting board 5 as shown in FIG.
That is, the surface of the LD 1 where the light emitting point 1 a is located is opposed to the surface 51 of the LD mounting board 5,
1 on the metallized electrode 6 patterned in
4 fixes LD1. Then, the LD 1 mounted on the LD mounting substrate 5 is electrically connected to another metallized electrode 6 formed on the front surface 51 of the LD mounting substrate 5 by a gold wire 8 on the back surface 12 as shown in FIG. Is done.

【0018】上記LD1としては、例えば図6に示すよ
うに、半導体基板101上に、MOCVD法等により結
晶成長させた下クラッド層102、活性層103、上ク
ラッド層104よりなるリッジ111と、このリッジ1
11の両脇に所定の半導体層105,106,107を
埋め込み成長させた電流ブロック層と、さらにこれらリ
ッジ111、電流ブロック層の上に結晶成長させたコン
タクト層108とを備え、その表面と裏面にそれぞれ電
極109,110を形成したリッジ型のものが使用され
る。但し、LD1は、このような構造を有するものに限
らず、SAS型など他の型のものも使用でき、また、材
質は、GaAs系、InP系、Si系など種々のものを
使用することができる。
As the LD 1, for example, as shown in FIG. 6, a ridge 111 composed of a lower cladding layer 102, an active layer 103 and an upper cladding layer 104 grown on a semiconductor substrate 101 by MOCVD or the like, and Ridge 1
11, a current block layer in which predetermined semiconductor layers 105, 106, 107 are buried and grown, a ridge 111, and a contact layer 108 crystal-grown on the current block layer. A ridge type in which electrodes 109 and 110 are respectively formed is used. However, the LD 1 is not limited to the one having such a structure, and other types such as an SAS type can be used, and various materials such as GaAs, InP, and Si can be used. it can.

【0019】上記のようにサブアセンブリされたLD実
装基板5(図4参照)は、図1に示すように組立の際に
はSi基板3の上に上下を逆さまにしてSi基板3及び
LD実装基板5の表面同士を合わせるようにしてSi基
板3上に載せる。したがって、LD実装基板5には、逆
さまにした状態でその上面から電極がとれるようにする
ため、図2に示すように、上下面及び側面にパターニン
グされたメタライズ電極6が形成されている。LD1を
LD実装基板5にダイボンドするとき、図3に示すよう
にLD1の表面13をLD実装基板5の表面51と接合
する。このLD1を実装したLD実装基板5は、その表
面51を下側にしてSi基板3上に取り付けられる。こ
れをジャンクションダウンの組立と呼ぶ。このようにす
ることにより、LD実装基板5の表面51を基準にして
LD1の発光点1aの高さは、発光点1aからLD1
の表面13までの距離(エピ層、LD電極、およびメッ
キの厚みの合計〜8μm)、LD実装基板5上の電極
6とハンダ14の厚み(〜2μm)だけによって正確に
決まる。このときの誤差は〜1μm以内にほぼおさま
る。
The LD mounting substrate 5 (see FIG. 4) subassembled as described above is turned upside down on the Si substrate 3 during assembly as shown in FIG. The substrate 5 is placed on the Si substrate 3 so that the surfaces thereof are aligned. Therefore, in order to allow the electrodes to be removed from the upper surface of the LD mounting substrate 5 in an upside down state, patterned metallized electrodes 6 are formed on the upper and lower surfaces and side surfaces as shown in FIG. When the LD 1 is die-bonded to the LD mounting substrate 5, the surface 13 of the LD 1 is joined to the surface 51 of the LD mounting substrate 5 as shown in FIG. The LD mounting board 5 on which the LD 1 is mounted is mounted on the Si substrate 3 with its front surface 51 facing down. This is called junction-down assembly. In this manner, the height of the light emitting point 1a of the LD 1 with respect to the surface 51 of the LD
(The total thickness of the epi layer, the LD electrode, and the plating is about 8 μm) and the thickness of the electrode 6 on the LD mounting substrate 5 and the solder 14 (about 2 μm). The error at this time is almost within 1 μm.

【0020】上記光ファイバ2は、先端をφ125μm
の素線の状態にしたものであり、その構造は、図5に示
すように、クラッド22と、中心に配置されるコア23
とからなるものである。コア23は、クラッド22より
屈折率が高く形成されている。このコア23には、LD
1から出射されるレーザ光が入射される。このようにL
D1により入射された光は、コア23内において伝送さ
れる。
The optical fiber 2 has a tip of φ125 μm.
As shown in FIG. 5, the structure includes a clad 22 and a core 23 disposed at the center.
It consists of: The core 23 has a higher refractive index than the clad 22. This core 23 has an LD
The laser light emitted from 1 is incident. Thus L
The light incident by D1 is transmitted in the core 23.

【0021】次に、この光モジュールの組立手順につい
て説明する。まず、図3,4に示すような、LD1をL
D実装基板5にあらかじめダイボンド、ワイヤボンドし
て実装したものを用意する。
Next, the procedure for assembling the optical module will be described. First, as shown in FIGS.
A substrate mounted on the D mounting substrate 5 by die bonding and wire bonding in advance is prepared.

【0022】次に、図7(a) に示すように、光ファイバ
2をSi基板3のV溝4の中に置き押さえて樹脂で固定
する。光ファイバ2のコア23の高さは、Si基板3の
表面31を基準にして、V溝4の幅と光ファイバ2の径
(125μm)により正確に決まる。
Next, as shown in FIG. 7 (a), the optical fiber 2 is placed in the V-groove 4 of the Si substrate 3, held down, and fixed with resin. The height of the core 23 of the optical fiber 2 is accurately determined by the width of the V-groove 4 and the diameter (125 μm) of the optical fiber 2 with reference to the surface 31 of the Si substrate 3.

【0023】そして、あらかじめサブアセンブリされた
LD実装基板5を、図7(b) のようにLD1を取り付け
た表面51を下向きにしてSi基板3の上に載せる。な
お、LD実装基板5をSi基板3上に載せる前に、Si
基板3とLD実装基板5の接合面となる部分には熱硬化
性の樹脂を塗布しておく。このようにSi基板3とLD
実装基板5を表面同士が合うように組み合わせると、上
記に述べたようにその表面を基準にして、光ファイバ2
のコア23の高さ、及びLD1の発光点1aの高さはそ
れぞれ正確に決まる。したがって、光ファイバ2のコア
23とLD1の発光点1aの間の高さ方向の位置関係は
正確に決まる。
Then, the pre-assembled LD mounting substrate 5 is mounted on the Si substrate 3 with the surface 51 on which the LD 1 is mounted facing downward as shown in FIG. 7B. Before placing the LD mounting substrate 5 on the Si substrate 3,
A thermosetting resin is applied to a portion to be a bonding surface between the substrate 3 and the LD mounting substrate 5. Thus, the Si substrate 3 and the LD
When the mounting substrates 5 are combined so that the surfaces thereof are matched with each other, the optical fiber 2
The height of the core 23 and the height of the light emitting point 1a of the LD 1 are accurately determined. Therefore, the positional relationship in the height direction between the core 23 of the optical fiber 2 and the light emitting point 1a of the LD 1 is accurately determined.

