JPS631602B2 - - Google Patents
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- JPS631602B2 JPS631602B2 JP16076382A JP16076382A JPS631602B2 JP S631602 B2 JPS631602 B2 JP S631602B2 JP 16076382 A JP16076382 A JP 16076382A JP 16076382 A JP16076382 A JP 16076382A JP S631602 B2 JPS631602 B2 JP S631602B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D23/00—Control of temperature
- G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means
- G05D23/20—Control of temperature characterised by the use of electric means with sensing elements having variation of electric or magnetic properties with change of temperature
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D23/00—Control of temperature
- G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means
- G05D23/1902—Control of temperature characterised by the use of electric means characterised by the use of a variable reference value
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D23/00—Control of temperature
- G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means
- G05D23/1906—Control of temperature characterised by the use of electric means using an analogue comparing device
- G05D23/1912—Control of temperature characterised by the use of electric means using an analogue comparing device whose output amplitude can take more than two discrete values
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Control Of Temperature (AREA)
- Feedback Control In General (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、一次加熱装置と二次加熱装置とを有
する加熱プラントを作動する多段サーモスタツト
装置に関する。
する加熱プラントを作動する多段サーモスタツト
装置に関する。
2つの異なる熱源を有する加熱装置から成る多
段加熱プラントは、長年にわたつて使用されてい
る。このような多段加熱プラントには、補助電気
的抵抗加熱器を伴つたヒートポンプ、補助ガス炉
を伴つたヒートポンプ、及び電気的または地下燃
料の補助加熱器を伴つた太陽エネルギ源を有して
いるものがある。一次及び二次加熱源を有する加
熱プラントを使用する理由は、一次加熱源を使用
し、次により高価な燃料を要する2次加熱源を使
用することにより加熱燃料を低価にするという利
点があるためである。
段加熱プラントは、長年にわたつて使用されてい
る。このような多段加熱プラントには、補助電気
的抵抗加熱器を伴つたヒートポンプ、補助ガス炉
を伴つたヒートポンプ、及び電気的または地下燃
料の補助加熱器を伴つた太陽エネルギ源を有して
いるものがある。一次及び二次加熱源を有する加
熱プラントを使用する理由は、一次加熱源を使用
し、次により高価な燃料を要する2次加熱源を使
用することにより加熱燃料を低価にするという利
点があるためである。
最近、多段装置のコスト効率を高めるため、室
外温度検知装置を設置して一次及び二次加熱プラ
ントの段階的加熱を助けることが一般に行なわれ
ている。周知のように、ヒートポンプを作動して
熱を発生することは、電気的加熱装置のような二
次加熱源を使用することよりもさらに効率が良
い。一次加熱源すなわちヒートポンプが単独でヒ
ーター負荷を操作することができるならば電気的
加熱装置が作動しないようにすることが望まし
い。多段装置が一定の室内温度で動作する場合、
これは特に問題はない。すなわち室内温度が一定
に保持されている場合、室外の温度の自然変化に
よりヒートポンプとその補助加熱装置は最も効率
的に段階的に付勢される。従つて、ヒートポンプ
がもはや一定温度を維持できなくなり、補助すな
わち電気的加熱装置が動作するまで、ヒートポン
プは熱を発生する。しかし、一定の設定値を有す
る通常の多段サーモスタツトにおける欠点は、補
助加熱段の動作を開始するのに必要なオフセツト
すなわち降下が大き過ぎることである。より快適
な状態を得るため、サーモスタツトの制御点をリ
セツトすなわち上昇するよう室外センサを設けて
いる場合がしばしばある。しかし、室外リセツト
の効率は加熱装置の容量へのリセツト装置の整合
や設計上の天候状態によつて左右されてしまう。
外温度検知装置を設置して一次及び二次加熱プラ
ントの段階的加熱を助けることが一般に行なわれ
ている。周知のように、ヒートポンプを作動して
熱を発生することは、電気的加熱装置のような二
次加熱源を使用することよりもさらに効率が良
い。一次加熱源すなわちヒートポンプが単独でヒ
ーター負荷を操作することができるならば電気的
加熱装置が作動しないようにすることが望まし
い。多段装置が一定の室内温度で動作する場合、
これは特に問題はない。すなわち室内温度が一定
に保持されている場合、室外の温度の自然変化に
よりヒートポンプとその補助加熱装置は最も効率
的に段階的に付勢される。従つて、ヒートポンプ
がもはや一定温度を維持できなくなり、補助すな
わち電気的加熱装置が動作するまで、ヒートポン
プは熱を発生する。しかし、一定の設定値を有す
る通常の多段サーモスタツトにおける欠点は、補
助加熱段の動作を開始するのに必要なオフセツト
すなわち降下が大き過ぎることである。より快適
な状態を得るため、サーモスタツトの制御点をリ
セツトすなわち上昇するよう室外センサを設けて
いる場合がしばしばある。しかし、室外リセツト
の効率は加熱装置の容量へのリセツト装置の整合
や設計上の天候状態によつて左右されてしまう。
エネルギを節約するため、サーモスタツトに日
中のセツトアツプ(引上げ)機能とともに夜間の
セツトバツク(引下げ)機能を持たせることは一
般に行なわれている。これら機能は、加熱される
建造物内の夜間温度を低くしかつ朝に通常の日中
周囲温度にピツクアツプすなわち戻すものであ
る。しかし、夜間セツトバツク及び朝のピツクア
ツプを行なう場合、ヒートポンプは最も有効なモ
ードで動作できるわけではない。たとえば、朝、
サーモスタツトが通常の日中の周囲温度制御に戻
る場合、ヒートポンプは電気的加熱装置の複数段
とともにオンになる。従つて、朝のこのピツクア
ツプは、たとえば十分な時間が与えられていて
も、ヒートポンプだけで設定値温度にまで温度を
上昇させることができるか否かにかかわらず、同
時に一次及び二次加熱源を用いている。この種の
装置では、朝のセツトアツプ時に電気的加熱装置
がオンになるのを妨げるため室外温度が所定温度
以上になつた場合電気的加熱装置をオフに固定す
