JPS632234A - イメ−ジ管 - Google Patents

イメ−ジ管

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Publication number
JPS632234A
JPS632234A JP62094285A JP9428587A JPS632234A JP S632234 A JPS632234 A JP S632234A JP 62094285 A JP62094285 A JP 62094285A JP 9428587 A JP9428587 A JP 9428587A JP S632234 A JPS632234 A JP S632234A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
image tube
radiation
electrons
substrate
tube
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62094285A
Other languages
English (en)
Inventor
クリストファー・ハレー・トスウィル
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Corning Netoptix Inc
Original Assignee
Corning Netoptix Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Corning Netoptix Inc filed Critical Corning Netoptix Inc
Publication of JPS632234A publication Critical patent/JPS632234A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
    • H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
    • H01J31/50—Image-conversion or image-amplification tubes, i.e. having optical, X-ray, or analogous input, and optical output
    • H01J31/506—Image-conversion or image-amplification tubes, i.e. having optical, X-ray, or analogous input, and optical output tubes using secondary emission effect
    • H01J31/507—Image-conversion or image-amplification tubes, i.e. having optical, X-ray, or analogous input, and optical output tubes using secondary emission effect using a large number of channels, e.g. microchannel plates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J43/00—Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
    • H01J43/04—Electron multipliers
    • H01J43/06—Electrode arrangements
    • H01J43/18—Electrode arrangements using essentially more than one dynode
    • H01J43/24—Dynodes having potential gradient along their surfaces
    • H01J43/246—Microchannel plates [MCP]

Landscapes

  • Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
  • Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 反璽且Ｉ 本発明は特に中間の赤外領域での入力の場合に有効なイ
メージ管に関する。
１匪り晋月 透過光電陰極を用いたイメージ管は公知のものである。
１肌の皇国 本発明者は結像される光源での衝撃により変化する電気
的特性とこのように変化した領域から増幅のパターンに
一致した電子を与えるための手段とを有する電気的に密
集したモザイク状の半導体素子を備えることにより波長
５〜１５ミクロンの範囲の赤外光源に特に有効なイメー
ジ管が得られることを見出だした。好ましい実施例にお
いて中間赤外光の衝撃を受けた半導体部分で放出された
電子だけが半導体素子とチャンネル電子増幅管との間に
挿入されたスクリーンを通過するように選択された近赤
外のエネルギーを有する電子が半導体素子への衝撃で生
じ、中間赤外線がゲルマニウム等の半導体素子列の中間
赤外透過基板を通過した１変に半導体素子に衝撃を与え
る。
他の実施例においてマイクロチャンネル・プレートのチ
ャンネルが光ファイバーで形成され、電子増幅と近赤外
の透過とがそれぞれチャンネルとファイバーとを反対方
向に通って進む。
好ましい　ｈ例の説明 図面に示される好ましい実施例における構造及び動作モ
ードについて以下に説明する。
［構造］ 図面において　本発明によるイメージ管が全体的に１０
で示されている。
イメージ管１０はゲルマニウム壁部１８で分離された低
温部１４と真空密閉のイメージ部１６とを取囲むセラミ
ックのハウジング１２を含む。
目で見るために可視光に対し透過性の窓２０がハウジン
グ１２内に設けられている。イメージ部１６の壁部１８
にモザイク状の多数の分離した半導体フォトトランジス
タ素子（全体的に２４で示されている）を取付けた連続
的な電極２２がコーティングされている。素子２４は７
５ミクロン平方で、約５ミクロンの間隙となるように離
れている。各半導体素子はその連続的な電極２２から離
れた面にそれぞれモザイク状の半導体素子とだけ接触す
る電極２６を取付けている。電極２６に光電陰極２８が
重ねられている。光電陰極２８に近接した部分１６にわ
たってメツシュ状グリッド３０が拡がっている。壁部１
８とマイクロチャンネル・プレート３２との間の部分１
６に波長８５０ナノメートルのＬＥＤ光Ｄ光源３４が装
着されている。
ゲルマニウムの窓４０はゲルマニウムの円板１８及びセ
ラミックのハウジング１２（概略的に示されており、窓
４０の回りから管の全長にわたって窓２０を取囲むよう
に延びている）と協働してマイナス１８０’Ｃでのヘリ
ウムの流域をなしている。ヘリウムの流入及び流出の流
路４２及び４４は概略的に示されている。ゲルマニウム
の円板１８から蛍光体層４６にわたる領［１６はもちろ
ん真空状態でおる。
［動作コ 動作時に波長が１０ミクロンで像をなす中間赤外放射１
０が窓４０及び基板１８を通って管１０に入る。特定の
半導体トランジスタ素子２４に１０ミクロンの赤外線が
当たるとそれらが一１００ミリボルトの電位になる。同
時に光源３４が光電陰極２８に８５０ナノメートルの放
出波長の放射を連続的に与える。光電陰極２８は光放出
しきい値が９００ナノメートルなので光源３４からの放
射で光電陰極２８が約８０ミリボルトの運動エネルギー
の光電子を放出するようになる。メツシュ状グリッド３
０の電位は一１２５ミリボルトであるので電位エネルギ
ーが８０ミリボルトの電子はこれを通過できない。しか
しながら充電陰極２８の領域が中間赤外に当てられてい
る半導体素子２４に接触している電極素子２６に接触し
ていれば、その光電陰極２８の領域は一１００ミリボル
トに電位が減少し、それとグリッド３０との間の電圧低
下をわずか２５ミリボルトにして、光電陰極２８のその
領域からの電子が管に入射する赤外ビームのパターンに
一致したパターンでグリッドを通過できるようにする。
このように光電陰極２８を出た電子はマイクロチャンネ
ル・プレート３２に入りここで信号が増幅されるので、
真空ギャップを通って蛍光層４６、窓２０のコーティン
グされた面に達し、蛍光面で電子が可視光に変換されて
窓２０を通して見ることができる。
皿り災施胴 モザイク状の半導体素子は光導電体、光電池、あるいは
ＭＩＳ素子でもよい。あるいは電子ビームは光電陰極で
の変化する電位を与えるように用いてもよい。光電陰極
に電子を放出させるようにするための放射は間欠的でも
連続的でもよい。現在量も好ましいとされている実施例
ではセラミックのハウジング１２が電極を取付けた短い
金属のシリンダの間のセラミックの絶縁リングに置換え
られている。
【図面の簡単な説明】
第１図は好ましい実施例の、ある程度概略的な、比例的
でなく小さい部分を拡大して示した垂直断面図である。 第２図は本発明の他の実施例のマイクロチャンネル・プ
レートの１本のチャンネル部分の垂直断面図である。 １０・・・イメージ管 ２２、２８・・・電極 ２４・・・半導体素子 ２６・・・光電陰極 ３０・・・グリッド ３２マイクロチヤンネル・プレート （外５名）

