JP2783447B2 - Charged particle beam drawing method - Google Patents

Charged particle beam drawing method

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Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、パターン描画時間を短縮した荷電粒子ビー
ム描画方法に関する。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a charged particle beam writing method in which a pattern writing time is reduced.

(従来の技術) 近時、IC素子の超高密度化を実現する方法として、電
子ビーム描画方法やイオンビーム描画方法等の荷電粒子
ビーム描画方法が注目を集めている。
(Prior Art) Recently, as a method for realizing ultra-high density of IC elements, a charged particle beam drawing method such as an electron beam drawing method or an ion beam drawing method has attracted attention.

該荷電粒子ビーム描画方法の代表とも言えるものに、
例えば、電子ビーム断面可変型描画方法がある。この方
法は、高速及び高精度描画を目指したもので、電子ビー
ム発生手段から射出された電子ビームの断面形状及び大
きさを、正方形若しくは矩形状の孔を有する2つのマス
ク板と該2つのマスク板間に配置された電子レンズと偏
向器とから成る電子ビーム断面形状及び大きさ可変手段
により可変整形し、該整形ビームを材料上の所定の位置
に投影する事により、所定のパターンを描画している。
What can be said as a representative of the charged particle beam drawing method,
For example, there is an electron beam cross section variable type drawing method. This method aims at high-speed and high-precision drawing. The cross-sectional shape and size of the electron beam emitted from the electron beam generating means are reduced by two mask plates having square or rectangular holes and the two mask plates. A variable pattern is formed by an electron beam cross-sectional shape and size changing means comprising an electron lens and a deflector disposed between the plates, and a predetermined pattern is drawn by projecting the formed beam at a predetermined position on a material. ing.

第2図(a)は上底a,下底b,高さcの台形パターンを
示したものである。尚、説明の便宜上、長い方を下底、
短い方を上底とする。この様なパターンを前記電子ビー
ム可変面積型描画方法で描画する場合、以下の様にして
行われる。
FIG. 2A shows a trapezoidal pattern having an upper base a, a lower base b, and a height c. In addition, for convenience of explanation,
The shorter one is the upper bottom. When such a pattern is drawn by the electron beam variable area drawing method, it is performed as follows.

先ず、前記台形パターンの下底bが前記マスク板のス
リットサイズより大きい場合(但し、高さcはスリット
サイズより小さいとする)の描画について説明する。こ
の様な場合、先ず、台形パターンは矩形パターンLと三
角形パターンM,Nに分割される(第2図(b)参照)。
そして、該矩形パターンLは、電子ビームを前記電子ビ
ーム断面形状及び大きさ可変断面手段により該パターン
Lに対応した形状の寸法に整形し、該整形したビームを
材料上の所定位置にショットする事により描画される。
又、前記三角形パターンM,Nは、夫々、電子ビームを前
記電子ビーム断面形状及び大きさ可変断面手段により、
順次、矩形パターンM1,M2,……M6、N1,N2,……N6に対応
した形状の寸法に整形し、該各整形したビームを材料上
の所定位置に描画する事により描画される(第2図
(c)参照)。その結果、台形パターンが描画される。
First, writing when the lower base b of the trapezoid pattern is larger than the slit size of the mask plate (provided that the height c is smaller than the slit size) will be described. In such a case, first, the trapezoid pattern is divided into a rectangular pattern L and triangular patterns M and N (see FIG. 2B).
The rectangular pattern L is obtained by shaping an electron beam into a shape having a shape corresponding to the pattern L by the electron beam cross-sectional shape and size variable cross-section means, and shooting the shaped beam at a predetermined position on a material. Is drawn by
In addition, the triangular patterns M and N respectively transmit an electron beam by the electron beam cross-sectional shape and size variable cross-sectional means.
To sequentially shape the rectangular patterns M 1 , M 2 ,..., M 6 , N 1 , N 2 ,..., N 6 and draw the shaped beams at predetermined positions on the material. (See FIG. 2 (c)). As a result, a trapezoid pattern is drawn.

