JPS63189406A - 水溶性ポリスチレンスルホン酸の製造方法 - Google Patents
水溶性ポリスチレンスルホン酸の製造方法Info
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- JPS63189406A JPS63189406A JP1996287A JP1996287A JPS63189406A JP S63189406 A JPS63189406 A JP S63189406A JP 1996287 A JP1996287 A JP 1996287A JP 1996287 A JP1996287 A JP 1996287A JP S63189406 A JPS63189406 A JP S63189406A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は純度の高い水溶性ポリスチレンスルホン酸を高
収率で製造する方法に関するものである。
収率で製造する方法に関するものである。
ポリスチレンを有機溶媒に溶解し、次いでスルホン化し
、生成したスルホン化反応物から反応溶媒を蒸発分離す
る方法としては特公昭58−11506号の方法が知ら
れている。すなわち、この方法では、先づ溶媒を50〜
b した後、さらに水を加えて共沸させて、溶媒を完全に分
離している。従って、 (i)分離操作が煩雑であり、経済的でない。
、生成したスルホン化反応物から反応溶媒を蒸発分離す
る方法としては特公昭58−11506号の方法が知ら
れている。すなわち、この方法では、先づ溶媒を50〜
b した後、さらに水を加えて共沸させて、溶媒を完全に分
離している。従って、 (i)分離操作が煩雑であり、経済的でない。
(ii )回収溶媒の一部に水が混入しており、再使用
する場合には水を完全に除去するための精製工程が必要
となる。
する場合には水を完全に除去するための精製工程が必要
となる。
という欠点があった。
従って、本発明は、簡単な操作で溶媒を含まない高純度
のポリスチレンスルホン酸が得られ、かつ回収した溶媒
を再使用できる方法を提供することを目的とする。
のポリスチレンスルホン酸が得られ、かつ回収した溶媒
を再使用できる方法を提供することを目的とする。
本発明は、ポリスチレンをハロゲン化炭化水素溶媒中で
スルホン化して得た反応生成物を特定の条件下で加熱し
、次いで特定の噴出速度でフラッシュ蒸発させると前記
問題点が有効に解決できるとの知見に基づいてなされた
のである。
スルホン化して得た反応生成物を特定の条件下で加熱し
、次いで特定の噴出速度でフラッシュ蒸発させると前記
問題点が有効に解決できるとの知見に基づいてなされた
のである。
すなわち、本発明は、平均分子量が200〜50、00
0のポリスチレンをハロゲン化炭化水素溶媒中でスルホ
ン化し、得られたスルホン化反応物を密閉系で50℃/
秒以下の昇温速度で加熱して溶媒の沸点温度よりも5〜
50℃高い温度にした後、400 mmHg以下の減圧
系に該反応物を20〜200m/秒の速度で噴出して、
ハロゲン化炭化水素溶媒をフラッシュ蒸発させることを
特徴とする水溶性ポリスチレンスルホン酸の製造方法を
提供する。
0のポリスチレンをハロゲン化炭化水素溶媒中でスルホ
ン化し、得られたスルホン化反応物を密閉系で50℃/
秒以下の昇温速度で加熱して溶媒の沸点温度よりも5〜
50℃高い温度にした後、400 mmHg以下の減圧
系に該反応物を20〜200m/秒の速度で噴出して、
ハロゲン化炭化水素溶媒をフラッシュ蒸発させることを
特徴とする水溶性ポリスチレンスルホン酸の製造方法を
提供する。
本発明において原料として用いるポリスチレンは平均分
子量200〜50.000の範囲のものである。すなわ
ち、平均分子量が50.000を越えると反応系の粘度
が高くなり、ハンドリングが困難となるからであり、一
方、平均分子量が200未満だと、未反応スチレンモノ
マーの存在により重合反応が併発して水不溶性スルホン
化物の量が増大するからである。
子量200〜50.000の範囲のものである。すなわ
ち、平均分子量が50.000を越えると反応系の粘度
が高くなり、ハンドリングが困難となるからであり、一