【0024】これに対して、横方向の位置関係は、図1
5に示した従来のパッシブアライメントの方法でも高さ
方向に比べて誤差が大きくなりやすい。そこで本実施の
形態1では、図7(b) の矢印で示すように、横方向の位
置調整のみをアクティブアライメントにより行う。図1
4に示した従来のアクティブアライメントは、x,y,
z方向の3軸方向に動かして調整するので非常に時間を
要するが、本実施の形態1のように、1軸方向だけの簡
略化された調整では短時間、かつ低コストで行うことが
できる。その具体的な方法について述べる。
On the other hand, the positional relationship in the horizontal direction is shown in FIG.
Even in the conventional passive alignment method shown in FIG. 5, the error tends to increase as compared with the height direction. Therefore, in the first embodiment, as shown by the arrow in FIG. 7B, only the lateral position adjustment is performed by the active alignment. FIG.
The conventional active alignment shown in FIG.
It takes a very long time because the adjustment is performed by moving in the three axial directions in the z direction. However, as in the first embodiment, the simplified adjustment in only one axial direction can be performed in a short time and at low cost. . The specific method will be described.

【0025】図7(b) のようにLD実装基板5をSi基
板3上に載せた状態で、LD実装基板5の上面に形成さ
れている電極6(図1(b) 参照)にプローバをあてて電
流を流しLD1を発光させる。光ファイバ2に光パワー
モニタを接続し、光ファイバ2内に結合される光出力を
モニタしながら図7の矢印の方向にSi基板3とLD実
装基板5を相対的に動かして光出力が最大になる位置を
探す。このようなSi基板3とLD実装基板5を相対的
に動かす方法として、例えば、Si基板3を精密微動ス
テージ上に載せ、LD実装基板5を固定して、Si基板
3を載せた精密微動ステージを動かすことにより行うこ
とができる。そして、光出力が最大となるその位置でS
i基板3、LD実装基板5を加熱し、あらかじめSi基
板3とLD実装基板5の接合面となる部分に塗布してお
いた樹脂を硬化させて、Si基板3上にLD実装基板5
を固定する。最後に、LD実装基板5の上面に形成され
た電極6とパッケージのリードとを金ワイヤで電気的に
接続すると、本実施の形態1による光モジュールが完成
する。
As shown in FIG. 7 (b), with the LD mounting substrate 5 placed on the Si substrate 3, a prober is applied to the electrode 6 (see FIG. 1 (b)) formed on the upper surface of the LD mounting substrate 5. A current is applied to the LD 1 to emit light. An optical power monitor is connected to the optical fiber 2, and while monitoring the optical output coupled into the optical fiber 2, the Si substrate 3 and the LD mounting substrate 5 are relatively moved in the direction of the arrow in FIG. Find a position where As a method of relatively moving the Si substrate 3 and the LD mounting substrate 5, for example, a precision fine moving stage on which the Si substrate 3 is mounted on a fine fine moving stage, the LD mounting substrate 5 is fixed, and the Si substrate 3 is mounted. Can be performed by moving. Then, at the position where the light output is maximum, S
The i-substrate 3 and the LD mounting substrate 5 are heated, and the resin applied to a portion to be a bonding surface between the Si substrate 3 and the LD mounting substrate 5 is cured, and the LD mounting substrate 5 is placed on the Si substrate 3.
Is fixed. Finally, when the electrodes 6 formed on the upper surface of the LD mounting substrate 5 and the leads of the package are electrically connected by gold wires, the optical module according to the first embodiment is completed.

【0026】このように、本実施の形態1による光モジ
ュールによれば、Si基板3上で光ファイバ2とLD1
との高さ方向の位置決めを独立に精度よく機械的に行う
パッシブアライメント方式により行って、LD実装で誤
差の大きくなりやすい横方向の位置決めをアクティブア
ライメント方式により行って、光ファイバ2とLD1と
の光軸調整がなされるので、従来のようにx,y,zの
3軸の光調整をアクティブアライメント方式に行うもの
に比べて、簡単に、かつ同等の高い光結合効率のものを
実現でき、このため高出力が要求される光モジュールを
実現する効果が得られる。また、本光モジュールでは、
光ファイバ2とLD1を取り付けたLD実装基板5とを
Si基板3上に固定されているため、従来のパッシブア
ライメント方式によるものと同等に小型化を実現できる
効果がある。さらには、本光モジュールでは、LD実装
基板5に取り付けたLD1がSi基板3に設けた溝7内
に空間を有した状態で収容されるため、図16に示す従
来のもののごときLD1の形状等が限定されず、種々の
ものを適用でき、かつ,このLD1にSi基板3の荷重
等が加わることもないので信頼性の高いものが得られる
効果がある。
As described above, according to the optical module of the first embodiment, the optical fiber 2 and the LD 1
The optical fiber 2 and the LD 1 are positioned by the passive alignment method in which the positioning in the height direction with respect to the optical fiber 2 and the LD 1 is performed by the active alignment method in which errors are likely to be large in the LD mounting. Since the optical axis adjustment is performed, it is possible to achieve a light coupling efficiency that is simpler and equal to that of the conventional method in which the three-axis light adjustment of x, y, and z is performed by the active alignment method. Therefore, an effect of realizing an optical module requiring high output can be obtained. Also, in this optical module,
Since the optical fiber 2 and the LD mounting substrate 5 to which the LD 1 is attached are fixed on the Si substrate 3, there is an effect that downsizing can be realized as in the conventional passive alignment method. Further, in the present optical module, since the LD 1 attached to the LD mounting board 5 is accommodated in the groove 7 provided in the Si substrate 3 with a space, the shape of the LD 1 like the conventional one shown in FIG. However, the present invention is not limited thereto, and various types can be applied, and since a load of the Si substrate 3 or the like is not applied to the LD 1, there is an effect that a highly reliable one can be obtained.

