JPS63173A - 高速半導体装置 - Google Patents
高速半導体装置Info
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- JPS63173A JPS63173A JP61143803A JP14380386A JPS63173A JP S63173 A JPS63173 A JP S63173A JP 61143803 A JP61143803 A JP 61143803A JP 14380386 A JP14380386 A JP 14380386A JP S63173 A JPS63173 A JP S63173A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/36—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the concentration or distribution of impurities in the bulk material
- H01L29/365—Planar doping, e.g. atomic-plane doping, delta-doping
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/20—Permanent superconducting devices
- H10N60/205—Permanent superconducting devices having three or more electrodes, e.g. transistor-like structures
- H10N60/207—Field effect devices
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- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
プレーナドーピングによる近接した電子層および正孔層
からなる電子−正孔対超伝導体の電子層或いは正孔層の
一方にソース、ドレインの選択電極を設け、更にこの層
のキャリアの濃度を制御電極により制御するようにした
高速半導体装置。
からなる電子−正孔対超伝導体の電子層或いは正孔層の
一方にソース、ドレインの選択電極を設け、更にこの層
のキャリアの濃度を制御電極により制御するようにした
高速半導体装置。
本発明は、比較的高い温度で動作することができる超伝
導トランジスタの構造に関する。
導トランジスタの構造に関する。
従来、超伝導現象は、液体ヘリウム温度程度の極低温で
観察され、これを利用したデバイスは極低温に冷却する
必要があり、超伝導デバイスを利用するのに困難性があ
った。そして、実用レベルでは超伝導を用いたトランジ
スタは存在しない。
観察され、これを利用したデバイスは極低温に冷却する
必要があり、超伝導デバイスを利用するのに困難性があ
った。そして、実用レベルでは超伝導を用いたトランジ
スタは存在しない。
研究段階では、電界効果型トランジスタへの超伝導のし
みだし効果を用いたもの、ジョセフソン接合による電子
の注入を用いたものがある。いずれも通常のBCS論理
による超伝導現象を用いたものである。
みだし効果を用いたもの、ジョセフソン接合による電子
の注入を用いたものがある。いずれも通常のBCS論理
による超伝導現象を用いたものである。
ところで、最近、電子と正孔ペアの合成粒子による超伝
導機構により、比較的高い温度で超伝導効果が得られる
ことが提唱され、液体ヘリウムより高い温度でも超伝導
が起ることがわかってきた(Yu、E、Lozovik
and V、 1. Yudson : 5olid
StateCommunications 19
(1976) pp、 391〜393参照)。電子−
正孔対における超伝導現象は、従来のBC3論理により
記述されるものとは全く異なり、論理的には液体窒素温
度以上乃至室温でも超伝導現象が期待される。
導機構により、比較的高い温度で超伝導効果が得られる
ことが提唱され、液体ヘリウムより高い温度でも超伝導
が起ることがわかってきた(Yu、E、Lozovik
and V、 1. Yudson : 5olid
StateCommunications 19
(1976) pp、 391〜393参照)。電子−
正孔対における超伝導現象は、従来のBC3論理により
記述されるものとは全く異なり、論理的には液体窒素温
度以上乃至室温でも超伝導現象が期待される。
しかしながら、これまで電子−正孔対超伝導機構につい
