JPS63186428A - Method and apparatus for charged beam lithography - Google Patents

Method and apparatus for charged beam lithography

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JPS63186428A
JPS63186428A JP1719587A JP1719587A JPS63186428A JP S63186428 A JPS63186428 A JP S63186428A JP 1719587 A JP1719587 A JP 1719587A JP 1719587 A JP1719587 A JP 1719587A JP S63186428 A JPS63186428 A JP S63186428A
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隆幸 阿部
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Abstract

PURPOSE:To enable the efficient data to be compressed and developed when the irradiation level for correcting approach effect etc., is changed to be written for increasing the writing throughput by a method wherein the irradiation time of unit figure is decided by selecting one irradiation level data out of repeating frequency of writing. CONSTITUTION:The positions Xxi, Nyi of reference point of group pattern, repeating frequency Nxi, Nyi, repeating pitch Pxi, Pyi, number Ni of unit figures belonging to this group pattern as well as storage address PFi of shape data and storage address PDi of irradiation level data are written in an arrangement data group. As for the repeating patterns and writing data corresponding to the repeating patterns, 5 X 5 of group patterns 10 comprising two rectangles 11, 12 are arrayed. In such a constitution, the shape data on one group pattern are used in common for all group patterns so that the level of shape data may be reduced notably to improve the data compression efficiency markedly.

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、荷電ビームを用いてパターンを描画する技術
に係わり、特に荷電ビームによりパターンを描画する際
の照射量補正を行った荷電ビーム描画方法及び描画装置
に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Objective of the Invention] (Industrial Field of Application) The present invention relates to a technique for drawing a pattern using a charged beam, and particularly to a method for correcting the dose when drawing a pattern using a charged beam. The present invention relates to a charged beam lithography method and a lithography apparatus.

(従来の技術) 従来、可変成形ビームを用いた電子ビーム描画装置にお
いては、パターン描画用データを外部記憶装置から描画
制御回路に転送する際の時間を短縮するために、パター
ンの繰返しを利用した描画用データの圧縮が行われてい
る。例えば、第6図(a)のように2つの矩形61.6
2よりなるグループパターン60が4×4配列する場合
、描画用データは同図(b)のような配置データ群と図
形データ群によって表現される。ここで、図形データ群
とは、単位図形(ショット1.ショット2)の照射位置
X  IYm%寸法h  、w  及び照射mmI+1 時間t 等を記すデータの集合である。また、配装 置データ群とは、グループパターンの基準点の位置X 
 Y  繰返しの回数Nx、(−4)、 N、(−4)
、xi’  yiゝ 繰返しのピッチPP  及び該グループパターX1’ 
 yl ンに対する図形数N 1該図形データを格納したデータ
の先頭格納番地PF1を表わすデータの集合である。
(Prior art) Conventionally, in an electron beam lithography system using a variable shaped beam, pattern repetition has been used to shorten the time it takes to transfer pattern lithography data from an external storage device to a lithography control circuit. The drawing data is being compressed. For example, as shown in Figure 6(a), two rectangles 61.6
When two group patterns 60 are arranged in a 4×4 array, the drawing data is expressed by a layout data group and a figure data group as shown in FIG. Here, the figure data group is a set of data that describes the irradiation position X IYm% dimensions h and w of the unit figure (shot 1 and shot 2), the irradiation mmI+1 time t, and the like. In addition, the arrangement data group refers to the position X of the reference point of the group pattern.
Y Number of repetitions Nx, (-4), N, (-4)
, xi' yiゝrepetition pitch PP and the group putter X1'
The number of figures N1 for the yl line is a set of data representing the first storage address PF1 of data in which the figure data is stored.

このように圧縮された描画用データを展開し描画する手
順を第7図に示す。磁気ディスク等の外部記憶装置71
に格納された描画用データは、システムを制御する計算
機のメインメモリ72を通して描画用バッファメモリ7
3へ転送される。描画すべき一つの単位図形に対し、シ
ステムは配置データ内のデータX   Y   N、、
N、、Pxi’  yl’   Xl   y+   
xi’P 及び図形データ内のデータX 、y を用い
yi              rn   mて、照
射位置演算回路74によってN  、、 N  個Xi
   yl の照射位置を、次式に従って算出する。
FIG. 7 shows a procedure for expanding and drawing the drawing data compressed in this way. External storage device 71 such as a magnetic disk
The drawing data stored in the drawing buffer memory 7 is passed through the main memory 72 of the computer that controls the system.
Transferred to 3. For one unit figure to be drawn, the system calculates the data X Y N,...
N,, Pxi'yl' Xl y+
Using xi'P and the data X, y in the figure data, the irradiation position calculation circuit 74 calculates N,, N pieces Xi
The irradiation position of yl is calculated according to the following formula.