る室外サーモスタツトを有している。しかし、こ
の種の装置は高価でしかも効果的ではない。すな
わち、この装置は、室外温度検知装置と補助制御
装置を必要とするため高価になつてしまい、かつ
通常の日中温度まで高める必要がない場合でも電
気的加熱装置はオンになるので、装置を誤調節し
たのと同様の効率のロスを生じる。さらに、ヒー
トポンプだけが建造物の加熱命令に応じることが
できるような室外温度は、太陽、風、内部の熱
(居住者、照明等)のゲイン及びロスにより変化
する。従つて、たとえ室外サーモスタツトを適切
に調節しても効果的でなくなつてしまう。
中のセツトアツプ(引上げ)機能とともに夜間の
セツトバツク(引下げ)機能を持たせることは一
般に行なわれている。これら機能は、加熱される
建造物内の夜間温度を低くしかつ朝に通常の日中
周囲温度にピツクアツプすなわち戻すものであ
る。しかし、夜間セツトバツク及び朝のピツクア
ツプを行なう場合、ヒートポンプは最も有効なモ
ードで動作できるわけではない。たとえば、朝、
サーモスタツトが通常の日中の周囲温度制御に戻
る場合、ヒートポンプは電気的加熱装置の複数段
とともにオンになる。従つて、朝のこのピツクア
ツプは、たとえば十分な時間が与えられていて
も、ヒートポンプだけで設定値温度にまで温度を
上昇させることができるか否かにかかわらず、同
時に一次及び二次加熱源を用いている。この種の
装置では、朝のセツトアツプ時に電気的加熱装置
がオンになるのを妨げるため室外温度が所定温度
以上になつた場合電気的加熱装置をオフに固定す
る室外サーモスタツトを有している。しかし、こ
の種の装置は高価でしかも効果的ではない。すな
わち、この装置は、室外温度検知装置と補助制御
装置を必要とするため高価になつてしまい、かつ
通常の日中温度まで高める必要がない場合でも電
気的加熱装置はオンになるので、装置を誤調節し
たのと同様の効率のロスを生じる。さらに、ヒー
トポンプだけが建造物の加熱命令に応じることが
できるような室外温度は、太陽、風、内部の熱
(居住者、照明等)のゲイン及びロスにより変化
する。従つて、たとえ室外サーモスタツトを適切
に調節しても効果的でなくなつてしまう。
一般に、補助加熱装置、特に電気的加熱装置を
有するヒートポンプを制御する場合、室外検知装
置を設置して制御点オフセツト(降下)を減少
し、夜のセツトバツクから朝のセツトアツプへの
設定値変化の影響をなくしている。このように特
定装置を設けたり、調節及び効率が悪いことによ
り、様々な種類の設備におけるヒートポンプ装置
や補助加熱装置の動作は限界を生じてしまう。こ
のような状況から、地方によつては電力供給事業
はヒートポンプ装置を夜間にセツトバツク及び朝
にセツトアツプすることなく動作させることを提
案している。
有するヒートポンプを制御する場合、室外検知装
置を設置して制御点オフセツト(降下)を減少
し、夜のセツトバツクから朝のセツトアツプへの
設定値変化の影響をなくしている。このように特
定装置を設けたり、調節及び効率が悪いことによ
り、様々な種類の設備におけるヒートポンプ装置
や補助加熱装置の動作は限界を生じてしまう。こ
のような状況から、地方によつては電力供給事業
はヒートポンプ装置を夜間にセツトバツク及び朝
にセツトアツプすることなく動作させることを提
案している。
本発明は、たとえば補助加熱装置を有するヒー
トポンプのような一次加熱源と二次加熱源を有す
る加熱プラントを作動する多段サーモスタツト装
置に関する。本発明は、一次加熱源と二次加熱源
を用いているあらゆる種類の多段温度制御装置に
おいて使用できるが、ここでは複数段の補助電気
的加熱装置を有するヒートポンプを制御する多段
サーモスタツトの内容について特に述べている。
というのは、本発明を適用するものとしては上記
サーモスタツトが最も一般的であるからである。
トポンプのような一次加熱源と二次加熱源を有す
る加熱プラントを作動する多段サーモスタツト装
置に関する。本発明は、一次加熱源と二次加熱源
を用いているあらゆる種類の多段温度制御装置に
おいて使用できるが、ここでは複数段の補助電気
的加熱装置を有するヒートポンプを制御する多段
サーモスタツトの内容について特に述べている。
というのは、本発明を適用するものとしては上記
サーモスタツトが最も一般的であるからである。
本発明は、補助加熱装置を不必要に付勢するこ
となく、ヒートポンプの動作を最も効果的に使用
して、夜間セツトバツク及び朝のセツトアツプす
なわちピツクアツプを行なうものである。本発明
は、室外に位置する装置の室外検知または屋外調
節することなくこの動作モードを行なつている。
さらに、本発明は、オフセツトすなわち降下する
ことなく、及び室外に位置する装置の室外検知ま
たは屋外調節することなく、何段もの加熱装置を
多段制御できる。
となく、ヒートポンプの動作を最も効果的に使用
して、夜間セツトバツク及び朝のセツトアツプす
なわちピツクアツプを行なうものである。本発明
は、室外に位置する装置の室外検知または屋外調
節することなくこの動作モードを行なつている。
さらに、本発明は、オフセツトすなわち降下する
ことなく、及び室外に位置する装置の室外検知ま
たは屋外調節することなく、何段もの加熱装置を
多段制御できる。
本発明は、夜間セツトバツク及び朝のセツトア
ツプ用の時間制御を行なう内部クロツク装置を有
する多段サーモスタツト装置を用いている。クロ
ツク装置により設定値の大きな変化がサーモスタ
ツト装置に供給された場合、本発明のサーモスタ
ツト装置は、ヒートポンプ及び補助加熱装置を有
効に作動することができる。朝のセツトアツプ
時、本発明装置は補助加熱装置を減勢状態に保持
しながら、ヒートポンプを付勢することができ
る。ヒートポンプが、あらかじめ設定された時間
内にヒーター負荷を引き上げられない場合は電気
的加熱装置の別の段を付勢し、さらに一般的な方
法で負荷を引き上げるようにしている。
ツプ用の時間制御を行なう内部クロツク装置を有
する多段サーモスタツト装置を用いている。クロ
ツク装置により設定値の大きな変化がサーモスタ
ツト装置に供給された場合、本発明のサーモスタ
ツト装置は、ヒートポンプ及び補助加熱装置を有
効に作動することができる。朝のセツトアツプ
時、本発明装置は補助加熱装置を減勢状態に保持
しながら、ヒートポンプを付勢することができ
る。ヒートポンプが、あらかじめ設定された時間
内にヒーター負荷を引き上げられない場合は電気
的加熱装置の別の段を付勢し、さらに一般的な方
法で負荷を引き上げるようにしている。
セツトアツプ及びセツトバツクにおけるヒート
ポンプの制御機能は、設定値からの時間積分値の
偏差すなわち制御点における誤差を有し比例形の
制御装置と並列な積分装置を作動し、かつ連続的
な合成誤差信号として2つの信号を加算すること
により行なつている。この合成誤差信号は、加熱
段を次々オンにする多段サイクリング装置に送ら
れる。各段はヒステリシス制御機能を有しかつ合
成誤差信号を連続的に増加することにより、一次
段から二次段にわたつて加熱段を最も効率良く
次々にオンにすることができる。建造物のダイナ
ミツクレスポンスに近づける方法でセツトバツク
値からセツトアツプ値まで指数的に上昇する“有
効な”設定値を発生することによつてセツトアツ
プ動作を効果的に行つている。積分器のゲイン
は、過度時においてセツトアツプ制御点が確立さ
れるまで減少される。
ポンプの制御機能は、設定値からの時間積分値の
偏差すなわち制御点における誤差を有し比例形の
制御装置と並列な積分装置を作動し、かつ連続的
な合成誤差信号として2つの信号を加算すること
により行なつている。この合成誤差信号は、加熱
段を次々オンにする多段サイクリング装置に送ら
れる。各段はヒステリシス制御機能を有しかつ合
成誤差信号を連続的に増加することにより、一次
段から二次段にわたつて加熱段を最も効率良く
次々にオンにすることができる。建造物のダイナ
ミツクレスポンスに近づける方法でセツトバツク
値からセツトアツプ値まで指数的に上昇する“有
効な”設定値を発生することによつてセツトアツ
プ動作を効果的に行つている。積分器のゲイン
は、過度時においてセツトアツプ制御点が確立さ
れるまで減少される。
制御装置のパワーアツプのような独立した状態
においては、偏差が大い場合現在の制御点から所