方、平均分子量が200未満だと、未反応スチレンモノ
マーの存在により重合反応が併発して水不溶性スルホン
化物の量が増大するからである。
本発明では上記ポリスチレンをハロゲン化炭化水素溶媒
に溶解させた後常法によりポリスチレンをスルホン化す
る。ここで用いるハロゲン化炭化水素溶媒としては、炭
素数1〜2の脂肪族ハロゲン化炭化水素が好ましく、具
体的にはメチレンジクロリド、1,2−ジクロルエタン
、塩化エチル、四塩化炭素、1.1−ジクロルエタン、
1,1゜2.2−テトラクロロエタン、クロロホルム、
エチレンジプロミドなどのスルホン化剤に不活性なもの
が例示される。そして、該ハロゲン化炭化水素溶媒10
0重量部当り、ポリスチレンを1〜100重量部、好ま
しくは20〜40重量部を添加して溶解させるのがよい
。
に溶解させた後常法によりポリスチレンをスルホン化す
る。ここで用いるハロゲン化炭化水素溶媒としては、炭
素数1〜2の脂肪族ハロゲン化炭化水素が好ましく、具
体的にはメチレンジクロリド、1,2−ジクロルエタン
、塩化エチル、四塩化炭素、1.1−ジクロルエタン、
1,1゜2.2−テトラクロロエタン、クロロホルム、
エチレンジプロミドなどのスルホン化剤に不活性なもの
が例示される。そして、該ハロゲン化炭化水素溶媒10
0重量部当り、ポリスチレンを1〜100重量部、好ま
しくは20〜40重量部を添加して溶解させるのがよい
。
上記スルホン化に際し、スルホン化剤とじてS03を用
いるのがよい。すなわち、液状SO8、ガス状S03、
例えば窒素ガス等の不活性ガスや脱湿空気などで希釈し
たガス状5O8(希釈ガス5O5)及びハロゲン化炭化
水素(好ましくは炭素数1又は2のもの)で溶解希釈し
た液状5O2(希釈液状503)を使用する。ここで、
希釈ガスSO,としては、SO2濃度が1〜12容量%
好ましくは3〜4容量%のものが用いられ、希釈液状S
03としてはSO,濃度が1〜50wt%、好ましくは
5〜10wt%のものが用いられる。
いるのがよい。すなわち、液状SO8、ガス状S03、
例えば窒素ガス等の不活性ガスや脱湿空気などで希釈し
たガス状5O8(希釈ガス5O5)及びハロゲン化炭化
水素(好ましくは炭素数1又は2のもの)で溶解希釈し
た液状5O2(希釈液状503)を使用する。ここで、
希釈ガスSO,としては、SO2濃度が1〜12容量%
好ましくは3〜4容量%のものが用いられ、希釈液状S
03としてはSO,濃度が1〜50wt%、好ましくは
5〜10wt%のものが用いられる。
本発明では、上記スルホン化剤を、so3がポリスチレ
ンの構成モノマ一単位当り、0.7〜2.0(モル比)
、好ましくは1.0〜1.5となるような量で用いてス
ルホン化を行うのがよい。
ンの構成モノマ一単位当り、0.7〜2.0(モル比)
、好ましくは1.0〜1.5となるような量で用いてス
ルホン化を行うのがよい。
尚、スルホン化反応は任意の反応器を用いて行うことが
できるが、剪断力が0.05(N/cat)以上の攪拌
器を備えたものを用いるのがよく、スルホン化反応を1
0〜80℃、好ましくは20〜40℃で行うのが好まし
く、原料溶液が反応器に滞留する時間を1〜60分、好
ましくは5〜40分とするのが望ましい。
できるが、剪断力が0.05(N/cat)以上の攪拌
器を備えたものを用いるのがよく、スルホン化反応を1
0〜80℃、好ましくは20〜40℃で行うのが好まし
く、原料溶液が反応器に滞留する時間を1〜60分、好
ましくは5〜40分とするのが望ましい。
本発明ではこのようにして得たスルホン化反応物を先づ
密閉系で加熱する。この際昇温速度を50℃/秒以下、
好ましくは25〜b することが必要であり、スルホン化反応物の温度を該反
応物中のハロゲン化炭化水素溶媒の常圧での沸点より5
〜50℃、好ましくは10〜30℃高い温度に加熱する
ことが必要である。すなわち、昇温速度が50℃/秒を
越えると、部分的な過熱が起りポリスチレンスルホン酸
が熱変性して好ましくないからであり、又スルホン化反
応物の温度が該反応物中の溶媒の沸点より50℃を越え
た温度になるとポリスチレンスルホン酸が熱変性し、他
方溶媒の沸点+5℃よりも低い温度では、次工程でのフ