但し、I(1−0,1,・・・、  (Nxl−1)K
2−0.1.  ・・・、   (N  、−1)Xl そして、算出された照射位置を順に照射位置制御回路7
5に送って、照射位置を制御する。また、図形データ中
の照射時間のデータtmをNx1×N、回、ブランキン
グ制御回路76に送って照射時間の制御を行う。さらに
、図形データ中の寸法データh  、w  をNxlX
Nyi回、ショット形状l1ffl 制御回路77に送って可変成形ビームの寸法を制御する
However, I(1-0,1,..., (Nxl-1)K
2-0.1. ..., (N, -1)Xl Then, the irradiation position control circuit 7 sequentially changes the calculated irradiation position
5 to control the irradiation position. Further, the data tm of the irradiation time in the graphic data is sent N×1×N times to the blanking control circuit 76 to control the irradiation time. Furthermore, the dimension data h and w in the figure data are set to NxlX
Nyi times, the shot shape l1ffl is sent to the control circuit 77 to control the dimensions of the variable shaped beam.

ところで、上記の従来方法では、図形の一つに対し、照
射時間のデータt  (照射量データ)と図形の寸法h
  、w  及び照射位置x  、y  をm    
    m                    
m       a+表わすデータ(形状データ)とが
各々1つ定義されている。一方、近接効果の補正等のた
めに照射量の変更を行おうとすると、図形の形状が同じ
であっても図形の存在する場所によって、その照射時間
は異なる値となる。例えば、第2図の単位図形21の照
射時間は周囲のパターンが異なるために、単位図形22
の照射時間とは異なることになる。
By the way, in the above conventional method, for one of the figures, data t of irradiation time (dose data) and dimension h of the figure are used.
, w and the irradiation position x, y as m
m
One each of m a+representing data (shape data) is defined. On the other hand, if an attempt is made to change the irradiation amount in order to correct the proximity effect, etc., the irradiation time will have a different value depending on the location of the figure even if the shape of the figure is the same. For example, the irradiation time for the unit figure 21 in FIG. 2 is different because the surrounding patterns are different.
This will be different from the irradiation time.

従って、第2図に示す如きパターンを描画するの場合、
図形の形状は図中2点鎖線で囲まれる領域内で同一であ
るにも拘らず、近接効果の補正等による照射時間の違い
から、データ圧縮の行える領域は1点鎖線内の領域に限
られることになる。
Therefore, when drawing a pattern as shown in Figure 2,
Although the shapes of the figures are the same within the area surrounded by the two-dot chain line in the figure, data compression is only possible in the area within the one-dot chain line due to differences in irradiation time due to proximity effect correction, etc. It turns out.

つまり、データ圧縮が不十分であると云う問題があった
。さらに、データ圧縮が不十分であることから、データ
転送時間が長くなり、電子ビーム描画装置の稼働率の低
下を招き、引いては描画スルーブツトの低下を招くと云
う問題があった。
In other words, there was a problem that data compression was insufficient. Furthermore, since data compression is insufficient, there is a problem in that the data transfer time becomes long, leading to a decrease in the operation rate of the electron beam lithography apparatus, and, in turn, a decrease in the lithography throughput.

(発明が解決しようとする問題点) このように従来、近接効果の補正等を行う場合、データ
の圧縮が不十分となり、描画用データの転送時間が大き
くなり、電子ビーム描画装置の稼働率を低下させると云
う問題があった。
(Problems to be Solved by the Invention) Conventionally, when correcting the proximity effect, etc., data compression is insufficient, increasing the time required to transfer drawing data, and reducing the operation rate of electron beam drawing equipment. There was a problem of lowering the

本発明は上記事情を考慮してなされたもので、その目的
とするところは、近接効果補正等のために照射量を変化
させて描画する際にも効率的なデータの圧縮と展開が可
能となり、描画スループ、。
The present invention has been made in consideration of the above circumstances, and its purpose is to enable efficient data compression and expansion even when drawing is performed by changing the dose for proximity effect correction, etc. ,Draw Sloop,.

トの向上をはかり得る荷電ビーム描画方法を提供するこ
とにある。
An object of the present invention is to provide a charged beam lithography method that can improve the performance.

また本発明の他の目的は、上記方法を実施するための荷
電ビーム描画装置を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a charged beam lithography apparatus for carrying out the above method.

[発明の構成コ (問題点を解決するための手段) 本発明の骨子は、同一形状の図形を描画するに際して、
高さや幅等を表わす形状のデータを共通に利用し、なお
かつこれら同一形状の図形を繰返し描画する際に、2つ
以上の照射量制御データの中から一つを選択できる機構
を設けることにある。これにより、従来と同様のデータ
圧縮効率を保ちながら、図形の描画位置に応じて照射量
を変更することを可能としている。
[Configuration of the Invention (Means for Solving Problems) The gist of the present invention is that when drawing figures of the same shape,
The objective is to provide a mechanism that commonly uses shape data representing height, width, etc., and that allows one to be selected from two or more dose control data when repeatedly drawing figures of the same shape. . This makes it possible to change the irradiation amount depending on the drawing position of the figure while maintaining the same data compression efficiency as before.