【0027】実施の形態2.実施の形態1では、Si基
板3に取り付けたLD実装基板5の上面から電極がとれ
るように、図2のごとく、LD実装基板5の上下面及び
側面にパターニングされたメタライズ電極6を形成した
ものにLD1をダイボンドしたが、実施の形態2による
光モジュールは、図8及び図9に示すように、光ファイ
バ2を保持するSi基板3の上面31において溝7を挟
んで両側に電極16を形成し、また、LD1をダイボン
ドするLD実装基板5にはダイボンドする表面51に電
極6を形成して、Si基板3上にLD実装基板5を取り
付けたときにSi基板3に形成した電極16が、LD実
装基板5に形成した電極6と接触するように重ね合わせ
たものである。これにより、Si基板3に形成した電極
16にプローバをあてるか、あるいはワイヤボンドして
LD1に給電することによりLD1を動作させることが
できる。なお、光モジュールの組立手順については、上
記実施の形態1のものと同じようにして組み立てられ
る。
Embodiment 2 FIG. In the first embodiment, the patterned metallized electrodes 6 are formed on the upper and lower surfaces and side surfaces of the LD mounting substrate 5 as shown in FIG. 2 so that the electrodes can be taken from the upper surface of the LD mounting substrate 5 attached to the Si substrate 3. The optical module according to the second embodiment has electrodes 16 formed on both sides of groove 7 on upper surface 31 of Si substrate 3 holding optical fiber 2 as shown in FIGS. 8 and 9. In addition, the electrode 6 is formed on the surface 51 to be die-bonded on the LD mounting substrate 5 on which the LD 1 is die-bonded, and the electrode 16 formed on the Si substrate 3 when the LD mounting substrate 5 is mounted on the Si substrate 3 is It is superposed so as to be in contact with the electrode 6 formed on the LD mounting substrate 5. Thus, the LD 1 can be operated by applying a prober to the electrode 16 formed on the Si substrate 3 or by wire bonding to supply power to the LD 1. The optical module is assembled in the same manner as in the first embodiment.

【0028】このように、本実施の形態2による光モジ
ュールによれば、上記実施の形態1のものと同じように
組み立てることができるので、3軸の光調整をアクティ
ブアライメント方式で行うものに比べて、簡単に、かつ
同等の高い光結合効率を有するものを実現でき、しか
も、LD実装基板5とSi基板3との双方に電極6,1
6を形成して両電極6,16を接触させてSi基板3上
に形成した電極16にLD1への配線を行うようにして
いるので、上記実施の形態1のものに比べて電極6,1
6を簡易に形成することができ、LD1への配線を容易
に行うことがでるという効果が得られる。
As described above, according to the optical module according to the second embodiment, it is possible to assemble the optical module in the same manner as in the first embodiment. In this way, a device having a simple and equivalent optical coupling efficiency can be realized, and the electrodes 6 and 1 are provided on both the LD mounting substrate 5 and the Si substrate 3.
6 is formed so that both electrodes 6 and 16 are brought into contact with each other, and wiring to the LD 1 is performed on the electrode 16 formed on the Si substrate 3.
6 can be easily formed, and an effect that wiring to the LD 1 can be easily performed can be obtained.

【0029】実施の形態3.実施の形態3による光モジ
ュールは、横方向の位置調整を行うのに、図10に示す
ように、Si基板3およびLD実装基板5に、それぞれ
段差部61,62を形成しておき、この段差部61,6
2同士を噛み合わせるようにしたものである。
Embodiment 3 In the optical module according to the third embodiment, steps 61 and 62 are formed on the Si substrate 3 and the LD mounting board 5, respectively, as shown in FIG. Parts 61, 6
The two are engaged with each other.

【0030】このように、実施の形態3による光モジュ
ールによれば、段差部61,62で噛み合わせた状態
で、Si基板3とLD実装基板5とを相対的に横方向に
動かしてアクティブアライメント方式にて光軸調整する
ことにより、LD1の角度や、LD1と光ファイバ2の
端部との距離を一定に保ったまま調整を行うことがで
き、このため、上記実施の形態1,2のものに比べて簡
単に高い光結合効率を有するものを実現できる効果が得
られる。
As described above, according to the optical module of the third embodiment, the active alignment is performed by moving the Si substrate 3 and the LD mounting substrate 5 relatively laterally in a state of being engaged with the steps 61 and 62. By adjusting the optical axis by the method, the adjustment can be performed while keeping the angle of the LD 1 and the distance between the LD 1 and the end of the optical fiber 2 constant. The effect of easily realizing a device having a high optical coupling efficiency as compared with the device is obtained.

【0031】実施の形態4.実施の形態4による光モジ
ュールは、横方向の位置調整を行うのに、図11に示す
ように、LD実装基板5に突部52を設け、この突部5
2に段差部53を形成しておき、この段差部53を光フ
ァイバ2のファイバ端面21に当接するようにしたもの
である。なお、段差部53が光ファイバ2の上部に当接
されるようにするとともにLD1からのレーザ光を遮ら
ないようにするため、突部52には一部を切り欠いた段
差面54が形成されている。
Embodiment 4 FIG. In the optical module according to the fourth embodiment, as shown in FIG. 11, a projection 52 is provided on an LD
2, a step 53 is formed, and the step 53 is brought into contact with the fiber end face 21 of the optical fiber 2. In order to make the step 53 come into contact with the upper part of the optical fiber 2 and not to block the laser beam from the LD 1, the protrusion 52 is formed with a step surface 54 that is partially cut away. ing.

【0032】このように、実施の形態4による光モジュ
ールによれば、段差部53を光ファイバ2のファイバ端
面21に当接させた状態で、Si基板3とLD実装基板
5とを相対的に横方向に動かしてアクティブアライメン
ト方式にて光軸調整することにより、LD1と光ファイ
バ2の端部との距離を一定に保ったまま調整を行うこと
ができ、このため、上記実施の形態1,2のものに比べ
て簡単に高い光結合効率を有するものを実現できる効果
が得られる。
As described above, according to the optical module according to the fourth embodiment, the Si substrate 3 and the LD mounting substrate 5 are relatively moved in a state where the step 53 is in contact with the fiber end face 21 of the optical fiber 2. By adjusting the optical axis by the active alignment method by moving in the lateral direction, the adjustment can be performed while keeping the distance between the LD 1 and the end of the optical fiber 2 constant. An effect is obtained that can easily realize a device having a high optical coupling efficiency as compared with the device of the second type.