又、前記台形パターンの下底bが前記マスク板のスリ
ットサイズより小さい場合(但し、高さcはスリットサ
イズより小さいとする)は、電子ビームを前記電子ビー
ム断面形状及び大きさ可変断面手段により、順次、矩形
パターンO1,O2,……O6に対応した形状の寸法に整形し、
該各整形したビームを材料上の所定位置に描画する事に
より、台形パターンを描画している。
When the lower base b of the trapezoid pattern is smaller than the slit size of the mask plate (however, the height c is smaller than the slit size), the electron beam is formed by the electron beam cross-sectional shape and size variable cross-section means. sequentially rectangular pattern O 1, O 2, and shaped into dimensions of a shape corresponding to the ...... O 6,
By drawing each of the shaped beams at a predetermined position on the material, a trapezoid pattern is drawn.

(発明が解決しようとする課題) さて、1つの材料上に描かれるパターンは何万個〜数
十万個あるのが普通であり、その中には台形パターンが
極めて多く存在する。これらの台形パターンを描く為
に、各台形パターンの描画毎に、上記の様に電子ビーム
を順次何回も矩形状に整形し、該各矩形ビームを順次所
定位置にショットする行程を繰り返さねばならない。そ
の為に、描画時間が厖大となる。
(Problems to be Solved by the Invention) There are usually tens of thousands to hundreds of thousands of patterns drawn on one material, and there are extremely many trapezoidal patterns among them. In order to draw these trapezoidal patterns, the electron beam must be sequentially shaped into a rectangular shape many times as described above for each trapezoidal pattern drawing, and the process of sequentially shooting each rectangular beam at a predetermined position must be repeated. . Therefore, the drawing time becomes enormous.

本発明は、この様な点に鑑みて成されたもので、その
目的は、描画時間を短縮する新規な荷電粒子ビーム描画
方法を提供する事にある。
The present invention has been made in view of such a point, and an object of the present invention is to provide a novel charged particle beam drawing method for shortening a drawing time.

(課題を解決する為の手段) この目的を達成する為に、本発明は、三角形パターン
の底辺若しくは台形パターンの長い方の底辺が基準寸法
より小さい場合、荷電粒子ビームの断面を、前記三角形
パターン若しくは台形パターンの底辺と高さを夫々2辺
とする矩形状に整形して材料上の所定位置にショットす
る様にした。
(Means for Solving the Problems) In order to achieve this object, the present invention relates to a method for forming a cross section of a charged particle beam into a cross section of a triangular pattern when the base of the triangular pattern or the longer base of the trapezoidal pattern is smaller than a reference dimension. Alternatively, the trapezoidal pattern is shaped into a rectangular shape having two sides each at the bottom and height, and shot at a predetermined position on the material.

(実施例) 第1図は本発明の荷電粒子ビーム描画方法の一実施例
として示した電子ビーム断面可変型描画装置の概略図で
ある。
(Embodiment) FIG. 1 is a schematic diagram of an electron beam cross-section variable type drawing apparatus shown as one embodiment of a charged particle beam drawing method of the present invention.

図中、1は磁気ディスク、2は制御装置、3は図形分
割回路、4は図形判別回路、5は第1矩形パターン作成
回路、6は比較回路、7は第2矩形パターン作成回路、
8は制御装置、9は描画データメモリ、10は電子銃、11
はブランキング電極、12はブランキング絞り、13,15は
集束レンズ、14は第1マスク板、16はX方向整形用偏向
器、17はY方向整形用偏向器、18は第2マスク板、19は
投影レンズ、20はX方向位置決め用偏向器、21はY方向
位置決め用偏向器、22は材料、23は描画時間信号作成回
路、24,26,28,30はDA変換器、25,27,29,31はアンプであ
る。
In the figure, 1 is a magnetic disk, 2 is a control device, 3 is a figure dividing circuit, 4 is a figure discriminating circuit, 5 is a first rectangular pattern forming circuit, 6 is a comparing circuit, 7 is a second rectangular pattern forming circuit,
8 is a control device, 9 is a drawing data memory, 10 is an electron gun, 11
Is a blanking electrode, 12 is a blanking aperture, 13 and 15 are focusing lenses, 14 is a first mask plate, 16 is an X-direction shaping deflector, 17 is a Y-direction shaping deflector, 18 is a second mask plate, 19 is a projection lens, 20 is an X direction positioning deflector, 21 is a Y direction positioning deflector, 22 is a material, 23 is a drawing time signal generation circuit, 24, 26, 28, and 30 are DA converters, 25 and 27. , 29 and 31 are amplifiers.

