JPS63185891A - ダイヤモンド薄膜又はダイヤモンド状薄膜の製造方法 - Google Patents
ダイヤモンド薄膜又はダイヤモンド状薄膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS63185891A JPS63185891A JP1692587A JP1692587A JPS63185891A JP S63185891 A JPS63185891 A JP S63185891A JP 1692587 A JP1692587 A JP 1692587A JP 1692587 A JP1692587 A JP 1692587A JP S63185891 A JPS63185891 A JP S63185891A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- diamond
- raw material
- producing
- carbon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 52
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 29
- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 22
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- -1 alicyclic hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 7
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 7
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 claims description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 2
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 229930195735 unsaturated hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 2
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 claims 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910000039 hydrogen halide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000012433 hydrogen halide Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 14
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 abstract description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 150000001723 carbon free-radicals Chemical class 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000002065 inelastic X-ray scattering Methods 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 238000009790 rate-determining step (RDS) Methods 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、マイクロ波プラズマの利用によるダイヤモン
ド薄膜又はダイヤモンド状薄膜の製造方法に関するもの
である。
ド薄膜又はダイヤモンド状薄膜の製造方法に関するもの
である。
従来の技術
ダイヤモンドは、電気絶縁性９熱伝導性、並びに硬度及
び耐摩耗性に優れた物質であることから、切削部材や耐
摩耗部材といった従来の用途に加え、近年では、その特
性を活かし、半導体の高集積化等に伴って熱伝導性の良
