JP2538899B2 - Charged beam drawing method and drawing apparatus - Google Patents

Charged beam drawing method and drawing apparatus

Info

Publication number
JP2538899B2
JP2538899B2 JP62017195A JP1719587A JP2538899B2 JP 2538899 B2 JP2538899 B2 JP 2538899B2 JP 62017195 A JP62017195 A JP 62017195A JP 1719587 A JP1719587 A JP 1719587A JP 2538899 B2 JP2538899 B2 JP 2538899B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
shape
irradiation
storage memory
data storage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP62017195A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS63186428A (en
Inventor
隆幸 阿部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority to JP62017195A priority Critical patent/JP2538899B2/en
Publication of JPS63186428A publication Critical patent/JPS63186428A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2538899B2 publication Critical patent/JP2538899B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electron Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、荷電ビームを用いてパターンを描画する技
術に係わり、特に荷電ビームによりパターンを描画する
際の照射量修正を行った荷電ビーム描画方法及び描画装
置に関する。
The present invention relates to a technique for drawing a pattern by using a charged beam, and in particular, it relates to a dose correction when a pattern is drawn by a charged beam. The present invention relates to a charged beam drawing method and a drawing apparatus.

(従来の技術) 従来、可変成形ビームを用いた電子ビーム描画装置に
おいては、パターン描画用データを外部記憶装置から描
画制御回路に転送する際の時間を短縮するために、パタ
ーンの繰返しを利用した描画用データの圧縮が行われて
いる。例えば、第6図(a)のように2つの矩形61,62
よりなるグループパターン60が4×4配列する場合、描
画用データは同図(b)のような配置データ群と図形デ
ータ群によって表現される。ここで、図形データ群と
は、単位図形(ショット1,ショット2)の照射位置xm
ym,寸法hm,wm及び照射時間tm等を記すデータの集合で
ある。また、配置データ群とは、グループパターンの基
準点の位置Xxi,Yyi、繰返しの回数Nxi(=4),N
yi(=4)、繰返しのピッチPxi,Pyi及び該グループパ
ターンに対する図形数Ni、該図形データを格納したデー
タの先頭格納番地PFiを表わすデータの集合である。
(Prior Art) Conventionally, in an electron beam drawing apparatus using a variable shaped beam, pattern repetition is used in order to shorten the time for transferring the pattern drawing data from the external storage device to the drawing control circuit. The drawing data is being compressed. For example, two rectangles 61 and 62 as shown in FIG.
When the group pattern 60 composed of 4 is arranged in a 4 × 4 array, the drawing data is represented by the arrangement data group and the graphic data group as shown in FIG. Here, the figure data group is the irradiation position x m of the unit figure (shot 1, shot 2),
It is a set of data describing y m , dimensions h m , w m, irradiation time t m, and the like. Further, the arrangement data group is the position X xi , Y yi of the reference point of the group pattern, the number of times of repetition N xi (= 4), N
yi (= 4), repeated pitches P xi and P yi, the number N i of figures for the group pattern, and the head storage address PF i of the data storing the figure data are a set of data.

このように圧縮された描画用データを展開し描画する
手順を第7図に示す。磁気ディスク等の外部記憶装置71
に格納された描画用データは、システムを制御する計算
機のメインメモリ72を通して描画用バッファメモリ73へ
転送される。描画すべき一つの単位図形に対し、システ
ムは配置データ内のデータXxi,Yyi,Nxi,Nyi,Pxi,P
yi及び図形データ内のデータxm,ymを用いて、照射位置
演算回路74によってNxi,Nyi個の照射位置を、次式に従
って算出する。
FIG. 7 shows the procedure for expanding and drawing the drawing data compressed in this way. External storage device 71 such as a magnetic disk
The drawing data stored in is transferred to the drawing buffer memory 73 through the main memory 72 of the computer that controls the system. For one unit figure to be drawn, the system uses the data X xi , Y yi , N xi , N yi , P xi , P in the layout data.
Using yi and the data x m , y m in the graphic data, the irradiation position calculation circuit 74 calculates N xi , N yi irradiation positions according to the following equation.

但し、K1=0,1,…,(Nxi−1) K2=0,1,…,(Nyi−1) そして、算出された照射位置を順に照射位置制御回路75
に送って、照射位置を制御する。また、図形データ中の
照射時間のデータtmをNxi×Nyi回、ブランキング制御回
路76に送って照射時間の制御を行う。さらに、図形デー
タ中の寸法データhm,wmをNxi×Nyi回、ショット形状制
御回路77に送って可変成形ビームの寸法を制御する。
However, K 1 = 0,1, ..., (N xi −1) K 2 = 0,1, ..., (N yi −1) Then, the calculated irradiation positions are sequentially arranged in the irradiation position control circuit 75.
To control the irradiation position. Further, the irradiation time data t m in the graphic data is sent to the blanking control circuit 76 N xi × N yi times to control the irradiation time. Further, the dimension data h m and w m in the graphic data are sent to the shot shape control circuit 77 N xi × N yi times to control the dimension of the variable shaped beam.