この様に構成された装置において、前記第2図(a)
に示した台形パターンの描画は次に様にして行われる。
In the device configured as described above, FIG.
Is drawn as follows.

先ず、制御装置2は、第2図(a)に示した台形パタ
ーンに基づく図形データが記憶されている磁気ディスク
1から、該図形データを呼出す。そして、該図形データ
を図形分割回路3に供給する。該図形分割回路3は送ら
れて来る図形データが台形パターンを表し、且つ、該台
形パターンの下底の長さがマスク板14,18のスリットサ
イズより大きい場合に限り図形を分割する。例えば、該
台形パターンの下底の長さが該各スリットサイズより大
きい場合、送られて来る台形パターンを表す図形データ
は、前記第2図(b)に示した如く矩形パターンLと三
角形パターンM,Nに分割される。該分割された矩形パタ
ーンLを表す図形データと三角形パターンM,Nを夫々表
す図形データは図形判別回路4に供給される。該図形判
別回路4は、送られて来る図形データが矩形パターンを
表すものか、或いは、三角形若しくは台形パターンを表
すものかを判別する。該図形判別回路は、前記矩形パタ
ーンLを表す図形データを矩形パターンと判別し、制御
装置8に供給する。該制御装置8は、矩形パターンLを
表す図形データから、該パターンの描画データ(描画位
置データ、描画時間データ及びビームのサイズデータ)
を、描画データメモリ9に記憶する。又、前記判別回路
4で三角形パターンと判別した三角形パターンM,Nを表
す図形データを、第1矩形パターン作成回路5に供給す
る。該第1矩形パターン作成回路5は、三角形パターン
M,Nに基づく図形データを受け取ると、夫々前記第2図
(c)に示した如く矩形パターンM1,M2,……M6、N1,N2,
……N6を表す図形データを作成し、該夫々の図形データ
を比較回路6に供給する。
First, the control device 2 calls up the graphic data from the magnetic disk 1 in which graphic data based on the trapezoidal pattern shown in FIG. 2A is stored. Then, the graphic data is supplied to the graphic dividing circuit 3. The figure dividing circuit 3 divides a figure only when the received figure data represents a trapezoidal pattern and the length of the bottom of the trapezoidal pattern is larger than the slit size of the mask plates 14 and 18. For example, if the length of the bottom of the trapezoidal pattern is larger than the size of each slit, the figure data representing the trapezoidal pattern sent is a rectangular pattern L and a triangular pattern M as shown in FIG. , N. The graphic data representing the divided rectangular pattern L and the graphic data representing the triangular patterns M and N are supplied to the graphic discriminating circuit 4. The figure determining circuit 4 determines whether the sent figure data represents a rectangular pattern or a triangle or trapezoid pattern. The figure determining circuit determines the figure data representing the rectangular pattern L as a rectangular pattern and supplies the figure data to the control device 8. The controller 8 converts drawing data (drawing position data, drawing time data, and beam size data) of the pattern from the graphic data representing the rectangular pattern L.
Is stored in the drawing data memory 9. Further, graphic data representing the triangular patterns M and N determined as triangular patterns by the determining circuit 4 are supplied to a first rectangular pattern creating circuit 5. The first rectangular pattern creating circuit 5 includes a triangular pattern
When graphic data based on M and N is received, rectangular patterns M 1 , M 2 ,... M 6 , N 1 , N 2 ,
... Graphic data representing N 6 is created, and the respective graphic data are supplied to the comparison circuit 6.

