JPS63224131A - 液体金属イオン源 - Google Patents
液体金属イオン源Info
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- JPS63224131A JPS63224131A JP5736487A JP5736487A JPS63224131A JP S63224131 A JPS63224131 A JP S63224131A JP 5736487 A JP5736487 A JP 5736487A JP 5736487 A JP5736487 A JP 5736487A JP S63224131 A JPS63224131 A JP S63224131A
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- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 title claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 5
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 12
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 11
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 11
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 abstract description 5
- 239000012768 molten material Substances 0.000 abstract description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 3
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 abstract description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 abstract description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 14
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005300 metallic glass Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、液体金属−rオン源の改良に間し、特に、反
応性が強く比較的融点の高い*Xを低消費電流で溶融す
ることのできろ加熱手段を備えた液体金属イオン源に係
るものである。
応性が強く比較的融点の高い*Xを低消費電流で溶融す
ることのできろ加熱手段を備えた液体金属イオン源に係
るものである。
(従来の技#7)
本願の出願人が先に特願昭61−146337号「金属
イオン源」 (昭和61年6月23日出願)の明細書で
開示した液体金属イオン源(以下、これを従来装置とし
て説明する)の断面図を第4図に示す。先ずこの従来装
置の内容について詳説する。
イオン源」 (昭和61年6月23日出願)の明細書で
開示した液体金属イオン源(以下、これを従来装置とし
て説明する)の断面図を第4図に示す。先ずこの従来装
置の内容について詳説する。
1はセラミック製碍子、ry 、 ’21は液体金属イ
オン源固定用ステムて、例えば、コバールて作ら° れ
適当な間隔て碍子1に銀ロウ、金属ガラスなどで溶着さ
れている。3.3′はヒーターでタングステン、タンタ
ル、モリブデン等の高融点金属細線で作成し、各々の端
部−はステム2,2゛に゛スポット溶接されている。同
じく高融点金属製の4はリザーバ支持板兼ヒーターであ
りリザーバ6に巻き付けて端部を前記のヒーター3,3
′にスポット溶接されている。
オン源固定用ステムて、例えば、コバールて作ら° れ
適当な間隔て碍子1に銀ロウ、金属ガラスなどで溶着さ
れている。3.3′はヒーターでタングステン、タンタ
ル、モリブデン等の高融点金属細線で作成し、各々の端
部−はステム2,2゛に゛スポット溶接されている。同
じく高融点金属製の4はリザーバ支持板兼ヒーターであ