ては、単に現象的な検討が行なわれたのみであり、これ
までトランジスタ等の素子は実現されていない。
ては、単に現象的な検討が行なわれたのみであり、これ
までトランジスタ等の素子は実現されていない。
そこで、本発明の目的は、電子−正孔対超伝導機構を利
用したトランジスタの構造を実現することにある。
用したトランジスタの構造を実現することにある。
本発明は、プレーナドーピングによる近接した電子層お
よび正孔層からなる電子−正孔対超伝導体の電子層或い
は正孔層の一方に選択的にオーミック接触するソースお
よびドレインの選択電極を備えるとともに、更に該電子
層または正孔層のキャリアの濃度を制御する制御電極を
備えることを特徴とする高速半導体装置を提供する。そ
して、更に前記電子層または正孔層のうち、ソースおよ
びドレインの選択電極がオーミックに接触する層のドー
ピング濃度をn1、他方の層のドレイン濃度をn2とす
るとき、n 1 < n 2としてなることを特徴とす
る高速半導体装置を提供する。
よび正孔層からなる電子−正孔対超伝導体の電子層或い
は正孔層の一方に選択的にオーミック接触するソースお
よびドレインの選択電極を備えるとともに、更に該電子
層または正孔層のキャリアの濃度を制御する制御電極を
備えることを特徴とする高速半導体装置を提供する。そ
して、更に前記電子層または正孔層のうち、ソースおよ
びドレインの選択電極がオーミックに接触する層のドー
ピング濃度をn1、他方の層のドレイン濃度をn2とす
るとき、n 1 < n 2としてなることを特徴とす
る高速半導体装置を提供する。
本発明の原理および作用を、第2図に示した実施例のエ
ネルギバンド構造図を用いて説明する。
ネルギバンド構造図を用いて説明する。
第2図において、GaAs層1および5の間に絶縁性の
AlAs薄層4が介在した層構造となっており、GaA
s層 Aj! As界面近傍3にn型不純物がプレーナ
ドーピングにより導入され、 AlAs/ GaAs界
面近傍2にn型不純物が同様にプレーナドーピングによ
り導入されている。そして、界面2.3にそって2次元
的なチャネル(以下電子層3または正孔層2という)が
形成され、絶縁性のAlAs薄層を挾んで2次元電子ガ
スおよび2次元正孔ガスが形成されている。この第2図
の電子層3と正孔層2の形成過程を説明すると、3のn
型不純物のプレーナドーピング層からの電子が2のn型
不純物のプレーナドーピング層に拡散してアクセプタを
埋めことにより、3のn型プレーナドーピング層のドナ
ーはイオン化し、それにより3の層の伝導帯の端が曲り
、エネルギレベルが低下する。−方2のp型プレーナド
ーピング層の価電子帯のエネルギレベルが上昇する。そ
れに伴い、電子の遷移を妨げる向きに電界が発生する結
果ある所で平衡状態となる。第2図はこの平衡状態を示
してあり、3のn型プレーナドーピング層の伝導帯の端
のエネルギレベルはフェルミレベルEFより低下してい
る。−方、2のp型プレーナドーピング層の価電子帯の
エネルギレベルは上昇し、フェルミレベルより上になっ
ている。ここで、3のn型プレーナドーピング層の不純
物濃度は十分高いから、この平衡状態においても、完全
に空乏化することなくキャリアが残っており、電子層を
構成する。−方、2のp型プレーナドーピングN2は、
正孔層を構成する。
AlAs薄層4が介在した層構造となっており、GaA
s層 Aj! As界面近傍3にn型不純物がプレーナ
ドーピングにより導入され、 AlAs/ GaAs界
面近傍2にn型不純物が同様にプレーナドーピングによ
り導入されている。そして、界面2.3にそって2次元
的なチャネル(以下電子層3または正孔層2という)が
形成され、絶縁性のAlAs薄層を挾んで2次元電子ガ
スおよび2次元正孔ガスが形成されている。この第2図
の電子層3と正孔層2の形成過程を説明すると、3のn
型不純物のプレーナドーピング層からの電子が2のn型
不純物のプレーナドーピング層に拡散してアクセプタを
埋めことにより、3のn型プレーナドーピング層のドナ
ーはイオン化し、それにより3の層の伝導帯の端が曲り
、エネルギレベルが低下する。−方2のp型プレーナド
ーピング層の価電子帯のエネルギレベルが上昇する。そ
れに伴い、電子の遷移を妨げる向きに電界が発生する結
果ある所で平衡状態となる。第2図はこの平衡状態を示
してあり、3のn型プレーナドーピング層の伝導帯の端
のエネルギレベルはフェルミレベルEFより低下してい
る。−方、2のp型プレーナドーピング層の価電子帯の
エネルギレベルは上昇し、フェルミレベルより上になっ
ている。ここで、3のn型プレーナドーピング層の不純
物濃度は十分高いから、この平衡状態においても、完全