さて、比較回路6には、予め、基準寸法δがセットさ
れている。該基準寸法δとしては、例えば、台形パター
ンや三角形パターンを描く為の多数の矩形パターンの幅
(y方向の長さ)が選ばれている。該比較回路6は、順
次送られて来る矩形パターンM1,M2,……M6の図形データ
の内、最初の矩形パターンM1の長さ(x方向の長さ)m1
と前記基準寸法δを比較する。該比較により、m1>δと
判断するので、前記各矩形パターンM1,M2,……M6の図形
データは前記制御装置8に供給される。そして、該制御
装置は、該夫々の図形データから該各パターンの描画デ
ータ(描画位置データ、描画時間データ及びビームのサ
イズデータ)を、前記描画データメモリ9に記憶する。
The reference size δ is set in the comparison circuit 6 in advance. As the reference dimension δ, for example, the width (length in the y direction) of a large number of rectangular patterns for drawing a trapezoid pattern or a triangular pattern is selected. The comparator circuit 6, the rectangular pattern M 1 which sequentially sent, M 2, of the graphic data ...... M 6, the length of the first rectangular pattern M 1 (x-direction length) m 1
And the reference dimension δ. Since it is determined by the comparison that m 1 > δ, the graphic data of the rectangular patterns M 1 , M 2 ,... M 6 is supplied to the control device 8. Then, the control device stores the drawing data (writing position data, writing time data, and beam size data) of each pattern from the respective graphic data in the drawing data memory 9.

又、比較回路6は、次に、順次送られて来る矩形パタ
ーンN1,N2,……N6の図形データの内、最初の矩形パター
ンN1のx方向の長さn1と前記基準寸法δを比較する。該
比較により、n1≦δと判断するので、前記各矩形パター
ンN1,N2,……N6の図形データは第2矩形パターン作成回
路7に供給される。該第2矩形パターン作成回路7は、
入力されて来た各矩形パターンデータに基づいて、x方
向n1,y方向cの寸法の1個矩形パターンを表すデータを
作成し、該矩形パターンの図形データを前記制御装置8
に供給する。制御装置8は、該図形データから該パター
ンの描画データ(描画位置データ、描画時間データ及び
ビームのサイズデータ)を、前記描画データメモリ9に
記憶する。
Further, comparison circuit 6, then, the rectangular pattern N 1 which sequentially sent, N 2, ...... of the graphic data N 6, first in the x direction of the rectangular pattern N 1 length n 1 and the reference Compare the dimensions δ. Since it is determined by the comparison that n 1 ≦ δ, the graphic data of each of the rectangular patterns N 1 , N 2 ,... N 6 is supplied to the second rectangular pattern forming circuit 7. The second rectangular pattern creation circuit 7
Based on the input rectangular pattern data, data representing one rectangular pattern having dimensions of n 1 in the x direction and c in the y direction is created, and the graphic data of the rectangular pattern is stored in the control device 8.
To supply. The control device 8 stores the drawing data (writing position data, writing time data, and beam size data) of the pattern from the graphic data in the writing data memory 9.

