JPS6315616U - - Google Patents
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- JPS6315616U JPS6315616U JP1987101029U JP10102987U JPS6315616U JP S6315616 U JPS6315616 U JP S6315616U JP 1987101029 U JP1987101029 U JP 1987101029U JP 10102987 U JP10102987 U JP 10102987U JP S6315616 U JPS6315616 U JP S6315616U
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- JP
- Japan
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- ultra
- high frequency
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- excitation chamber
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- Pending
Links
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- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims 8
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P7/00—Resonators of the waveguide type
- H01P7/06—Cavity resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B7/00—Generation of oscillations using active element having a negative resistance between two of its electrodes
- H03B7/12—Generation of oscillations using active element having a negative resistance between two of its electrodes with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B7/14—Generation of oscillations using active element having a negative resistance between two of its electrodes with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance active element being semiconductor device
- H03B7/146—Generation of oscillations using active element having a negative resistance between two of its electrodes with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance active element being semiconductor device with several semiconductor devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B9/00—Generation of oscillations using transit-time effects
- H03B9/12—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/04—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
- H03F3/10—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only with diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/54—Amplifiers using transit-time effect in tubes or semiconductor devices
- H03F3/55—Amplifiers using transit-time effect in tubes or semiconductor devices with semiconductor devices only
Description
第1図は共振空洞と、この共振空洞に連絡して
いる円筒形の室と、ダイオードが設けられている
2つのプラグとを備えた本考案の超高周波回路の
一実施例の概略分解斜視図、第2図a,bはダイ
オードを一対だけ含む本考案の一実施例の異なる
平面に沿つて切断した断面図、第3図は第2図に
示す実施例のある素子の別の構成を詳細に示す横
断面図、第4図a,bは3対のダイオードを有す
る本考案の別の実施例の互いに異なる平面で切断
した断面図、第5図は本考案の更に別の実施例の
要部を示す概略拡大断面図である。 1,2,3……銅ユニツト、4,5,6……オ
リフイス、7,8……プラグ、10……中心オリ
フイス、17,18……ダイオード、10……バ
ー、21,50……分極ロツド、22……フラン
ジ、33……シリコン円板、34……バツフア、
41,42,43……側方室、45……同軸アン
テナ、46……中心導体、210……シリコン抵
抗。
いる円筒形の室と、ダイオードが設けられている
2つのプラグとを備えた本考案の超高周波回路の
一実施例の概略分解斜視図、第2図a,bはダイ
オードを一対だけ含む本考案の一実施例の異なる
平面に沿つて切断した断面図、第3図は第2図に
示す実施例のある素子の別の構成を詳細に示す横
断面図、第4図a,bは3対のダイオードを有す
る本考案の別の実施例の互いに異なる平面で切断
した断面図、第5図は本考案の更に別の実施例の
要部を示す概略拡大断面図である。 1,2,3……銅ユニツト、4,5,6……オ
リフイス、7,8……プラグ、10……中心オリ
フイス、17,18……ダイオード、10……バ
ー、21,50……分極ロツド、22……フラン
ジ、33……シリコン円板、34……バツフア、
41,42,43……側方室、45……同軸アン
テナ、46……中心導体、210……シリコン抵
抗。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 1 円筒状の共振空洞と、この共振空洞の周辺部
にこの共振空洞の内部に通じるようにして設けら
れる少くとも1つの励振室とを備え、この励振室
はその両端部に一対のダイオードを備え、これら
のダイオードの間では中心導体が前記励振室の壁
とともに同軸ケーブルの区間を形成し、前記中心
導体は前記一対のダイオードを分極させるための
接続部として用いられることを特徴とする超高周
波回路。 2 実用新案登録請求の範囲第1項に記載の回路
において、共振空洞と励振室は平行軸を有する円
筒の一部であることを特徴とする超高周波回路。 3 実用新案登録請求の範囲第1項に記載の回路
において、中心導体は絶縁通路を通つて励振室の
中に入るロツドの端部に固定される金属バーであ
り、前記ロツドは中心導体とともに分極接続部と
して機能することを特徴とする超高周波回路。 4 実用新案登録請求の範囲第3項に記載の回路
において、分極ロツドは電気抵抗が非常に高い材
料製の中間部分を有することを特徴とする超高周
波回路。 5 実用新案登録請求の範囲第4項に記載の回路
において、励振室の壁の中に封じ込まれる絶縁ス
リーブを備え、このスリーブは分極ロツド内に挿
入される導電性ゴムバツフアを保持していること
を特徴とする超高周波回路。 6 実用新案登録請求の範囲第3項に記載の回路
において、分極ロツドの励振室の壁を貫通する部
分は相当の超高周波損失を呈する誘電体により囲
まれていることを特徴とする超高周波回路。 7 実用新案登録請求の範囲第1項に記載の回路
において、3つの励振室を備え、これらの励振室