即ち本発明は、試料上に荷電ビームを照射して該試料上
に所望パターンを描画する荷電ビーム描画方法において
、描画用データを単位図形の形状及び大きさを表わす形
状データ、単位図形の描画位置に対する照射量を表わす
照射量制御データ及び単位図形の集合よりなるグループ
パターンの配置を表わす配置データで構成し、上記グル
ープパターンを同一試料上に繰返しN回描画するに際し
、描画すべき1つの単位図形の形状データはN回の繰返
し回数に亙って同一のものを使用し、単位図形の照射時
間は描画の繰返し回数或いはグループパターンの描画位
置に応じて照射量制御データの中から1つの照射量デー
タを選択することによって決定するようにした方法であ
る。
That is, the present invention provides a charged beam drawing method in which a charged beam is irradiated onto a sample to draw a desired pattern on the sample. Consisting of radiation dose control data representing the radiation dose for the object and arrangement data representing the arrangement of a group pattern consisting of a set of unit figures, one unit figure to be drawn when repeatedly drawing the group pattern N times on the same sample. The same shape data is used for N repetitions, and the irradiation time of a unit figure is determined by one irradiation amount from among the irradiation amount control data according to the number of repetitions of drawing or the drawing position of the group pattern. In this method, the determination is made by selecting data.

また本発明は、上記方法を実施するための荷電ビーム描
画装置において、単位図形の形状及び大きさを表わす形
状データを格納する形状データ格納用メモリと、単位図
形の描画位置に対する照射量制御データを格納する照射
量制御データ格納用メモリと、単位図形の集合よりなる
グループパターンの配置データを格納する配置データ格
納用メモリと、上記配置データ格納用メモリの内容に従
って上記形状データ格納用メモリ及び照射量制御データ
格納用メモリの内容を選択する手段と、上記配置データ
格納用メモリの内容及び上記選択された各データに従っ
て荷電ビームを制御する手段とを設けるようにしたもの
である。
The present invention also provides a charged beam drawing apparatus for carrying out the above method, including a shape data storage memory that stores shape data representing the shape and size of a unit figure, and dose control data for the drawing position of the unit figure. A radiation dose control data storage memory to be stored, a placement data storage memory to store placement data of a group pattern consisting of a set of unit figures, and a shape data storage memory and a radiation dose according to the contents of the placement data storage memory. The apparatus includes means for selecting the contents of the memory for storing control data, and means for controlling the charged beam according to the contents of the memory for storing arrangement data and the selected data.

(作用) 本発明では、形状が同一で照射量が異なる単位図形を繰
返し描画するに際しても、描画すべき単位図形の形状に
対する一つのデータを繰返し利用することを可能として
いる。このため、従来方式では避けられなかった、照射
量の異なる図形は別々に形状を表わすデータを設ける、
と云う必要性をなくし、描画用データの圧縮効率を高め
、データ転送の時間を短縮することが可能となる。
(Function) The present invention makes it possible to repeatedly use one piece of data for the shape of the unit figure to be drawn, even when unit figures having the same shape and different irradiation doses are repeatedly drawn. For this reason, it is necessary to provide separate data representing shapes for shapes with different irradiances, which was unavoidable in the conventional method.
It becomes possible to eliminate the need for this, improve compression efficiency of drawing data, and shorten data transfer time.

(実施例) 以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。(Example) Hereinafter, details of the present invention will be explained with reference to illustrated embodiments.

第4図は本発明の一実施例方法に使用した電子ビーム描
画装置の光学系構成を示す図である。図中40は電子銃
、41は各種レンズ系、42.〜。
FIG. 4 is a diagram showing the optical system configuration of an electron beam lithography apparatus used in an embodiment of the method of the present invention. In the figure, 40 is an electron gun, 41 is various lens systems, 42. ~.

44は各種偏向系、45はブランキング板、46゜47
はビーム成形用アパーチャマスク、48は反射電子検出
器、49はターゲットを示している。
44 is various deflection systems, 45 is a blanking plate, 46° 47
4 is a beam shaping aperture mask, 48 is a backscattered electron detector, and 49 is a target.

電子銃40から放出された電子ビームは、ブランキング
用偏向器42により0N−OFFされる。
The electron beam emitted from the electron gun 40 is turned off by a blanking deflector 42.

本装置は、この際の照射時間を調整することによって、
照射位置に応じて照射量を変化させることを可能として
いる。
By adjusting the irradiation time, this device can
This makes it possible to change the irradiation amount depending on the irradiation position.