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、電気的状態の変化を伴う放射による衝撃に応答する
    モザイク状の間隔をおいた半導体素子と、該モザイク状
    の素子上に光子の流れを伝えるための手段と、 上記放射による衝撃だけを受ける上記半導体素子からの
    電子を通過させるためのゲート手段と、ゲートされた電
    子を増幅するためのチャンネル電子増倍手段 とからなることを特徴とするイメージ管。 ２、上記モザイク状の素子が基板に取付けられており、
    該基板が上記放射に対して透明であるようにした特許請
    求の範囲第１項に記載のイメージ管。 ３、上記基板がゲルマニウムである特許請求の範囲第２
    項に記載のイメージ管。 ４、チャンネル壁部が多数の光ファイバーからなること
    を特徴とするチャンネル電子増倍管。
JP62094285A 1986-06-18 1987-04-16 イメ−ジ管 Pending JPS632234A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/875,592 US4752688A (en) 1986-06-18 1986-06-18 Imaging tube
US875592 1986-06-18

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS632234A true JPS632234A (ja) 1988-01-07

Family

ID=25366048

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62094285A Pending JPS632234A (ja) 1986-06-18 1987-04-16 イメ−ジ管

Country Status (8)

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US (1) US4752688A (ja)
JP (1) JPS632234A (ja)
BE (1) BE1000861A5 (ja)
DE (1) DE3711857A1 (ja)
FR (1) FR2602611A1 (ja)
GB (1) GB2191890B (ja)
IT (1) IT1208377B (ja)
NL (1) NL8700823A (ja)

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NL8700823A (nl) 1988-01-18
IT1208377B (it) 1989-06-12
GB2191890B (en) 1990-07-11
US4752688A (en) 1988-06-21
GB2191890A (en) 1987-12-23
BE1000861A5 (fr) 1989-04-25
IT8767278A0 (it) 1987-04-03
FR2602611A1 (fr) 1988-02-12
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