りリザーバ6に巻き付けて端部を前記のヒーター3,3
′にスポット溶接されている。
リザーバδは、溶融物質と反応し・にくいセラミックス
等で作成してあり、リザーバ5の底部には細孔6、上部
には細孔7がおいており両線孔6゜7を、先端の頂角を
306〜606、先端の半径を1〜10μmに機械研暦
し・た針状陽極8が貫通し・ている。 針状陽極8の
、上部の細孔7から上方に突き出た部分は陽極固定部材
9の一端に固定され、陽極固定部材9の池端は碍子l;
こ固定されている。
等で作成してあり、リザーバ5の底部には細孔6、上部
には細孔7がおいており両線孔6゜7を、先端の頂角を
306〜606、先端の半径を1〜10μmに機械研暦
し・た針状陽極8が貫通し・ている。 針状陽極8の
、上部の細孔7から上方に突き出た部分は陽極固定部材
9の一端に固定され、陽極固定部材9の池端は碍子l;
こ固定されている。
また、リザーバ5には、リング状の熱放射盤(ひれ)1
3が付設されている。熱放射g13の周端部はやや薄く
してあり、熱放射によってその部分て特許こ温度が降下
するように考慮されている。
3が付設されている。熱放射g13の周端部はやや薄く
してあり、熱放射によってその部分て特許こ温度が降下
するように考慮されている。
以上の構成にて、ステム2,2′には、加速電源(図示
せず)の電圧上にフロートした加熱電源(図示せず)が
接続されてヒーター3.3゛とリザーバ支持板兼ヒータ
ー4を加熱し、リザーバ5に入れられたイオン化すべき
物質10を溶融している。陰極(イオン引出し電極)1
1はイオン引出し電源(図示せず)に接続されていて、
針状陽極8とイオン引出し電F[4110間には、5〜
15kVの電圧が印加され、これによって針状陽極8の
先端部に、イオンが電界放出可能なまでの高電界が形成
されるようになっている。
せず)の電圧上にフロートした加熱電源(図示せず)が
接続されてヒーター3.3゛とリザーバ支持板兼ヒータ
ー4を加熱し、リザーバ5に入れられたイオン化すべき
物質10を溶融している。陰極(イオン引出し電極)1
1はイオン引出し電源(図示せず)に接続されていて、
針状陽極8とイオン引出し電F[4110間には、5〜
15kVの電圧が印加され、これによって針状陽極8の
先端部に、イオンが電界放出可能なまでの高電界が形成
されるようになっている。
なお、これらとアース電位との間には使用目的に応じて
′!11kV〜200 k V程度のイオン加速電圧が
印加されろ。
′!11kV〜200 k V程度のイオン加速電圧が
印加されろ。
(発明が解決すべき問題点)
上述し・た第4図の従来装置の構造にはいくつかの欠点
がある。
がある。
先ず、輻射によって大量の量が外部に放出されろ欠点か
ある。第2図のaに、第4図の装置のヒーター電流と針
状陽極先端部の温度の関係のグラフを示したが、700
℃〜750℃の温度に達するのにも約15Aという大電
流が必要となっている。従って、使用するリード線等の
線材を太゛<シ・、電源を大容量にせねばならないとい
う問題を抱えている。(第4図の従来装置ではヒーター
部4を円筒状にし、断面積を比較的大きく、電気抵抗を
小さくして、大きい加熱電流を流すようにしている。
) 先述の特許出願の明細書には、ヒーター部4を包囲する
大型の筒31(第4図に点線で示す)についても記載が
あり、以下に述べろ本願の発明とまぎられしいが、リザ
ーバ5と大型の筒とが一体となっているため、このリザ
ーバは加工が難しく、且つヒーター部4を設けるのに困
難を伴う欠点がある。さらに、この大型のFir31は
その上部が開放されていて上方への熱放射が多く、10
00℃以上の融点を持つ物質(例えば、Bの合金)を溶
融するには矢張り適しない。
ある。第2図のaに、第4図の装置のヒーター電流と針
状陽極先端部の温度の関係のグラフを示したが、700
℃〜750℃の温度に達するのにも約15Aという大電
流が必要となっている。従って、使用するリード線等の
線材を太゛<シ・、電源を大容量にせねばならないとい
う問題を抱えている。(第4図の従来装置ではヒーター
部4を円筒状にし、断面積を比較的大きく、電気抵抗を
小さくして、大きい加熱電流を流すようにしている。
) 先述の特許出願の明細書には、ヒーター部4を包囲する
大型の筒31(第4図に点線で示す)についても記載が
あり、以下に述べろ本願の発明とまぎられしいが、リザ
ーバ5と大型の筒とが一体となっているため、このリザ
ーバは加工が難しく、且つヒーター部4を設けるのに困