【0033】実施の形態5.図12は、本発明の実施の
形態5による光モジュールを示す模式図であり、図13
は、その側面図である。実施の形態5による光モジュー
ルは、図12に示すように、光ファイバ2は、Si基板
3に保持され、LD1は、LD実装基板5に取り付けら
れており、光ファイバ2とLD1とを対向させて配置し
て光結合したものである。上記Si基板3は、一方の端
部から他方の端部まで貫かれV溝4が上面31に形成さ
れており、このV溝4内に光ファイバ2が保持される。
上記LD実装基板5は、その表面側において、LD1を
取付ける実装表面51と、この実装表面51に隣接する
位置を切り欠いて設けた切欠面55とを有する。また、
切欠面55には、光ファイバ2の上部が収容される逃げ
溝9が形成されている。逃げ溝9は、Si基板3に形成
したV溝4よりも幅を5μm程度広くしておき、横方向
(図12(b) の矢印の方向)に移動できるようにしてお
く。このLD実装基板5は、LD1が上記Si基板3の
外側に配置されるように切欠面55をSi基板3の上面
31に当接させた状態で、Si基板3とLD実装基板5
とを相対的にその横方向に移動させ、上記光ファイバ2
に結合される光出力が最大となる位置に調整された状態
でSi基板3上に取り付けられている。なお、LD1を
駆動するための電極は、実施の形態1又は実施の形態2
と同様の方法により形成されている。
Embodiment 5 FIG. FIG. 12 is a schematic diagram showing an optical module according to Embodiment 5 of the present invention.
Is a side view thereof. In the optical module according to the fifth embodiment, as shown in FIG. 12, the optical fiber 2 is held on the Si substrate 3 and the LD 1 is attached to the LD mounting substrate 5 so that the optical fiber 2 and the LD 1 face each other. And optically coupled. The Si substrate 3 penetrates from one end to the other end and has a V-groove 4 formed on the upper surface 31, and the optical fiber 2 is held in the V-groove 4.
The LD mounting board 5 has a mounting surface 51 on the front side on which the LD 1 is mounted, and a cutout surface 55 formed by cutting out a position adjacent to the mounting surface 51. Also,
The cutout surface 55 is formed with a clearance groove 9 in which the upper part of the optical fiber 2 is accommodated. The escape groove 9 is set to be wider than the V groove 4 formed in the Si substrate 3 by about 5 μm so as to be movable in the lateral direction (the direction of the arrow in FIG. 12B). The LD mounting board 5 is mounted on the Si substrate 3 and the LD mounting board 5 with the cutout surface 55 in contact with the upper surface 31 of the Si substrate 3 so that the LD 1 is disposed outside the Si substrate 3.
Are relatively moved in the lateral direction, and the optical fiber 2 is moved.
Is mounted on the Si substrate 3 in a state where it is adjusted to the position where the optical output coupled to the substrate becomes the maximum. Note that the electrodes for driving the LD 1 are the same as those in the first or second embodiment.
It is formed by the same method as described above.

【0034】次に、この実施の形態5による光モジュー
ルの組み立て方法を説明する。LD実装基板5には実装
表面51にLD1をジャンクションダウン組立し、ワイ
ヤボンドにより配線したものを用意する。Si基板3に
はV溝4を形成し、このV溝4の中に光ファイバ2を保
持し樹脂で固定する。つぎに、LD実装基板5は、図1
2(a) に示すように逆さまにしてその切欠面55をSi
基板3の上面31に当接させてSi基板3の上に載せ
る。このとき、Si基板3のV溝4に保持した光ファイ
バ2の上部がLD実装基板5の逃げ溝9内に収容され
る。また、Si基板3の端面32がLD実装基板5の切
欠側面56に当接された状態にされている。光ファイバ
2のコア23の高さは、V溝4の幅によって決まり、図
12,図13のように組み立てた状態でLD1の発光点
の高さと一致するように設定しておく。そして、LD1
に給電を行う電極にプローバなどでLD1を発光させ光
出力をモニタしながらLD実装基板5を図12の矢印で
示す横方向に移動させ、光出力が最大になる位置をさが
し、LD実装基板5をSi基板3上に固定すると、本実
施の形態5による光モジュールが完成する。
Next, a method of assembling the optical module according to the fifth embodiment will be described. The LD mounting board 5 is prepared by assembling the LD 1 junction-down on the mounting surface 51 and wiring it by wire bonding. A V-groove 4 is formed in the Si substrate 3, and the optical fiber 2 is held in the V-groove 4 and fixed with resin. Next, the LD mounting board 5 is
As shown in FIG. 2 (a), the cut face 55 is
The substrate is placed on the Si substrate 3 while being in contact with the upper surface 31 of the substrate 3. At this time, the upper part of the optical fiber 2 held in the V groove 4 of the Si substrate 3 is accommodated in the clearance groove 9 of the LD mounting substrate 5. The end surface 32 of the Si substrate 3 is in contact with the cutout side surface 56 of the LD mounting substrate 5. The height of the core 23 of the optical fiber 2 is determined by the width of the V-groove 4, and is set to match the height of the light emitting point of the LD 1 in the assembled state as shown in FIGS. And LD1
The LD mounting board 5 is moved in the horizontal direction indicated by the arrow in FIG. 12 while monitoring the light output by causing the LD 1 to emit light with a prober or the like to the electrode which supplies power to the electrode, and searching for the position where the light output becomes maximum. Is fixed on the Si substrate 3, the optical module according to the fifth embodiment is completed.

【0035】このように、本実施の形態5による光モジ
ュールによれば、Si基板3上で光ファイバ2とLD1
との高さ方向の位置決めを独立に精度よく機械的に行う
パッシブアライメント方式により行って、LD実装で誤
差の大きくなりやすい横方向の位置決めをアクティブア
ライメント方式により行って、光ファイバ2とLD1と
の光軸調整がなされ、しかもSi基板3の端面32とL
D実装基板5の切欠側面56とを当接しているので、従
来のようにx,y,zの3軸の光調整をアクティブアラ
イメント方式に行うものに比べて、簡単に、かつ同等の
高い光結合効率のものを実現でき、このため高出力が要
求される光モジュールを実現する効果が得られる。ま
た、本光モジュールでは、光ファイバ2とLD1を取り
付けたLD実装基板5とをSi基板3上に固定されてい
るため、従来のパッシブアライメント方式によるものと
同等に小型化を実現できる効果がある。さらには、本光
モジュールでは、LD実装基板5に取り付けたLD1が
Si基板3の外部に配置されるため、図16に示す従来
のもののごときLD1の形状等が限定されず、種々のも
のを適用でき、かつこのLD1にSi基板3の荷重等が
加わることもないので信頼性の高いものが得られる効果
がある。
As described above, according to the optical module of the fifth embodiment, the optical fiber 2 and the LD 1
The optical fiber 2 and the LD 1 are positioned by the passive alignment method in which the positioning in the height direction with respect to the optical fiber 2 and the LD 1 is performed by the active alignment method in which errors are likely to be large in the LD mounting. The optical axis is adjusted, and the end surface 32 of the Si substrate 3 and L
Since the cutout side surface 56 of the D-mount substrate 5 is in contact with the cutout side surface 56, it is easier and has the same high light intensity as compared with the conventional case where the x-, y-, and z-axis light adjustment is performed by the active alignment method. A coupling efficiency can be achieved, and an effect of realizing an optical module requiring high output can be obtained. Further, in this optical module, since the optical fiber 2 and the LD mounting substrate 5 on which the LD 1 is mounted are fixed on the Si substrate 3, there is an effect that downsizing can be realized as in the conventional passive alignment method. . Further, in the present optical module, since the LD 1 attached to the LD mounting substrate 5 is arranged outside the Si substrate 3, the shape and the like of the LD 1 like the conventional one shown in FIG. Since the load of the Si substrate 3 and the like are not applied to the LD 1, a highly reliable LD 1 can be obtained.