い絶縁膜１表面保護膜、またバンドギャップの大きい半
導体といった電子材料としても注目され、ダイヤモンド
の薄膜化とダイヤモンド状薄膜の形成を特に効率的に大
量に合成する試みが成されている。
び耐摩耗性に優れた物質であることから、切削部材や耐
摩耗部材といった従来の用途に加え、近年では、その特
性を活かし、半導体の高集積化等に伴って熱伝導性の良
い絶縁膜１表面保護膜、またバンドギャップの大きい半
導体といった電子材料としても注目され、ダイヤモンド
の薄膜化とダイヤモンド状薄膜の形成を特に効率的に大
量に合成する試みが成されている。
ダイヤモンド状薄膜とは、ダイヤモンド結晶構造と同定
は出来ないが、アモルファス的構造をと９、ダイヤモン
ド類似の性質、例えば、ビッカース硬度が、３０ＱＯＫ
ｇ／−以上、赤外光透過度が高い等の性質を有するもの
を指す。
は出来ないが、アモルファス的構造をと９、ダイヤモン
ド類似の性質、例えば、ビッカース硬度が、３０ＱＯＫ
ｇ／−以上、赤外光透過度が高い等の性質を有するもの
を指す。
従来ダイヤモンド薄膜の製造方法としては、多数の方法
が提案されている。第２図（＆） 、 （ｂ）に従来の
装置の代表例を示した。第２図（Δ）は熱電子放射材を
用いる場合、第２図（ｂ）はマイクロ波プラズマ放電を
用いる場合の装置図である。ともに１は真空槽、２は導
波管、３はガス導入部、５は基体、６は基体ホルダー、
８は熱電子放射材である。真空槽１内にガス導入部３か
ら炭化水素と水素の混合ガスを導入し、排気を行うこと
で、真空槽１内を所要の圧力に維持する。導入した混合
ガスを、（ａ）の場合は熱電子放射材８による熱分解、
（ｂ）の場合は導波管２から導入したマイクロ波を用い
たプラズマ放電により、活性化させて、イオン、ラジカ
ル等の励起炭素をつくり、基体５上にダイヤモンド薄膜
又はダイヤモンド状薄膜を形成する。この際、加熱又は
冷却を出来るようにした基体ホルダー〇を用いて、基体
温度を調節すると、低温ではダイヤモンド状薄膜、高温
ではダイヤモンド薄膜が得られる。
が提案されている。第２図（＆） 、 （ｂ）に従来の
装置の代表例を示した。第２図（Δ）は熱電子放射材を
用いる場合、第２図（ｂ）はマイクロ波プラズマ放電を
用いる場合の装置図である。ともに１は真空槽、２は導
波管、３はガス導入部、５は基体、６は基体ホルダー、
８は熱電子放射材である。真空槽１内にガス導入部３か
ら炭化水素と水素の混合ガスを導入し、排気を行うこと
で、真空槽１内を所要の圧力に維持する。導入した混合
ガスを、（ａ）の場合は熱電子放射材８による熱分解、
（ｂ）の場合は導波管２から導入したマイクロ波を用い
たプラズマ放電により、活性化させて、イオン、ラジカ
ル等の励起炭素をつくり、基体５上にダイヤモンド薄膜
又はダイヤモンド状薄膜を形成する。この際、加熱又は
冷却を出来るようにした基体ホルダー〇を用いて、基体
温度を調節すると、低温ではダイヤモンド状薄膜、高温
ではダイヤモンド薄膜が得られる。
しかし何れの方法においても実用化に適した良質の薄膜
は得られていない。
は得られていない。
発明が解決しようとする問題点
このような従来の技術では、効率よく良質の薄膜を形成
することは不可能であった。
することは不可能であった。
熱電子放射材を用いた方法では、装置は簡単であるが、
熱分解により活性化された励起炭素が安定に存在せずそ
の寿命が短いために熱電子放射材の近傍でしか薄膜を形
成出来ず、効率が悪く、大面積化は困難である。
熱分解により活性化された励起炭素が安定に存在せずそ
の寿命が短いために熱電子放射材の近傍でしか薄膜を形
成出来ず、効率が悪く、大面積化は困難である。
マイクロ波放電を用いた方法では、炭化水素の非常に遅
い分解速度が律速段階となり、薄膜成長速度が遅いとい
う間圧点がある。
い分解速度が律速段階となり、薄膜成長速度が遅いとい
う間圧点がある。
間両点を解決するための手段
本発明は、上記全ての問題点を解決するために、真空１
内に少なくとも一種類の反応ガスを導入し、マイクロ波
と磁界を印加してマイクロ波プラズマを発生させ、前記
反応ガスとは別に導入して熱電子放射材により別に活性
化させた少なくとも炭素を含む原料と接触させ、基体上
にダイヤモンド薄膜又はダイヤモンド状薄膜を析出させ
るものである。
内に少なくとも一種類の反応ガスを導入し、マイクロ波
と磁界を印加してマイクロ波プラズマを発生させ、前記
反応ガスとは別に導入して熱電子放射材により別に活性