ブランキング板45を通過したビームは、ビーム成形用
偏向器43及びビーム成形用アパーチャマスク46.4
7により矩形ビームに成形され、またその矩形の寸法が
可変される。そして、この成形されたビームは、走査用
偏向器44によりターゲット49上で偏向走査され、こ
のビーム走査によりターゲット49が所望パターンに描
画されるものとなっている。なお、本装置での電子ビー
ムの加速電圧は50[KV]であり、また発生し得る可
変成形ビームは最大サイズ高さ2[μ雇]。
The beam that has passed through the blanking plate 45 is transferred to a beam shaping deflector 43 and a beam shaping aperture mask 46.4.
7, the beam is shaped into a rectangular beam, and the dimensions of the rectangle are varied. Then, this shaped beam is deflected and scanned on the target 49 by the scanning deflector 44, and the target 49 is drawn in a desired pattern by this beam scanning. The accelerating voltage of the electron beam in this device is 50 [KV], and the variable shaped beam that can be generated has a maximum size and height of 2 [μ].

幅2[μ7IL]の矩形ビームである。It is a rectangular beam with a width of 2 [μ7IL].

第1図は本発明の一実施例方法における繰返しパターン
及び描画用データを示す模式図である。
FIG. 1 is a schematic diagram showing a repetitive pattern and drawing data in a method according to an embodiment of the present invention.

第1図(a)に示す如く、2つの矩形11.12よりな
るグループパターン10が4×4配列されているものと
する。この配列に対して描画データは、第1図(b)に
示す如く、配置データ群、形状データ群及び照射量制御
データ群により構成される。
As shown in FIG. 1(a), it is assumed that a group pattern 10 consisting of two rectangles 11 and 12 is arranged in a 4×4 arrangement. The drawing data for this array is composed of a placement data group, a shape data group, and a dose control data group, as shown in FIG. 1(b).

即ち、従来方式の図形データ群が、形状データ群と照射
量制御データ群とに2分されており、形状データ群は単
位図形の照射位置x  、y  及び寸m      
  m 法h  、w  を記すデータの集合、照射量制御デm
        Ill −タ群は単位図形の照射Q tmを記すデータの集合と
なっている。また、配置データ群には、従来方式と同様
に、グループパターンの基準点の位置X  、、 Y 
 、、繰返しの回数N   N、、繰返しのx+   
yx         xi’  ytピッチPP  
 該グループパターンに属するx1’  yiゝ 単位図形の数N1が記述される他、形状データの格納先
頭番地PF、及び照射量データの格納先頭■ 番地PD、が記される。
That is, the figure data group in the conventional method is divided into a shape data group and a dose control data group, and the shape data group includes the irradiation position x, y and size m of the unit figure.
A collection of data that describes the modulus h and w, and the dose control demo m
The Ill-ta group is a set of data that describes the irradiation Qtm of a unit figure. In addition, in the arrangement data group, as in the conventional method, the positions of the reference points of the group pattern X, Y
,,Number of repetitions N N,,x+ of repetitions
yx xi' yt pitch PP
In addition to the number N1 of x1' yi inch unit figures belonging to the group pattern, the starting address PF for storing shape data and the starting address PD for storing dose data are also written.

次に、繰返しパターン及びこれに対する描画用データに
ついて、第2図及び第3図を参照して、より具体的に説
明する。第2図は繰返しパターンの一例である。2つの
矩形11.12からなるグループパターン10が5×5
配列されており、図中1点鎖線内のパターンは図形の形
状及び寸法が同一であり、且つその照射量も同一である
。しかし、1点鎖線外のパターンは図形の寸法及び形状
は同一であるが、その照射量が異なったものである。
Next, the repetitive pattern and the drawing data for the same will be explained in more detail with reference to FIGS. 2 and 3. FIG. 2 is an example of a repeating pattern. Group pattern 10 consisting of two rectangles 11 and 12 is 5×5
The patterns within the dashed line in the figure have the same shape and size, and have the same irradiation amount. However, the patterns outside the one-dot chain line have the same figure size and shape, but have different irradiation doses.

第3図は第2図の2点鎖線内のパターンを記述する描画
用データの一例である。1点鎖線外のグループパターン
の16個は形状は同じであるが照射量が異なるので、こ
れらを第1〜第16のグループパターンとする。さらに
、1点鎖線内のグループパターンの9個は形状及び照射
量共に同一であるので、これらをまとめて第17のグル
ープパターンとする。第1〜第17のグループパターン
内部の単位図形の寸法や照射位置は、従来方法では17
回重復して設定せざるを得なかったが、本方式では図に
見るように第1第17のグループパターンについて単位
図形の形状は一つのデータで表現され、第17のグルー
プパターンでは照射量も一つのデータで表現されている
FIG. 3 is an example of drawing data describing the pattern within the two-dot chain line in FIG. The 16 group patterns outside the one-dot chain line have the same shape but different irradiation doses, so these are defined as the first to 16th group patterns. Furthermore, since the nine group patterns within the one-dot chain line are the same in shape and dose, they are collectively defined as the seventeenth group pattern. In the conventional method, the dimensions and irradiation positions of unit figures inside the 1st to 17th group patterns are 17
However, in this method, as shown in the figure, the shape of the unit figure for the 1st and 17th group patterns is expressed by one data, and the irradiation amount for the 17th group pattern is also expressed by one data. It is expressed as a single piece of data.

