JPS63156331A - 薄膜配線の信頼性評価用素子及び薄膜配線の信頼性評価方法 - Google Patents
薄膜配線の信頼性評価用素子及び薄膜配線の信頼性評価方法Info
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- JPS63156331A JPS63156331A JP61304354A JP30435486A JPS63156331A JP S63156331 A JPS63156331 A JP S63156331A JP 61304354 A JP61304354 A JP 61304354A JP 30435486 A JP30435486 A JP 30435486A JP S63156331 A JPS63156331 A JP S63156331A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 53
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体基板上に形成された薄膜配線の信頼性
評価用素子（以後、評価素子と記す〉及び、薄膜配線の
信頼性の評価方法に関するものである。
評価用素子（以後、評価素子と記す〉及び、薄膜配線の
信頼性の評価方法に関するものである。
従来の技術
従来、薄膜配線の信頼性：評価方法きしては、基板上に
形成された被試験薄膜配線の評価素子を一定の高温雰囲
気中の恒温装置内に所定の期間配置し、その間恒温装置
の外部に設置した定電流源を用いて被試験薄膜配線に一
定の電流を供給し、被試験薄膜配線にストレスをかけて
いた。そして、ストレス印加前後における薄膜配線の抵
抗値を２端子法で測定比較して信頼性の評価を行ってい
た。
形成された被試験薄膜配線の評価素子を一定の高温雰囲
気中の恒温装置内に所定の期間配置し、その間恒温装置
の外部に設置した定電流源を用いて被試験薄膜配線に一
定の電流を供給し、被試験薄膜配線にストレスをかけて
いた。そして、ストレス印加前後における薄膜配線の抵
抗値を２端子法で測定比較して信頼性の評価を行ってい
た。
発明が解決しようとする問題点
信頼性評価のため被試験薄膜配線を多数測定しなければ
ならないが従来の方法では、非常に多数の定電流源を恒
温装置の外部に設置しなければならず、装置が繁雑とな
るとともに被試験薄膜配線を一度に多数試験することが
できなかった。
ならないが従来の方法では、非常に多数の定電流源を恒
温装置の外部に設置しなければならず、装置が繁雑とな
るとともに被試験薄膜配線を一度に多数試験することが
できなかった。
問題点を解決するための手段
この問題点を解決するために本発明は、被試験薄膜配線
及び被試験薄膜配線に一定電流を印加する定電流源回路
を同一半導体基板上に形成した薄膜配線の評価素子を用
い、恒温装置内に評価素子を配置して高温の一定温度に
保ちながら、評価素子の定電流源回路を駆動させるため
に、恒温装置の外部より定電圧を印加し、所定の期間終
了後、薄膜配線の評価素子の温度を室温にもどし、定電
流源回路への印加電圧を除去することにより、４端子測
定法により被試験薄膜配線の抵抗値を高温試験の前後に
測定比較して薄膜配線の信頼性を評価する方法である。
及び被試験薄膜配線に一定電流を印加する定電流源回路
を同一半導体基板上に形成した薄膜配線の評価素子を用
い、恒温装置内に評価素子を配置して高温の一定温度に
保ちながら、評価素子の定電流源回路を駆動させるため
に、恒温装置の外部より定電圧を印加し、所定の期間終
了後、薄膜配線の評価素子の温度を室温にもどし、定電
流源回路への印加電圧を除去することにより、４端子測
定法により被試験薄膜配線の抵抗値を高温試験の前後に
測定比較して薄膜配線の信頼性を評価する方法である。
作用
本発明によれば薄膜配線の評価素子の定電流源回路を駆
動するために定電圧源が恒温装置の外部に１台あれば良
く、全体の系として非常に小さな装置で被試験薄膜配線
の信頼性の評価を行うことができる。
動するために定電圧源が恒温装置の外部に１台あれば良
く、全体の系として非常に小さな装置で被試験薄膜配線
の信頼性の評価を行うことができる。
実施例
本発明の評価素子の実施例を第１図に示した模式図を参
照して説明する。第１図は、シリコン基板上に形成され
た２組の被試験薄膜配線と定電流源回路を示した薄膜配
線の評価素子であり、その内の１組について以下説明す
る。この評価素子は、アルミニウム薄膜による被試験薄
膜配線１の４つの隅に被試験薄膜配線を４端子測定する
ための電極端子２．３．４及び５を設け、被試験薄膜配
線の一方の端部に繋がる定電流源回路６を半導体集積回
路で設け、この定電流源回路６を駆動させるための電圧
印加電極端子７を設け、さらに被試験薄膜配線の他方の
端部に繋がる接地点電極端子８を設けた構造である。
照して説明する。第１図は、シリコン基板上に形成され
た２組の被試験薄膜配線と定電流源回路を示した薄膜配
線の評価素子であり、その内の１組について以下説明す
る。この評価素子は、アルミニウム薄膜による被試験薄
膜配線１の４つの隅に被試験薄膜配線を４端子測定する
ための電極端子２．３．４及び５を設け、被試験薄膜配
線の一方の端部に繋がる定電流源回路６を半導体集積回
路で設け、この定電流源回路６を駆動させるための電圧
印加電極端子７を設け、さらに被試験薄膜配線の他方の
端部に繋がる接地点電極端子８を設けた構造である。
次に、この評価素子を用いた信頼性評価方法について説
明する。被試験薄膜配線１の初期測定は、４つの電極端
子２〜５に対して４端子測定法を用い、被試験薄膜配線
１の抵抗値を測定する。
明する。被試験薄膜配線１の初期測定は、４つの電極端
子２〜５に対して４端子測定法を用い、被試験薄膜配線
１の抵抗値を測定する。
初期測定終了後評価素子を恒温装置に入れ、電圧印加電
極端子７と接地点電極端子８の間に恒温装置外に設けた
定電圧電源より電圧を印加して被試験薄膜配線１に例え
ば３ＭＡ／ｃｊの定電流を流し、恒温装置内の温度を例
えば２００℃の一定の温度に保つ。例えば１００時間の
所定期間が終了した後、評価素子を室温にもどし、評価
素子に印加していた電圧を切り前述した様に、被試験薄
膜配線１の４つの電極端子２〜５に対して、４端子測定