化させた少なくとも炭素を含む原料と接触させ、基体上
にダイヤモンド薄膜又はダイヤモンド状薄膜を析出させ
るものである。
作用
本発明は前記した構成により、少なくとも炭素を含む原
料を別に熱電子放射材により活性化させると、炭化水素
の分解速度が大きくなり、膜成長速度が速くなる。また
、熱電子放射材により活性化された励起炭素を磁界とマ
イクロ波を印加して発生させたプラズマ放電と接触させ
ることによって長時間維持することが出来る。このため
、効率的に大面積にわたっての高速成長が可能となる。
料を別に熱電子放射材により活性化させると、炭化水素
の分解速度が大きくなり、膜成長速度が速くなる。また
、熱電子放射材により活性化された励起炭素を磁界とマ
イクロ波を印加して発生させたプラズマ放電と接触させ
ることによって長時間維持することが出来る。このため
、効率的に大面積にわたっての高速成長が可能となる。
量産型に優れた製造方法を提供するものである。
実施例
第１図は本発明のダイヤモンド薄膜又はダイヤモンド状
薄膜を形成するためのプラズマ装置の一実施例である。
薄膜を形成するためのプラズマ装置の一実施例である。
１は真空槽、２は導波管、３は反応ガス導入部、４は原
料導入部、５は基体、６は基体ホルダー、７は電磁石、
８は熱電子放射材である。電磁石７を配置することによ
り、真空槽１内に磁場をかけて８７５ガウスとし、導波
管２からマイクロ波（２，４５Ｇ［Ｉｚ ）を導入する
と、真空槽１内に電子サイクロトン共鳴が生じる。これ
に、反応ガスｇ。を導入してプラズマ放電を発生させる
。この際例えば、反応ガスｇ。とじて水素を導入すると
、第１図に示すように、電子（ｅ）、水素イオン（Ｈ”
）、水素ラジカル（Ｈ＊）等を含むプラズマが生じる。
料導入部、５は基体、６は基体ホルダー、７は電磁石、
８は熱電子放射材である。電磁石７を配置することによ
り、真空槽１内に磁場をかけて８７５ガウスとし、導波
管２からマイクロ波（２，４５Ｇ［Ｉｚ ）を導入する
と、真空槽１内に電子サイクロトン共鳴が生じる。これ
に、反応ガスｇ。を導入してプラズマ放電を発生させる
。この際例えば、反応ガスｇ。とじて水素を導入すると
、第１図に示すように、電子（ｅ）、水素イオン（Ｈ”
）、水素ラジカル（Ｈ＊）等を含むプラズマが生じる。
これとは別に真空槽１内の原料導入部４から、炭素を含
む原料ｇ１１例えばメタンを導入する。これを熱電子放
射材８（例えばＷ、Ｔａ等のフィラメントを２０００″
Ｃに加熱したもの）を用いて、メタンを分解し、水素プ
ラズマと接触きせると、炭素イオン（Ｃ＋、Ｃ）、炭素
ラジカル（ＣＩ ）、炭化水素ラジカル（ＣＨ： 、
ＣＨ：、ＣＨ＊）等が生じ、これが安定に存在して基体
５に到達して、基体Ｓ上に、ダイヤモンド薄膜又はダイ
ヤモンド状薄膜が成長する。基体ホルダー８を加熱又は
冷却出来るようにすると、室温ではダイヤモンド状薄膜
、室温以上ではダイヤモンド薄膜が形成される。
む原料ｇ１１例えばメタンを導入する。これを熱電子放
射材８（例えばＷ、Ｔａ等のフィラメントを２０００″
Ｃに加熱したもの）を用いて、メタンを分解し、水素プ
ラズマと接触きせると、炭素イオン（Ｃ＋、Ｃ）、炭素
ラジカル（ＣＩ ）、炭化水素ラジカル（ＣＨ： 、
ＣＨ：、ＣＨ＊）等が生じ、これが安定に存在して基体
５に到達して、基体Ｓ上に、ダイヤモンド薄膜又はダイ
ヤモンド状薄膜が成長する。基体ホルダー８を加熱又は
冷却出来るようにすると、室温ではダイヤモンド状薄膜
、室温以上ではダイヤモンド薄膜が形成される。
実際には、マイクロ波出力を３００Ｗ〜５００Ｗ、真空
槽１内の圧力をＩ Ｑ−’ 〜Ｉ Ｑ−５Ｔｏｒｒ程度
に維持し、シリコン基板を３００ ”０〜１０００°Ｃ
に設定して、ダイヤモンド薄膜を得た。このようにして
得られたダイヤモンド薄膜は、Ｘ線回折及びラマン分光
により、ダイヤモンドと同定できるピークが確認された
。またビッカース硬度及び電気抵抗を測定したところ、
４ｏ○ＯＫｑ ／ ｍｍ”以上、及び抵抗は１１０９Ｃ
以上であった。成長速度は５μｍβｒ以上と従来の倍以
上となった。
槽１内の圧力をＩ Ｑ−’ 〜Ｉ Ｑ−５Ｔｏｒｒ程度
に維持し、シリコン基板を３００ ”０〜１０００°Ｃ
に設定して、ダイヤモンド薄膜を得た。このようにして
得られたダイヤモンド薄膜は、Ｘ線回折及びラマン分光
により、ダイヤモンドと同定できるピークが確認された
。またビッカース硬度及び電気抵抗を測定したところ、
４ｏ○ＯＫｑ ／ ｍｍ”以上、及び抵抗は１１０９Ｃ