定の設定値へ指数的に設定値を上昇することによ
り、または現在の制御点が所定の設定値に近い場
合近似値を敏速に確立するよう大きなゲインで積
分装置を作動することにより効率良く制御するこ
とができる。
においては、偏差が大い場合現在の制御点から所
定の設定値へ指数的に設定値を上昇することによ
り、または現在の制御点が所定の設定値に近い場
合近似値を敏速に確立するよう大きなゲインで積
分装置を作動することにより効率良く制御するこ
とができる。
以下、添付の図面に基づいて本発明の実施例に
ついて説明する。
ついて説明する。
第1図は、多段サーモスタツト装置10を示し
ている。本発明の多段サーモスタツト装置10
は、一次加熱装置と二次加熱装置を有する様々な
形式の加熱プラントに使用することができるが、
本実施例では一次加熱装置としてヒートポンプ及
び二次加熱装置として複数段の電気的加熱装置を
用いている。この種の加熱プラントでは、第1図
に示した多段サーモスタツト装置を有効に適用す
ることができる。
ている。本発明の多段サーモスタツト装置10
は、一次加熱装置と二次加熱装置を有する様々な
形式の加熱プラントに使用することができるが、
本実施例では一次加熱装置としてヒートポンプ及
び二次加熱装置として複数段の電気的加熱装置を
用いている。この種の加熱プラントでは、第1図
に示した多段サーモスタツト装置を有効に適用す
ることができる。
サーモスタツト装置10は、クロツク装置11
を有している。このクロツク装置11は、一連の
タイムインターバルを発生できるものであればど
のタイプのものでもよい。現在の技術ではこの用
途に適した最も一般的な種類のクロツク装置とし
ては、一連の正確なクロツクパルスを発生する水
晶制御発振器及び分周器がある。クロツクパルス
は、通常のクロツクデイスプレイ、夜間セツトバ
ツク、及び朝のセツトアツプ機能等、複数の機能
を行なう。夜間セツトバツク機能とそれに伴うセ
ツトアツプ機能とを行なうのに使用される一連の
タイムインターバルをクロツク装置11が多段サ
ーモスタツト装置10に供給するタイミング機能
は装置12において行なわれる。この機能は、ク
ロツク装置11からの信号13により行なわれ、
温度設定値オフセツト信号Tpfを変化する出力1
4を発生する。この設定値オフセツト装置は、手
動設定値形の変更装置を含みかつ設定値変更信号
Tpfを発生するものであればどのような形式のオ
フセツト装置でもよい。設定値温度Tspは、レバ
ーを調節したり、ダイヤルで数値を合わせたり、
または押ボタンを押してデイジタル入力を確立
し、サーモスタツト装置10を手動で設定でき
る、通常のサーモスタツトの設定値である。本実
施例では、単一のセツトバツク設定値変化と単一
のセツトアツプすなわち朝のピツクアツプ変化
は、装置12によりプログラムされる。セツトバ
ツク時刻の数や朝のピツクアツプすなわちセツト
アツプ時刻の数は、サーモスタツトの設計に依存
し、セツトバツク及びセツトアツプの組合せが1
回の場合から複数の時刻従つてこれに対応する設
定値の組合せまで任意に変えることができる。
を有している。このクロツク装置11は、一連の
タイムインターバルを発生できるものであればど
のタイプのものでもよい。現在の技術ではこの用
途に適した最も一般的な種類のクロツク装置とし
ては、一連の正確なクロツクパルスを発生する水
晶制御発振器及び分周器がある。クロツクパルス
は、通常のクロツクデイスプレイ、夜間セツトバ
ツク、及び朝のセツトアツプ機能等、複数の機能
を行なう。夜間セツトバツク機能とそれに伴うセ
ツトアツプ機能とを行なうのに使用される一連の
タイムインターバルをクロツク装置11が多段サ
ーモスタツト装置10に供給するタイミング機能
は装置12において行なわれる。この機能は、ク
ロツク装置11からの信号13により行なわれ、
温度設定値オフセツト信号Tpfを変化する出力1
4を発生する。この設定値オフセツト装置は、手
動設定値形の変更装置を含みかつ設定値変更信号
Tpfを発生するものであればどのような形式のオ
フセツト装置でもよい。設定値温度Tspは、レバ
ーを調節したり、ダイヤルで数値を合わせたり、
または押ボタンを押してデイジタル入力を確立
し、サーモスタツト装置10を手動で設定でき
る、通常のサーモスタツトの設定値である。本実
施例では、単一のセツトバツク設定値変化と単一
のセツトアツプすなわち朝のピツクアツプ変化
は、装置12によりプログラムされる。セツトバ
ツク時刻の数や朝のピツクアツプすなわちセツト
アツプ時刻の数は、サーモスタツトの設計に依存
し、セツトバツク及びセツトアツプの組合せが1
回の場合から複数の時刻従つてこれに対応する設
定値の組合せまで任意に変えることができる。
さらに、サーモスタツト装置10は、温度検知
装置Tsという入力を有している。この装置Tsは、
周囲温度に応答する信号を発生する。周囲温度
は、サーモスタツト装置10により制御されるヒ
ートポンプ及び電気的加熱装置の動作により制御
される。温度検知装置Tsは、どのような種類の
検知装置でもよいが、最も代表的なものとして
は、制御される周囲温度を表わす信号Tsを出力
するサーミスタ及びブリツジ装置がある。
装置Tsという入力を有している。この装置Tsは、
周囲温度に応答する信号を発生する。周囲温度
は、サーモスタツト装置10により制御されるヒ
ートポンプ及び電気的加熱装置の動作により制御
される。温度検知装置Tsは、どのような種類の
検知装置でもよいが、最も代表的なものとして
は、制御される周囲温度を表わす信号Tsを出力
するサーミスタ及びブリツジ装置がある。
温度検知装置Ts、プログラム温度オフセツト
信号Tpf、指数的減衰温度バイアス信号TLAG及び
可変温度設定値信号Tspは、第1加算装置15に
おいて加算される。加算装置15の出力は、導線
16に送られる。この出力信号は、サーモスタツ
ト装置10の“有効な”設定値と、サーモスタツ
ト装置10により検知された温度Tsとの現在の
温度誤差Eを表わしている。
信号Tpf、指数的減衰温度バイアス信号TLAG及び
可変温度設定値信号Tspは、第1加算装置15に
おいて加算される。加算装置15の出力は、導線
16に送られる。この出力信号は、サーモスタツ
ト装置10の“有効な”設定値と、サーモスタツ
ト装置10により検知された温度Tsとの現在の
温度誤差Eを表わしている。
温度検知装置Ts、プログラム温度オフセツト
装置Tpf、指数的に減衰する温度バイアス信号
TLAG、及び可変温度設定値装置TSPは第1加算装
置15において加算される。加算装置15の出力
は導線16に接続し、かつ現在の温度誤差Eを表
わしている。この誤差Eは、サーモスタツト装置
10により検知された温度Tsとサーモスタツト
装置10の“有効な”設定値間の誤差である。
装置Tpf、指数的に減衰する温度バイアス信号
TLAG、及び可変温度設定値装置TSPは第1加算装
置15において加算される。加算装置15の出力
は導線16に接続し、かつ現在の温度誤差Eを表
わしている。この誤差Eは、サーモスタツト装置
10により検知された温度Tsとサーモスタツト
装置10の“有効な”設定値間の誤差である。
導線16の現在の温度誤差Eは、信号処理装置
20へ送られる。この信号処理装置20は、2つ
またはそれ以上の信号処理通路すなわちチヤネル
から構成されている。第1の信号処理チヤネル
は、現在の温度誤差Eに接続した入力22と、第
2加算装置24に接続した出力23とを有する比
例定数装置21を有している。第2のすなわち積
分器信号処理チヤネル25は、温度誤差Eの時間
積分値を持つ積分装置37を有している。この積
分装置37は、現在の温度誤差Eに接続した入力
26と第2加算装置24に接続した出力27とを
有している。3つの論理入力28,29,30は
3つのスイツチ31,32,33のうちの1つを
選択的に閉じることができ、それにより現在の温
度誤差Eを適当なゲイン定数34,35または3
6を介して切り換えて、信号処理チヤネル25の
ゲインを選択する。ゲイン定数は、遅いゲイン定
数KS34と標準ゲイン定数KN35と速いゲイン
定数KF36がある。積分器信号処理チヤネル2
5の積分装置37は連続的な入力38をしてい
る。積分装置37の出力は定数C5とC6間に制限
