JPS63198213A - 導電性高分子膜の形成方法 - Google Patents

導電性高分子膜の形成方法

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JPS63198213A
JPS63198213A JP62028198A JP2819887A JPS63198213A JP S63198213 A JPS63198213 A JP S63198213A JP 62028198 A JP62028198 A JP 62028198A JP 2819887 A JP2819887 A JP 2819887A JP S63198213 A JPS63198213 A JP S63198213A
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JP
Japan
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film
polymer film
conductive polymer
electrically insulating
insulating substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP62028198A
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English (en)
Inventor
秀雄 山本
実 福田
伊佐 功
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Japan Carlit Co Ltd
Original Assignee
Japan Carlit Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は電気絶縁性基体の表面に導電性高分子膜を形成
する方法に関するものである。
(従来の技術) 近年、帯電防止、電磁波シールド、光スィッチ、変色フ
ィルム、電極などの材料を得るため、電気絶縁性基体の
表面を導電化する方法が種々提案されている。例えば絶
縁性基体中に金属やカーボンのフィラーなどを混入分散
した材料が実用化されているが、この方法による材料は
薄膜フィルムへの加工が困難であり強度の低下などの問
題がある。
これらを解決するためにポリピロール、ポリチオフェン
、ポリアニリンなどの高分子材料が注目され、電解酸化
重合により容易に強靭な膜を生成できることを利用して
、白金、チタン、ステンレス、炭素材料などの電気伝導
体表面に導電性高分子膜を形成する方法が提案されてい
る。
一方、電気絶縁性基体においては電解酸化重合法は使用
できないので化学酸化重合法か用いられている。酸化剤
として過酸化水素、過硫酸アンモニウムなどの過酸化物
や、塩化鉄(■)、塩化ルテニウム(III)、塩化モ
リブデン(III)、塩化アルミニウム(II[)など
のルイス酸あるいは、五フッ化アンチモンなどのハロゲ
ン化物が知られているが、生成するポリマーはピロール
ブラックと言われる不溶性粉体であり、成形や製膜が不
可能である。
電気絶縁性基体上に導電性高分子膜を形成する方法とし
て、ガラスなどの基体上に酸化剤を単独あるいは汎用高
分子をパインディングポリマーとして用いて塗布し、ピ
ロール、チオフェン、アニソノなとのモノマー蒸気に接
触させて、電気絶縁性基体表面に導電性高分子膜を形成
する技術が提案されている。しかし、上記の方法による
と基体表面に未反応の酸化剤や金属イオン、更にはパイ
ンディングポリマーが残存し、また生成した皮膜の強度
も弱い。
(発明か解決しようとする問題点) 本発明は、上記問題を解決し、電解酸化重合法を用いる
ことのできない電気絶縁性基体の表面に強靭で、未反応
の酸化剤や金属イオン、パインディングポリマーが残存
しない導電性高分子膜を形成する方法を提供することを
目的とする。
(問題点を解決するための手段) 本発明者等は、これらの問題を解決するために鋭意研究
を重ねたところ、電気絶縁性基体の表面に強靭で未反応
の酸化剤等が残存しない導電性高分子膜を形成する方法
を見出した。
すなわち、電気絶縁性基体表面に、導電性高分子モノマ
ーの単独あるいは溶媒で希釈した溶液を均一に付着せし
めた後、二酸化塩素と接触させて導電性高分子膜を形成
する方法である。
導電性高分子としてはポリピロール、ポリ−N−メチル
ピロール、ポリ−3−メチルピロール、ポリ−N−メチ
ル−2−メチルピロー/b、ポリーN−メチル−3−メ
チルピロール、ポリ−3,4−ジメチルピロール等のピ
ロール系高分子、ポリアニリン系、ポリチオフェン系、
ポリ7ラン系高分子が用いられるが、好ましくは、ポリ
ピロール及びポリアニリンである。
本発明に用いる電気絶縁性基体は、汎用高分子材料、金
属酸化物、黒磯材料などの電気絶縁性基体であれぽいず
れでも良い。例えば汎用高分子としてはポリエチレン、
ポリ塩化ビニノ呟ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ
エチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリ7ツ
化ビニリデン、ポリ四7ツ化エチレン、ポリウレタン、
ポリイミドなどである。金属酸化物としては酸化チタン
、−3= 酸化バリウム、酸化ストロンチウム、酸化ランタン、酸
化アルミニウム、酸化シリコン、酸化ビスマス、酸化ジ
ルコニウム、酸化タンタル、酸化セリウムなどである。
黒磯材料としてはジルコン酸アルカリ金属塩、ノルフン
酸アルカリ土類金属塩、チタン酸アルカリ金属塩、チタ
ン酸アルカリ土類金属塩などである。