上記の描画用データを従来方式による場合と比較すると
、配置データに関しては実施例及び従来例共に略同様で
あり、照射量制御データの情報量としては実施例及び従
来例共に全く同様である。
Comparing the above drawing data with the conventional method, the arrangement data is almost the same in both the embodiment and the conventional example, and the amount of information of the dose control data is completely the same in both the embodiment and the conventional example.

しかし、形状データに関しては、従来第1〜第17のグ
ループパターンに対してそれぞれ独立に必要であったの
が、実施例では一つのグループパターンに対する形状デ
ータを全てのグループパターンで共用しているので、従
来例に比べ実施例では形状データの情報量が著しく低減
されることになる。
However, regarding the shape data, conventionally each of the 1st to 17th group patterns was required independently, but in this embodiment, the shape data for one group pattern is shared by all group patterns. , compared to the conventional example, the information amount of shape data is significantly reduced in the embodiment.

つまり、データ圧縮効率の大幅な向上をはかることがで
きている。
In other words, it is possible to significantly improve data compression efficiency.

第5図は本実施例方法を実施するための制御系を示すも
ので、バッファメモリ中の圧縮された描画用データから
単位図形の照射位置、照射形状。
FIG. 5 shows a control system for carrying out the method of this embodiment, in which the irradiation position and irradiation shape of a unit figure are determined from the compressed drawing data in the buffer memory.

照射量を決定し、それを制御する回路のブロック図であ
る。
FIG. 2 is a block diagram of a circuit that determines and controls the irradiation amount.

描画用データを格納するバッファメモリは、配列データ
を格納する配置データ格納用メモリ51、形状データを
格納する形状データ格納用メモリ52及び照射量データ
を格納する照射量制御データ格納用メモリ53の3種の
メモリで構成される。
The buffer memory that stores the drawing data includes a layout data storage memory 51 that stores array data, a shape data storage memory 52 that stores shape data, and a dose control data storage memory 53 that stores dose data. Consists of seed memory.

形状データ用メモリと照射量データ用メモリとを分離し
たことにより、一つの形状データに対し、複数の照射量
データを格納できることになる。
By separating the shape data memory and the dose data memory, a plurality of dose data can be stored for one shape data.

図中コントローラ50aは配置データ格納用メモリ51
を繰返しアクセスし、それによってグループパターン内
の単位図形の繰返し描画を制御し、またカウンタ54か
らのEND信号により次のグループパターンの繰返し描
画に制御を移す。コントローラ50aのアクセスによっ
て、配置データ格納用メモリ51からは、xy力方向繰
返し数NN   繰返しのピッチP  、、  P  
、、グルーxi’  ylゝ        xlyl
プパターン内の単位図形数N 、形状データ及び照射量
データの格納アドレスが出力される。カウンタ54はN
  、、 N  を入力とし、照射位置制御ly1 回路55から送られる照射終了の信号をN、 x■ N  、XNXN  、回受取った時、END信号をコ
ンXi          yl トローラ50aに送る。
In the figure, the controller 50a is a memory 51 for storing arrangement data.
is accessed repeatedly, thereby controlling the repetitive drawing of the unit figure in the group pattern, and the control is transferred to the repetitive drawing of the next group pattern by the END signal from the counter 54. By accessing the controller 50a, from the arrangement data storage memory 51, the number of repetitions in the x and y force directions NN, the repetition pitch P,, P
,, glue xi' ylゝ xlyl
The number N of unit figures in the pattern, the storage address of the shape data and the dose data are output. The counter 54 is N
.

照射位置演算回路56は、グループパターン内の各単位
図形について、Nxi×Nyi個の照射位置但し、K□
−0,1,−・、  (Nx1−1)1(2−0,1,
・・・、(N、、−1)そして、」1記算出された照射
位置を順に照射位置制御回路55に送る。
The irradiation position calculation circuit 56 calculates Nxi×Nyi irradiation positions for each unit figure in the group pattern, where K□
-0,1,-・, (Nx1-1)1(2-0,1,
. . . (N, , -1), and the calculated irradiation positions are sequentially sent to the irradiation position control circuit 55.

コントローラ50bは、乗算器57からの出力(N  
、XN  、) 、  グループパターン内の図形数x
l     yl N、及び形状データ格納番地を入力とする。コントロー
ラ50bは、形状データ格納番地を内部のレジスタに格
納し、このレジスタ値に所定の値を順次加えて、グルー
プパターン内のN個の単位図形の寸法や位置のデータの
格納番地を求め、形状データ格納用メモリ52の該格納
番地をアクセスする。コントローラ50bは、このよう
な操作を(N工i×Nyl)回繰返す。
The controller 50b outputs the output (N
,XN,), number of figures in the group pattern x
yl yl N and the shape data storage address are input. The controller 50b stores the shape data storage address in an internal register, sequentially adds a predetermined value to this register value, calculates the storage address of the data on the dimensions and positions of the N unit figures in the group pattern, and calculates the shape data. The storage address of the data storage memory 52 is accessed. The controller 50b repeats this operation (N time i×Nyl) times.