ところで、上記の従来方法では、図形の一つに対し、
照射時間のデータtm(照射量データ)と図形の寸法hm
wm及び照射位置xm,ymを表わすデータ(形状データ)と
が各々1つ定義されている。一方、近接効果の補正等の
ために照射量の変更を行おうとすると、図形の形状が同
じであっても図形の存在する場所によって、その照射時
間は異なる値となる。例えば、第2図の単位図形21の照
射時間は周囲のパターンが異なるために、単位図形22の
照射時間とは異なることになる。
By the way, in the above conventional method, for one of the figures,
Irradiation time data t m (irradiation dose data) and figure dimensions h m ,
One each of w m and irradiation position x m , y m (shape data) is defined. On the other hand, when the irradiation amount is changed for the purpose of correcting the proximity effect or the like, even if the shapes of the figures are the same, the irradiation time becomes different depending on the place where the figures exist. For example, the irradiation time of the unit graphic 21 in FIG. 2 is different from the irradiation time of the unit graphic 22 because the surrounding patterns are different.

従って、第2図に示す如きパターンを描画する場合、
図形の形状は図中2点鎖線で囲まれる領域内で同一であ
るにも拘らず、近接効果の補正等による照射時間の違い
から、データ圧縮の行える領域は1点鎖線内の領域に限
られることになる。つまり、データ圧縮が不十分である
と云う問題があった。さらに、データ圧縮が不十分であ
ることから、データ転送時間が長くなり、電子ビーム描
画装置の稼働率の低下を招き、引いては描画スループッ
トの低下を招くと云う問題があった。
Therefore, when drawing a pattern as shown in FIG.
Although the shape of the figure is the same in the area surrounded by the two-dot chain line in the figure, the area where data can be compressed is limited to the area within the one-dot chain line due to the difference in irradiation time due to the correction of the proximity effect and the like. It will be. That is, there is a problem that the data compression is insufficient. Further, since the data compression is insufficient, there is a problem that the data transfer time becomes long, the operating rate of the electron beam writing apparatus is lowered, and the writing throughput is lowered.

(発明が解決しようとする問題点) このように従来、近接効果の補正等を行う場合、デー
タの圧縮が不十分となり、描画用データの転送時間が大
きくなり、電子ビーム描画装置の稼働率を低下させると
云う問題があった。
(Problems to be Solved by the Invention) Conventionally, when the proximity effect is corrected in this way, data compression becomes insufficient, the transfer time of drawing data becomes long, and the operating rate of the electron beam drawing apparatus is increased. There was a problem of lowering it.

本発明は上記事情を考慮してなされたもので、その目
的とするところは、近接効果補正等のために照射量を変
化させて描画する際にも効率的なデータの圧縮と展開が
可能となり、描画スループットの向上をはかり得る荷電
ビーム描画方法を提供することにある。
The present invention has been made in consideration of the above circumstances, and an object thereof is to enable efficient data compression and decompression even when drawing is performed by changing the irradiation amount for proximity effect correction and the like. The object of the present invention is to provide a charged beam drawing method capable of improving drawing throughput.

また本発明の他の目的は、上記方法を実施するための
荷電ビーム描画装置を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a charged beam drawing apparatus for carrying out the above method.

[発明の構成] (問題点を解決するための手段) 本発明の骨子は、同一形状の図形を描画するに際し
て、高さや幅等を表わす形状のデータを共通に利用し、
なおかつこれら同一形状の図形を繰返し描画する際に、
2つ以上の照射量制御データの中から一つを選択できる
機構を設けることにある。これにより、従来と同様のデ
ータ圧縮効率を保ちながら、図形の描画位置に応じて照
射量を変更するこを可能としている。
[Structure of the Invention] (Means for Solving Problems) The essence of the present invention is that when drawing figures of the same shape, data of shapes representing height, width, etc. are commonly used,
Moreover, when drawing these figures of the same shape repeatedly,
It is to provide a mechanism capable of selecting one from two or more dose control data. This makes it possible to change the irradiation amount according to the drawing position of the figure while maintaining the same data compression efficiency as the conventional one.

即ち本発明は、試料上に荷電ビームを照射して該試料
上に所望パターンを描画する荷電ビーム描画方法におい
て、描画用データを単位図形の形状及び大きさを表わす
形状データ,単位図形の描画位置に対する照射量を表わ
す照射量制御データ及び単位図形の集合よりなるグルー
プパターンの配置を表わす配置データで構成し、上記グ
ループパターンを同一試料上に繰返しN回描画するに際
し、描画すべき1つの単位図形の形状データはN回の繰
返し回数に亙って同一のものを使用し、単位図形の照射
時間は描画の繰返し回数或いはグループパターンの描画
位置に応じて照射量制御データの中から1つの照射量デ
ータを選択することによって決定するようにした方法で
ある。
That is, according to the present invention, in a charged beam drawing method for irradiating a sample with a charged beam to draw a desired pattern, drawing data is used as shape data representing the shape and size of a unit figure and a drawing position of the unit figure. One unit figure to be drawn when the group pattern is repeatedly drawn N times on the same sample. The same shape data is used for N times of repetition, and the irradiation time of the unit figure is one irradiation amount from the irradiation control data depending on the number of times of drawing or the drawing position of the group pattern. This is a method of making a decision by selecting data.