難を伴う欠点がある。さらに、この大型のFir31は
その上部が開放されていて上方への熱放射が多く、10
00℃以上の融点を持つ物質(例えば、Bの合金)を溶
融するには矢張り適しない。
(発明の目的)
本発明は、上記の問題を解決し、反応性が強く、外部へ
の熱放出が少なく、比較的数点の高いイオン化物質を低
消費電流でイオン化し、長寿命で安定なイオンビームを
発生することが出来る、液体金属イオン源の提供を目的
とする。
の熱放出が少なく、比較的数点の高いイオン化物質を低
消費電流でイオン化し、長寿命で安定なイオンビームを
発生することが出来る、液体金属イオン源の提供を目的
とする。
(問題を解決するための手段)
本発明は、イオン化すべき金属をrFRするリザーバ部
と、該リザーバ部からia触物質が供給される針状先端
部を有する針状陽極と、該針状先端部に強電界を形成す
るための手段と、該リザーバ部もしくは該針状陽極に熱
的に接続された、ヒーター部とを備え。
と、該リザーバ部からia触物質が供給される針状先端
部を有する針状陽極と、該針状先端部に強電界を形成す
るための手段と、該リザーバ部もしくは該針状陽極に熱
的に接続された、ヒーター部とを備え。
該ヒーター部の少なくとも一部が、該リザーバ部もしく
は該針状陽極の一部と、熱反射筒とでその四囲を囲まれ
て囲いの中にある構成の液体金属イオン源によって前記
目的を達成したものである。
は該針状陽極の一部と、熱反射筒とでその四囲を囲まれ
て囲いの中にある構成の液体金属イオン源によって前記
目的を達成したものである。
(実施例)
第1図は、本発明の実施例であって、各部材の名称、符
号は第4図に対応する。
号は第4図に対応する。
この実施例では、先に円筒状であったリザーバ支持板兼
ヒーター4がヒーター3と一体化しコイル状になってい
る。コイル状にすることにより電気抵抗を大にし加熱電
流を小さくし、ヒーターからの熱の放射を増大させたも
のである。このヒーターには融点が比較的高い直径0.
3mmのタングステン線材を用いているが、他の高融点
金属細線も使用可能である。
ヒーター4がヒーター3と一体化しコイル状になってい
る。コイル状にすることにより電気抵抗を大にし加熱電
流を小さくし、ヒーターからの熱の放射を増大させたも
のである。このヒーターには融点が比較的高い直径0.
3mmのタングステン線材を用いているが、他の高融点
金属細線も使用可能である。
この実施例では更に、円筒状の熱反射筒14を、リザー
バの熱放射!13の上部に設置することによりリザーバ
5とともにヒーター3のコイル部の四囲を覆いこれを囲
んで殆んど密閉している。
バの熱放射!13の上部に設置することによりリザーバ
5とともにヒーター3のコイル部の四囲を覆いこれを囲
んで殆んど密閉している。
−熱反射筒14の内側表面は、研磨、蒸着、もしくはメ
ッキの方法で鏡面に加工されており、ヒーター3から出
た放射熱がここで反射されて、リザーバ5が効率よく加
熱されるように2慮されている。
ッキの方法で鏡面に加工されており、ヒーター3から出
た放射熱がここで反射されて、リザーバ5が効率よく加
熱されるように2慮されている。
従って、リザーバ5の加熱効率は上昇し、僅かの電流で
高い温度が得られろ。
高い温度が得られろ。
この熱反射筒14の外側表面には、溶融物質lOと濡れ
難く反応もしにくい物質(例えば、セラミックス)を、
スパッタ法、CVD法、電解析出法等で被覆しである。
難く反応もしにくい物質(例えば、セラミックス)を、
スパッタ法、CVD法、電解析出法等で被覆しである。
従って、もしヒーター部の温度を上げ過ぎて、溶融物質
10がリザーバ5の表面を広がって進み熱放射9:il
3の上部に進んで来るようなことがあっても低温の熱
反射筒14の外壁で凝固して塊り30となり以後の拡散
;よ阻止される。溶融物質10が反応性の強い物質(例
えば、Am)であると、濡れが進み、ヒーター部を濡ら
してこれと反応を起こし、ヒーターを断線させてイオン
ビームがストップするというような心配は無くなる。。
10がリザーバ5の表面を広がって進み熱放射9:il
3の上部に進んで来るようなことがあっても低温の熱
反射筒14の外壁で凝固して塊り30となり以後の拡散
;よ阻止される。溶融物質10が反応性の強い物質(例
えば、Am)であると、濡れが進み、ヒーター部を濡ら
してこれと反応を起こし、ヒーターを断線させてイオン
ビームがストップするというような心配は無くなる。。
更に入念には、ヒーター3のうちの熱反射til14の