【0036】[0036]

【発明の効果】本発明の請求項1による光モジュールに
よれば、光ファイバと半導体レーザチップとを対向させ
て配置して光結合する光モジュールにおいて、上記光フ
ァイバは、ガイド基板に保持されており、上記半導体レ
ーザチップは、LD実装基板にジャンクションダウンで
取り付けられており、上記ガイド基板は、その上面にお
いて、上記光ファイバを内部に保持するガイド溝と、該
ガイド溝の終端部分とつながっており、かつ上記LD実
装基板に取り付けた半導体レーザチップを収容する凹溝
とを設けたものであり、上記LD実装基板は、その表面
に上記半導体レーザチップを取り付けており、該半導体
レーザチップが上記ガイド基板の凹溝内に空間を有して
収容されるように該LD実装基板表面をガイド基板の上
面に当接させた状態で、ガイド基板とLD実装基板とを
相対的にその面方向に移動させながら光ファイバに結合
される光出力が最大となる位置に位置決めされて、該ガ
イド基板上に取り付けられてなることを特徴とするもの
であり、このように、いわゆるパッシブアライメント方
式によりガイド基板上で光ファイバと半導体レーザチッ
プとの高さ方向の位置決めを機械的に精度よく行うこと
ができ、かつLD実装で誤差の大きくなりやすい面方向
の位置決めをアクティブアライメント方式により精度よ
く行うことができる。したがって、本光モジュールで
は、光ファイバと半導体レーザチップとの光軸調整を、
従来のようにx,y,zの3軸の光軸調整をアクティブ
アライメント方式で行うものより簡単かつ高精度に行え
るものが得られ、しかも従来のアクティブアライメント
方式によるものと同等の高い光結合を実現でき、高出力
が要求される光モジュールが得られる効果がある。ま
た、本光モジュールでは、光ファイバと半導体レーザチ
ップを取り付けたLD実装基板とをガイド基板上に固定
されているため、従来のパッシブアライメント方式によ
るものと同等に小型化を実現できる効果がある。さらに
は、本光モジュールでは、LD実装基板に取り付けた半
導体レーザチップがガイド基板に設けた凹溝内に空間を
有した状態で収容されるため、図16に示す従来のもの
のごとき半導体レーザチップの形状等が限定されず、種
々のものを適用でき、かつ該半導体レーザチップにガイ
ド基板の荷重等が加わることもないので信頼性の高いも
のが得られる効果がある。
According to the optical module according to the first aspect of the present invention, in an optical module in which an optical fiber and a semiconductor laser chip are arranged to face each other and optically coupled, the optical fiber is held by a guide substrate. The semiconductor laser chip is attached to the LD mounting board in a junction-down manner, and the guide board is connected on its upper surface to a guide groove for holding the optical fiber therein and an end portion of the guide groove. And a concave groove for accommodating the semiconductor laser chip mounted on the LD mounting board. The LD mounting board has the semiconductor laser chip mounted on the surface thereof, and the semiconductor laser chip is A state in which the surface of the LD mounting substrate is brought into contact with the upper surface of the guide substrate so as to be accommodated with a space in the concave groove of the guide substrate. The guide substrate and the LD mounting substrate are moved relative to each other in the plane direction, and are positioned at a position where the optical output coupled to the optical fiber is maximized, and mounted on the guide substrate. In this manner, the so-called passive alignment method can mechanically accurately position the optical fiber and the semiconductor laser chip on the guide substrate in the height direction, and the error is large in the LD mounting. Positioning in the direction of the surface that tends to be easily performed can be accurately performed by the active alignment method. Therefore, in this optical module, the optical axis adjustment between the optical fiber and the semiconductor laser chip is
An optical axis adjustment of the three axes x, y, and z can be performed more easily and with higher accuracy than the conventional active alignment method, and high optical coupling equivalent to that of the conventional active alignment method can be obtained. It is possible to realize an optical module that requires high output. Further, in the present optical module, since the optical fiber and the LD mounting substrate on which the semiconductor laser chip is mounted are fixed on the guide substrate, there is an effect that downsizing can be realized as in the conventional passive alignment method. Further, in the present optical module, the semiconductor laser chip mounted on the LD mounting substrate is accommodated in the concave groove provided in the guide substrate in a state having a space, so that a semiconductor laser chip such as the conventional semiconductor laser chip shown in FIG. The shape and the like are not limited, and various types can be applied, and since there is no load of the guide substrate or the like applied to the semiconductor laser chip, a highly reliable semiconductor laser chip can be obtained.

【0037】本発明の請求項2による光モジュールによ
れば、上記請求項1による光モジュールにおいて、上記
LD実装基板は、半導体レーザチップを取り付けた表面
からその反対側の裏面にまで連続して、半導体レーザチ
ップへの給電を行う電極が形成されてなることを特徴と
するものであり、これにより、上記効果に加えて、半導
体レーザチップへ給電を行うための配線を容易に行える
ものを実現できるという効果が得られる。
According to the optical module according to the second aspect of the present invention, in the optical module according to the first aspect, the LD mounting substrate is continuously formed from a surface on which the semiconductor laser chip is mounted to a rear surface on the opposite side. An electrode for supplying power to the semiconductor laser chip is formed, and thereby, in addition to the above-described effects, a device that can easily perform wiring for supplying power to the semiconductor laser chip can be realized. The effect is obtained.

【0038】本発明の請求項3による光モジュールによ
れば、上記請求項1による光モジュールにおいて、上記
LD実装基板は、半導体レーザチップを取り付けた表面
に半導体レーザチップへの給電を行う電極が形成されて
おり、上記ガイド基板は、その上面にLD実装基板に形
成した上記電極と接触する位置に電極が形成されてなる
ことを特徴とするものであり、これにより、上記効果に
加えて、半導体レーザチップへ給電を行うための配線を
容易に行えるものを実現できるという効果が得られる。
According to the optical module of the third aspect of the present invention, in the optical module of the first aspect, the LD mounting board is provided with an electrode for supplying power to the semiconductor laser chip on a surface on which the semiconductor laser chip is mounted. The guide substrate is characterized in that an electrode is formed on the upper surface of the guide substrate at a position in contact with the electrode formed on the LD mounting substrate. An effect is obtained that a device that can easily perform wiring for supplying power to the laser chip can be realized.