また本発明は、上記方法を実施するための荷電ビーム
描画装置において、単位図形の形状及び大きさを表わす
形状データを格納する形状データ格納用メモリと、単位
図形の描画位置に対する照射量制御データを格納する照
射量制御データ格納用メモリと、単位図形の集合よりな
るグループパターンの配置データを格納する配置データ
格納用メモリと、上記配置データ格納用メモリの内容に
従って上記形状データ格納用メモリ及び照射量制御デー
タ格納用メモリの内容を選択する手段と、上記配置デー
タ格納用メモリの内容及び上記選択された各データに従
って荷電ビームを制御する手段とを設けるようにしたも
のである。
Further, according to the present invention, in a charged beam drawing apparatus for carrying out the above method, a shape data storage memory for storing shape data representing a shape and a size of a unit figure, and a dose control data for a drawing position of the unit figure. An irradiation amount control data storage memory to be stored, an arrangement data storage memory to store arrangement data of a group pattern consisting of a set of unit figures, a shape data storage memory and an irradiation amount according to the contents of the arrangement data storage memory Means for selecting the contents of the control data storage memory and means for controlling the charged beam in accordance with the contents of the arrangement data storage memory and each of the selected data are provided.

(作用) 本発明では、形状が同一で照射量が異なる単位図形を
繰返し描画するに際しても、描画すべき単位図形の形状
に対する一つのデータを繰返し利用することを可能とし
ている。このため、従来方式では避けられなかった、照
射量の異なる図形は別々に形状を表わすデータを設け
る、と云う必要性をなくし、描画用データの圧縮効率を
高め、データ転送の時間を短縮することが可能となる。
(Operation) In the present invention, even when unit figures having the same shape but different irradiation doses are repeatedly drawn, one data for the shape of the unit figure to be drawn can be repeatedly used. Therefore, it is possible to improve the compression efficiency of drawing data and shorten the data transfer time, which is unavoidable in the conventional method and eliminates the need to provide data representing the shape separately for figures with different irradiation amounts. Is possible.

(実施例) 以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明す
る。
(Examples) The details of the present invention will be described below with reference to illustrated examples.

第4図は本発明の一実施例方法に使用した電子ビーム
描画装置の光学系構成を示す図である。図中40は電子
銃、41は各種レンズ系、42,〜,44は各種偏向系、45はブ
ランキング板、46,47はビーム成形用アパーチャマス
ク、48は反射電子検出器、49はターゲットを示してい
る。電子銃40から放出された電子ビームは、ブランキン
グ用偏向器42によりON−OFFされる。本装置は、この際
の照射時間を調整することによって、照射位置に応じて
照射量を変化させることを可能としている。
FIG. 4 is a diagram showing an optical system configuration of an electron beam drawing apparatus used in the method of the embodiment of the present invention. In the figure, 40 is an electron gun, 41 is various lens systems, 42, ..., 44 are various deflection systems, 45 is a blanking plate, 46 and 47 are beam shaping aperture masks, 48 is a backscattered electron detector, and 49 is a target. Shows. The electron beam emitted from the electron gun 40 is turned on and off by the blanking deflector 42. The present apparatus makes it possible to change the irradiation amount according to the irradiation position by adjusting the irradiation time at this time.

ブランキング板45を通過したビームは、ビーム成形用
偏向器43及びビーム成形用アパーチャマスク46,47によ
り矩形ビームに成形され、またその矩形の寸法が可変さ
れる。そして、この成形されたビームは、走査用偏向器
44によりターゲット49上で偏向走査され、このビーム走
査によりターゲット49が所望パターンに描画されるもの
となっている。なお、本装置での電子ビームの加速電圧
は50[KV]であり、また発生し得る可変成形ビームは最
大サイズ高さ2[μm],幅2[μm]の矩形ビームで
ある。
The beam that has passed through the blanking plate 45 is shaped into a rectangular beam by the beam shaping deflector 43 and the beam shaping aperture masks 46 and 47, and the size of the rectangle is variable. The shaped beam is then used as a scanning deflector.
The target 49 is deflected and scanned by the beam 44, and the target 49 is drawn in a desired pattern by this beam scanning. The accelerating voltage of the electron beam in this apparatus is 50 [KV], and the variable shaped beam that can be generated is a rectangular beam having a maximum size of 2 [μm] and a width of 2 [μm].