上部から外側に出た部分の表面にも、スパッタ法、CV
D法、電解析出法等でセラミックスで被覆しておくこと
によって、リザーバ5上部から洩れる蒸発物質とヒータ
ー先3の反応を阻止する。
上部から外側に出た部分の表面にも、スパッタ法、CV
D法、電解析出法等でセラミックスで被覆しておくこと
によって、リザーバ5上部から洩れる蒸発物質とヒータ
ー先3の反応を阻止する。
第3図には、この第1図の実施例の、ヒーター電流に対
する針状先端部の温度のグラフbを、前記の従来のグラ
フaに併記して示した。このように、本発明の液体金属
イオン源は従来と比較して加熱効率が格段に(2倍以上
)よくなる。このグラフbは、この実施例の場合もヒー
ター電流を制御して温度制御を行なうことも容易である
ことを示している。
する針状先端部の温度のグラフbを、前記の従来のグラ
フaに併記して示した。このように、本発明の液体金属
イオン源は従来と比較して加熱効率が格段に(2倍以上
)よくなる。このグラフbは、この実施例の場合もヒー
ター電流を制御して温度制御を行なうことも容易である
ことを示している。
第2図は、本発明の別の実施例の液体金属イオン源の断
面図であって各部の符号は第4図に対応する。但し、先
端が前述同様針状に成形された針状陽極8の先端部分に
、小円m吠の突起が設けられ、この部分が溶融物質のリ
ザーバ部22(先のリザーバ5に対応)となっている。
面図であって各部の符号は第4図に対応する。但し、先
端が前述同様針状に成形された針状陽極8の先端部分に
、小円m吠の突起が設けられ、この部分が溶融物質のリ
ザーバ部22(先のリザーバ5に対応)となっている。
針状陽極8の中間部には大円盤状の熱放射盤(ひれ)1
3があり、その上に高融点金属細線よりなるヒーター3
を巻き、このヒーターに加熱電流が供給されている。ヒ
ーター3の加熱によって、針状陽極8を直接加熱し、小
円盤状のリザーバ部22に蓄えられた物質lOを溶融し
、溶融物質10は針状先端部に供給されて、陰極11に
負の電圧が印加されることでイオンビームが得られるも
のである。
3があり、その上に高融点金属細線よりなるヒーター3
を巻き、このヒーターに加熱電流が供給されている。ヒ
ーター3の加熱によって、針状陽極8を直接加熱し、小
円盤状のリザーバ部22に蓄えられた物質lOを溶融し
、溶融物質10は針状先端部に供給されて、陰極11に
負の電圧が印加されることでイオンビームが得られるも
のである。
上記のようにした針状陽極の大円盤状の熱放射al13
の上部には、ヒーター3の四囲を覆い殆んどこれを密閉
するようにして前述開襟の熱反射筒14が設置され、ヒ
ーター3の熱反射筒14から外に出た部分は、スパッタ
法、CVD法、電解析出法等で表面をセラミックスで被
覆し・である、。
の上部には、ヒーター3の四囲を覆い殆んどこれを密閉
するようにして前述開襟の熱反射筒14が設置され、ヒ
ーター3の熱反射筒14から外に出た部分は、スパッタ
法、CVD法、電解析出法等で表面をセラミックスで被
覆し・である、。
この実施例の装置では、直接的に針状陽極8が加熱され
るため一層加熱効率が上がる。針状陽極8は溶融物質と
の濡れのよい材料を使用し・ているため、熱放射#Jl
13の周縁部で塊り30を作らず。
るため一層加熱効率が上がる。針状陽極8は溶融物質と
の濡れのよい材料を使用し・ているため、熱放射#Jl
13の周縁部で塊り30を作らず。
上部にまで溶融物質が広がって上がるおそれがあるが、
その場合にも溶融物質は熱反射筒14で阻止され、iW
融物質とヒーターの反応による断線等の事故は起こり得
ない。更に入念には、ヒーター部をセラミックスで被覆
して、溶融物質の蒸発によるヒーター線との反応を防止
する。かくして、この実施例の装置も長時間、一定の加
熱電流で安定に加熱することが可能である。
その場合にも溶融物質は熱反射筒14で阻止され、iW
融物質とヒーターの反応による断線等の事故は起こり得
ない。更に入念には、ヒーター部をセラミックスで被覆
して、溶融物質の蒸発によるヒーター線との反応を防止
する。かくして、この実施例の装置も長時間、一定の加
熱電流で安定に加熱することが可能である。
(発明の効果)
、本発明の液体金属イオン源は、ヒーターの加熱効率が
上がるため、低消費電流で比較的融点の高いそして反応
性の強い物質を溶融でき、且つヒーター5の溶融物質の
拡散も防止できて長寿命で安定なイオンビームを発生す
ることが出来る。
