JPS6315532B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は液槽に浮べたフロートと、そのフロー
トの上下に応じて開閉するマイクロスイツチから
なるレベル検知装置の改良に関するものである。

＜従来技術＞ レベル検知装置は液槽のレベルを一定に保持す
るために使用される。例えば、フロートとマイク
ロスイツチからなる半田槽のレベル検知装置は、
レベルが下限を切ると、フロートがマイクロスイ
ツチのレバーを押して半田供給装置を起動させ、
一定量の半田を半田槽に補給してレベルを維持す
る。しかし、マイクロスイツチのピンプランジヤ
等のアクチユエータは外部から力が加えられてい
ないときの自由位置から、外力が加えられて、可
動接点が自由位置の状態からちようど反転（オフ
→オン）するときのメイク位置（動作位置）に移
行し、さらにアクチエータ止めに当たる動作限度
位置に達する。ついで、外力が除かれると、動作
限度位置から、可動接点が再び反転（オフ→オ
ン）にするブレーク位置（もどり位置）を経て自
由位置に復する。メイク位置はブレーク位置に比
べるとばらつきが大きく、しかも、アクチユエー
タをレバーで動作させる場合、そのばらつきはレ
バーによつて拡大するから、メイク位置における
接点のオンオフによる検知を含めた従来の方法で
はレベルの下限を正確に検知することはできなか
つた。例えば、精密プリント基板に高精度な半田
付けを施すためには、半田槽のレベルの下限誤差
を０〜0.3mm以内に押えなければならないが、従
来のフロートとマイクロスイツチのレベル検知装
置はレベル限度の検知精度が悪いため、レベルの
下限の精度を0.3mm以内に押えることは到底不可
能であつた。

＜発明の目的＞ 本発明は液槽のレベルを高精度で検知する装置
を提供しようとするものである。

＜発明の構成＞ 前記目的を達成するため本発明の装置は液槽に
装架されるフレームと、そのフレームに固定され
るマイクロスイツチと、液槽に浮んでそのマイク
ロスイツチをオンオフさせるフロートと、周期的
に作動する電磁石と、その電磁石のより上下して
マイクロスイツチをオンオフさせる強磁性体と、
マイクロスイツチのオン信号を取り出す回路とか
らなり、その回路はマイクロスイツチのオン信号
を電磁石が作用しない期間中にのみ取り出す。

永久磁石等の強磁性体をフロートの軸棒の先端
に取付けると、周期的に作動する電磁石はフロー
トに固定された永久磁石を介してフロートを周期
的に押し下げ、そのつど、フロートはマイクロス
イツチを確実にオフからオンに変える。レベルの
下限はマイクロスイツチ接点のブレーク位置にお
けるオンオフによつて検知する。レベルが下限以
上であれば、電磁石の作動停止と共にフロートが
浮上してマイクロスイツチはオンからオフに変る
から、回路が電磁石の非作動時に取出すマイクロ
スイツチの信号はオフであり、レベル検知はなさ
れない。しかし、レベルが少しでも下限を切る
と、電磁石の作動後も、マイクロスイツチがオン
のままであるから、回路はマイクロスイツチのオ
ン信号を取出しレベル検知がなされる。このよう
に、本発明の装置はマイクロスイツチ接点のブレ
ーク位置におけるオン、オフのみによつてレベル
検知を行うから、ブレーク位置とメイク位置の両
方のオン、オフによつてレベル検知をしていた従
来の装置とは異なり、レベル検知の精度は著しく
高くなる。

なお、電磁石が作動を停止した時点からフロー
トが自由に浮くまでの遅れに合わせて、回路がマ
イクロスイツチの信号を取出す期間の始点も電磁
石の作動停止直後から少し遅延させることが望ま
しい。

＜実施例＞ 本発明の装置を図面に示す実施例に基づいて説
明する。第１図に示すように、半田槽１０の槽壁
１１にフレーム１９を取付け、そのフレームから
架台２０を半田槽上へ突出させる。架台２０の先
端部にガイド２１を取付け、ガイド２１にフロー
ト１５の軸棒１６を昇降自在に挿通する。軸棒１
６の上端部にドツグ１７を位置調整可能に固定す
る。フロート１５は半田槽１０内の溶融半田上に
浮び、半田槽のレベル１２と共に上下する。ドツ
グ１７はマイクロスイツチ１３のレバー１４に掛
り、フロート１５と共に上下してマイクロスイツ
チ１３をオンオフさせる。フレーム１９の上部か
らアーム１８を突出させ、そのアームに電磁石２
３を取付ける。他方、フロート１５の軸棒１６の
先端部に永久磁石２２を取付ける。電磁石２３に
通電して励磁させると、矢印Ａで示すように、永
久磁石２２は反発してフロート１５を所定の位置
まで下降させる。その位置でドツグ１７はレバー
１４を押し下げてマイクロスイツチ１３の接点を
オフからオンに変えるメイク位置まで押し込み確
実にオンさせる。電磁石２３の通電を停止する
と、矢印Ｂで示すように、フロート１５は溶融半
田の浮力により持上げられる。レベル１２が下限
以上であれば、レバー１４は上がりマイクロスイ
ツチ１３の接点はオンからオフになるブレーク位
置を越えるからオフになる。しかし、レベル１２
が下限より少しでも下であればレバー１４はマイ
クロスイツチ１３の接点がブレーク位置を越える
ことを許さないから、マイクロスイツチ１３はオ
ンのままになる。