第1図は本発明の一実施例方法における繰返しパター
ン及び描画用データを示す模式図である。第1図(a)
に示す如く、2つの矩形11,12よりなるグループパター
ン10が4×4配列されているものとする。この配列に対
して描画データは、第1図(b)に示す如く、配置デー
タ群,形状データ群及び照射量制御データ群により構成
される。即ち、従来方式の図形データ群が、形状データ
群と照射量制御データ群とに2分されており、形状デー
タ群は単位図形の照射位置xm,ym及び寸法hm,wmを記す
データの集合、照射量制御データ群は単位図形の照射量
tmを記すデータの集合となっている。また、配置データ
群には、従来方式と同様に、グループパターンの基準点
の位置Xxi,Yyi、繰返しの回数Nxi,Nyi、繰返しのピッ
チPxi,Pyi、該グループパターンに属する単位図形の数
Niが記述される他、形状データの格納先頭番地PFi及び
照射量データの格納先頭番地PDiが記される。
FIG. 1 is a schematic diagram showing a repetitive pattern and drawing data in the method of one embodiment of the present invention. Fig. 1 (a)
As shown in FIG. 4, it is assumed that the group pattern 10 composed of two rectangles 11 and 12 is arranged in a 4 × 4 array. With respect to this array, the drawing data is composed of an arrangement data group, a shape data group, and a dose control data group, as shown in FIG. 1 (b). That is, the conventional graphic data group is divided into a shape data group and a dose control data group, and the shape data group describes the irradiation positions x m , y m and the dimensions h m , w m of the unit graphic. Data collection, dose control data group is dose of unit figure
It has become a set of data that marks the t m. Further, as in the conventional method, the arrangement data group belongs to the group pattern reference point positions X xi and Y yi , the number of repetitions N xi and N yi , the repetition pitches P xi and P yi , and the group pattern. Number of unit figures
In addition to N i , the storage start address PF i of the shape data and the storage start address PD i of the dose data are described.

次に、繰返しパターン及びこれに対する描画用データ
について、第2図及び第3図を参照して、より具体的に
説明する。第2図は繰返しパターンの一例である。2つ
の矩形11,12からなるグループパターン10が5×5配列
されており、図中1点鎖線内のパターンは図形の形状及
び寸法が同一であり、且つその照射量も同一である。し
かし、1点鎖線外のパターンは図形の寸法及び形状は同
一であるが、その照射量が異なったものである。
Next, the repeating pattern and the drawing data for the repeating pattern will be described more specifically with reference to FIGS. 2 and 3. FIG. 2 is an example of a repeating pattern. A group pattern 10 composed of two rectangles 11 and 12 is arranged in a 5 × 5 array. The patterns within the dashed line in the figure have the same shape and size of the figure, and the same irradiation amount. However, the pattern outside the one-dot chain line has the same size and shape of the figure but different irradiation doses.

第3図は第2図の2点鎖線内のパターンを記述する描
画用データの一例である。1点鎖線外のグループパター
ンの16個は形状は同じであるが照射量が異なるので、こ
れらを第1〜第16のグループパターンとする。さらに、
1点鎖線内のグループパターンの9個は形状及び照射量
共に同一であるので、これらをまとめて第17のグループ
パターンとする。第1〜第17のグループパターン内部の
単位図形の寸法や照射位置は、従来方法では17回重複し
て設定せざるを得なかったが、本方式では図に見るよう
に第1第17のグループパターンについて単位図図形の形
状は一つのデータで表現され、第17のグループパターン
では照射量も一つのデータで表現されている。
FIG. 3 is an example of drawing data for describing the pattern within the chain double-dashed line in FIG. The 16 group patterns outside the one-dot chain line have the same shape but different irradiation doses, so these are designated as the 1st to 16th group patterns. further,
Nine of the group patterns in the one-dot chain line have the same shape and the same irradiation amount, and thus they are collectively referred to as the 17th group pattern. In the conventional method, the dimensions and irradiation positions of the unit figures inside the 1st to 17th group patterns had to be set 17 times in duplicate, but in this method, as shown in the figure, the 1st to 17th groups Regarding the pattern, the shape of the unit drawing figure is expressed by one data, and the irradiation amount is also expressed by one data in the 17th group pattern.

上記の描画用データを従来方式による場合と比較する
と、配置データに関しては実施例及び従来例共に略同様
であり、照射量制御データの情報量としては実施例及び
従来例共に全く同様である。しかし、形状データに関し
ては、従来第1〜第17のグループパターンに対してそれ
ぞれ独立に必要であったのが、実施例では一つのグルー
プパターンに対する形状データを全てのグループパター
ンで共用しているので、従来例に比べ実施例では形状デ
ータの情報量が著しく低減されることになる。つまり、
データ圧縮効率の大幅な向上をはかることができてい
る。
Comparing the above-mentioned drawing data with the case of the conventional method, the arrangement data is substantially the same in both the embodiment and the conventional example, and the information amount of the irradiation amount control data is the same in both the embodiment and the conventional example. However, with regard to the shape data, conventionally, the shape data was required independently for each of the first to seventeenth group patterns, but since the shape data for one group pattern is shared by all the group patterns in the embodiment. The information amount of the shape data is remarkably reduced in the embodiment as compared with the conventional example. That is,
The data compression efficiency can be greatly improved.