法を用い被試験薄膜配線１の抵抗値を測定し初期測定の
抵抗値と比較することにより、その差より被試験薄膜配
線の信頼性の評価を行う。なお、被試験薄膜配線として
実施例ではアルミニウム薄膜の例を示したが、金薄膜等
の金属膜でもよいし、多結晶シリコン膜等の半導体膜で
もよい。さらにシリサイド膜でもよい。また、実施例で
は同一シリコン基板上に２組の評価素子を配置した構造
を示したが、必要に応じて評価素子の数は自由に設定で
きる。
極端子７と接地点電極端子８の間に恒温装置外に設けた
定電圧電源より電圧を印加して被試験薄膜配線１に例え
ば３ＭＡ／ｃｊの定電流を流し、恒温装置内の温度を例
えば２００℃の一定の温度に保つ。例えば１００時間の
所定期間が終了した後、評価素子を室温にもどし、評価
素子に印加していた電圧を切り前述した様に、被試験薄
膜配線１の４つの電極端子２〜５に対して、４端子測定
法を用い被試験薄膜配線１の抵抗値を測定し初期測定の
抵抗値と比較することにより、その差より被試験薄膜配
線の信頼性の評価を行う。なお、被試験薄膜配線として
実施例ではアルミニウム薄膜の例を示したが、金薄膜等
の金属膜でもよいし、多結晶シリコン膜等の半導体膜で
もよい。さらにシリサイド膜でもよい。また、実施例で
は同一シリコン基板上に２組の評価素子を配置した構造
を示したが、必要に応じて評価素子の数は自由に設定で
きる。
発明の効果
以上に述べた様に、本発明によれば被試験薄膜配線に電
流を供給する定電流源を被試験薄膜配線と同一半導体基
板上に形成するため、全体の装置の系として小形にする
ことができ、実験装置の繁雑さから免れることができる
とともに、定電圧電源１台で多数の評価素子を一度に試
験を行うことができる。
流を供給する定電流源を被試験薄膜配線と同一半導体基
板上に形成するため、全体の装置の系として小形にする
ことができ、実験装置の繁雑さから免れることができる
とともに、定電圧電源１台で多数の評価素子を一度に試
験を行うことができる。
図は本発明の評価素子の一実施例を示す模式図である。
１・・・・・・被試験薄膜配線、２〜５・・・・・・被
試験薄膜配線測定用の４つの電極端子、６・・・・・・
定電流源回路、７・・・・・・定電圧印加用電極端子、
８・・・・・・接地点電極端子。
試験薄膜配線測定用の４つの電極端子、６・・・・・・
定電流源回路、７・・・・・・定電圧印加用電極端子、
８・・・・・・接地点電極端子。
Claims (2)
- （１）半導体基板上に形成された被試験薄膜配線と、同
被試験薄膜配線に一定電流を供給する前記半導体基板に
形成された定電流源回路とを備えたことを特徴とする薄
膜配線の信頼性評価用素子。 - （２）被試験薄膜配線及び定電流源回路を同一半導体基
板上に形成した薄膜配線の信頼性評価用素子を高温の一
定温度に保ちながら、前記定電流源回路に定電圧を印加
して前記被試験薄膜配線に定電流を流し、所定の期間終
了後、前記薄膜配線の信頼性評価用素子の温度を室温に
もどし、前記定電流源回路駆動用の定電圧を除去するこ
とにより前記被試験薄膜配線の抵抗値を高温試験の前後
に測定比較することを特徴とする薄膜配線の信頼性評価
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61304354A JPS63156331A (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | 薄膜配線の信頼性評価用素子及び薄膜配線の信頼性評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61304354A JPS63156331A (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | 薄膜配線の信頼性評価用素子及び薄膜配線の信頼性評価方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63156331A true JPS63156331A (ja) | 1988-06-29 |
Family
ID=17932008
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61304354A Pending JPS63156331A (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | 薄膜配線の信頼性評価用素子及び薄膜配線の信頼性評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63156331A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5434385A (en) * | 1992-11-02 | 1995-07-18 | International Business Machines Corporation | Dual channel D.C. low noise measurement system and test methodology |
-
1986
- 1986-12-19 JP JP61304354A patent/JPS63156331A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5434385A (en) * | 1992-11-02 | 1995-07-18 | International Business Machines Corporation | Dual channel D.C. low noise measurement system and test methodology |
| US5563517A (en) * | 1992-11-02 | 1996-10-08 | International Business Machines Corporation | Dual channel d.c. low noise measurement system and test methodology |
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