コントローラ50Cは、乗算器57からの出力(Nx工
XN、)、 グループパターン内の図形数N1及び照射
量データ格納番地を入力とする。コントローラ50cは
照射量データ格納番地を内部のレジスタに格納し、この
レジスタ値に所定の値を順次加えて、グループパターン
内のN個の単位図形の照射量データ格納番地を求め、照
射量制御データ格納用メモリ53の該格納番地をアクセ
スする。コントローラ50Cは、このような操作を(N
工、XN、1)回繰返す。
The controller 50C receives as input the output from the multiplier 57 (N x work x N,), the number N1 of figures in the group pattern, and the dose data storage address. The controller 50c stores the dose data storage address in an internal register, sequentially adds a predetermined value to this register value to obtain the dose data storage addresses of N unit figures in the group pattern, and stores the dose control data. The storage address in the storage memory 53 is accessed. The controller 50C performs such operations (N
Repeat 1) times.

形状データ格納用メモリ52は、コントローラ50bの
アクセスにより照射位置のデータX t +y1を照射
位置演算回路56へ、単位図形の寸法データh、wを照
射形状制御回路58へ送る。照射Q ffi制御データ
格納用メモリ53は、コントローラ50cのアクセスに
よって照射量データを照射口制御回路59へ送る。
The shape data storage memory 52 sends the irradiation position data X t +y1 to the irradiation position calculation circuit 56 and the dimension data h and w of the unit figure to the irradiation shape control circuit 58 when accessed by the controller 50b. The irradiation Q ffi control data storage memory 53 sends the irradiation amount data to the irradiation port control circuit 59 when accessed by the controller 50c.

そして、照射位置制御回路55により、前記走査用偏向
器44に与えられる偏向信号が決定され、これによりタ
ーゲット49上におけるビーム位置が制御される。また
、照射形状制御回路58により、前記ビーム成形用偏向
器43に与えられる偏向信号が決定され、これによりビ
ームの形状及び大きさが制御される。さらに、照射量制
御回路59により、前記ブランキング用偏向器に与えら
れるブランキング信号が決定され、これによりビームの
照射時間が制御されるものとなっている。
Then, the irradiation position control circuit 55 determines a deflection signal to be applied to the scanning deflector 44, thereby controlling the beam position on the target 49. Further, the irradiation shape control circuit 58 determines a deflection signal to be applied to the beam shaping deflector 43, thereby controlling the shape and size of the beam. Further, the irradiation amount control circuit 59 determines a blanking signal to be applied to the blanking deflector, thereby controlling the beam irradiation time.

かくして本実施例によれば、描画用データを配置データ
、形状データ及び照射量制御データの3つに分けて構成
しているので、近接効果補正のために照射量を変える場
合にあっては、描画用データの圧縮効率を大幅に向上さ
せることができる。
According to this embodiment, the drawing data is divided into three parts: placement data, shape data, and dose control data, so when changing the dose for proximity effect correction, The compression efficiency of drawing data can be greatly improved.

即ち、形状及び照射口が同一のグループパターンにあっ
ては圧縮効率は変わらないが、形状が同一で照射口が異
なるグループパターンにあっては従来必要であった個々
のグループパターン毎の形状データが不要となり1つの
形状データを共用することができる。このため、データ
転送時間の短縮をはかり111.電子ビーム描画装置の
稼働率を高めることが可能となる。
In other words, if the group patterns have the same shape and irradiation ports, the compression efficiency will not change, but if the group patterns have the same shape but different irradiation ports, the shape data for each group pattern, which was previously required, will be reduced. This becomes unnecessary and one shape data can be shared. For this reason, the data transfer time is reduced by 111. It becomes possible to increase the operating rate of the electron beam lithography apparatus.

なお、本発明は」二連した実施例に限定されるものでは
ない。実施例の電子ビーム描画装置は矩形の可変成形ビ
ームのみを発生できるシステムであったが、本発明は三
角形の可変成形ビームを発生するシステムにも適用でき
る。その場合には、例えば形状データの内部に矩形、三
角形の形状を区別するコードを導入することにより実施
できる。
Note that the present invention is not limited to two consecutive embodiments. Although the electron beam lithography apparatus of the embodiment is a system that can generate only a rectangular variable shaped beam, the present invention can also be applied to a system that generates a triangular variable shaped beam. In that case, this can be implemented, for example, by introducing a code that distinguishes rectangular and triangular shapes into the shape data.