され、論理入力39によりC5にリセツトするこ
とが可能である。この種の積分装置は、プロセス
制御の分野では周知である。
20へ送られる。この信号処理装置20は、2つ
またはそれ以上の信号処理通路すなわちチヤネル
から構成されている。第1の信号処理チヤネル
は、現在の温度誤差Eに接続した入力22と、第
2加算装置24に接続した出力23とを有する比
例定数装置21を有している。第2のすなわち積
分器信号処理チヤネル25は、温度誤差Eの時間
積分値を持つ積分装置37を有している。この積
分装置37は、現在の温度誤差Eに接続した入力
26と第2加算装置24に接続した出力27とを
有している。3つの論理入力28,29,30は
3つのスイツチ31,32,33のうちの1つを
選択的に閉じることができ、それにより現在の温
度誤差Eを適当なゲイン定数34,35または3
6を介して切り換えて、信号処理チヤネル25の
ゲインを選択する。ゲイン定数は、遅いゲイン定
数KS34と標準ゲイン定数KN35と速いゲイン
定数KF36がある。積分器信号処理チヤネル2
5の積分装置37は連続的な入力38をしてい
る。積分装置37の出力は定数C5とC6間に制限
され、論理入力39によりC5にリセツトするこ
とが可能である。この種の積分装置は、プロセス
制御の分野では周知である。
信号処理装置20は、微分すなわち速度決定チ
ヤネル40をさらに有している。このチヤネル4
0は、現在の温度誤差Eに接続した入力41と、
加算装置24に接続した出力42を有している。
この出力42は、現在の温度誤差Eの時間変化率
を表わしている。信号処理装置20には3つの信
号処理チヤネルが示されているが、装置は比例定
数チヤネル21と共同して積分チヤネル25によ
り動作する。微分装置40が使用される場合があ
るが、この処理機能は任意である。導線16の現
在の温度誤差Eは、並列接続した比例定数チヤネ
ル21と積分器チヤネル25に送られる。比例定
数チヤネル21は、どのタイプのゲイン、代表的
にはゲイン1を有する普通の増幅器でよく、一
方、積分器チヤネル25は、時間に関して入力信
号を積分し、第2図に関して述べるような出力信
号を出力する積分回路である。
ヤネル40をさらに有している。このチヤネル4
0は、現在の温度誤差Eに接続した入力41と、
加算装置24に接続した出力42を有している。
この出力42は、現在の温度誤差Eの時間変化率
を表わしている。信号処理装置20には3つの信
号処理チヤネルが示されているが、装置は比例定
数チヤネル21と共同して積分チヤネル25によ
り動作する。微分装置40が使用される場合があ
るが、この処理機能は任意である。導線16の現
在の温度誤差Eは、並列接続した比例定数チヤネ
ル21と積分器チヤネル25に送られる。比例定
数チヤネル21は、どのタイプのゲイン、代表的
にはゲイン1を有する普通の増幅器でよく、一
方、積分器チヤネル25は、時間に関して入力信
号を積分し、第2図に関して述べるような出力信
号を出力する積分回路である。
積分器ケイン制御論理装置45は、離散的入力
46,47,48を受信し、出力28,29,3
0(第2信号処理チヤネル25の3入力)として
適当な積分ゲインを選択する。さらに、積分器ゲ
イン制御論理装置45は、現在の温度誤差Eをモ
ニタし、制御が一定している場合標準積分器ゲイ
ンを選択する。論理装置45は、3つのフリツプ
フロツプ49,50,51(出力導線51′を有
している)と、2つの比較器52,53を有して
いる。これら比較器は、現在の温度誤差Eと定数
C2,C3とを比較し、かつ論理的真または為信号
を出力する。また論理装置45は、論理装置45
を作動するセツト、リセツト及び制御論理装置を
構成する種々のAND,NOT及びOR論理ゲート
を有している。指数的減衰バイアス装置60は、
あるレベルから他のレベルに指数的に上昇する
“有効な”設定値を作る信号TLAGを発生する。バ
イアス装置60は、現在の温度誤差Eとプログラ
ム温度オフセツト装置Tpfの連続的入力及び離散
的入力61とを入力し、かつ出力TLAGを積分器
ゲイン制御論理装置の入力46とを出力する。バ
イアス装置60は、論理制御スイツチ62,6
3、比較器64、ゼロオーダのホールド回路6
5、及び3モード積分器66をさらに有してい
る。積分器66は、入力67によりゼロにリセツ
トされるかまたは入力68により入力69の値の
積分を開始させる出力を有している。入力67ま
たは68のどちらかが減勢されると、積分器66
は普通のタイムベース積分器として動作する。ま
た積分器66には、負の指数定数フイードバツク
70が設けられている。
46,47,48を受信し、出力28,29,3
0(第2信号処理チヤネル25の3入力)として
適当な積分ゲインを選択する。さらに、積分器ゲ
イン制御論理装置45は、現在の温度誤差Eをモ
ニタし、制御が一定している場合標準積分器ゲイ
ンを選択する。論理装置45は、3つのフリツプ
フロツプ49,50,51(出力導線51′を有
している)と、2つの比較器52,53を有して
いる。これら比較器は、現在の温度誤差Eと定数
C2,C3とを比較し、かつ論理的真または為信号
を出力する。また論理装置45は、論理装置45
を作動するセツト、リセツト及び制御論理装置を
構成する種々のAND,NOT及びOR論理ゲート
を有している。指数的減衰バイアス装置60は、
あるレベルから他のレベルに指数的に上昇する
“有効な”設定値を作る信号TLAGを発生する。バ
イアス装置60は、現在の温度誤差Eとプログラ
ム温度オフセツト装置Tpfの連続的入力及び離散
的入力61とを入力し、かつ出力TLAGを積分器
ゲイン制御論理装置の入力46とを出力する。バ
イアス装置60は、論理制御スイツチ62,6
3、比較器64、ゼロオーダのホールド回路6
5、及び3モード積分器66をさらに有してい
る。積分器66は、入力67によりゼロにリセツ
トされるかまたは入力68により入力69の値の
積分を開始させる出力を有している。入力67ま
たは68のどちらかが減勢されると、積分器66
は普通のタイムベース積分器として動作する。ま
た積分器66には、負の指数定数フイードバツク
70が設けられている。
パワーアツプリセツト装置75は、外部装置に
より発生されたパワーアツプパルスP及び導線1
6からの現在の温度誤差信号Eを入力し、指数的
減衰バイアス装置60への出力61を発生する。
リセツト装置75は、積分器ゲイン制御論理装置
45に接続した2つの出力47,48をさらに有
している。これら出力は、偏差が大きい場合現在
の制御点から所定の設定値まで“有効な”設定値
を指数的に上昇するか、または現在の制御点が所
定の設定値に近い場合、大きなゲインで積分器チ
ヤネル装置25を動作して適当な値を敏速に確立
する。リセツト装置75は、定数C4と誤差信号
Eとを比較する比較器76をさらに有している。
より発生されたパワーアツプパルスP及び導線1
6からの現在の温度誤差信号Eを入力し、指数的
減衰バイアス装置60への出力61を発生する。
リセツト装置75は、積分器ゲイン制御論理装置
45に接続した2つの出力47,48をさらに有
している。これら出力は、偏差が大きい場合現在
の制御点から所定の設定値まで“有効な”設定値
を指数的に上昇するか、または現在の制御点が所
定の設定値に近い場合、大きなゲインで積分器チ
ヤネル装置25を動作して適当な値を敏速に確立
する。リセツト装置75は、定数C4と誤差信号
Eとを比較する比較器76をさらに有している。
サーモスタツト装置10の一部は、設定値温度
Tspと検知された温度Tsとを比較しかつこれら値
を操作して導線91に連続的な合成誤差信号を発
生する。この信号は、サーモスタツト装置10に
より作動される加熱プラントの所定の制御を行な
う。サーモスタツト装置10は、導線91を加算
装置100に接続することにより完成される。こ
の加算装置100は多段サイクリング装置101
への入力として働く。多段サイクリング装置10
1は、一次加熱装置と二次加熱装置における段数
と同様の数の独立段を有している。各段102,
103,104は、“オン―オフ”ヒステリシス
ループ機能を有し、これについては第2図のグラ
フにおいて詳述する。導線91の連続的な合成誤