以上であった。成長速度は５μｍβｒ以上と従来の倍以
上となった。
なお、反応ガスｇ。とじては水素、炭素を含む原料ｇ１
としてはメタンを用いたが、これらに限らず、反応ガス
として、少なくとも炭素を含む原料ガスと反応して固体
物を生成せず、基体表面に到着しうるものを用いると膜
形成速度を高く保つことができる。また、反応ガスとし
て不活性ガスを用いることにより、プラズマを容易に作
成し、活性化をうながし、低エネルギーで作成可能とな
る。また、反応ガスとして、水素、酸素、窒素。
としてはメタンを用いたが、これらに限らず、反応ガス
として、少なくとも炭素を含む原料ガスと反応して固体
物を生成せず、基体表面に到着しうるものを用いると膜
形成速度を高く保つことができる。また、反応ガスとし
て不活性ガスを用いることにより、プラズマを容易に作
成し、活性化をうながし、低エネルギーで作成可能とな
る。また、反応ガスとして、水素、酸素、窒素。
炭化水素、ハロゲン、ノ・ロゲン化水素の少なくとも１
つを用いることにより、基体上でグラフフィト状態等の
ダイヤモンド構造とは異なる構造部分と反応し、ダイヤ
モンド構造により近い膜を選択的に作成することが可能
となる。また、原料ガスの活性化にも寄与し、より高速
化がはかられる。
つを用いることにより、基体上でグラフフィト状態等の
ダイヤモンド構造とは異なる構造部分と反応し、ダイヤ
モンド構造により近い膜を選択的に作成することが可能
となる。また、原料ガスの活性化にも寄与し、より高速
化がはかられる。
また、炭素を含む原料ガスとして、飽和系または不飽和
系炭化水素、芳香族炭化水素、脂環式炭化水素、多核炭
化水素の少くとも１つを用いることにより、不純物濃度
の小さい薄膜を得る。また、原料ガスとして、アルコー
ル、エーテル、アルデヒド、ケトン、カルボン酸、アミ
ド、アミン等の少なくとも酸素あるいはチッ素を含む化
合物をもちいることにより、高速化がはかられる。また
、磁界の強度を電子サイクロトロン共鳴条件以上で作成
することにより、高速化及び膜質の向上が見られた。
系炭化水素、芳香族炭化水素、脂環式炭化水素、多核炭
化水素の少くとも１つを用いることにより、不純物濃度
の小さい薄膜を得る。また、原料ガスとして、アルコー
ル、エーテル、アルデヒド、ケトン、カルボン酸、アミ
ド、アミン等の少なくとも酸素あるいはチッ素を含む化
合物をもちいることにより、高速化がはかられる。また
、磁界の強度を電子サイクロトロン共鳴条件以上で作成
することにより、高速化及び膜質の向上が見られた。
発明の効果
本発明は、真空槽内に少なくとも一種類のガスを導入し
、マイクロ波と磁界を印加して、マイクロ波プラズマを
発生させ、別に導入し熱電子放射材により別に活性化さ
せた原料と接触させて、工９効率的に良質のダイヤモン
ド薄膜又はダイヤモンド状薄膜を広い面積にわたって高
速堆積するものであり、これら産業上の利用分野に与え
る効果は犬なるものである。
、マイクロ波と磁界を印加して、マイクロ波プラズマを
発生させ、別に導入し熱電子放射材により別に活性化さ
せた原料と接触させて、工９効率的に良質のダイヤモン
ド薄膜又はダイヤモンド状薄膜を広い面積にわたって高
速堆積するものであり、これら産業上の利用分野に与え
る効果は犬なるものである。
第１図は本発明の一実施例に用いたプラズマ装置の概略
図、第２図は従来よく知られているダイヤモンド薄膜又
はダイヤモンド状薄膜形成装置例の概略図で（？Ｌ）は
熱電子放射材を用いた場合、（ｂ）はマイクロ波プラズ
マを用いた場合の１例を示す概略図である。 １・・・・・・真空槽、２・・・・・・導入管、３．４
・・・・・・ガス又は原料導入部、５・・・・・・基体
、６・・・・・・基体ホルダー、７・・・・・・電磁石
、８・・・・・・熱電子放射材。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名２−
４ λ 管 ３−ガス諜入部 ４−＆軒講人邪 ５−↓体 ６−°基体、ｔルヅー ７−ｔ ａ石 ６−熱を子次材材 ９ｏ −−−Ｍ Ｐ＋ガス 第１図 １１−・−厘 舛 ！−Ｊ（７糟 ２−１ 運営 ３−ガズ課入部
図、第２図は従来よく知られているダイヤモンド薄膜又
はダイヤモンド状薄膜形成装置例の概略図で（？Ｌ）は
熱電子放射材を用いた場合、（ｂ）はマイクロ波プラズ
マを用いた場合の１例を示す概略図である。 １・・・・・・真空槽、２・・・・・・導入管、３．４
・・・・・・ガス又は原料導入部、５・・・・・・基体
