JPS63152179A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
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- JPS63152179A JPS63152179A JP61300765A JP30076586A JPS63152179A JP S63152179 A JPS63152179 A JP S63152179A JP 61300765 A JP61300765 A JP 61300765A JP 30076586 A JP30076586 A JP 30076586A JP S63152179 A JPS63152179 A JP S63152179A
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- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＱ ａ Ａ ｓまたＧａＰ等の赤外光あるいは
可視光を発する発光素子に関し、Ｐ−Ｎ接合付近で発せ
られた光を結晶の外部へ有効に取り出すために、その素
子構造につき工夫したものである。
可視光を発する発光素子に関し、Ｐ−Ｎ接合付近で発せ
られた光を結晶の外部へ有効に取り出すために、その素
子構造につき工夫したものである。
従来、半導体発光素子の形状はウエノ・−ス状の結晶を
ダイヤモンドポイントで傷を付け、小片状に細分化する
方法と、ダイヤモンドカッターで結晶の厚味の半分以上
全切断し、細分化する方法があるが、そのようにして出
来た素子の側面の形状は、表面に対しほぼ垂直な面か、
あるいは結晶の剪開面が表われるが、その表わ、ｔ″Ｌ
７ｉにより、種々の形状の素子が出来てしまう。
ダイヤモンドポイントで傷を付け、小片状に細分化する
方法と、ダイヤモンドカッターで結晶の厚味の半分以上
全切断し、細分化する方法があるが、そのようにして出
来た素子の側面の形状は、表面に対しほぼ垂直な面か、
あるいは結晶の剪開面が表われるが、その表わ、ｔ″Ｌ
７ｉにより、種々の形状の素子が出来てしまう。
Ｐ−Ｎ接合近辺で発ぜら几た光はあらゆる方向に放射さ
れるが、そのうち素子の裏面に反射して戻る光の中で、
素子の側面へ入射する光を外部へ有効に取り出せる確率
は素子の側面の形状に太きく左右される。すなわち、上
述した素子佃ｊ面形状のうちで、！ｌｉｌ力面表面に対
しほぼ垂直に加工てれたものにおいては結晶がＧａＡｓ
で空気と接している場合結晶の０１ｌｉ面へ入射する元
のうちで、入射角θがθ≧ｓｉｎ”（’）（ここでｎは
結晶の屈折率であり、Ｑ ａ Ａ ｓでＩｐ、 ｎ ＝
３．６２よってθ＝１６°）の場合、元は側面にて全
反射さ九、反射光ａさらに結晶の内部へと拡散され、結
晶による光吸収のため光量は著しく減衰することとなる
。
れるが、そのうち素子の裏面に反射して戻る光の中で、
素子の側面へ入射する光を外部へ有効に取り出せる確率
は素子の側面の形状に太きく左右される。すなわち、上
述した素子佃ｊ面形状のうちで、！ｌｉｌ力面表面に対
しほぼ垂直に加工てれたものにおいては結晶がＧａＡｓ
で空気と接している場合結晶の０１ｌｉ面へ入射する元
のうちで、入射角θがθ≧ｓｉｎ”（’）（ここでｎは
結晶の屈折率であり、Ｑ ａ Ａ ｓでＩｐ、 ｎ ＝
３．６２よってθ＝１６°）の場合、元は側面にて全
反射さ九、反射光ａさらに結晶の内部へと拡散され、結
晶による光吸収のため光量は著しく減衰することとなる
。
本発明の素子形状は上述した様に素子の底面側が広くな
るような傾斜面を有している。これはウェハースから半
導体素子を切り出す際に使用するダイサーの刃先を適当
な傾斜を持つよう加工されたものを使用して、縦横に所
望するピッチで切り溝を入れ、従来と同様表面のダメー
ジ層を化学エツチングによシ除去した後細分化すること
により得られる。半導体発光素子は通常０．３〜０．５
Ｗピッチで切り溝を入れるが、刃の厚味が２５μ程あ
るため切断後の素子の大きさは０．２７〜０．４７ｍ２
１１０となる。本発明の場合は、刃に傾斜部を設げる必
要がちシ、このため、刃の厚味を５０〜１００μとする
。め、素子。表面。サイズは０．２〜０．４１０と小さ
くなる。しかしながら、元の取り出し効率は向上する友
め、素子の特性は改良出来、けた素子の組立上、信頼度
上も素子の低面においてはほぼ同等の大きさを維持出来
るため、劣化は見られない。
るような傾斜面を有している。これはウェハースから半
導体素子を切り出す際に使用するダイサーの刃先を適当
な傾斜を持つよう加工されたものを使用して、縦横に所
望するピッチで切り溝を入れ、従来と同様表面のダメー