差信号が加算装置100において加算されると、
段102の入力105と段103の入力106と
段104の入力107へ入力する。段102,1
03,104内の各ヒステリシスループは互い違
いになつているので、各段の“オフ”状態から
“オン”状態への動作は重なり合うことはない。
多段サイクリング装置の構成素子102,10
3,104は、どの形成の電子装置を使用しても
よいように設計されている。これらは、“オフ”
状態から“オン”状態への通常のヒステリシス形
ループを有するオン―オフ制御段であり、これら
段は第2図に示すように互い違いになつている。
Tspと検知された温度Tsとを比較しかつこれら値
を操作して導線91に連続的な合成誤差信号を発
生する。この信号は、サーモスタツト装置10に
より作動される加熱プラントの所定の制御を行な
う。サーモスタツト装置10は、導線91を加算
装置100に接続することにより完成される。こ
の加算装置100は多段サイクリング装置101
への入力として働く。多段サイクリング装置10
1は、一次加熱装置と二次加熱装置における段数
と同様の数の独立段を有している。各段102,
103,104は、“オン―オフ”ヒステリシス
ループ機能を有し、これについては第2図のグラ
フにおいて詳述する。導線91の連続的な合成誤
差信号が加算装置100において加算されると、
段102の入力105と段103の入力106と
段104の入力107へ入力する。段102,1
03,104内の各ヒステリシスループは互い違
いになつているので、各段の“オフ”状態から
“オン”状態への動作は重なり合うことはない。
多段サイクリング装置の構成素子102,10
3,104は、どの形成の電子装置を使用しても
よいように設計されている。これらは、“オフ”
状態から“オン”状態への通常のヒステリシス形
ループを有するオン―オフ制御段であり、これら
段は第2図に示すように互い違いになつている。
段102は、出力108を有し、段103は出
力109を有し、かつ段104は出力110を有
している。これら出力は、加算装置111におい
て加算され、サーモスタツト装置10の出力11
2を形成する。出力112は、一次加熱装置と二
次加熱装置の各段を駆動する。出力112と加算
装置100間に予期装置113が設けられてい
る。この装置の使用は任意であるが、サーモスタ
ツト装置では一般に使用されている。予期装置1
13は、加算装置100に適した信号源であり、
段102,103,104のいずれかの作動に付
勢されかつ負帰還としての遅延信号を供給してシ
ステムの動作を予期する。この予期装置113
は、アナログまたはデイジタルの通常の装置で、
全システムの出力112に接続した導線112か
らの入力エネルギを受信する。
力109を有し、かつ段104は出力110を有
している。これら出力は、加算装置111におい
て加算され、サーモスタツト装置10の出力11
2を形成する。出力112は、一次加熱装置と二
次加熱装置の各段を駆動する。出力112と加算
装置100間に予期装置113が設けられてい
る。この装置の使用は任意であるが、サーモスタ
ツト装置では一般に使用されている。予期装置1
13は、加算装置100に適した信号源であり、
段102,103,104のいずれかの作動に付
勢されかつ負帰還としての遅延信号を供給してシ
ステムの動作を予期する。この予期装置113
は、アナログまたはデイジタルの通常の装置で、
全システムの出力112に接続した導線112か
らの入力エネルギを受信する。
サーモスタツト装置10の動作について説明す
る前に、第2図のグラフについて述べる。第2図
のグラフは、サイクリング装置101の機能を示
したグラフである。このグラフは、導線91にお
ける華氏の合成誤差信号に関する一次及び二次加
熱段すなわち加熱プラント装置の“オン”時間の
割合を表わしている。第2図の曲線は、第1加熱
装置すなわちヒートポンプがオフ状態にある位置
115における約0.5〓の合成誤差信号から開始
する。合成誤差信号91が4.5〓まで増加すると、
曲線は第1加熱装置すなわちヒートポンプが完全
に“オン”状態となる位置116まで増加する。
すなわち、ヒートポンプは100%のオン時間とな
る。合成誤差信号91が1〓以上増加すると、合
成誤差信号対加熱段の曲線は、曲線118に示す
ように増加する。
る前に、第2図のグラフについて述べる。第2図
のグラフは、サイクリング装置101の機能を示
したグラフである。このグラフは、導線91にお
ける華氏の合成誤差信号に関する一次及び二次加
熱段すなわち加熱プラント装置の“オン”時間の
割合を表わしている。第2図の曲線は、第1加熱
装置すなわちヒートポンプがオフ状態にある位置
115における約0.5〓の合成誤差信号から開始
する。合成誤差信号91が4.5〓まで増加すると、
曲線は第1加熱装置すなわちヒートポンプが完全
に“オン”状態となる位置116まで増加する。
すなわち、ヒートポンプは100%のオン時間とな
る。合成誤差信号91が1〓以上増加すると、合
成誤差信号対加熱段の曲線は、曲線118に示す
ように増加する。
これにより電気的加熱装置の第1段は“オン”
になる。電気的加熱装置の第1段のオン時間の割
合は、段間の差が1〓となる位置120における
9.5〓に合成誤差信号が至るまで、増加し続ける。
合成誤差信号91がさらに1〓増加して曲線が位
置121に至ると、電気的加熱装置の次の段は曲
線の位置122に示すようにオンになる。以下、
設置された段について同様の動作が行なわれる。
なお第2図における3つの段は、多数サイクリン
グ装置101の段102,103,104に相当
している。導線91における信号値が増加し続け
ると、段102,103,104の入力は第2図
の曲線に沿つて上昇し続け、それにより各設備に
設けられたヒートポンプ、段1,段2,段3,等
をオンにする。従つて加算装置100への合成誤
差信号91を連続的に増加することにより、いく
つかの段でもオン―オフ形式で制御することがで
きる。このように本発明は、一次加熱装置及び複
数の二次加熱装置を有する加熱プラントを作動で
きる多段サーモスタツト装置を実現している。
になる。電気的加熱装置の第1段のオン時間の割
合は、段間の差が1〓となる位置120における
9.5〓に合成誤差信号が至るまで、増加し続ける。
合成誤差信号91がさらに1〓増加して曲線が位
置121に至ると、電気的加熱装置の次の段は曲
線の位置122に示すようにオンになる。以下、
設置された段について同様の動作が行なわれる。
なお第2図における3つの段は、多数サイクリン
グ装置101の段102,103,104に相当
している。導線91における信号値が増加し続け
ると、段102,103,104の入力は第2図
の曲線に沿つて上昇し続け、それにより各設備に
設けられたヒートポンプ、段1,段2,段3,等
をオンにする。従つて加算装置100への合成誤
差信号91を連続的に増加することにより、いく
つかの段でもオン―オフ形式で制御することがで
きる。このように本発明は、一次加熱装置及び複
数の二次加熱装置を有する加熱プラントを作動で
きる多段サーモスタツト装置を実現している。
第3図及び第4図は、サーモスタツト装置10
の各構成素子の機能動作を示したフローチヤート
である。第3図及び第4図のフローチヤートで
は、機能または決定を行なう装置の構成素子、サ
ブセクシヨン、またはセクシヨンを表わす参照番
号を付けて、各機能を一般的な形成で示してい
る。特に、第3図は通常の動作モードにあるサー
モスタツト装置10のフローチヤートを示してい
る。この通常の動作モードにおいて、システムは
現在の設定値と前の設定値間に変化が起きたかど
うかを計算する。この変化は、サーモスタツト装
置10が通常のモードで動作しているかどうか、
またはセツトバツクまたはセツトアツプ機能が生
じたかどうかを決定するのに使用される。続い
て、フローチヤートは導線91における正しい合
成誤差信号を決定し、サイクリング装置101を
適当なレベルで動作させる。次に、システムはフ
リツプフロツプ49,50,51及びスイツチ装
置31,32または33の状態を決定し、信号処
理チヤネル25の積分装置37に適当な定数を与
える。第4図は装置のパワーアツプ開始に使用す
