JPS63166940A - Ｎｉ−Ｔｉ系機能材料及びその製造方法 - Google Patents
Ｎｉ−Ｔｉ系機能材料及びその製造方法Info
- Publication number
- JPS63166940A JPS63166940A JP31453386A JP31453386A JPS63166940A JP S63166940 A JPS63166940 A JP S63166940A JP 31453386 A JP31453386 A JP 31453386A JP 31453386 A JP31453386 A JP 31453386A JP S63166940 A JPS63166940 A JP S63166940A
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- JP
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Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract 4
- KHYBPSFKEHXSLX-UHFFFAOYSA-N iminotitanium Chemical group [Ti]=N KHYBPSFKEHXSLX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 12
- 229910001000 nickel titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract 11
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract 9
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 1
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 claims 1
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 abstract 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 abstract 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Solid-Phase Diffusion Into Metallic Material Surfaces (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（２）明細書の第２２頁１．２行の「第２図（ａ）〜−
一・−・−・第３図は」を「第２図（ａｌ、（１１）は
そのＡ−Ａ’断面の金属組織を示す写真、第２図（Ｃ）
はそのＢ−Ｂ’断面の金属組織を示す写真、第３図は」
と補正する。
一・−・−・第３図は」を「第２図（ａｌ、（１１）は
そのＡ−Ａ’断面の金属組織を示す写真、第２図（Ｃ）
はそのＢ−Ｂ’断面の金属組織を示す写真、第３図は」
と補正する。
（３）図面の第２図（ａ）〜（Ｑ）を別紙の通り補正す
る。
る。
（図面を金属組織を示す写真に補正する。内容に変更な
し） ８、添付書類の目録 （１）補正された図面の第２図（ａｌ〜（Ｃ）１ 通
昭和６２年５月１３日 ３、補正をする者 鰭との聞 特許出願人 住所 大阪市東区高麗橋５丁目４５′Ｍ也４、代理人 住所 大阪市淀用区西中島４丁目２番２６号６、補正の
内容 （１）＠書の表題の欄の「特許願（２）」の末尾に「（
特許法第３８条ただし書の規定による特許出＠）」を補
充する。
し） ８、添付書類の目録 （１）補正された図面の第２図（ａｌ〜（Ｃ）１ 通
昭和６２年５月１３日 ３、補正をする者 鰭との聞 特許出願人 住所 大阪市東区高麗橋５丁目４５′Ｍ也４、代理人 住所 大阪市淀用区西中島４丁目２番２６号６、補正の
内容 （１）＠書の表題の欄の「特許願（２）」の末尾に「（
特許法第３８条ただし書の規定による特許出＠）」を補
充する。
（２）願書の「発明の名称」の欄と「発明者」の欄との
間に欄を設けて［特許請求の範囲に記載された発明の数
３」を加入する。
間に欄を設けて［特許請求の範囲に記載された発明の数
３」を加入する。
以上
Claims (6)
- （１）Ｈｉ４７〜６０ａｔ％とＴｉとを少なくとも含有
してなるＮｉ−Ｔｉ系合金材の複数が集合されてなり、
かつ前記各Ｎｉ−Ｔｉ系合金材同志はその境界に該合金
材料とは異なる組成比の濃度勾配層を設けて一体に結合
したことを特徴とするＮｉ−Ｔｉ系機能合金材料。 - （２）前記濃度勾配層は、ＴｉＮｉ＿３相又はＴｉ＿２
Ｎｉ相を少なくとも含んでいる特許請求の範囲第１項記
載の機能合金材料。 - （３）前記濃度勾配層は、前記機能材料横断面において
略亀甲状に形成されている特許請求の範囲第２項記載の
機能材料。 - （４）前記濃度勾配層は、前記機能材料横断面において
、直線状に形成されている特許請求の範囲第２項記載の
機能材料。 - （５）複数の、Ｔｉ条材と４７〜６０ａｔ％のＮｉ材と
を少なくとも含み、各々が均一に分散してなるＮｉ−Ｔ
ｉ条材の外表面を、Ｎｉ又はＴｉでなる余剰材で覆いか
つその複数を集合して複合材を形成するとともに、該複
合材に縮寸加工と、前記各Ｎｉ−Ｔｉ条材から生成され
るＮｉ−Ｔｉ系合金材料の各々が濃度勾配層を設けて一
体に結合され得る拡散熱処理加工とを施すことを特徴と
するＮｉ−Ｔｉ系機能材料の製造方法。 - （６）４７〜６０ａｔ％のＮｉと残部Ｔｉとを少なくと
も含んでなるＮｉ−Ｔｉ合金材料の外表面をＮｉ又はＴ
ｉでなる余剰材で覆いかつその複数を集合して複合材を
形成するとともに、該複合材に縮寸加工と、前記余剰材
が濃度勾配層を形成し前記Ｎｉ−Ｔｉ合金材同志が一体
化され得る拡散熱処理加工とを施すことを特徴とするＮ
ｉ−Ｔｉ系機能材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31453386A JPS63166940A (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | Ｎｉ−Ｔｉ系機能材料及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31453386A JPS63166940A (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | Ｎｉ−Ｔｉ系機能材料及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63166940A true JPS63166940A (ja) | 1988-07-11 |
Family
ID=18054434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31453386A Pending JPS63166940A (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | Ｎｉ−Ｔｉ系機能材料及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63166940A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6689486B2 (en) * | 2000-02-29 | 2004-02-10 | Ken K. Ho | Bimorphic, compositionally-graded, sputter-deposited, thin film shape memory device |
| CN111041421A (zh) * | 2019-12-30 | 2020-04-21 | 哈尔滨工业大学 | 一种形状记忆合金径向梯度薄膜及其制备方法 |
-
1986
- 1986-12-27 JP JP31453386A patent/JPS63166940A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6689486B2 (en) * | 2000-02-29 | 2004-02-10 | Ken K. Ho | Bimorphic, compositionally-graded, sputter-deposited, thin film shape memory device |
| CN111041421A (zh) * | 2019-12-30 | 2020-04-21 | 哈尔滨工业大学 | 一种形状记忆合金径向梯度薄膜及其制备方法 |
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