に空乏化することなくキャリアが残っており、電子層を
構成する。−方、2のp型プレーナドーピングN2は、
正孔層を構成する。
この電子層の2次元電子ガスと正孔層の正孔ガスが絶縁
性の薄FiAffiAsを挾んで存在することにより、
電子と正孔対による合成粒子が得られ、超伝導となる。
性の薄FiAffiAsを挾んで存在することにより、
電子と正孔対による合成粒子が得られ、超伝導となる。
ところが、この超伝導により、電子と正孔は同一方向に
運動し、全体として電流はキャンセルされるため、電子
と正孔対による合成粒子による超伝導を利用して、トラ
ンジスタを得るには、電子または正孔の一方のみを取出
さなければならない。
運動し、全体として電流はキャンセルされるため、電子
と正孔対による合成粒子による超伝導を利用して、トラ
ンジスタを得るには、電子または正孔の一方のみを取出
さなければならない。
そこで、本発明においては、2次元電子ガスまたば正孔
ガスのみにコンタクトする選択電極を設け、電子または
正孔の一方のみを取出すようにしている。
ガスのみにコンタクトする選択電極を設け、電子または
正孔の一方のみを取出すようにしている。
しかしながら、なお、電子−正孔対超伝導機構によるト
ランジスタを得るのに問題が残る。
ランジスタを得るのに問題が残る。
その理由は、例えば、2次元電子ガスにコンタクトする
選択電極を形成し、電子を取出す構成にした場合で考え
ると、正孔層には電極が形成されず正孔流が取出されな
いため、正孔が正孔層内に局所的に滞留し、正孔層内に
電界が発生し、正孔流を妨げる。そのため、電子−正孔
対超伝導が起り難くなる。そこで、本発明においては、
電子層と正孔層のドーピングに差をつけ、選択電極によ
りチャネル外に取出さない方のドープ量を大きくする構
成とし、選択電極が形成されない方の層のキャリアの流
れを増大できるようにして、選択電極が形成される方の
層のキャリアの流れと整合させて、上記キャリアの局所
的滞留を防止している。
選択電極を形成し、電子を取出す構成にした場合で考え
ると、正孔層には電極が形成されず正孔流が取出されな
いため、正孔が正孔層内に局所的に滞留し、正孔層内に
電界が発生し、正孔流を妨げる。そのため、電子−正孔
対超伝導が起り難くなる。そこで、本発明においては、
電子層と正孔層のドーピングに差をつけ、選択電極によ
りチャネル外に取出さない方のドープ量を大きくする構
成とし、選択電極が形成されない方の層のキャリアの流
れを増大できるようにして、選択電極が形成される方の
層のキャリアの流れと整合させて、上記キャリアの局所
的滞留を防止している。
その構成により、電子−正孔対超伝導機構による超伝導
を実現でき、トランジスタ動作が可能な素子が提供可能
になる。
を実現でき、トランジスタ動作が可能な素子が提供可能
になる。
以下に、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第1A図には本発明の実施例のトランジスタの要部断面
構成を示してあり、また、第1B図には実施例の電流径
路を示し、さらに、第2図には実施例のトランジスタの
ゲート電極直下のバンド構造が示しである。 第1A図
において、各層は以下の如くである。
構成を示してあり、また、第1B図には実施例の電流径
路を示し、さらに、第2図には実施例のトランジスタの
ゲート電極直下のバンド構造が示しである。 第1A図
において、各層は以下の如くである。
1・−半導体絶縁性(S I ) GaAs基板1′−
ノンドープGaAs層(バッファ層)2−・p” −G
aAsプレーナドープ層Be(ベリリウム)ドープ、ド
ーピング濃度2)OX 11013a″″2 11・−ノンドープGaAs層 厚味5人 4−・−ノンドープ iAs層 厚味90人 12− ノンドープGaAs層 厚味5人 3−−− n ” −GaAsプレーナドープ層Si(
シリコン)ドープ、ドーピング濃度1、I X IQI
3cai−2 5・−n −GaAs層 Siドープ、ドーピング濃度I X IQ” am−3
厚味300人 なお、以上の各半導体層は、MBE<分子線エピタキシ
ャル成長法)またはMOCVD (有機金属気相成長法
)等を用いて形成することができる。
ノンドープGaAs層(バッファ層)2−・p” −G
aAsプレーナドープ層Be(ベリリウム)ドープ、ド
ーピング濃度2)OX 11013a″″2 11・−ノンドープGaAs層 厚味5人 4−・−ノンドープ iAs層 厚味90人 12− ノンドープGaAs層 厚味5人 3−−− n ” −GaAsプレーナドープ層Si(
シリコン)ドープ、ドーピング濃度1、I X IQI