第２図に示すように、本発明の装置のプツシユ
ボタンPB１を入れると、自己保持リレーＲ１の
リレーが励磁して回路は自己保持される。同時に
調整可能な一定の周期でオンオフを繰り返すタイ
マＴのリレーも励磁する。タイマＴがオンになる
と、直流ソレノイド２３と限時復帰リレーＲ２の
コイルが励磁しリレーＲ２はオフになる。タイマ
Ｔがオンの期間中、励磁した電磁石２３の磁力と
フロート１５の軸棒１６の先端に付設された永久
磁石２２の磁力は反発するため、フロート１５は
半田槽１０中に沈下し、ドツグ１７はレバー１４
を介してマイクロスイツチ１３の接点をメイク位
置まで下げるから、マイクロスイツチ１３は確実
にオンになる。しかし、リレーＲ２がオフのため
レベル検知信号発生回路（図示せず）のリレーＲ
３のコイルは励磁しないので、レベル検知信号は
発信されない。タイマＴがオフになると、電磁石
２３は消磁し永久磁石２２を押し下げる力は消滅
するから、フロート１５は浮上する。同時に限時
復帰リレーＲ２のコイルも消磁するから、リレー
Ｒ２はオンになる。タイマＴがオフになつてから
リレーＲ２がオンになるまでの遅延時間はフロー
ト１５が浮上し切るまでの時間よりも長く設定さ
れる。このとき、半田槽１０のレベル１２が下限
よりも高ければ、マイクロスイツイ１３はオフに
なるから、リレーＲ３は励磁せず、レベル検知信
号は発信されない。しかし、半田槽１０のレベル
１２が下限又はそれより少しでも下にあれば、マ
イクロスイツチ１３の接点はブレーク位置に達し
ないから、マイクロスイツチ１３はオンのままで
ある。その結果、リレーＲ３のコイルは励磁しレ
ベル検知信号が発信される。図示していないが、
レベル検知信号が発信されると、半田供給装置が
作動し一定量の半田を半田槽に供給し半田槽のレ
ベルを所定の範囲に保持する。なお、プツシユボ
タンPB２を押すと回路が切れ、装置は停止する。

第３図に示すように、永久磁石２２をフレーム
１９に軸着したレバー２４の一端に固定し、その
永久磁石の上のフレーム１９に電磁石２３を取付
けてもよい。電磁石２３が作動すると、永久磁石
が吸引され上昇し、レバー２４の他端がマイクロ
スイツチ１３のレバー１４を押し下げてマイクロ
スイツチをオンにする。上記の相違点を除くと、
第３図の実施例は前実施例と全く同じである。

この回路のタイマはどのような形式のものでも
よく、例えば抵抗とコンデンサからなるCR式タ
イマ、商用周波数をクロツクパルスとする電子式
タイマ等が使用されるが、タイマのオンオフの周
期は半田槽の半田付け作業周期に合わせて調整可
能であることが望ましい。実施例は半田槽につい
てのみ示したが、本発明の装置は半田槽に限る必
要はなく、液槽であればどのようなものにも適用
し得ることはいうまでもない。

＜発明の効果＞ 上記の通り、本発明の装置はマイクロスイツチ
をオンオフさせる強磁性体又はフロートを周期的
に上下させ、マイクロスイツチのブレーク位置に
おける接点のオンオフのみでレベルの下限を検知
するから、マイクロスイツチのブレーク位置とメ
イク位置の両方における接点のオンオフによりレ
ベルの下限を検知していた従来の装置とは異な
り、メイク位置のばらつきに基づく精度不良は全
く存在しない。したがつて、従来のものと比較す
ると、検知精度は著しく向上する。強磁性体又は
フロートを上下させる機構は電磁式であり、装置
としては機械的可動部分を持たないから、構造が
簡単で耐久性に優れている。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の装置を備えた半田
槽の要部断面図、第２図は第１図の装置の回路を
示す略図、第３図は他の実施例の第１図に相当す
る図である。 図において、１０は半田槽、１２はレベル、１
３はマイクロスイツチ、１５はフロート、１６は
軸棒、１７はドツグ、１９はフレーム、２２は永
久磁石（強磁性体）、２３は電磁石。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 液槽に取付けられたフレームと、前記フレー
   ムに固定されたマイクロスイツチと、前記液槽に
   浮んで前記マイクロスイツチをオンオフさせるド
   ツグを備えたフロートと、前記マイクロスイツチ
   の作動を検知する回路からなり、前記液槽のレベ
   ルが下限を切ると前記ドツグが前記マイクロスイ
   ツチを作動させてレベルを検知する装置であつ
   て、周期的に作動する電磁石と、前記電磁石の作
   動により周期的に上下して前記マイクロスイツチ
   をオンオフさせる強磁性体とを備え、前記回路は
   前記マイクロスイツチの信号を前記電磁石が作動
   しない期間中にのみ取り出すことを特徴とする液
   面レベル検知装置。 ２ 強磁性体は前記フロートに付設されたことを
   特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の液面レ
   ベル検知装置。 ３ 電磁石が強磁性体を上下させる作動を停止し
   てから所定時間経過後の時点から作動を再開する
   までの期間にマイクロスイツチのオン信号が取出
   されることを特徴とする特許請求の範囲第１項又
   は第２項に記載の液面レベル検知装置。