る論理が第3図の通常の動作モードとは別に示さ
れている。パワーアツプパルスPは、必要な積分
器とゲイン制御論理装置をリセツトするのに使用
される。リセツトが行なわれた後、比較を行ない
サーモスタツト装置10を適切な動作モードに確
立する。
の各構成素子の機能動作を示したフローチヤート
である。第3図及び第4図のフローチヤートで
は、機能または決定を行なう装置の構成素子、サ
ブセクシヨン、またはセクシヨンを表わす参照番
号を付けて、各機能を一般的な形成で示してい
る。特に、第3図は通常の動作モードにあるサー
モスタツト装置10のフローチヤートを示してい
る。この通常の動作モードにおいて、システムは
現在の設定値と前の設定値間に変化が起きたかど
うかを計算する。この変化は、サーモスタツト装
置10が通常のモードで動作しているかどうか、
またはセツトバツクまたはセツトアツプ機能が生
じたかどうかを決定するのに使用される。続い
て、フローチヤートは導線91における正しい合
成誤差信号を決定し、サイクリング装置101を
適当なレベルで動作させる。次に、システムはフ
リツプフロツプ49,50,51及びスイツチ装
置31,32または33の状態を決定し、信号処
理チヤネル25の積分装置37に適当な定数を与
える。第4図は装置のパワーアツプ開始に使用す
る論理が第3図の通常の動作モードとは別に示さ
れている。パワーアツプパルスPは、必要な積分
器とゲイン制御論理装置をリセツトするのに使用
される。リセツトが行なわれた後、比較を行ない
サーモスタツト装置10を適切な動作モードに確
立する。
動作において、最も簡単な動作モードは、温度
オフセツトTpfがゼロである一定設値動作である。
Tpfとゼロオーダのホールド装置65の出力とを
加算した結果である、Tpfの変化(信号D)がゼ
ロの場合について考えてみる。指数的減衰バイア
ス装置60は付勢されていないので、TLAGはゼ
ロである。積分器ゲイン制御論理装置45は、出
力29によりスイツチ32を介して標準ゲイン定
数35を選択する。従つて、合成誤差信号91が
発生され、サイクリング装置101に適当な加熱
段をオンにロツクする及び/または循環するよう
命令し、所定の設定値Tspに制御点を保持する。
これは、積分器信号チヤネル25によりオフセツ
ト(降下)することなく行なわれる。
オフセツトTpfがゼロである一定設値動作である。
Tpfとゼロオーダのホールド装置65の出力とを
加算した結果である、Tpfの変化(信号D)がゼ
ロの場合について考えてみる。指数的減衰バイア
ス装置60は付勢されていないので、TLAGはゼ
ロである。積分器ゲイン制御論理装置45は、出
力29によりスイツチ32を介して標準ゲイン定
数35を選択する。従つて、合成誤差信号91が
発生され、サイクリング装置101に適当な加熱
段をオンにロツクする及び/または循環するよう
命令し、所定の設定値Tspに制御点を保持する。
これは、積分器信号チヤネル25によりオフセツ
ト(降下)することなく行なわれる。
70〓のTspに関して10〓のセツトバツクを行な
うには、セツトアツプ及びセツトバツク装置12
が、プログラムされた温度オフセツトTpfを10〓
に変更し、それによつて60〓の“有効な”設定値
を得る。指数的減衰バイアス装置60は、Tpfの
変化を−10〓の信号Dとして検出する。たとえ
ば、定数C1がゼロの場合、Tpfの変化はバイアス
装置60に影響を及ぼさないので、TLAGはゼロ
のままでありかつ制御回路は標準積分ゲイン定数
35のままである。このようにして、サーモスタ
ツト装置10は10〓のセツトバツクを行なう。
うには、セツトアツプ及びセツトバツク装置12
が、プログラムされた温度オフセツトTpfを10〓
に変更し、それによつて60〓の“有効な”設定値
を得る。指数的減衰バイアス装置60は、Tpfの
変化を−10〓の信号Dとして検出する。たとえ
ば、定数C1がゼロの場合、Tpfの変化はバイアス
装置60に影響を及ぼさないので、TLAGはゼロ
のままでありかつ制御回路は標準積分ゲイン定数
35のままである。このようにして、サーモスタ
ツト装置10は10〓のセツトバツクを行なう。
上記のセツトバツクに続いて10〓のセツトアツ
プを開始する場合、セツトアツプ及びセツトバツ
ク装置12は10〓から0〓へプログラム温度オフ
セツトTpfを変更する。指数的減衰バイアス装置
60は、+10〓の信号DとしてTpfの変化を検出す
る。DはC1より大きいので、TLAGはDに等しく
セツトされ、かつ指数的減衰を開始する。従つて
“有効な”設定値は60〓のままで、70〓へ指数的
に上昇し始める。積分器ゲイン制御論理装置45
への入力は、フリツプフロツプ49をセツトしか
つフリツプフロツプ50をリセツトし、かつ入力
28でスイツチ31を閉じることによりゲイン定
数34を選択する。積分器ゲイン定数34は、標
準ゲイン定数35よりも一般的に低く、設定値の
過渡時のオーバーシユートを減少する。その結果
生じた制御動作により、指数的に上昇する“有効
な”設定値に追従するのに必要な加熱段だけをオ
ンにする。指数的定数70は、制御下の建造物の
ダイナミツクレスボンスに近似するよう選択され
ている(代表的には1時間の時間定数)ので、上
昇速度は温暖な室外状態ではヒートポンプだけを
オンにするようなゆつくりとしたものである。寒
い室外状態では、制御点は設定値に追従すること
ができず、従つて必要に応じてさらに加熱段をオ
ンにする。セツトアツプ回復を(1時間の時間定
数で)約2時間まで延ばすことにより、加熱装置
の電力需要は急激な設定値変化よりも多様に変化
できる。家屋の自然レスポンスのように設定値を
上昇することにより、更に効率良く動作させるこ
とができるだけでなく、回復期間の初期ではなく
終了時近くでプラントをサイクリングすることが
できる。このような動作は、回復が開始された後
短時間で加熱プラントをオフにするものよりも、
家庭用には使用しやすい。
プを開始する場合、セツトアツプ及びセツトバツ
ク装置12は10〓から0〓へプログラム温度オフ
セツトTpfを変更する。指数的減衰バイアス装置
60は、+10〓の信号DとしてTpfの変化を検出す
る。DはC1より大きいので、TLAGはDに等しく
セツトされ、かつ指数的減衰を開始する。従つて
“有効な”設定値は60〓のままで、70〓へ指数的
に上昇し始める。積分器ゲイン制御論理装置45
への入力は、フリツプフロツプ49をセツトしか
つフリツプフロツプ50をリセツトし、かつ入力
28でスイツチ31を閉じることによりゲイン定
数34を選択する。積分器ゲイン定数34は、標
準ゲイン定数35よりも一般的に低く、設定値の
過渡時のオーバーシユートを減少する。その結果
生じた制御動作により、指数的に上昇する“有効
な”設定値に追従するのに必要な加熱段だけをオ
ンにする。指数的定数70は、制御下の建造物の
ダイナミツクレスボンスに近似するよう選択され
ている(代表的には1時間の時間定数)ので、上
昇速度は温暖な室外状態ではヒートポンプだけを
オンにするようなゆつくりとしたものである。寒
い室外状態では、制御点は設定値に追従すること
ができず、従つて必要に応じてさらに加熱段をオ
ンにする。セツトアツプ回復を(1時間の時間定
数で)約2時間まで延ばすことにより、加熱装置
の電力需要は急激な設定値変化よりも多様に変化
できる。家屋の自然レスポンスのように設定値を
上昇することにより、更に効率良く動作させるこ
とができるだけでなく、回復期間の初期ではなく
終了時近くでプラントをサイクリングすることが
できる。このような動作は、回復が開始された後
短時間で加熱プラントをオフにするものよりも、
家庭用には使用しやすい。
セツトアツプ過度におけるこの時点まで、積分
器信号処理チヤネル25は低いゲインKSの定数
34を介して作動して、制御点のオーバーシユー
トを最小にしている。過度時に、現在の温度誤差
信号Eが比較器52の定数C2より大きくなると、
フリツプフロツプ50は、過度が十分進行中であ
ることを表示するようセツトされる。今、安定し
た制御が再び行なわれている場合、すなわち、現
在の温度誤差信号Eが比較器53の定数C3以下
に以下した場合、積分器ゲイン制御論理装置45
はリセツトされ、KNとして表わされている標準
ゲイン定数35が選択される。