パターン描画時、制御装置8は、該描画データメモリ
9から、先ず、矩形パターンLの描画データを順次呼出
し、描画時間データを描画時間信号作成回路23に、ビー
ムのX方向のサイズデータをDA変換器24及びアンプ25を
介してX方向整形用偏向器16に、ビームのY方向のサイ
ズデータをDA変換器26及びアンプ27を介してY方向整形
用偏向器17に、X方向描画位置データをDA変換器28及び
アンプ29を介してX方向位置決め用偏向器20に、Y方向
描画位置データをDA変換器30及びアンプ31を介してY方
向位置決め用偏向器21に夫々送る。而して、前記描画時
間作成回路23は入力されて来た描画時間データに基づい
て描画時間信号(ブランキング信号)を作成して、これ
をブランキング用偏向器11に送り、前記X方向整形用偏
向器16及びY方向整形用偏向器17は送られて来たビーム
サイズデータに基づいて電子銃10からの電子ビームの材
料22上でのビームサイズを所定の形状及び大きさに整形
するので、材料22上の所定位置に所定寸法の描画が成さ
れる。続いて、矩形パターンM1,M2,……M6の描画データ
が順次呼び出され、同様にして、材料22上の所定位置に
所定寸法の描画が成される。矩形パターンM6の描画が終
了すると、続いて、前記x方向の寸法n1,y方向寸法cの
矩形パターンの描画データが呼び出され、前記と同様に
して、材料22上の所定位置に所定寸法の描画が成され
る。その結果、第2図(e)に示す如きパターンが描画
される。
At the time of pattern drawing, the control device 8 first calls the drawing data of the rectangular pattern L from the drawing data memory 9 sequentially, converts the drawing time data to the drawing time signal creation circuit 23, and converts the beam size data in the X direction into DA. The beam size data in the Y direction is supplied to the X direction shaping deflector 16 via the device 24 and the amplifier 25, and the X direction drawing position data is transmitted to the Y direction shaping deflector 17 via the DA converter 26 and the amplifier 27. The Y-direction drawing position data is sent to the X-direction positioning deflector 20 via the DA converter 28 and the amplifier 29 and to the Y-direction positioning deflector 21 via the DA converter 30 and the amplifier 31, respectively. Thus, the drawing time creation circuit 23 creates a drawing time signal (blanking signal) based on the inputted drawing time data, sends it to the blanking deflector 11, and performs the X-direction shaping. The beam deflector 16 and the Y-direction shaping deflector 17 shape the beam size of the electron beam from the electron gun 10 on the material 22 into a predetermined shape and size based on the beam size data sent. Then, drawing of a predetermined size is performed at a predetermined position on the material 22. Subsequently, drawing data of the rectangular patterns M 1 , M 2 ,..., M 6 is sequentially called, and similarly, drawing of a predetermined size is performed at a predetermined position on the material 22. When the drawing of the rectangular pattern M 6 is completed, followed by the drawing data of the rectangular pattern of the x dimension n 1, y dimension c is called, the same manner as described above, a predetermined size at a predetermined position on the material 22 Is drawn. As a result, a pattern as shown in FIG. 2 (e) is drawn.

又、前記図形分割回路3は、前記磁気ディスク1から
の図形データが台形パターンを表していても、該台形パ
ターンの下底の長さがマスク板14,18のスリットサイズ
より小さい場合、分割せずにそのまま図形判別回路4に
送る。該図形判別回路4はこの場合、図形データを台形
を表すものと判別し、該図形データを第1矩形パターン
作成回路5に供給する。該作成回路は第2図(d)に示
す様な矩形パターンO1,O2……O6を表す図形データを作
成し、該夫々の図形データを比較回路6に供給する。以
後の操作は前記操作と同様に行われる。
Further, even if the figure data from the magnetic disk 1 represents a trapezoidal pattern, the figure dividing circuit 3 divides the figure if the bottom length of the trapezoidal pattern is smaller than the slit size of the mask plates 14 and 18. Instead, it is sent to the figure discrimination circuit 4 as it is. In this case, the figure discriminating circuit 4 discriminates the figure data as representing a trapezoid, and supplies the figure data to the first rectangular pattern creating circuit 5. The generating circuit generates graphic data representing rectangular patterns O 1 , O 2 ... O 6 as shown in FIG. 2 (d), and supplies the respective graphic data to the comparing circuit 6. Subsequent operations are performed in the same manner as described above.