第5図は本実施例方法を実施するための制御系を示す
もので、バッファメモリ中の圧縮された描画用データか
ら単位図形の照射位置,照射形状,照射量を決定し、そ
れを制御する回路のブロック図である。
FIG. 5 shows a control system for carrying out the method of this embodiment, which determines the irradiation position, irradiation shape, and irradiation amount of a unit figure from the compressed drawing data in the buffer memory, and controls it. It is a block diagram of a circuit.

描画用データを格納するバッファメモリは、配列デー
タを格納する配置データ格納用メモリ51、形状データを
格納する形状データ格納用メモリ52及び照射量データを
格納する照射量制御データ格納用メモリ53の3種のメモ
リで構成される。形状データ用メモリと照射量データ用
メモリとを分離したことにより、一つの形状データに対
し、複数の照射量データを格納できることになる。
The buffer memory for storing the drawing data is the arrangement data storage memory 51 for storing the array data, the shape data storage memory 52 for storing the shape data, and the irradiation control data storage memory 53 for storing the irradiation data. Seed memory. By separating the memory for shape data and the memory for dose data, a plurality of dose data can be stored for one shape data.

図中コントローラ50aは配置データ格納用メモリ51を
繰返しアクセスし、それによってグループパターン内の
単位図形の繰返し描画を制御し、またカウンタ54からの
END信号により次のグループパターンの繰返し描画に制
御を移す。コントローラ50aのアクセスによって、配置
データ格納用メモリ51からは、xy方向の繰返し数Nxi,N
yi、繰返しのピッチPxi,Pyi、グループパターン内の単
位図形数Ni、形状データ及び照射量データの格納アドレ
スが出力される。カウンタ54はNxi,Nyiを入力とし、照
射位置制御回路55から送られる照射終了の信号をNi×N
xi×N×Nyi回受取った時、END信号をコントローラ50a
に送る。
In the figure, the controller 50a repeatedly accesses the arrangement data storage memory 51, thereby controlling the repeated drawing of the unit figure in the group pattern, and also from the counter 54.
The control is transferred to the repeated drawing of the next group pattern by the END signal. By the access of the controller 50a, the number of repetitions N xi , N in the xy direction is read from the arrangement data storage memory 51.
yi , the repeating pitches P xi and P yi , the number of unit figures in the group pattern N i , the storage addresses of the shape data and the dose data are output. The counter 54 receives N xi and N yi as inputs, and outputs an irradiation end signal sent from the irradiation position control circuit 55 to N i × N
When received xi × N × N yi times, send END signal to controller 50a
Send to

照射位置演算回路56は、グループパターン内の各単位
図形について、Nxi×Nyi個の照射位置(xk,yk)を次式
に従って算出する。
The irradiation position calculation circuit 56 calculates N xi × N yi irradiation positions (x k , y k ) for each unit figure in the group pattern according to the following equation.

但し、K1=0,1,…,(Nxi−1) K2=0,1,…,(Nyi−1) そして、上記算出された照射位置を順に照射位置制御回
路55に送る。
However, K 1 = 0,1, ..., (N xi −1) K 2 = 0,1, ..., (N yi −1) Then, the calculated irradiation positions are sequentially sent to the irradiation position control circuit 55.

コントローラ50bは、乗算器57からの出力(Nxi×
Nyi),グループパターン内の図形数Ni及び形状データ
格納番地を入力とする。コントローラ50bは、形状デー
タ格納番地を内部のレジスタに格納し、このレジスタ値
に所定の値を順次加えて、グループパターン内のN個の
単位図形の寸法や位置のデータの格納番地を求め、形状
データ格納用メモリ52の該格納番地をアクセスする。コ
ントローラ50bは、このような操作を(Nxi×Nyi)回繰
返す。
The controller 50b outputs the output from the multiplier 57 (N xi ×
N yi ), the number of figures N i in the group pattern, and the shape data storage address are input. The controller 50b stores the shape data storage address in an internal register, sequentially adds a predetermined value to this register value, and obtains the storage address of the size and position data of the N unit figures in the group pattern to obtain the shape. The storage address of the data storage memory 52 is accessed. The controller 50b repeats such an operation (N xi × N yi ) times.

コントローラ50cは、乗算器57からの出力(Nxi×
Nyi),グループパターン内の図形数Ni及び照射量デー
タ格納番地を入力とする。コントローラ50cは照射量デ
ータ格納番地を内部のレジスタに格納し、このレジスタ
値に所定の値を順次加えて、グループパターン内のN個
の単位図形の照射量データ格納番地を求め、照射量制御
データ格納用メモリ53の該格納番地をアクセスする。コ
ントローラ50cは、このような操作を(Nxi×Nyi)回繰
返す。
The controller 50c outputs the output from the multiplier 57 (N xi ×
N yi ), the number of figures N i in the group pattern, and the irradiation data storage address. The controller 50c stores an irradiation amount data storage address in an internal register, sequentially adds a predetermined value to this register value, obtains the irradiation amount data storage addresses of N unit figures in the group pattern, and calculates the irradiation amount control data. The storage address of the storage memory 53 is accessed. The controller 50c repeats such an operation (N xi × N yi ) times.