また、実施例では照射量制御データを形状データ格納用
メモリと別のメモリに格納しているが、形状データを従
来と同じ照射量と対になったデータ形式をそのまま用い
、描画位置に対応して上記照射量制御データからグルー
プパターン全体に対する照射補正量を読出し、各ショッ
トの照射量と各々加算すると云う方法でも実施すること
ができる。
In addition, in the embodiment, the dose control data is stored in a memory separate from the shape data storage memory, but the shape data is stored in the same data format as the conventional dose and paired data format, corresponding to the drawing position. This can also be implemented by reading out the irradiation correction amount for the entire group pattern from the irradiation amount control data and adding it to the irradiation amount for each shot.

また、電子光学鏡筒の構成は第4図に同等限定されるも
のではなく、仕様に応じて適宜変更可能である。さらに
、電子ビームの代りにイオンビームを用いたイオンビー
ム描画装置に適用することも可能である。その他、本発
明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施するこ
とができる。
Further, the configuration of the electron optical lens barrel is not limited to the same as shown in FIG. 4, but can be changed as appropriate according to specifications. Furthermore, it is also possible to apply the present invention to an ion beam writing apparatus that uses an ion beam instead of an electron beam. In addition, various modifications can be made without departing from the gist of the present invention.

[発明の効果コ 以上詳述したように本発明によれば、各ショットの照射
量が設定された描画用データの量を、従来方式に比べて
格段に少なくすることができる。
[Effects of the Invention] As described in detail above, according to the present invention, the amount of drawing data in which the irradiation amount of each shot is set can be significantly reduced compared to the conventional method.