ラッシュ蒸発が効率的に行われない。なお、ポリスチレ
ンの熱変性を一層良好とするために溶媒の沸点+5〜5
0℃が140℃を越えないようにするのがよい。上記加
熱は密閉系であればいずれでもよく、例えば密閉耐圧容
器、耐圧配管などがあげられる。
密閉系で加熱する。この際昇温速度を50℃/秒以下、
好ましくは25〜b することが必要であり、スルホン化反応物の温度を該反
応物中のハロゲン化炭化水素溶媒の常圧での沸点より5
〜50℃、好ましくは10〜30℃高い温度に加熱する
ことが必要である。すなわち、昇温速度が50℃/秒を
越えると、部分的な過熱が起りポリスチレンスルホン酸
が熱変性して好ましくないからであり、又スルホン化反
応物の温度が該反応物中の溶媒の沸点より50℃を越え
た温度になるとポリスチレンスルホン酸が熱変性し、他
方溶媒の沸点+5℃よりも低い温度では、次工程でのフ
ラッシュ蒸発が効率的に行われない。なお、ポリスチレ
ンの熱変性を一層良好とするために溶媒の沸点+5〜5
0℃が140℃を越えないようにするのがよい。上記加
熱は密閉系であればいずれでもよく、例えば密閉耐圧容
器、耐圧配管などがあげられる。
本発明では、上記のように加熱したスルホン化反応物を
400 mmHg、好ましくは300 mmHg以下の
減圧系に20〜200m/秒、好ましくは40〜180
m/秒の線速度で噴出させてハロゲン化炭化水素溶媒を
減圧蒸発させる。
400 mmHg、好ましくは300 mmHg以下の
減圧系に20〜200m/秒、好ましくは40〜180
m/秒の線速度で噴出させてハロゲン化炭化水素溶媒を
減圧蒸発させる。
本発明では上記方法によりハロゲン化炭化水素溶媒含有
量が極めて少ないポリスチレンスルホン酸を粉末状で製
造することができる。
量が極めて少ないポリスチレンスルホン酸を粉末状で製
造することができる。
尚、本発明の方法により得たポリスチレンスルホン酸は
、水に溶解した後、アルカリで中和して、又は直接アル
カリ水で溶解、中和して水溶性ポリスチレンスルホン酸
塩を得ることが出来る。ここで用いるアルカリ剤として
は苛性ソーダ、苛性カリ等のアルカリ金属の水酸化物若
しくは炭酸塩、又は水酸化マグネシウム、水酸化カルシ
ウム等のアルカリ土金属の水酸化物若しくは炭酸塩、又
は水酸化アンモニウム、アルカノールアミン等があげら
れる。中和は常法により行うことができる。
、水に溶解した後、アルカリで中和して、又は直接アル
カリ水で溶解、中和して水溶性ポリスチレンスルホン酸
塩を得ることが出来る。ここで用いるアルカリ剤として
は苛性ソーダ、苛性カリ等のアルカリ金属の水酸化物若
しくは炭酸塩、又は水酸化マグネシウム、水酸化カルシ
ウム等のアルカリ土金属の水酸化物若しくは炭酸塩、又
は水酸化アンモニウム、アルカノールアミン等があげら
れる。中和は常法により行うことができる。
本発明によれば、溶媒含量が極めて少ない水溶性ポリス
チレンスルホン酸を簡単な操作で得ることができ、又回
収した溶媒はそのままスルホン化反応溶媒として再使用
することができる。
チレンスルホン酸を簡単な操作で得ることができ、又回
収した溶媒はそのままスルホン化反応溶媒として再使用
することができる。
さらに、本発明によれば溶媒分離時に未反応S03ガス
も同時に除去されるので該スルホン化物を常法により中
和すると無機塩含量の少ないポリスチレンスルホン酸塩
が得られる。又、本発明により得られるポリスチレンス
ルホン酸は粉末状であるから、簡単に任意の濃度のポリ
スチレンスルホン酸塩を調製できるという利点がある。
も同時に除去されるので該スルホン化物を常法により中
和すると無機塩含量の少ないポリスチレンスルホン酸塩
が得られる。又、本発明により得られるポリスチレンス
ルホン酸は粉末状であるから、簡単に任意の濃度のポリ
スチレンスルホン酸塩を調製できるという利点がある。
従って、本方法により得られたポリスチレンスルホン酸
又はその塩は、紙の帯電防止剤、コンクリート減水剤、
分散剤などとして幅広く利用される。
又はその塩は、紙の帯電防止剤、コンクリート減水剤、
分散剤などとして幅広く利用される。
次に実施例により本発明を説明するが、本発明はこれに