尚、前記した様に、前記比較回路6がn1≦δと判断し
た場合、前記矩形パターンN1の図形データのみ第2矩形
パターン作成回路7に供給し、該第2矩形パターン作成
回路7が、x方向n1,y方向に矩形パターンN1のy方向の
長さδを6倍した寸法6δ(=c)の1個矩形パターン
を表すデータを作成し、該矩形パターンの図形データを
前記制御装置8に供給しても良い。
As described above, when the comparison circuit 6 determines that n 1 ≦ δ, only the graphic data of the rectangular pattern N 1 is supplied to the second rectangular pattern creating circuit 7, and the second rectangular pattern creating circuit 7 In the x direction n 1 and the y direction, data representing a single rectangular pattern of dimension 6δ (= c), which is six times the length δ of the rectangular pattern N 1 in the y direction, is created, and the graphic data of the rectangular pattern is It may be supplied to the control device 8.

(効果) 本発明によれば、三角形パターンの底辺若しくは台形
パターンの長い方の底辺が基準寸法より小さい場合、荷
電粒子ビームの断面を、前記三角形パターン若しくは台
形パターンの底辺と高さを夫々2辺とする矩形状に整形
して材料上の所定位置にショットする様にしたので、三
角形パターンの底辺若しくは台形パターンの長い方の底
辺が基準寸法より小さい場合は1個の矩形パターンとし
て描画出来る為、全体の描画時間を大幅に短縮する事が
出来る。
(Effects) According to the present invention, when the bottom of the triangular pattern or the longer bottom of the trapezoidal pattern is smaller than the reference dimension, the cross section of the charged particle beam is set to the two sides of the base and the height of the triangle or trapezoidal pattern. Since it is shaped into a rectangular shape and shot at a predetermined position on the material, if the bottom of the triangular pattern or the longer bottom of the trapezoidal pattern is smaller than the reference size, it can be drawn as one rectangular pattern, The overall drawing time can be greatly reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明の荷電粒子ビーム描画方法の一実施例を
示した電子ビーム断面可変型描画装置の概略図、第2図
は台形パターンを示したものである。 1……磁気ディスク、2……制御装置、3……図形分割
回路、4……図形判別回路、5……第1矩形パターン作
成回路、6……比較回路、7……第2矩形パターン作成
回路、8……制御装置、9……描画データメモリ、10…
…電子銃、11……ブランキング電極、12……ブランキン
グ絞り、13,15……集束レンズ、14……第1マスク板、1
6……X方向整形用偏向器、17……Y方向整形用偏向
器、18……第2マスク板、19……投影レンズ、20……X
方向位置決め用偏向器、21……Y方向位置決め用偏向
器、22……材料、23……描画時間信号作成回路、24,26,
28,30……DA変換器、25,27,29,31……アンプ
FIG. 1 is a schematic view of an electron beam cross-section variable type drawing apparatus showing one embodiment of a charged particle beam drawing method of the present invention, and FIG. 2 shows a trapezoidal pattern. 1 ... magnetic disk, 2 ... control device, 3 ... figure dividing circuit, 4 ... figure discriminating circuit, 5 ... first rectangular pattern creating circuit, 6 ... comparing circuit, 7 ... second rectangular pattern creating Circuit 8, Control device 9, Drawing data memory 10,
... Electron gun, 11 ... Blanking electrode, 12 ... Blanking stop, 13,15 ... Focusing lens, 14 ... First mask plate, 1
6 ... X direction shaping deflector, 17 ... Y direction shaping deflector, 18 ... Second mask plate, 19 ... Projection lens, 20 ... X
Directional deflector, 21… Y-directional deflector, 22… material, 23… drawing time signal generation circuit, 24, 26,
28,30 …… DA converter, 25,27,29,31 …… Amplifier

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】三角形パターンの底辺若しくは台形パター
ンの長い方の底辺が基準寸法より小さい場合、荷電粒子
ビームの断面を、前記三角形パターン若しくは台形パタ
ーンの底辺と高さを夫々2辺とする矩形状に整形して材
料上の所定位置にショットする様にした荷電粒子ビーム
描画方法。
When the bottom of a triangular pattern or the longer side of a trapezoidal pattern is smaller than a reference size, the cross section of the charged particle beam is rectangular in shape with the bottom and the height of the triangle or trapezoidal pattern being two sides respectively. A charged particle beam drawing method in which a shot is formed at a predetermined position on a material by shaping into a predetermined shape.
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