にはそれぞれ一対のダイオードが設けられ、各励
振室は主円筒室の軸線を通る3つの平面内に中心
を置き、かつ互いに120度の角度をおいて配置
され、前記共振空洞に連絡していることを特徴と
する超高周波回路。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR7813091A FR2425177A1 (fr) | 1978-05-03 | 1978-05-03 | Circuit hyperfrequence a cavite resonnante equipee de paires de diodes peripheriques, et dispositif utilisant un tel circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6315616U true JPS6315616U (ja) | 1988-02-02 |
Family
ID=9207863
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5517079A Pending JPS54144857A (en) | 1978-05-03 | 1979-05-04 | Ultraahigh frequency circuit |
JP1987101029U Pending JPS6315616U (ja) | 1978-05-03 | 1987-07-02 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5517079A Pending JPS54144857A (en) | 1978-05-03 | 1979-05-04 | Ultraahigh frequency circuit |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4249149A (ja) |
EP (1) | EP0005396B1 (ja) |
JP (2) | JPS54144857A (ja) |
DE (1) | DE2962544D1 (ja) |
FR (1) | FR2425177A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4359700A (en) * | 1980-10-07 | 1982-11-16 | The Bendix Corporation | Balancing network for microwave power combiner |
US4468633A (en) * | 1982-04-28 | 1984-08-28 | The Bendix Corporation | Adjustable microwave power combiner for a plurality of coaxially mounted impatt diodes |
US4588963A (en) * | 1983-12-20 | 1986-05-13 | Hughes Aircraft Company | Microwave power combiner with alternating diode modules |
JP2507181B2 (ja) * | 1990-06-29 | 1996-06-12 | 松下電器産業株式会社 | プッシュプッシュ発振器 |
FR2849201B1 (fr) * | 2002-12-18 | 2005-04-08 | Tabacs & Allumettes Ind | Porte-echantillon pour la mesure du tirage et de l'humidite d'objets poreux |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS49106757A (ja) * | 1973-01-19 | 1974-10-09 | ||
JPS5264851A (en) * | 1975-11-21 | 1977-05-28 | Thomson Csf | Negative resistance microwave circuit |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3401355A (en) * | 1966-10-31 | 1968-09-10 | Ryan Aeronautical Co | Step recovery diode frequency multiplier |
FR2052076A5 (ja) * | 1969-07-11 | 1971-04-09 | Radiotechnique Compelec | |
US3605034A (en) * | 1969-08-28 | 1971-09-14 | Sperry Rand Corp | Coaxial cavity negative resistance amplifiers and oscillators |
US4034314A (en) * | 1976-06-24 | 1977-07-05 | Motorola, Inc. | Microwave diode coaxial circuit oscillator improvement |
US4066988A (en) * | 1976-09-07 | 1978-01-03 | Stanford Research Institute | Electromagnetic resonators having slot-located switches for tuning to different frequencies |
US4056784A (en) * | 1976-11-04 | 1977-11-01 | Westinghouse Electric Corporation | Suppression of parametric oscillations in IMPATT amplifiers and oscillators |
US4090152A (en) * | 1977-07-05 | 1978-05-16 | Motorola, Inc. | Push-pull oscillator circuit with power combining cavity |
-
1978
- 1978-05-03 FR FR7813091A patent/FR2425177A1/fr active Granted
-
1979
- 1979-04-25 EP EP79400269A patent/EP0005396B1/fr not_active Expired
- 1979-04-25 DE DE7979400269T patent/DE2962544D1/de not_active Expired
- 1979-04-30 US US06/034,735 patent/US4249149A/en not_active Expired - Lifetime
- 1979-05-04 JP JP5517079A patent/JPS54144857A/ja active Pending
-
1987
- 1987-07-02 JP JP1987101029U patent/JPS6315616U/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS49106757A (ja) * | 1973-01-19 | 1974-10-09 | ||
JPS5264851A (en) * | 1975-11-21 | 1977-05-28 | Thomson Csf | Negative resistance microwave circuit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0005396B1 (fr) | 1982-04-21 |
FR2425177A1 (fr) | 1979-11-30 |
FR2425177B1 (ja) | 1982-02-26 |
US4249149A (en) | 1981-02-03 |
DE2962544D1 (en) | 1982-06-03 |
EP0005396A1 (fr) | 1979-11-14 |
JPS54144857A (en) | 1979-11-12 |
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