限定されるものではない。
限定されるものではない。
実施例1
平均分子18000のポリスチレン 50gを1.2ジ
クロルエタン溶媒(沸点83℃)500gに溶解したも
のを原料とし、液状SOsをスルホン化剤としてS’s
モル比1.1 、反応温度30℃、攪拌機付きの反応器
(剪断力1.5N/amり中でスルホン化を行った。ス
ルホン化終了後、溶媒を含む反応生成物(35℃)を2
重管を有する耐圧配管中、スチームで昇温速度30℃/
秒で100℃に加熱し、次いでl OOmmHgの減圧
下に噴出速度100m/秒で噴出し、1.2ジクロルエ
タンを蒸発分離して粉状ポリスチレンスルホン酸を得た
。
クロルエタン溶媒(沸点83℃)500gに溶解したも
のを原料とし、液状SOsをスルホン化剤としてS’s
モル比1.1 、反応温度30℃、攪拌機付きの反応器
(剪断力1.5N/amり中でスルホン化を行った。ス
ルホン化終了後、溶媒を含む反応生成物(35℃)を2
重管を有する耐圧配管中、スチームで昇温速度30℃/
秒で100℃に加熱し、次いでl OOmmHgの減圧
下に噴出速度100m/秒で噴出し、1.2ジクロルエ
タンを蒸発分離して粉状ポリスチレンスルホン酸を得た
。
次に、これを、15%NaOH水溶液中で中和し、水溶
性ポリスチレンスルホン酸のNa塩を得た(実験Nα7
)。
性ポリスチレンスルホン酸のNa塩を得た(実験Nα7
)。
上記方法に準じて種々の実験を行った。条件及び結果を
まとめて表−1に示す。
まとめて表−1に示す。
実施例2
平均分子量4000のポリスチレン5Qgを四塩化炭素
(沸点77℃)1000gに溶解した後、実施例1と同
様にしてスルホン化、フラッシュ蒸発及び中和を行って
ポリスチレンスルホン酸ナトリウムを得た。
(沸点77℃)1000gに溶解した後、実施例1と同
様にしてスルホン化、フラッシュ蒸発及び中和を行って
ポリスチレンスルホン酸ナトリウムを得た。
フラッシュ蒸発条件及び結果をまとめて表−2に示す。
表 −2
Claims (1)
- 平均分子量が200〜50,000のポリスチレンをハ
ロゲン化炭化水素溶媒中でスルホン化し、得られたスル
ホン化反応物を密閉系で50℃/秒以下の昇温速度で加
熱して溶媒の沸点温度よりも5〜50℃高い温度にした
後、400mmHg以下の減圧系に該反応物を20〜2
00m/秒の速度で噴出して、ハロゲン化炭化水素溶媒
をフラッシュ蒸発させることを特徴とする水溶性ポリス
チレンスルホン酸の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1996287A JPS63189406A (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | 水溶性ポリスチレンスルホン酸の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1996287A JPS63189406A (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | 水溶性ポリスチレンスルホン酸の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63189406A true JPS63189406A (ja) | 1988-08-05 |
Family
ID=12013820
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1996287A Pending JPS63189406A (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | 水溶性ポリスチレンスルホン酸の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63189406A (ja) |
-
1987
- 1987-01-30 JP JP1996287A patent/JPS63189406A/ja active Pending
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