【0039】本発明の請求項4による光モジュールによ
れば、上記請求項1による光モジュールにおいて、上記
ガイド基板および上記LD実装基板には、両者を噛み合
わせる段差部がそれぞれ形成されてなることを特徴とす
るものであり、これにより、半導体レーザチップの角度
や、半導体レーザチップと光ファイバの端部との距離を
一定に保ったまま光軸調整を行うことができ、より簡単
に高い光結合効率を有するものを実現できるという効果
が得られる。
According to the optical module of the fourth aspect of the present invention, in the optical module of the first aspect, the guide substrate and the LD mounting substrate are formed with step portions for engaging both. This makes it possible to adjust the optical axis while keeping the angle of the semiconductor laser chip and the distance between the semiconductor laser chip and the end of the optical fiber constant. The effect that an object having efficiency can be realized is obtained.

【0040】本発明の請求項5による光モジュールによ
れば、上記請求項1による光モジュールにおいて、上記
LD実装基板は、ガイド基板のガイド溝内に保持した光
ファイバにおける先端部の上部と当接する段差部が形成
されてなることを特徴とするものであり、これにより、
半導体レーザチップと光ファイバの端部との距離を一定
に保ったまま調整を行うことができ、より簡単に高い光
結合効率を有するものを実現できるという効果が得られ
る。
According to the optical module according to the fifth aspect of the present invention, in the optical module according to the first aspect, the LD mounting board is in contact with an upper portion of the tip of the optical fiber held in the guide groove of the guide board. It is characterized in that a step portion is formed, and thereby,
The adjustment can be performed while keeping the distance between the semiconductor laser chip and the end of the optical fiber constant, and the effect of easily realizing a device having high optical coupling efficiency can be obtained.

【0041】本発明の請求項6による光モジュールによ
れば、光ファイバと半導体レーザチップとを対向させて
配置して光結合する光モジュールにおいて、上記光ファ
イバは、ガイド基板に保持されており、上記半導体レー
ザチップは、LD実装基板に取り付けられており、上記
ガイド基板は、一方の端部から他方の端部まで貫かれ、
その内部に上記光ファイバを保持するガイド溝が上面に
形成されており、上記LD実装基板は、その表面側にお
いて、半導体レーザチップを取付ける実装表面と、該実
装表面に隣接する位置を切り欠いて設けた切欠面とを有
しており、該半導体レーザチップが上記ガイド基板の外
側に配置されるように該切欠面をガイド基板の上面に当
接させた状態で、ガイド基板とLD実装基板とを相対的
にその面方向に移動させながら光ファイバに結合される
光出力が最大となる位置に位置決めされて、該ガイド基
板上に取り付けられてなることを特徴とするものであ
り、このように、いわゆるパッシブアライメント方式に
よりガイド基板上で光ファイバと半導体レーザチップと
の高さ方向の位置決めを機械的に精度よく行うことがで
き、かつLD実装で誤差の大きくなりやすい面方向の位
置決めをアクティブアライメント方式により精度よく行
うことができる。したがって、本光モジュールでは、光
ファイバと半導体レーザチップとの光軸調整を、従来の
ようにx,y,zの3軸の光軸調整をアクティブアライ
メント方式で行うものより簡単かつ高精度に行えるもの
が得られ、しかも従来のアクティブアライメント方式に
よるものと同等の高い光結合を実現でき、高出力が要求
される光モジュールが得られる効果がある。また、本光
モジュールでは、光ファイバと半導体レーザチップを取
り付けたLD実装基板とをガイド基板上に固定されてい
るため、従来のパッシブアライメント方式によるものと
同等に小型化を実現できる効果がある。さらには、本光
モジュールでは、LD実装基板に取り付けた半導体レー
ザチップがガイド基板の外部に配置されるため、図16
に示す従来のもののごとき半導体レーザチップの形状等
が限定されず、種々のものを適用でき、かつ該半導体レ
ーザチップにガイド基板の荷重等が加わることもないの
で信頼性の高いものが得られる効果がある。
According to the optical module according to the sixth aspect of the present invention, in the optical module in which the optical fiber and the semiconductor laser chip are arranged to face each other and optically coupled, the optical fiber is held by the guide substrate, The semiconductor laser chip is mounted on an LD mounting substrate, and the guide substrate is penetrated from one end to the other end,
A guide groove for holding the optical fiber is formed in the upper surface thereof, and the LD mounting board is formed by cutting out a mounting surface on which a semiconductor laser chip is mounted and a position adjacent to the mounting surface on the surface side. A notch surface provided, and the guide substrate and the LD mounting substrate are arranged in a state where the notch surface is in contact with the upper surface of the guide substrate so that the semiconductor laser chip is disposed outside the guide substrate. Is relatively positioned in the plane direction while being positioned at a position where the optical output coupled to the optical fiber is maximized, and is mounted on the guide substrate. With the so-called passive alignment method, the optical fiber and the semiconductor laser chip can be mechanically and precisely positioned on the guide substrate in the height direction. Greatly prone surface direction positioning of the difference can be accurately performed by the active alignment method. Therefore, in the present optical module, the optical axis adjustment between the optical fiber and the semiconductor laser chip can be performed more easily and more accurately than the conventional optical axis adjustment of three axes of x, y, and z by the active alignment method. The optical module can be obtained, and high optical coupling equivalent to that of the conventional active alignment method can be realized, and an optical module requiring high output can be obtained. Further, in the present optical module, since the optical fiber and the LD mounting substrate on which the semiconductor laser chip is mounted are fixed on the guide substrate, there is an effect that downsizing can be realized as in the conventional passive alignment method. Further, in the present optical module, since the semiconductor laser chip mounted on the LD mounting substrate is arranged outside the guide substrate, FIG.
The shape and the like of a semiconductor laser chip such as the conventional one shown in FIG. 1 are not limited, and various types can be applied, and the semiconductor laser chip does not receive the load of the guide substrate and the like, so that a highly reliable one can be obtained. There is.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 この発明の実施の形態1による光モジュール
を示す模式図である。
FIG. 1 is a schematic diagram showing an optical module according to Embodiment 1 of the present invention.

【図2】 この発明の実施の形態1による光モジュール
を示す断面模式図である。
FIG. 2 is a schematic sectional view showing an optical module according to Embodiment 1 of the present invention.

【図3】 この発明の実施の形態1による光モジュール
のLD実装部分を示す断面模式図である。
FIG. 3 is a schematic sectional view showing an LD mounting portion of the optical module according to the first embodiment of the present invention.

【図4】 この発明の実施の形態1による光モジュール
の構成要素であるLD実装基板を示す模式図である。
FIG. 4 is a schematic diagram showing an LD mounting board which is a component of the optical module according to the first embodiment of the present invention.