器信号処理チヤネル25は低いゲインKSの定数
34を介して作動して、制御点のオーバーシユー
トを最小にしている。過度時に、現在の温度誤差
信号Eが比較器52の定数C2より大きくなると、
フリツプフロツプ50は、過度が十分進行中であ
ることを表示するようセツトされる。今、安定し
た制御が再び行なわれている場合、すなわち、現
在の温度誤差信号Eが比較器53の定数C3以下
に以下した場合、積分器ゲイン制御論理装置45
はリセツトされ、KNとして表わされている標準
ゲイン定数35が選択される。
パワーアツプリセツト装置75がパルス信号P
を受信すると、積分器37と3モード積分器66
はそれぞれ入力39,67によりゼロにリセツト
され、かつ積分器ゲイン制御論理装置45もリセ
ツトされて参照番号35における標準ゲインKN
を選択する。参照番号16における現在の温度誤
差Eが比較器76のC4(代表的には1〓)より大
きい場合、指数的減衰バイアス装置60は付勢さ
れ、“有効な”設定値を指数的に上昇させ、電源
の故障原因となるヒートポンプ装置群により電力
需要が同時に起ることを阻止している。現在の温
度誤差EがC4より小さい場合、フリツプフロツ
プ51はセツトされ、参照番号36におけるゲイ
ン定数KFを選択する。ゲイン定数KFは代表的に
は標準ゲイン定数KNより大きく適当な積分器の
値を敏速に再び確立する。
を受信すると、積分器37と3モード積分器66
はそれぞれ入力39,67によりゼロにリセツト
され、かつ積分器ゲイン制御論理装置45もリセ
ツトされて参照番号35における標準ゲインKN
を選択する。参照番号16における現在の温度誤
差Eが比較器76のC4(代表的には1〓)より大
きい場合、指数的減衰バイアス装置60は付勢さ
れ、“有効な”設定値を指数的に上昇させ、電源
の故障原因となるヒートポンプ装置群により電力
需要が同時に起ることを阻止している。現在の温
度誤差EがC4より小さい場合、フリツプフロツ
プ51はセツトされ、参照番号36におけるゲイ
ン定数KFを選択する。ゲイン定数KFは代表的に
は標準ゲイン定数KNより大きく適当な積分器の
値を敏速に再び確立する。
本実施例は、比較定数信号処理チヤネル装置2
1、差動信号処理チヤネル装置40及び積分装置
37を含む信号処理チヤネル25とを有している
が、前に述べたように、必ず必要とする装置は、
比例定数装置21と、積分器37を有する信号処
理チヤネル25である。しかし、3つの装置の全
てを同時に使用してある種の制御を行なうように
することもできる。本発明は、複数ゲインのチヤ
ネル装置25を含む単一の信号処理装置20と、
指数的減衰バイアス装置60を伴つ制御論理装置
とを組み合わせて、オフセツト(降下)すること
なく、効率的にヒートポンプをセツトバツク及び
セツトアツプすることができるものである。
1、差動信号処理チヤネル装置40及び積分装置
37を含む信号処理チヤネル25とを有している
が、前に述べたように、必ず必要とする装置は、
比例定数装置21と、積分器37を有する信号処
理チヤネル25である。しかし、3つの装置の全
てを同時に使用してある種の制御を行なうように
することもできる。本発明は、複数ゲインのチヤ
ネル装置25を含む単一の信号処理装置20と、
指数的減衰バイアス装置60を伴つ制御論理装置
とを組み合わせて、オフセツト(降下)すること
なく、効率的にヒートポンプをセツトバツク及び
セツトアツプすることができるものである。
本発明の内容は、第2図に示した種類の多段サ
イクリング装置を用いたサーモスタツト装置10
に関して述べてきた。なお本発明は、マイクロプ
ロセツサ制御装置、半導体素子、または種々の電
子回路を使用することにより実施することができ
る。また、本発明は、本実施例に限定されるもの
ではなく、様々に改変できることは当業者には明
白であろう。
イクリング装置を用いたサーモスタツト装置10
に関して述べてきた。なお本発明は、マイクロプ
ロセツサ制御装置、半導体素子、または種々の電
子回路を使用することにより実施することができ
る。また、本発明は、本実施例に限定されるもの
ではなく、様々に改変できることは当業者には明
白であろう。
第1図は本発明の多段サーモスタツト装置のブ
ロツク図、第2図は第1図に示したサーモスタツ
ト装置の制御に使用する多段サイクリング装置の
グラフ、第3図及び第4図は多段サーモスタツト
装置の動作を表わしたフローチヤートである。 10……サーモスタツト装置、11……クロツ
ク装置、15……第1加算装置、20……信号処
理装置、21……比例定数装置、24……第2加
算装置、25……第2信号処理チヤネル、37…
…積分装置、40……速度決定チヤネル、45…
…積分器ゲイン制御論理装置、49,50,51
……フリツプフロツプ、52,53,64……比
較器、60……指数的減衰バイアス装置、65…
…ゼロオーダホールド回路、66……3モード積
分器、75……パワーアツプリセツト装置、76
……比較器、100……加算装置、101……多
段サイクリング装置、113……予期装置。
ロツク図、第2図は第1図に示したサーモスタツ
ト装置の制御に使用する多段サイクリング装置の
グラフ、第3図及び第4図は多段サーモスタツト
装置の動作を表わしたフローチヤートである。 10……サーモスタツト装置、11……クロツ
ク装置、15……第1加算装置、20……信号処
理装置、21……比例定数装置、24……第2加
算装置、25……第2信号処理チヤネル、37…
…積分装置、40……速度決定チヤネル、45…
…積分器ゲイン制御論理装置、49,50,51
……フリツプフロツプ、52,53,64……比
較器、60……指数的減衰バイアス装置、65…
…ゼロオーダホールド回路、66……3モード積
分器、75……パワーアツプリセツト装置、76
……比較器、100……加算装置、101……多
段サイクリング装置、113……予期装置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 加熱プラントの動作により制御される周囲温
度に応じた信号を出力する温度検知装置と、上記
加熱プラントの動作により上記周囲温度を制御す
るようサーモスタツト装置を設定する信号を出力
する可変温度設定値装置と、上記検知装置の信号
及び上記設定値装置の信号を受信するよう接続し
た入力装置とかつ現在の温度誤差を表わす信号を
出力する出力装置とを有する第1加算装置と、上
記温度設定値装置の上昇変化を検出してオフセツ
ト信号を発生する設定値変更装置と、上記第1加
算装置と連続的な合成誤差信号を出力する第2加
算装置とに並列接続しかつ選択可能なゲイン定数
を供給する積分装置に選択的に接続される複数の
ゲイン定数を有する積分信号処理チヤネルと比例
定数信号処理チヤネルとを少くとも有する信号処
理装置と、比較装置とスイツチング装置とを有し
かつ上記現在の温度誤差に応答するよう接続した
入力装置と上記積分信号処理チヤネルに接続し上
記積分信号処理チヤネルのゲイン定数を選択する
ようスイツチ装置を動作させる出力装置とをさら
に有する積分器ゲイン制御論理装置と、上記温度
オフセツト信号と上記現在の温度誤差信号に接続
した上記設定値変更装置を含む入力装置を有し、
上記第1加算装置に送られて上記現在の温度誤差
信号を変える指数的に減衰する出力信号を発生す
る指数的減衰バイアス装置と、上記連続的な合成
誤差信号を受信するよう接続した入力装置と上記
加熱プラントに接続した出力装置を有し、上記加
熱プラントの上記一次加熱装置と上記二次加熱装
置とを次々に段階的に付勢するよう上記信号処理
装置からの上記連続的な合成誤差信号に応答する
段階的信号を出力する多段サイクリング装置とか
ら成ることを特徴とする一次加熱装置と二次加熱
装置とを有する加熱プラントを作動する多段サー
モスタツト装置。 2 一次加熱装置と二次加熱装置とを有する加熱
プラントの動作により制御される周囲温度に応じ
た信号を出力する温度検知装置と、上記加熱プラ
ントの動作により上記周囲温度を制御するようサ
ーモスタツト装置を設定する信号を出力する可変
温度設定装置と、温度オフセツト信号を発生する
温度セツトアツプ及びセツトバツク装置と、連続
した一連のタイムインターバルを発生するクロツ
ク装置と、上記検知装置の信号、上記温度オフセ