形状データ格納用メモリ52は、コントローラ50bのア
クセスにより照射位置のデータxi,yiを照射位置演算回
路56へ、単位図形の寸法データh,wを照射形状制御回路5
8へ送る。照射量制御データ格納用メモリ53は、コント
ローラ50cのアクセスによって照射量データを照射量制
御回路59へ送る。
The shape data storage memory 52 receives irradiation position data x i , y i to the irradiation position calculation circuit 56 and unit pattern size data h, w by the access of the controller 50b, and irradiation shape control circuit 5
Send to 8. The irradiation amount control data storage memory 53 sends the irradiation amount data to the irradiation amount control circuit 59 by the access of the controller 50c.

そして、照射位置制御回路55により、前記走査用偏向
器44に与えられる偏向信号が決定され、これによりター
ゲット49上におけるビーム位置が制御される。また、照
射形状制御回路58により、前記ビーム成形用偏向器43に
与えられる偏向信号が決定され、これによりビームの形
状及び大きさが制御される。さらに、照射量制御回路59
により、前記ブランキング用偏向器に与えられるブラン
キング信号が決定され、これによりビームの照射時間が
制御されるものとなっている。
Then, the irradiation position control circuit 55 determines the deflection signal given to the scanning deflector 44, and thereby controls the beam position on the target 49. Further, the irradiation shape control circuit 58 determines the deflection signal applied to the beam shaping deflector 43, and thereby controls the shape and size of the beam. In addition, the dose control circuit 59
As a result, the blanking signal given to the blanking deflector is determined, and the irradiation time of the beam is controlled accordingly.

かくして本実施例によれば、描画用データを配置デー
タ,形状データ及び照射量制御データの3つに分けて構
成しているので、近接効果補正のために照射量を変える
場合にあっては、描画用データの圧縮効率を大幅に向上
させることができる。即ち、形状及び照射量が同一のグ
ループパターンにあっては圧縮効率は変わらないが、形
状が同一で照射量が異なるグループパターンにあっては
従来必要であった個々のグループパターン毎の形状デー
タが不要となり1つの形状データを共用することができ
る。このため、データ転送時間の短縮をはかり得、電子
ビーム描画装置の稼働率を高めることが可能となる。
Thus, according to the present embodiment, the drawing data is divided into three pieces of arrangement data, shape data, and dose control data. Therefore, when changing the dose for proximity effect correction, It is possible to greatly improve the compression efficiency of the drawing data. That is, the compression efficiency does not change in the group pattern having the same shape and the same irradiation amount, but the shape data for each individual group pattern, which is conventionally necessary, is available in the group pattern having the same shape but the different irradiation amount. It becomes unnecessary and one shape data can be shared. Therefore, the data transfer time can be shortened and the operating rate of the electron beam drawing apparatus can be increased.

なお、本発明は上述した実施例に限定されるものでは
ない。実施例の電子ビーム描画装置は矩形の可変成形ビ
ームのみを発生できるシステムであったが、本発明は三
角形の可変成形ビームを発生するシステムにも適用でき
る。その場合には、例えば形状データの内部に矩形,三
角形の形状を区別するコードを導入することにより実施
できる。また、実施例では照射量制御データを形状デー
タ格納用メモリと別のメモリに格納しているが、形状デ
ータを従来と同じ照射量と対になったデータ形式をその
まま用い、描画位置に対応して上記照射量制御データか
らグループパターン全体に対する照射補正量を読出し、
各ショットの照射量と各々加算すると云う方法でも実施
することができる。
The present invention is not limited to the above embodiment. Although the electron beam drawing apparatus of the embodiment is a system that can generate only a rectangular variable shaped beam, the present invention can be applied to a system that generates a triangular variable shaped beam. In that case, for example, a code for distinguishing a rectangular shape from a triangular shape can be introduced inside the shape data. Further, in the embodiment, the dose control data is stored in a memory different from the shape data storage memory, but the data format in which the shape data is paired with the same dose as before is used as it is to correspond to the drawing position. Read the irradiation correction amount for the entire group pattern from the above irradiation amount control data,
It can also be implemented by a method of adding the irradiation amount of each shot to each.