3cai−2 5・−n −GaAs層 Siドープ、ドーピング濃度I X IQ” am−3
厚味300人 なお、以上の各半導体層は、MBE<分子線エピタキシ
ャル成長法)またはMOCVD (有機金属気相成長法
)等を用いて形成することができる。
次に、電極領域は以下のように形成されている。
6−ゲート電極(Aj?デポジション)7.8−一一ソ
ース、ドレイン電極 AuGe/^Uをデポジション後、合金化9.10−m
−選択電極形成用イオン注入領域注入イオンSe(セレ
ン)、注入濃度 ピーク濃度で5x 10111 cm−’次に、本発明
の実施例のトランジスタ動作について説明する。
ース、ドレイン電極 AuGe/^Uをデポジション後、合金化9.10−m
−選択電極形成用イオン注入領域注入イオンSe(セレ
ン)、注入濃度 ピーク濃度で5x 10111 cm−’次に、本発明
の実施例のトランジスタ動作について説明する。
3のn ” −GaAsプレーナドープ層(Stドープ
層)からの電子のうち、I X 1013 am−2は
2のp++−GaAsプレーナドープ層(Beドープ層
)のアクセプタを埋めるためにフリーキャリアとはなら
ない。したがって、n ” −GaAsプレーナドープ
層3に1×10I2cf11″″2の電子、2のp”
−GaAsプレーナドープ層にI X 10” elm
−2の正孔がメ¥れフリーキャリアとして残る。これら
、2つの層は、100人のノンドープ層、即ちノンドー
プGaAs層11,12(厚味各5人)と4のノンドー
プiAs層(厚味90人)により隔てられるために、先
に述べた電子−正孔対超伝導機構によって、低温下で超
伝導となる。超伝導領域は、選択電極形成用のイオン注
入領域9,10を除く部分である。 この超伝導により
、電子と正孔は同一方向に運動し、全体として電流はキ
ャンセルされるため、そのままではトランジスタ動作が
できないため、ソース、ドレインの選択電極9.10に
より、電子による電流のみを取出す。そして、この電子
の濃度は、ゲート電極6により、5のn −GaAs層
領域での空乏層をコントロールすることにより制御され
る。
層)からの電子のうち、I X 1013 am−2は
2のp++−GaAsプレーナドープ層(Beドープ層
)のアクセプタを埋めるためにフリーキャリアとはなら
ない。したがって、n ” −GaAsプレーナドープ
層3に1×10I2cf11″″2の電子、2のp”
−GaAsプレーナドープ層にI X 10” elm
−2の正孔がメ¥れフリーキャリアとして残る。これら
、2つの層は、100人のノンドープ層、即ちノンドー
プGaAs層11,12(厚味各5人)と4のノンドー
プiAs層(厚味90人)により隔てられるために、先
に述べた電子−正孔対超伝導機構によって、低温下で超
伝導となる。超伝導領域は、選択電極形成用のイオン注
入領域9,10を除く部分である。 この超伝導により
、電子と正孔は同一方向に運動し、全体として電流はキ
ャンセルされるため、そのままではトランジスタ動作が
できないため、ソース、ドレインの選択電極9.10に
より、電子による電流のみを取出す。そして、この電子
の濃度は、ゲート電極6により、5のn −GaAs層
領域での空乏層をコントロールすることにより制御され
る。
以上の実施例において、n ” −GaAsプレーナド
ープ層3と、2のp” GaAsプレーナドープ層の
ドーピング濃度に差をつけて正孔濃度の方を増すように
している理由をさらに詳しく説明する。
ープ層3と、2のp” GaAsプレーナドープ層の
ドーピング濃度に差をつけて正孔濃度の方を増すように
している理由をさらに詳しく説明する。
もし、2の電子層と3の正孔層の電子流と正孔流とが同
じであったとすると、電子層3の電子はドレインの選択
電極により外部回路に取出され、再びソースの選択電極
を介して電子チャネル3に戻るという閉ループを形成す
るのに対して、正孔チャネル2には電極が形成されてい
ないため、正孔チャネル2内のパスを流れるのみである
から正孔はドレインの選択電極近くに滞留することにな
る。
じであったとすると、電子層3の電子はドレインの選択
電極により外部回路に取出され、再びソースの選択電極
を介して電子チャネル3に戻るという閉ループを形成す
るのに対して、正孔チャネル2には電極が形成されてい
ないため、正孔チャネル2内のパスを流れるのみである
から正孔はドレインの選択電極近くに滞留することにな
る。
それにより正孔の流れを阻害する電界が正孔層内に発生
し、正孔の流れが阻害されることにより、電子−正孔対
合成粒子の他方の対の電子の数が減少し、超伝導でなく
なる。
し、正孔の流れが阻害されることにより、電子−正孔対