ツト信号及び上記設定値装置の信号を受信するよ
う接続した入力と現在の温度誤差を表わす信号を
出力する出力装置とを有する第1加算装置と、上
記オフセツト信号に接続しかつ現在のタイムイン
ターバルの前のタイムインターバルにおける上記
オフセツト信号に等しい新しい信号を出力する前
オフセツト温度装置と、第1加算装置と連続的な
合成誤差信号を出力する第2加算装置とに並列接
続しかつ選択可能なゲイン定数を供給する積分装
置に選択的に接続される複数のゲイン定数を有す
る積分信号処理チヤネルと比例定数信号処理チヤ
ネルとを少くとも有する信号処理装置と、比較装
置とスイツチング装置とを有し、かつ上記現在の
温度誤差に応答するよう接続した入力装置と上記
積分信号処理チヤネルに接続し上記積分信号処理
チヤネルのゲイン定数を選択するようスイツチ装
置を動作させる出力装置とをさらに有する積分器
ゲイン制御論理装置と、上記温度オフセツト信号
と上記現在の温度誤差信号とに接続した上記前オ
フセツト温度装置を含む入力装置を有し、上記第
1加算装置に送られ上記現在の温度誤差信号を変
える指数的に減衰する出力信号を発生する指数的
減衰バイアス装置と、上記連続的な合成誤差信号
を受信するよう接続した入力装置と上記加熱プラ
ントに接続した出力装置とを有し、上記加熱プラ
ントの上記一次加熱装置と上記二次加熱装置とを
次々にかつ段階的に付勢するよう上記信号処理装
置からの上記連続的な合成誤差信号に応答する段
階的信号を出力する多段サイクリング装置とから
成ることを特徴とする加熱プラントを作動する多
段サーモスタツト装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/301,679 US4387763A (en) | 1981-09-14 | 1981-09-14 | Multistage thermostat using multirate integral action and exponential setpoint change |
US301679 | 1989-01-24 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5866125A JPS5866125A (ja) | 1983-04-20 |
JPS631602B2 true JPS631602B2 (ja) | 1988-01-13 |
Family
ID=23164395
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57160763A Granted JPS5866125A (ja) | 1981-09-14 | 1982-09-14 | 多段サ−モスタツト装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4387763A (ja) |
EP (1) | EP0074851B1 (ja) |
JP (1) | JPS5866125A (ja) |
AU (1) | AU560300B2 (ja) |
CA (1) | CA1189167A (ja) |
DE (1) | DE3277515D1 (ja) |
ES (1) | ES515674A0 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8840783B2 (en) | 2007-05-29 | 2014-09-23 | Evoqua Water Technologies Llc | Water treatment membrane cleaning with pulsed airlift pump |
US9022224B2 (en) | 2010-09-24 | 2015-05-05 | Evoqua Water Technologies Llc | Fluid control manifold for membrane filtration system |
US9023206B2 (en) | 2008-07-24 | 2015-05-05 | Evoqua Water Technologies Llc | Frame system for membrane filtration modules |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60142140A (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 空気調和機 |
JPS60249782A (ja) * | 1984-05-25 | 1985-12-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 湯水混合制御装置 |
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JP6197359B2 (ja) * | 2013-05-14 | 2017-09-20 | オムロン株式会社 | シミュレーション方法、シミュレーションプログラム、シミュレーション装置、および、システム |
US10802459B2 (en) | 2015-04-27 | 2020-10-13 | Ademco Inc. | Geo-fencing with advanced intelligent recovery |
US10203127B2 (en) | 2016-04-29 | 2019-02-12 | Trane International Inc. | Time-constrained control of an HVAC system |
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-
1981
- 1981-09-14 US US06/301,679 patent/US4387763A/en not_active Expired - Fee Related
-
1982
- 1982-07-14 CA CA000407225A patent/CA1189167A/en not_active Expired
- 1982-09-01 AU AU87899/82A patent/AU560300B2/en not_active Ceased
- 1982-09-13 ES ES515674A patent/ES515674A0/es active Granted
- 1982-09-14 DE DE8282304848T patent/DE3277515D1/de not_active Expired
- 1982-09-14 EP EP19820304848 patent/EP0074851B1/en not_active Expired
- 1982-09-14 JP JP57160763A patent/JPS5866125A/ja active Granted
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Also Published As
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---|---|
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US4387763A (en) | 1983-06-14 |
AU560300B2 (en) | 1987-04-02 |
ES8308431A1 (es) | 1983-08-16 |
AU8789982A (en) | 1983-03-24 |
EP0074851B1 (en) | 1987-10-21 |
JPS5866125A (ja) | 1983-04-20 |
EP0074851A2 (en) | 1983-03-23 |
CA1189167A (en) | 1985-06-18 |
ES515674A0 (es) | 1983-08-16 |
EP0074851A3 (en) | 1984-02-22 |
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