また、電子光学鏡筒の構成は第4図に何等限定される
ものではなく、仕様に応じて適宜変更可能である。さら
に、電子ビームの代りにイオンビームを用いたイオンビ
ーム描画装置に適用することも可能である。その他、本
発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施する
ことができる。
Further, the structure of the electron optical lens barrel is not limited to that shown in FIG. 4 and can be appropriately changed according to the specifications. Further, it can be applied to an ion beam drawing apparatus using an ion beam instead of the electron beam. In addition, various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

[発明の効果] 以上詳述したように本発明によれば、各ショットの照
射量が設定された描画用データの量を、従来方式に比べ
て格段に少なくすることができる。このため、データ転
送の時間が従来方式よりも短縮され、電子ビーム描画装
置によって単位時間に描画できる試料の数も多くなり、
描画スループットの向上をはかり得る。
[Effects of the Invention] As described in detail above, according to the present invention, the amount of drawing data in which the irradiation amount of each shot is set can be significantly reduced as compared with the conventional method. Therefore, the data transfer time is shortened as compared with the conventional method, and the number of samples that can be drawn in a unit time by the electron beam drawing apparatus is increased.
The drawing throughput can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明の一実施例に係わる描画用データの形式
を示す模式図、第2図は描画されるパターンの一例を示
す模式図、第3図は第2図のパターンを第1図のデータ
形式により表現した際の描画用データを示す模式図、第
4図は上記実施例方法を実施するための電子ビーム描画
装置の光学系構成を示す図、第5図は上記実施例装置の
制御系を示すブロック図、第6図は従来方式によるデー
タ形式を示す模式図、第7図は従来方式による圧縮され
たデータの転送と展開を示す模式図である。 10……グループパターン、11,12……矩形の図形、40…
…電子銃、41……レンズ系、42,〜,44……偏向系、46,4
7……ビーム成形用アパーチャマスク、48……反射電子
検出器、49……ターゲット、50a,〜,50c……コントロー
ラ、51……配置データ格納用メモリ、52……形状データ
格納用メモリ、53……照射量制御データ格納用メモリ、
54……カウンタ、55……照射位置制御回路、56……照射
位置演算回路、57……乗算器、58……照射形状制御回
路、59……照射量制御回路。
FIG. 1 is a schematic diagram showing a format of drawing data according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a schematic diagram showing an example of a pattern to be drawn, and FIG. 3 is a pattern diagram of FIG. FIG. 4 is a schematic diagram showing drawing data when expressed in the data format of FIG. 4, FIG. 4 is a diagram showing an optical system configuration of an electron beam drawing apparatus for carrying out the method of the embodiment, and FIG. FIG. 6 is a block diagram showing a control system, FIG. 6 is a schematic diagram showing a data format by the conventional system, and FIG. 7 is a schematic diagram showing transfer and expansion of compressed data by the conventional system. 10 …… Group pattern, 11,12 …… Rectangular figure, 40…
… Electron gun, 41 …… Lens system, 42, ~, 44 …… Deflecting system, 46,4
7 ... Aperture mask for beam shaping, 48 ... Reflected electron detector, 49 ... Target, 50a, ~, 50c ... Controller, 51 ... Memory for storing layout data, 52 ... Memory for storing shape data, 53 ...... Memory for storing dose control data,
54: Counter, 55: Irradiation position control circuit, 56: Irradiation position calculation circuit, 57: Multiplier, 58: Irradiation shape control circuit, 59: Irradiation amount control circuit.