、６・・・・・・基体ホルダー、７・・・・・・電磁石
、８・・・・・・熱電子放射材。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名２−
４ λ 管 ３−ガス諜入部 ４−＆軒講人邪 ５−↓体 ６−°基体、ｔルヅー ７−ｔ ａ石 ６−熱を子次材材 ９ｏ −−−Ｍ Ｐ＋ガス 第１図 １１−・−厘 舛 ！−Ｊ（７糟 ２−１ 運営 ３−ガズ課入部
Claims (8)
- （１）真空槽内に少なくとも一種類の反応ガスを導入し
、マイクロ波と磁界を印加してマイクロ波プラズマを発
生させ、前記反応ガスとは別に導入して熱電子放射材に
より別に活性化させた少なくとも炭素を含む原料と接触
させ、基体上にダイヤモンド薄膜又はダイヤモンド状薄
膜を析出させることを特徴とするダイヤモンド薄膜又は
ダイヤモンド状薄膜の製造方法。 - （２）導入ガスが、少なくとも炭素を含む原料と反応し
て固体物を生成しないものであることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載のダイヤモンド薄膜又はダイヤモ
ンド状薄膜の製造方法。 - （３）導入ガスが、不活性ガスを含むことを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載のダイヤモンド薄膜又はダイ
ヤモンド状薄膜の製造方法。 - （４）導入ガスが、水素、酸素、窒素、炭化水素、ハロ
ゲンまたはハロゲン化水素のいずれか１つを含むもので
あることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載のダイ
ヤモンド薄膜又はダイヤモンド状薄膜の製造方法。 - （５）炭素を含む原料が、飽和系または不飽和系炭化水
素、芳香族炭化水素、脂環式炭化水素、多核炭化水素の
いずれか１つを含むものであることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載のダイヤモンド薄膜又はダイヤモン
ド状薄膜の製造方法。 - （６）炭素を含む原料が、アルコール、エーテル、アル
デヒド、ケトン、カルボン酸等の少なくとも酸素を含む
ものであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
のダイヤモンド薄膜又はダイヤモンド状薄膜の製造方法
。 - （７）炭素を含む原料が、脂肪族アミン、芳香族アミン
等の少なくとも窒素を含むことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載のダイヤモンド薄膜又はダイヤモンド状
薄膜の製造方法。 - （８）磁界の強度が電子サイクロトン共鳴条件以上であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のダイヤ
モンド薄膜又はダイヤモンド状薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1692587A JPS63185891A (ja) | 1987-01-27 | 1987-01-27 | ダイヤモンド薄膜又はダイヤモンド状薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1692587A JPS63185891A (ja) | 1987-01-27 | 1987-01-27 | ダイヤモンド薄膜又はダイヤモンド状薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63185891A true JPS63185891A (ja) | 1988-08-01 |
Family
ID=11929700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1692587A Pending JPS63185891A (ja) | 1987-01-27 | 1987-01-27 | ダイヤモンド薄膜又はダイヤモンド状薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63185891A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04338197A (ja) * | 1991-05-10 | 1992-11-25 | Japan Steel Works Ltd:The | ダイヤモンドの合成方法 |