このため、データ転送の時間が従来方式よりも短縮され
、電子ビーム描画装置によって単位時間に描画できる試
料の数も多くなり、描画スループットの向上をはかり得
る。
Therefore, the time for data transfer is shorter than in the conventional method, and the number of samples that can be drawn per unit time by the electron beam drawing device increases, making it possible to improve drawing throughput.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例に係わる描画用データの形式
を示す模式図、第2図は描画されるパターンの一例を示
す模式図、第3図は第2図のパターンを第1図のデータ
形式により表現した際の描画用データを示す模式図、第
4図は上記実施例方法を実施するための電子ビーム描画
装置の光学系構成を示す図、第5図は上記実施例装置の
制御系を示すブロック図、第6図は従来方式によるデー
タ形式を示す模式図、第7図は従来方式による圧縮され
たデータの転送と展開を示す模式図である。 10・・・グループパターン、11.12・・・矩形の
図形、40・・・電子銃、41・・・レンズ系、42.
〜。 44・・・Q同系、46.47・・・ビーム成形用アパ
ーチャマスク、48・・・反射電子検出器、49・・・
ターゲット、50a、  〜、50c・・・コントロー
ラ、51・・・配置データ格納用メモリ、52・・・形
状データ格納用メモリ、53・・・照射量制御データ格
納用メモリ、54・・・カウンタ、55・・・照射位置
制御回路、56・・・照射位置演算回路、57・・・乗
算器、58・・・照射形状制御回路、59・・・照射量
制御回路。
FIG. 1 is a schematic diagram showing a format of drawing data according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a schematic diagram showing an example of a pattern to be drawn, and FIG. 3 is a schematic diagram showing an example of a pattern to be drawn. FIG. 4 is a diagram showing the optical system configuration of an electron beam lithography apparatus for carrying out the above embodiment method, and FIG. 5 is a schematic diagram showing the drawing data expressed in the data format of . FIG. 6 is a block diagram showing the control system, FIG. 6 is a schematic diagram showing the data format according to the conventional method, and FIG. 7 is a schematic diagram showing the transfer and expansion of compressed data according to the conventional method. 10... Group pattern, 11. 12... Rectangular figure, 40... Electron gun, 41... Lens system, 42.
~. 44... Q similar system, 46.47... Beam shaping aperture mask, 48... Backscattered electron detector, 49...
Target, 50a, ~, 50c...Controller, 51...Memory for storing arrangement data, 52...Memory for storing shape data, 53...Memory for storing dose control data, 54...Counter, 55... Irradiation position control circuit, 56... Irradiation position calculation circuit, 57... Multiplier, 58... Irradiation shape control circuit, 59... Irradiation amount control circuit.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)試料上に荷電ビームを照射して該試料上に所望パ
ターンを描画する荷電ビーム描画方法において、 描画用データを単位図形の形状及び大きさを表わす形状
データ、単位図形の描画位置に対する照射量を表わす照
射量制御データ及び単位図形の集合よりなるグループパ
ターンの配置を表わす配置データで構成し、 上記グループパターンを同一試料上に繰返しN回描画す
るに際し、描画すべき1つの単位図形の形状データはN
回の繰返し回数に亙って同一のものを使用し、且つ単位
図形の照射時間は描画の繰返し回数或いはグループパタ
ーンの描画位置に応じて上記照射量制御データの中から
1つの照射量制御データを選択することによって決定す
ることを特徴とする荷電ビーム描画方法。
(1) In a charged beam drawing method in which a charged beam is irradiated onto a sample to draw a desired pattern on the sample, drawing data is used as shape data representing the shape and size of a unit figure, and irradiation on the drawing position of the unit figure. The shape of one unit figure to be drawn when repeatedly drawing the above group pattern N times on the same sample The data is N
The same data is used for the number of repetitions, and the irradiation time of a unit figure is determined by one of the above irradiation control data according to the number of repetitions of drawing or the drawing position of the group pattern. A charged beam drawing method characterized in that the charged beam drawing method is determined by selection.
(2)試料上に荷電ビームを照射して該試料に所望パタ
ーンを描画する荷電ビーム描画装置において、単位図形
の形状及び大きさを表わす形状データを格納する形状デ
ータ格納用メモリと、単位図形の描画位置に対する照射
量制御データを格納する照射量制御データ格納用メモリ
と、単位図形の集合よりなるグループパターンの配置デ
ータを格納する配置データ格納用メモリと、上記配置デ
ータ格納用メモリの内容に従って上記形状データ格納用
メモリ及び照射量制御データ格納用メモリのデータを選
択する手段と、上記配置データ格納用メモリの内容及び
上記選択された各データに従って荷電ビームを制御する
手段とを具備してなることを特徴とする荷電ビーム描画
装置。
(2) In a charged beam drawing device that irradiates a charged beam onto a sample to draw a desired pattern on the sample, a shape data storage memory that stores shape data representing the shape and size of a unit figure; A dose control data storage memory that stores dose control data for a drawing position, a placement data storage memory that stores placement data of a group pattern consisting of a set of unit figures, and a placement data storage memory that stores dose control data for a drawing position; It comprises means for selecting data in a memory for storing shape data and a memory for storing dose control data, and means for controlling the charged beam according to the contents of the memory for storing arrangement data and each of the selected data. A charged beam lithography device featuring:
(3)前記荷電ビームを制御する手段は、前記配置デー
タ格納用メモリの内容及び選択された形状データ格納用
メモリのデータに従ってビームの照射位置を決定し、前
記選択された形状データ格納用メモリのデータに従って
ビームの形状及び寸法を決定し、前記照射量制御データ
格納用メモリのデータに従ってビームの照射時間を決定
するものであることを特徴とする特許請求の範囲第2項
記載の荷電ビーム描画装置。
(3) The means for controlling the charged beam determines the irradiation position of the beam according to the contents of the arrangement data storage memory and the data of the selected shape data storage memory, and controls the selected shape data storage memory. The charged beam drawing apparatus according to claim 2, wherein the shape and dimensions of the beam are determined according to the data, and the irradiation time of the beam is determined according to the data in the memory for storing dose control data. .
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0282290A (en) * 1988-09-19 1990-03-22 Toshiba Mach Co Ltd Plotting method for plotting plural arrayed graphics
JPH0697056A (en) * 1992-07-31 1994-04-08 Internatl Business Mach Corp <Ibm> System and method for shortening of electron-beam control data
JP2009188000A (en) * 2008-02-04 2009-08-20 Nuflare Technology Inc Writing apparatus and writing data conversion method
JP2015095538A (en) * 2013-11-12 2015-05-18 株式会社ニューフレアテクノロジー Method for forming drawing data
JP2015185800A (en) * 2014-03-26 2015-10-22 株式会社ニューフレアテクノロジー Charged particle beam lithography apparatus, information processing apparatus and charged particle beam lithography method
JP2016122676A (en) * 2014-12-24 2016-07-07 株式会社アドバンテスト Exposure device and exposure method
JP2018142727A (en) * 2018-05-21 2018-09-13 株式会社ニューフレアテクノロジー Method for forming drawing data

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0282290A (en) * 1988-09-19 1990-03-22 Toshiba Mach Co Ltd Plotting method for plotting plural arrayed graphics
JPH0697056A (en) * 1992-07-31 1994-04-08 Internatl Business Mach Corp <Ibm> System and method for shortening of electron-beam control data
JP2009188000A (en) * 2008-02-04 2009-08-20 Nuflare Technology Inc Writing apparatus and writing data conversion method
JP2015095538A (en) * 2013-11-12 2015-05-18 株式会社ニューフレアテクノロジー Method for forming drawing data
JP2015185800A (en) * 2014-03-26 2015-10-22 株式会社ニューフレアテクノロジー Charged particle beam lithography apparatus, information processing apparatus and charged particle beam lithography method
JP2016122676A (en) * 2014-12-24 2016-07-07 株式会社アドバンテスト Exposure device and exposure method
US10256074B2 (en) 2014-12-24 2019-04-09 Intel Corporation Exposure apparatus and exposure method
JP2018142727A (en) * 2018-05-21 2018-09-13 株式会社ニューフレアテクノロジー Method for forming drawing data

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