【図5】 この発明の実施の形態1による光モジュール
の構成要素である光ファイバの先端部分を示す模式図で
ある。
FIG. 5 is a schematic diagram showing a distal end portion of an optical fiber which is a component of the optical module according to the first embodiment of the present invention.

【図6】 この発明の実施の形態1による光モジュール
の構成要素であるLDの構造を示す断面模式図である。
FIG. 6 is a schematic sectional view showing a structure of an LD which is a component of the optical module according to the first embodiment of the present invention.

【図7】 この発明の実施の形態1による光モジュール
の組み立て方を説明する模式図である。
FIG. 7 is a schematic diagram for explaining how to assemble the optical module according to Embodiment 1 of the present invention.

【図8】 この発明の実施の形態2による光モジュール
を示す模式図である。
FIG. 8 is a schematic diagram showing an optical module according to Embodiment 2 of the present invention.

【図9】 この発明の実施の形態2による光モジュール
の構成要素であるLD実装基板を示す模式図である。
FIG. 9 is a schematic diagram showing an LD mounting board which is a component of the optical module according to Embodiment 2 of the present invention.

【図10】 この発明の実施の形態3による光モジュー
ルを示す模式図である。
FIG. 10 is a schematic diagram showing an optical module according to Embodiment 3 of the present invention.

【図11】 この発明の実施の形態4による光モジュー
ルを示す断面模式図である。
FIG. 11 is a schematic sectional view showing an optical module according to Embodiment 4 of the present invention.

【図12】 この発明の実施の形態5による光モジュー
ルを示す模式図である。
FIG. 12 is a schematic diagram showing an optical module according to Embodiment 5 of the present invention.

【図13】 この発明の実施の形態5による光モジュー
ルを示す側面模式図である。
FIG. 13 is a schematic side view showing an optical module according to Embodiment 5 of the present invention.

【図14】 従来のアクティブアライメント方式による
光モジュールを示す断面図である。
FIG. 14 is a sectional view showing an optical module according to a conventional active alignment method.

【図15】 従来のパッシブアライメント方式による光
モジュールを示す斜視図である。
FIG. 15 is a perspective view showing an optical module according to a conventional passive alignment method.

【図16】 従来の他の光モジュールを示す斜視図であ
る。
FIG. 16 is a perspective view showing another conventional optical module.

【図17】 図16に示す従来の光モジュールの構成要
素である端面型半導体発光素子アレイを示す斜視図であ
る。
FIG. 17 is a perspective view showing an end-face type semiconductor light emitting element array which is a component of the conventional optical module shown in FIG.

【図18】 図16に示す従来の光モジュールの構成要
素である端面型半導体発光素子アレイの発光素子部の構
造を示す断面図である。
FIG. 18 is a cross-sectional view showing a structure of a light emitting element portion of an end face type semiconductor light emitting element array which is a component of the conventional optical module shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体レーザチップ(LD)、1a 発光点、2
光ファイバ、3 Si基板、4 V溝、5 LD実装基
板、6 メタライズ電極、7 溝、8 金ワイヤ、9
逃げ溝、11 出射端面、12 LDの裏面、13 L
Dの表面、14 ハンダ、16 メタライズ電極、21
ファイバ端面、22 クラッド、23 コア、31
Si基板の表面、32 Si基板の端面、51 LD実
装基板の表面、52 LD実装基板の突部、53 LD
実装基板の段差部、54 LD実装基板の段差面、55
LD実装基板の切欠面、56 LD実装基板の切欠側
面、61 Si基板側の段差部、62 LD実装基板側
の段差部。
1 semiconductor laser chip (LD), 1a emission point, 2
Optical fiber, 3 Si substrate, 4 V groove, 5 LD mounting substrate, 6 metallized electrode, 7 groove, 8 gold wire, 9
Escape groove, 11 emission end face, 12 LD back face, 13 L
D surface, 14 solder, 16 metallized electrode, 21
Fiber end face, 22 clad, 23 core, 31
Surface of Si substrate, 32 Si substrate end surface, 51 LD mounting substrate surface, 52 LD mounting substrate projection, 53 LD
Step portion of mounting substrate, 54 Step surface of LD mounting substrate, 55
Notched surface of LD mounting substrate, 56 Notched side surface of LD mounting substrate, 61 Step portion on Si substrate side, 62 Step portion on LD mounting substrate side.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 光ファイバと半導体レーザチップとを対
向させて配置して光結合する光モジュールにおいて、 上記光ファイバは、ガイド基板に保持されており、 上記半導体レーザチップは、LD実装基板にジャンクシ
ョンダウンで取り付けられており、 上記ガイド基板は、その上面において、上記光ファイバ
を内部に保持するガイド溝と、該ガイド溝の終端部分と
つながっており、かつ上記LD実装基板に取り付けた半
導体レーザチップを収容する凹溝とを設けたものであ
り、 上記LD実装基板は、その表面に上記半導体レーザチッ
プを取り付けており、該半導体レーザチップが上記ガイ
ド基板の凹溝内に空間を有して収容されるように該LD
実装基板表面をガイド基板の上面に当接させた状態で、
ガイド基板とLD実装基板とを相対的にその面方向に移
動させながら光ファイバに結合される光出力が最大とな
る位置に位置決めされて、該ガイド基板上に取り付けら
れてなることを特徴とする光モジュール。
An optical module in which an optical fiber and a semiconductor laser chip are arranged to face each other and optically coupled to each other, wherein the optical fiber is held by a guide substrate, and the semiconductor laser chip is connected to an LD mounting substrate by a junction. The guide substrate has a guide groove for holding the optical fiber therein and an end portion of the guide groove, and the semiconductor laser chip mounted on the LD mounting substrate. The LD mounting board has the semiconductor laser chip mounted on the surface thereof, and the semiconductor laser chip is housed with a space in the groove of the guide substrate. The LD
With the mounting board surface in contact with the upper surface of the guide board,
The guide substrate and the LD mounting substrate are moved relative to each other in the plane direction while being positioned at a position where the optical output coupled to the optical fiber is maximized, and mounted on the guide substrate. Optical module.
【請求項2】 請求項1に記載の光モジュールにおい
て、 上記LD実装基板は、半導体レーザチップを取り付けた
表面からその反対側の裏面にまで連続して、半導体レー
ザチップへの給電を行う電極が形成されてなることを特
徴とする光モジュール。
2. The optical module according to claim 1, wherein the LD mounting substrate has an electrode for supplying power to the semiconductor laser chip continuously from a surface on which the semiconductor laser chip is mounted to a rear surface on the opposite side. An optical module characterized by being formed.
【請求項3】 請求項1に記載の光モジュールにおい
て、 上記LD実装基板は、半導体レーザチップを取り付けた
表面に半導体レーザチップへの給電を行う電極が形成さ
れており、 上記ガイド基板は、その上面にLD実装基板に形成した
上記電極と接触する位置に電極が形成されてなることを
特徴とする光モジュール。
3. The optical module according to claim 1, wherein the LD mounting substrate has an electrode for supplying power to the semiconductor laser chip on a surface on which the semiconductor laser chip is mounted, and the guide substrate has An optical module, wherein an electrode is formed at a position in contact with the electrode formed on the LD mounting board on the upper surface.
【請求項4】 請求項1に記載の光モジュールにおい
て、 上記ガイド基板および上記LD実装基板には、両者を噛
み合わせる段差部がそれぞれ形成されてなることを特徴
とする光モジュール。
4. The optical module according to claim 1, wherein the guide substrate and the LD mounting substrate are each formed with a step portion that engages the two.
【請求項5】 請求項1に記載の光モジュールにおい
て、 上記LD実装基板は、ガイド基板のガイド溝内に保持し
た光ファイバにおける先端部の上部と当接する段差部が
形成されてなることを特徴とする光モジュール。
5. The optical module according to claim 1, wherein the LD mounting board is formed with a stepped portion that comes into contact with an upper portion of a tip end of the optical fiber held in the guide groove of the guide board. Optical module.
【請求項6】 光ファイバと半導体レーザチップとを対
向させて配置して光結合する光モジュールにおいて、 上記光ファイバは、ガイド基板に保持されており、 上記半導体レーザチップは、LD実装基板に取り付けら
れており、 上記ガイド基板は、一方の端部から他方の端部まで貫か
れ、その内部に上記光ファイバを保持するガイド溝が上
面に形成されており、 上記LD実装基板は、その表面側において、半導体レー
ザチップを取付ける実装表面と、該実装表面に隣接する
位置を切り欠いて設けた切欠面とを有しており、該半導
体レーザチップが上記ガイド基板の外側に配置されるよ
うに該切欠面をガイド基板の上面に当接させた状態で、
ガイド基板とLD実装基板とを相対的にその面方向に移
動させながら光ファイバに結合される光出力が最大とな
る位置に位置決めされて、該ガイド基板上に取り付けら
れてなることを特徴とする光モジュール。
6. An optical module in which an optical fiber and a semiconductor laser chip are arranged to face each other and optically coupled to each other, wherein the optical fiber is held on a guide substrate, and the semiconductor laser chip is mounted on an LD mounting substrate. The guide board is penetrated from one end to the other end, and a guide groove for holding the optical fiber is formed on the upper surface thereof, and the LD mounting board is formed on a front side thereof. Has a mounting surface on which the semiconductor laser chip is mounted, and a cutout surface provided by cutting out a position adjacent to the mounting surface, and the semiconductor laser chip is disposed outside the guide substrate. With the notched surface in contact with the upper surface of the guide substrate,
The guide substrate and the LD mounting substrate are moved relative to each other in the plane direction while being positioned at a position where the optical output coupled to the optical fiber is maximized, and mounted on the guide substrate. Optical module.
JP12395897A 1997-05-14 1997-05-14 Optical module Pending JPH10311936A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12395897A JPH10311936A (en) 1997-05-14 1997-05-14 Optical module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12395897A JPH10311936A (en) 1997-05-14 1997-05-14 Optical module