合成粒子の他方の対の電子の数が減少し、超伝導でなく
なる。
そこで、本発明のように、正孔層2の正孔濃度を高くし
ておくと、正孔層2の正孔のうち、電子層3の電子数と
同じ数の正孔は電子−正孔対超伝導機構により超伝導化
する。そして、残りの曇亨傷−十曇墨曇正孔は正孔層・
3内のパスを常伝導で流れる。ここで、第1B図の電流
径路のように正孔層2内のパスを流れる正孔流りは常伝
導で流れる正孔層だけ従来例より流れ易くなるから、正
孔の局所的蓄積が少なくなり、電子−正孔対超伝導機構
による超伝導が阻害されることが防止される。
ておくと、正孔層2の正孔のうち、電子層3の電子数と
同じ数の正孔は電子−正孔対超伝導機構により超伝導化
する。そして、残りの曇亨傷−十曇墨曇正孔は正孔層・
3内のパスを常伝導で流れる。ここで、第1B図の電流
径路のように正孔層2内のパスを流れる正孔流りは常伝
導で流れる正孔層だけ従来例より流れ易くなるから、正
孔の局所的蓄積が少なくなり、電子−正孔対超伝導機構
による超伝導が阻害されることが防止される。
次に、本実施例において、プレーナドーピングを用いて
いる点を説明する。
いる点を説明する。
電子層3および正孔層2のドーピングを通常のドーピン
グにより単に高濃度に行なうと、n層からp層に電子が
移ることによる空乏層のために、電子層と正孔層との距
離が大きくなり非常に低温でしか超伝導化しない。これ
に対して、本実施例のようにプレーナドーピングを行な
うと、ドーピング濃度が極高いので、空乏層は形成され
ず、絶縁層を挾んで発生する電子−正孔対超伝導機構に
より超伝導が起るのである。なお、上記において、ソー
ス、ドレインの選択電極を形成する層を電子層としたが
、正孔層にソース、ドレインの選択電極を形成するよう
にして、正孔層と電子層のドーピング濃度を電子層の方
が高くなるようにしても良い。
グにより単に高濃度に行なうと、n層からp層に電子が
移ることによる空乏層のために、電子層と正孔層との距
離が大きくなり非常に低温でしか超伝導化しない。これ
に対して、本実施例のようにプレーナドーピングを行な
うと、ドーピング濃度が極高いので、空乏層は形成され
ず、絶縁層を挾んで発生する電子−正孔対超伝導機構に
より超伝導が起るのである。なお、上記において、ソー
ス、ドレインの選択電極を形成する層を電子層としたが
、正孔層にソース、ドレインの選択電極を形成するよう
にして、正孔層と電子層のドーピング濃度を電子層の方
が高くなるようにしても良い。
以上のように、本発明によれば、プレーナドープにより
電子層および正孔層を絶縁層を挾んで形成し、且つ選択
電極により、電子層または正孔層に選択的にオーミック
コンタクトし、電子流または正孔流の一方を取出すこと
により、電子−正孔対超伝導効果を用いたトランジスタ
を実現できる。
電子層および正孔層を絶縁層を挾んで形成し、且つ選択
電極により、電子層または正孔層に選択的にオーミック
コンタクトし、電子流または正孔流の一方を取出すこと
により、電子−正孔対超伝導効果を用いたトランジスタ
を実現できる。
また、電子−正孔対超伝導機構を利用したトランジスタ
の正孔の蓄積(正孔流を取出す場合は電子の蓄積)を、
電子層と正孔層にドーピング濃度差をつけることにより
、防ぐことができ、電子−正孔対超伝導機構を利用した
高速なトランジスタを提供することが可能になる。
の正孔の蓄積(正孔流を取出す場合は電子の蓄積)を、
電子層と正孔層にドーピング濃度差をつけることにより
、防ぐことができ、電子−正孔対超伝導機構を利用した
高速なトランジスタを提供することが可能になる。
第1A図は本発明の実施例の断面図、第1B図は実施例
の電流径路の説明図、第2図は実施例のエネルギバンド
図である。 1−半導体絶縁性(S I ) GaAs基板11−ノ
ンドープGaAs層 2−・p ” −GaAsブレーナドープ層3−−−
n ” −GaAsプレーナドープ層4−ノンドープG
aAs層 5−−− n −GaAs層
の電流径路の説明図、第2図は実施例のエネルギバンド
図である。 1−半導体絶縁性(S I ) GaAs基板11−ノ
ンドープGaAs層 2−・p ” −GaAsブレーナドープ層3−−−
n ” −GaAsプレーナドープ層4−ノンドープG
aAs層 5−−− n −GaAs層
Claims (2)
- (1)プレーナドーピングによる近接した電子層および
正孔層からなる電子−正孔対超伝導体の電子層或いは正
孔層の一方に選択的にオーミック接触するソースおよび
ドレインの選択電極を備えるとともに、更に該電子層ま
たは正孔層のキャリアの濃度を制御する制御電極を備え
ることを特徴とする高速半導体装置。 - (2)特許請求の範囲第1項記載の高速半導体装置にお