ジ層を化学エツチングによシ除去した後細分化すること
により得られる。半導体発光素子は通常０．３〜０．５
Ｗピッチで切り溝を入れるが、刃の厚味が２５μ程あ
るため切断後の素子の大きさは０．２７〜０．４７ｍ２
１１０となる。本発明の場合は、刃に傾斜部を設げる必
要がちシ、このため、刃の厚味を５０〜１００μとする
。め、素子。表面。サイズは０．２〜０．４１０と小さ
くなる。しかしながら、元の取り出し効率は向上する友
め、素子の特性は改良出来、けた素子の組立上、信頼度
上も素子の低面においてはほぼ同等の大きさを維持出来
るため、劣化は見られない。
第１図は本発明の一実施例の平面図、第２図はその縦断
面図である。本発明による一実施例の素子は結晶がＧａ
Ａｓで９４０ ｎｍの赤外光を発する元手導体素子であ
り、第２図３のように低辺約５０μで斜夏６０°の傾斜
した側面を４面に有している。
面図である。本発明による一実施例の素子は結晶がＧａ
Ａｓで９４０ ｎｍの赤外光を発する元手導体素子であ
り、第２図３のように低辺約５０μで斜夏６０°の傾斜
した側面を４面に有している。
第２図に示すようＫＰ−Ｎ接合５より発した元の一部は
素子の低面で反射し、側面へ向うが、側面が傾斜してい
るため、内部へ全反射することなく、結晶の外部へ放射
されていることを矢印６が示している。−力、従来形状
の素子第３図においては側面がほぼ垂直に形成されてい
るため、結晶の内部へ全反射されていることを示してい
る。第４図は本発明の素子をリードフレーム上に搭載し
、エポキシ樹脂でモールドした砲弾型の発光素子の実施
例を示す。本発明による発光素子８はリードフレーム９
にソルダー１２により接続され表電極は金１１ｉｊｊｌ
ｌにより他のリード端子１０に接続されている。素子は
凸レンズを形成するエポキシ樹脂１２によｐ封止されて
いる。この実施例では素子の側面よシ放出された元は、
周辺に形成されているリードフレームの反射面により反
射され、レンズによシ集光され、光軸上の出力向上に寄
与している。
素子の低面で反射し、側面へ向うが、側面が傾斜してい
るため、内部へ全反射することなく、結晶の外部へ放射
されていることを矢印６が示している。−力、従来形状
の素子第３図においては側面がほぼ垂直に形成されてい
るため、結晶の内部へ全反射されていることを示してい
る。第４図は本発明の素子をリードフレーム上に搭載し
、エポキシ樹脂でモールドした砲弾型の発光素子の実施
例を示す。本発明による発光素子８はリードフレーム９
にソルダー１２により接続され表電極は金１１ｉｊｊｌ
ｌにより他のリード端子１０に接続されている。素子は
凸レンズを形成するエポキシ樹脂１２によｐ封止されて
いる。この実施例では素子の側面よシ放出された元は、
周辺に形成されているリードフレームの反射面により反
射され、レンズによシ集光され、光軸上の出力向上に寄
与している。
以上説明し友ように本発明は素子の側面が末広がりに傾
斜している之め、Ｐ−Ｎ接合近辺で発生した元のうち、
素子の裏面ま友は裏面と接する反射率の高いソルダー類
からの反射″／ｌ、を結晶の外部へ有効に取り出す効果
がある。この効果は、素子が空気と接している場合、素
子から外部へ放射さ、れる全光量でおおよそ３０チの向
上が認められる。
斜している之め、Ｐ−Ｎ接合近辺で発生した元のうち、
素子の裏面ま友は裏面と接する反射率の高いソルダー類
からの反射″／ｌ、を結晶の外部へ有効に取り出す効果
がある。この効果は、素子が空気と接している場合、素
子から外部へ放射さ、れる全光量でおおよそ３０チの向
上が認められる。
また素子の外部をエポキシ樹脂で封止し、エポキシ樹脂
にて凸レンズを形成した砲弾型の製品においては、元軸
上の出力か約２０％向上することが確認されている。
にて凸レンズを形成した砲弾型の製品においては、元軸
上の出力か約２０％向上することが確認されている。
第１図は本発明の平面図、第２図はその仙ｊ面図、第３
図は従来素子の側面図である。第４図は本素子の応用実
施例を示す。 １・・−・・・光を取り出す素子の表面部、２・・・・
・・表面側電極、３・・・・・・光を取り出す素子の傾
斜した側面、４・・・・・・裏面側電極、５・・・・−
・Ｐ−Ｎ接合部、６・・・・−・接合部近辺で発生した
党が裏面に反射し外部へ放出されている元の径路、７・
・・・・・同上側面にて全反射されている元の径路、８
・・・・−・本発明による発光素子、９・−・・・・素
子を搭載するリードフレーム、１０・・−・・・リード
端子、１１・・・・・・金線、１２・・・・・・凸レン
ズを形成するエポキシ衝月旨 ＄４ＷＪ
図は従来素子の側面図である。第４図は本素子の応用実
施例を示す。 １・・−・・・光を取り出す素子の表面部、２・・・・