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10311936A true JPH10311936A (en) 1998-11-24

Family

ID=14873561

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12395897A Pending JPH10311936A (en) 1997-05-14 1997-05-14 Optical module

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH10311936A (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6894269B2 (en) 2001-04-30 2005-05-17 Optun (Bvi) Ltd. Configuration for detecting optical signals in at least one optical channel in a planar light circuit, attenuator including the configuration, and method for manufacturing the configuration
KR100619214B1 (en) 2003-10-17 2006-09-01 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 Substrate for mounting optical device and manufacturing method thereof
US7255491B2 (en) 2003-08-01 2007-08-14 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical module
JP2010250957A (en) * 2009-04-10 2010-11-04 Sumitomo Electric Ind Ltd Connector, electrically bonding structure, and method for bonding between connector and printed circuit board
US9995889B2 (en) 2014-03-24 2018-06-12 Citizen Watch Co., Ltd. Mounting component for optical fiber, optical module, and optical module manufacturing method

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6894269B2 (en) 2001-04-30 2005-05-17 Optun (Bvi) Ltd. Configuration for detecting optical signals in at least one optical channel in a planar light circuit, attenuator including the configuration, and method for manufacturing the configuration
US7255491B2 (en) 2003-08-01 2007-08-14 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical module
KR100619214B1 (en) 2003-10-17 2006-09-01 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 Substrate for mounting optical device and manufacturing method thereof
JP2010250957A (en) * 2009-04-10 2010-11-04 Sumitomo Electric Ind Ltd Connector, electrically bonding structure, and method for bonding between connector and printed circuit board
US9995889B2 (en) 2014-03-24 2018-06-12 Citizen Watch Co., Ltd. Mounting component for optical fiber, optical module, and optical module manufacturing method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5742720A (en) Optical coupling module and method for producing the same
US5434939A (en) Optical fiber module with surface emitting laser
JP3147313B2 (en) Method and apparatus for passively conditioning diode lasers and optical fibers
US5574811A (en) Method and apparatus for providing optical coupling between optical components
JP2000121889A (en) Optical module and manufacture of optical module
US6270263B1 (en) Optical module
JP2001503153A (en) Parallel optical connection device
JPH06308344A (en) Interface for connecting optical fiber to electronic circuit
JP3166564B2 (en) Semiconductor laser package and method of manufacturing the same
JPH1082930A (en) Optical module and its production
JP2000206376A (en) Light receiving/emitting element module, and manufacture thereof
JP3040721B2 (en) Optical coupling module
JPH07146424A (en) Optoelectronic submodule and its manufacture
JPH09218325A (en) Semiconductor laser module
US7427524B2 (en) Optoelectronic device packaging assemblies and methods of making the same
US6381386B1 (en) V-shaped optical coupling structure
US20100074573A1 (en) Optical module, optical transmission device, and surface optical device
JP3042453B2 (en) Light receiving module
JPH1039162A (en) Optical semiconductor device, semiconductor photodetector, and formation of optical fiber
JPH10311936A (en) Optical module
JP2721047B2 (en) Submount for semiconductor device and semiconductor optical device module
US20190011650A1 (en) Optical coupling member and optical module
US20180100978A1 (en) Multi-channel optical subassembly structure and method of packaging the structure
JP3348122B2 (en) Optical transmission module and manufacturing method thereof
JPH0339706A (en) Optical module