上がるため、低消費電流で比較的融点の高いそして反応
性の強い物質を溶融でき、且つヒーター5の溶融物質の
拡散も防止できて長寿命で安定なイオンビームを発生す
ることが出来る。
第1,2図は1本発明の金属イオン源の実施例の概略断
面図。 第3図は、ヒーター電流に対する針状先端部の温度特性
を、前記の従来のものと併記し・て示したグラフ。 第4図は、従来の金属イオン源の概略断面図。 l・・・五零子、 2,2′・・・ステム、3・・・ヒ
ーター、5.22・・・リザーバ、8・・・針状陽極、
9・・・針状陽極固定部材、10・・・溶融物質、
11・・・陰極、12・・・セラミックス、13・・・
熱放射盤(ひれ)、14・・・熱反射筒、30・・・塊
り。
面図。 第3図は、ヒーター電流に対する針状先端部の温度特性
を、前記の従来のものと併記し・て示したグラフ。 第4図は、従来の金属イオン源の概略断面図。 l・・・五零子、 2,2′・・・ステム、3・・・ヒ
ーター、5.22・・・リザーバ、8・・・針状陽極、
9・・・針状陽極固定部材、10・・・溶融物質、
11・・・陰極、12・・・セラミックス、13・・・
熱放射盤(ひれ)、14・・・熱反射筒、30・・・塊
り。
Claims (6)
- (1)イオン化すべき金属を貯蔵するリザーバ部と、該
リザーバ部から溶融物質が供給される針状先端部を有す
る針状陽極と、該針状先端部に強電界を形成するための
手段と、該リザーバ部もしくは該針状陽極に熱的に接続
されたヒーター部とを備え、 該ヒーター部の少なくとも一部が、該リザーバ部もしく
は該針状陽極の一部と、熱反射筒とにその四囲を囲まれ
て囲いの中にあることを特徴とする液体金属イオン源。 - (2)該リザーバ部は、低部に細孔を有する容器であり
、該細孔を貫通して該針状陽極が配置されていることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の液体金属イオン
源。 - (3)該針状陽極の一部がイオン化すべき金属を保持す
るリザーバ部となっていることを特徴とする特許請求の
範囲第1項記載の液体金属イオン源。 - (4)該熱反射筒は、その外側表面の少なくとも一部が
溶融物質と濡れ難く反応しにくい物質によって構成され
、且つ内側表面が鏡面になっていることを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載の液体金属イオン源。 - (5)該ヒーター部がコイル状となっていることを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の液体金属イオン源。 - (6)該ヒーター部のうち該熱反射筒に囲まれていない
部分に、耐熱性、耐久性および耐食性に優れた物質によ
って被覆が施されていることを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の液体金属イオン源。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5736487A JPS63224131A (ja) | 1987-03-12 | 1987-03-12 | 液体金属イオン源 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5736487A JPS63224131A (ja) | 1987-03-12 | 1987-03-12 | 液体金属イオン源 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63224131A true JPS63224131A (ja) | 1988-09-19 |
Family
ID=13053526
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5736487A Pending JPS63224131A (ja) | 1987-03-12 | 1987-03-12 | 液体金属イオン源 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63224131A (ja) |
-
1987
- 1987-03-12 JP JP5736487A patent/JPS63224131A/ja active Pending
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