| US5254171A (en) * | 1991-04-16 | 1993-10-19 | Sony Corporation | Bias ECR plasma CVD apparatus comprising susceptor, clamp, and chamber wall heating and cooling means |
| CN109292498A (zh) * | 2018-09-28 | 2019-02-01 | 南安市罗兴工业设计有限公司 | 一种具有滤碳处理的薄膜粗化膜卷一体机 |
-
1987
- 1987-01-27 JP JP1692587A patent/JPS63185891A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5254171A (en) * | 1991-04-16 | 1993-10-19 | Sony Corporation | Bias ECR plasma CVD apparatus comprising susceptor, clamp, and chamber wall heating and cooling means |
| JPH04338197A (ja) * | 1991-05-10 | 1992-11-25 | Japan Steel Works Ltd:The | ダイヤモンドの合成方法 |
| CN109292498A (zh) * | 2018-09-28 | 2019-02-01 | 南安市罗兴工业设计有限公司 | 一种具有滤碳处理的薄膜粗化膜卷一体机 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4152182A (en) | Process for producing electronic grade aluminum nitride films utilizing the reduction of aluminum oxide | |
| JPH08225395A (ja) | ホウ素ドープされたダイヤモンドの製造方法 | |
| JPH04958B2 (ja) | ||
| JPH08172055A (ja) | 窒化物半導体結晶の成長方法およびその装置 | |
| JPH04959B2 (ja) | ||
| JPS63185891A (ja) | ダイヤモンド薄膜又はダイヤモンド状薄膜の製造方法 | |
| KR100532864B1 (ko) | 기상 합성에 의한 다이아몬드 필름 제조방법 | |
| JPH02167891A (ja) | ダイヤモンド膜気相合成装置 | |
| JPS63185894A (ja) | ダイヤモンド薄膜又はダイヤモンド状薄膜の製造方法 | |
| JPS63265890A (ja) | ダイヤモンド薄膜又はダイヤモンド状薄膜の製造方法 | |
| JP2564895B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| KR100372335B1 (ko) | 촉매금속 미세 패턴들을 이용하여 탄소나노튜브의 직경을조절하는 합성법 | |
| JPS63215596A (ja) | ダイヤモンド薄膜又はダイヤモンド状薄膜の製造方法 | |
| JPS63185893A (ja) | ダイヤモンド薄膜又はダイヤモンド状薄膜の製造方法 | |
| JPS63215597A (ja) | ダイヤモンド薄膜又はダイヤモンド状薄膜の製造方法 | |
| JPH0420985B2 (ja) | ||
| JPS63277767A (ja) | 高圧相窒化ホウ素の気相合成法 | |
| JP3190100B2 (ja) | 炭素材料作製装置 | |
| JPS6395200A (ja) | 硬質窒化ホウ素膜の製造方法 | |
| JPS63123897A (ja) | ダイヤモンド薄膜又はダイヤモンド状薄膜の製造方法 | |
| JP2840750B2 (ja) | 被膜形成方法 | |
| JPS63310795A (ja) | マイクロ波プラズマジェットによるダイヤモンド気相合成方法 | |
| JP2617539B2 (ja) | 立方晶窒化ほう素膜の製造装置 | |
| JP2636856B2 (ja) | ダイヤモンド薄膜の製造方法 | |
| JPS6330397A (ja) | ダイヤモンドの合成方法 |