本発明に用いる二酸化塩素は、塩素が混入すると導電性
が低下したり導電性高分子の劣化を招くので塩素を含ま
ないことが望ましい。二酸化塩素の生成方法は、小規模
には二酸化塩素ガス発生組成物や二酸化塩素水から放散
する二酸化塩素ガスを用いることが可能であり、大規模
には亜塩素酸塩、塩素酸塩を原料とした二酸化塩素発生
装置を用いるが、特に限定されるものではない。
本発明の方法を更に詳しく説明すると、電気絶縁性基体
表面に、導電性高分子モノマーの単独あるいは適当な溶
媒で希釈した溶液を塗布または噴霧なとの方法により均
一に付着した後、二酸化塩素力スと接触させて導電性高
分子膜を形成するものである。また、このようにして形
成した導電性高分子膜を被覆した電気絶縁性基体を正極
とし、導電性高分子モノマーおよび支持電解質を含む電
解液中で電解酸化重合を行なうことにより、化学酸化重
合膜上に電解酸化重合膜を積層した導電性高分子膜を得
ることかできる。
(実施例) 以下実施例により本発明を説明するが、本発明はこれら
の実施例に限定されるものではない。
実施例1 1l10X10.厚さ50μf1のポリエチレンテレフ
タレートフィルム(以下PETフイルムト略す)にピロ
ールモノマーを#12のバーコーターを用いて均一に塗
布した。3vo1%の二酸化塩素ガスを充たした30X
30X30cmのポリ塩化ビニル製容器に、このPET
フィルムを入れ、二酸化塩素ガスに5分間接触させたと
ころ、PETフィルム上にポリピロール薄膜が生成した
得られたフィルムの表面抵抗を測定したところ180に
0口であり、透過率は500 +1111で86%であ
った。また、皮膜強度を調べるため、粘着性テープを皮
膜表面に押し付け、1度に引きはがすことにより皮膜の
剥離状態を調べるテープテストを行なったか、皮膜の剥
離は見られなかった。
比較例1 ] (’、) X ] Ocm、厚さ5011 mのP
ETフィルムにFeCl31重量部、ポリ塩化ビニル 
20重量部、ツメチルホルムアミド 79重量部から成
るiff液を#12のバーコーターで塗布した。このP
ETフィルムをピロール蒸気に接触させ乾燥したところ
、ポリピロール/ポリ塩化ビニルの複合膜がPETフィ
ルム表面に生成した。表面抵抗は2 Ofit kΩ口
で透過率は81%であった。表面分析を行なったところ
多量の鉄が検出された。また、テープテストを行なった
ところ皮膜は剥離した。
比較例2 二酸化塩素ガスの代わりに塩素ガスを用いた以外は実施
例1に準じた。ポリマー膜は生成したが導電性はなかっ
た。
実施例2 ピロールモノマーを7ニリンモ7マーに変えた以外は実
施例1に準じた。得られたフィルムの表面抵抗を測定し
たところ160に9口で透過率は500nmで80%で
あった。テープテストを行なったが皮膜は剥離しなかっ
た。
実施例3 5 X 5 cm、厚さ60μmnの酸化アルミニウム
板に、ピロールモノマー30%を含むローブチルアルコ
ール溶液を#12のバーコーターで均一に塗布した。7
vo1%の二酸化塩素ガスを充たした30X30X30
cmのポリ塩化ビニル製容器にこの酸化アルミニウム板
を入れ、二酸化塩素ガスに10分間接触させたところポ
リピロール薄膜が生成した。同じ操作を5回繰り返し、
皮膜を厚くした。100℃で送風機乾燥後、表面抵抗を
測定したところ1.0に9口であった。テープテストを
行なったところ皮膜は剥離しなかった。
(発明の効果) 本発明の方法によると、未反応の酸化剤や金属イオンあ
るいはパインディングポリマーを含よない導電性高分子
膜を電気絶縁性基体表面上に形成することができる。ま
た、基体表面上に直接高分子膜が形成するので接着性が
良く、強靭である。
特に、絶縁性基体として透明性高分子材料を用いた時、
透明性の高い導電性高分子複合膜を製造することかでき
る。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、電気絶縁性基体表面に、導電性高分子モノマーの単
    独あるいは溶媒で希釈した溶液を均一に付着せしめた後
    、二酸化塩素と接触させて導電性高分子膜を形成するこ
    とを特徴とする導電性高分子膜の形成方法。 2、導電性高分子膜が、ポリピロールまたはポリアニリ
    ンである特許請求の範囲第1項記載の導電性高分子膜の
    形成方法。
JP62028198A 1987-02-12 1987-02-12 導電性高分子膜の形成方法 Pending JPS63198213A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0355518A2 (en) * 1988-08-03 1990-02-28 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electrically conductiv articles

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0355518A2 (en) * 1988-08-03 1990-02-28 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electrically conductiv articles
EP0355518A3 (en) * 1988-08-03 1990-12-19 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electrically conductiv articles

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