いて、 前記電子層または正孔層のうち、ソースおよびドレイン
の選択電極がオーミックに接触する層のドーピング濃度
をn_1、他方の層のドレイン濃度をn_2とするとき
、 n_1<n_2 としてなることを特徴とする高速半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61143803A JPH0770705B2 (ja) | 1986-06-19 | 1986-06-19 | 高速半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61143803A JPH0770705B2 (ja) | 1986-06-19 | 1986-06-19 | 高速半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63173A true JPS63173A (ja) | 1988-01-05 |
JPH0770705B2 JPH0770705B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=15347342
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61143803A Expired - Fee Related JPH0770705B2 (ja) | 1986-06-19 | 1986-06-19 | 高速半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0770705B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63175471A (ja) * | 1987-01-16 | 1988-07-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置 |
EP0331527A2 (en) * | 1988-03-03 | 1989-09-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Superconductive transistor |
EP0828296A2 (en) * | 1996-09-03 | 1998-03-11 | International Business Machines Corporation | High temperature superconductivity in strained Si/SiGe |
-
1986
- 1986-06-19 JP JP61143803A patent/JPH0770705B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63175471A (ja) * | 1987-01-16 | 1988-07-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置 |
EP0331527A2 (en) * | 1988-03-03 | 1989-09-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Superconductive transistor |
EP0828296A2 (en) * | 1996-09-03 | 1998-03-11 | International Business Machines Corporation | High temperature superconductivity in strained Si/SiGe |
EP0828296A3 (en) * | 1996-09-03 | 1998-03-18 | International Business Machines Corporation | High temperature superconductivity in strained Si/SiGe |
KR100293400B1 (ko) * | 1996-09-03 | 2001-07-12 | 포만 제프리 엘 | 초전도체구조및이의응용장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0770705B2 (ja) | 1995-07-31 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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