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】試料上に荷電ビームを照射して該試料上に
所望パターンを描画する荷電ビーム描画方法において、 描画用データを単位図形の形状及び大きさを表わす形状
データ,単位図形の描画位置に対する照射量を表わす照
射量制御データ及び単位図形の集合よりなるグループパ
ターンの配置を表わす配置データで構成し、 上記グループパターンを同一試料上に繰返しN回描画す
るに際し、描画すべき1つの単位図形の形状データはN
回の繰返し回数に亙って同一のものを使用し、且つ単位
図形の照射時間は描画の繰返し回数或いはグループパタ
ーンの描画位置に応じて上記照射量制御データの中から
1つの照射量制御データを選択することによって決定す
ることを特徴とする荷電ビーム描画方法。
1. A charged beam drawing method for irradiating a sample with a charged beam to draw a desired pattern on the sample, wherein drawing data is shape data representing a shape and a size of a unit figure, and a drawing position of the unit figure. One unit figure to be drawn when the above group pattern is repeatedly drawn N times on the same sample. Shape data is N
The same irradiation amount is used for the number of times of repetition, and the irradiation time of the unit figure is set to one irradiation amount control data from the above irradiation amount control data according to the number of times of drawing repetition or the drawing position of the group pattern. A charged beam drawing method characterized by being determined by selecting.
【請求項2】試料上に荷電ビームを照射して該試料に所
望パターンを描画する荷電ビーム描画装置において、単
位図形の形状及び大きさを表わす形状データを格納する
形状データ格納用メモリと、単位図形の描画位置に対す
る照射量制御データを格納する照射量制御データ格納用
メモリと、単位図形の集合よりなるグループパターンの
配置データを格納する配置データ格納用メモリと、上記
配置データ格納用メモリの内容に従って上記形状データ
格納用メモリ及び照射量制御データ格納用メモリのデー
タを選択する手段と、上記配置データ格納用メモリの内
容及び上記選択された各データに従って荷電ビームを制
御する手段とを具備してなることを特徴とする荷電ビー
ム描画装置。
2. A charged particle beam drawing apparatus for irradiating a sample with a charged beam to draw a desired pattern, and a shape data storage memory for storing shape data representing the shape and size of a unit figure, and a unit. Contents of the dose control data storage memory for storing the dose control data for the drawing position of the graphic, the layout data storage memory for storing the layout data of the group pattern consisting of a set of unit graphics, and the layout data storage memory And means for selecting data in the shape data storage memory and dose control data storage memory, and means for controlling the charged beam according to the contents of the arrangement data storage memory and each selected data. A charged beam drawing apparatus characterized in that
【請求項3】前記荷電ビームを制御する手段は、前記配
置データ格納用メモリの内容及び選択された形状データ
格納用メモリのデータに従ってビームの照射位置を決定
し、前記選択された形状データ格納用メモリのデータに
従ってビームの形状及び寸法を決定し、前記照射量制御
データ格納用メモリのデータに従ってビームの照射時間
を決定するものであることを特徴とする特許請求の範囲
第2項記載の荷電ビーム描画装置。
3. The means for controlling the charged beam determines a beam irradiation position according to the contents of the arrangement data storage memory and the data of the selected shape data storage memory, and stores the selected shape data storage memory. The charged beam according to claim 2, wherein the shape and size of the beam are determined according to the data of the memory, and the irradiation time of the beam is determined according to the data of the memory for storing the dose control data. Drawing device.
JP62017195A 1987-01-29 1987-01-29 Charged beam drawing method and drawing apparatus Expired - Lifetime JP2538899B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62017195A JP2538899B2 (en) 1987-01-29 1987-01-29 Charged beam drawing method and drawing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62017195A JP2538899B2 (en) 1987-01-29 1987-01-29 Charged beam drawing method and drawing apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63186428A JPS63186428A (en) 1988-08-02
JP2538899B2 true JP2538899B2 (en) 1996-10-02

Family

ID=11937149

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62017195A Expired - Lifetime JP2538899B2 (en) 1987-01-29 1987-01-29 Charged beam drawing method and drawing apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2538899B2 (en)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2683381B2 (en) * 1988-09-19 1997-11-26 東芝機械株式会社 How to draw multiple array figures
US5294800A (en) * 1992-07-31 1994-03-15 International Business Machines Corporation E-beam control data compaction system and method
JP5216347B2 (en) * 2008-02-04 2013-06-19 株式会社ニューフレアテクノロジー Drawing apparatus and drawing data conversion method
JP2015095538A (en) * 2013-11-12 2015-05-18 株式会社ニューフレアテクノロジー Method for forming drawing data
JP2015185800A (en) * 2014-03-26 2015-10-22 株式会社ニューフレアテクノロジー Charged particle beam lithography apparatus, information processing apparatus and charged particle beam lithography method
JP2016122676A (en) 2014-12-24 2016-07-07 株式会社アドバンテスト Exposure device and exposure method
JP6572347B2 (en) * 2018-05-21 2019-09-11 株式会社ニューフレアテクノロジー How to create drawing data

Also Published As

Publication number Publication date
JPS63186428A (en) 1988-08-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH07191199A (en) Method and system for exposure with charged particle beam
CA1125441A (en) Electron beam exposure system and an apparatus for carrying out the same
US6319642B1 (en) Electron beam exposure apparatus
US7863586B2 (en) Writing data creation method and charged particle beam writing apparatus
JP2538899B2 (en) Charged beam drawing method and drawing apparatus
JPH0691005B2 (en) Charged beam drawing method
JPH1167648A (en) Preparation of pattern data for charged particle beam lithography
CN108717720B (en) Drawing data producing method
JPH04162710A (en) Electron beam exposure apparatus
JP3004034B2 (en) Charged beam drawing method
JP3274149B2 (en) Charged beam drawing method
JP2664732B2 (en) Charged beam drawing method
JP2007188951A (en) Charged particle beam lithography apparatus and method therefor
JPH0536594A (en) Exposure treatment system, charged particle beam aligner and charged particle beam exposure method
JPH06267834A (en) Charged beam lithography
JP3420199B2 (en) Charged particle beam drawing apparatus and drawing method
JP2660023B2 (en) Charged beam drawing equipment
US12046447B2 (en) Multi-charged-particle-beam writing method, multi-charged-particle-beam writing apparatus, and computer-readable recording medium
JPH05121303A (en) Method and apparatus for charged particle beam lithography
JPS6272124A (en) Charged particle beam lithography
JP3967546B2 (en) Charged particle beam writing method
JP3290699B2 (en) Pattern formation method
JP2664746B2 (en) Charge beam writing method
JPS63133525A (en) Charged beam aligner
JP3313606B2 (en) Electron beam exposure apparatus and exposure method

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term