・・表面側電極、３・・・・・・光を取り出す素子の傾
斜した側面、４・・・・・・裏面側電極、５・・・・−
・Ｐ−Ｎ接合部、６・・・・−・接合部近辺で発生した
党が裏面に反射し外部へ放出されている元の径路、７・
・・・・・同上側面にて全反射されている元の径路、８
・・・・−・本発明による発光素子、９・−・・・・素
子を搭載するリードフレーム、１０・・−・・・リード
端子、１１・・・・・・金線、１２・・・・・・凸レン
ズを形成するエポキシ衝月旨 ＄４ＷＪ
Claims (1)
- メサ型半導体発光素子において、接合部が露出する４つ
の側面が、表面に対し、概９０°傾斜した面と、光を取
り出す表面側が狭く、裏面側が広くなるような傾斜した
面から構成されていることを特徴とする半導体発光素子
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61300765A JPS63152179A (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61300765A JPS63152179A (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | 半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63152179A true JPS63152179A (ja) | 1988-06-24 |
Family
ID=17888827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61300765A Pending JPS63152179A (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63152179A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6946309B2 (en) | 1997-06-03 | 2005-09-20 | Lumileds Lighting U.S., Llc | III-Phosphide and III-Arsenide flip chip light-emitting devices |
| DE19807758B4 (de) * | 1997-06-03 | 2008-08-14 | Philips Lumileds Lighting Company, LLC, San Jose | Lichtemittierende Diodenstruktur und Verfahren zu deren Herstellung |
| US7943946B2 (en) | 2005-11-21 | 2011-05-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device |
-
1986
- 1986-12-16 JP JP61300765A patent/JPS63152179A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6946309B2 (en) | 1997-06-03 | 2005-09-20 | Lumileds Lighting U.S., Llc | III-Phosphide and III-Arsenide flip chip light-emitting devices |
| US7268371B2 (en) | 1997-06-03 | 2007-09-11 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Light extraction from a semiconductor light emitting device via chip shaping |
| DE19807758B4 (de) * | 1997-06-03 | 2008-08-14 | Philips Lumileds Lighting Company, LLC, San Jose | Lichtemittierende Diodenstruktur und Verfahren zu deren Herstellung |
| US7943946B2 (en) | 2005-11-21 | 2011-05-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device |
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