JPS63151929A - 光学変調素子の駆動方法 - Google Patents
光学変調素子の駆動方法Info
- Publication number
- JPS63151929A JPS63151929A JP29940586A JP29940586A JPS63151929A JP S63151929 A JPS63151929 A JP S63151929A JP 29940586 A JP29940586 A JP 29940586A JP 29940586 A JP29940586 A JP 29940586A JP S63151929 A JPS63151929 A JP S63151929A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phases
- driving
- stable state
- optical modulation
- modulation element
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- Pending
Links
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 17
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は強誘電性液晶パネルなどのそれ自身がメモリー
性を持つ表示パネル等に用いることができる光学変調素
子の駆動方法に関するものである。
性を持つ表示パネル等に用いることができる光学変調素
子の駆動方法に関するものである。
従来の技術
近年、コンピュータを中心とする情報機器分野およびテ
レビジョン、ビデオテープレコーダなどを中心とする映
像機器分野において、大画面で薄型の表示装置の需要が
高まっている。この種の表示装置として低消費電力とい
う特徴を持つ液晶表示装置がひろく利用されている。
レビジョン、ビデオテープレコーダなどを中心とする映
像機器分野において、大画面で薄型の表示装置の需要が
高まっている。この種の表示装置として低消費電力とい
う特徴を持つ液晶表示装置がひろく利用されている。
強誘電性液晶パネルは時分割駆動においてもスタティッ
ク駆動と同等の表示品位を得ることができる。
ク駆動と同等の表示品位を得ることができる。
以下、図面を用いて従来の光学変調素子の駆動方法の一
例として強誘電性液晶の駆動方法の一例について説明す
る。
例として強誘電性液晶の駆動方法の一例について説明す
る。
強誘電性液晶パネルのマトリックス駆動法としては、従
来の電圧平均化法を少し変更した駆動法がある。第5図
及び第6図はその一例で、第5図は第4図のマトリクス
パネルの構成図に示すパターンを表示する場合のオフ画
素21の印加電圧波形図(alとそのオフ画素21の透
過光量の概略図(b)であり、第6図は第4図のオン画
素22の印加電圧波形図(alとそのオン画素22の透
過光量の概略図(blであり、1/4バイアスの電圧平
均化法に基づいた波形を、1走査期間内でパルスの極性
及び、オン電圧とオフ電圧を反転させている。闇値電圧
Vt以上の絶対値電圧を印加すると光学状態は反転する
が闇値電圧Vtよりも小さい絶対値電圧を印加した場合
は光学状態は変化しない。したがって1走査期間の前半
2パルスでオフ状態が後半2パルスでオン状態を偏光板
等を用いて設定することができる。例えば、原画、田口
、岩佐、甲斐:ニス・アイ・ディ 85 ダイジェス
ト、1985年、135頁(T、HARADA、 M、
TAGUCHl、 K、IWASA、 M、KAI :
SID’85 Digest (1985) P、
131)。
来の電圧平均化法を少し変更した駆動法がある。第5図
及び第6図はその一例で、第5図は第4図のマトリクス
パネルの構成図に示すパターンを表示する場合のオフ画
素21の印加電圧波形図(alとそのオフ画素21の透
過光量の概略図(b)であり、第6図は第4図のオン画
素22の印加電圧波形図(alとそのオン画素22の透
過光量の概略図(blであり、1/4バイアスの電圧平
均化法に基づいた波形を、1走査期間内でパルスの極性
及び、オン電圧とオフ電圧を反転させている。闇値電圧
Vt以上の絶対値電圧を印加すると光学状態は反転する
が闇値電圧Vtよりも小さい絶対値電圧を印加した場合
は光学状態は変化しない。したがって1走査期間の前半
2パルスでオフ状態が後半2パルスでオン状態を偏光板
等を用いて設定することができる。例えば、原画、田口
、岩佐、甲斐:ニス・アイ・ディ 85 ダイジェス
ト、1985年、135頁(T、HARADA、 M、
TAGUCHl、 K、IWASA、 M、KAI :
SID’85 Digest (1985) P、
131)。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、従来の方法では1走査期間内でオン電圧
とオフ電圧を反転させており、駆動回路が複雑になると
共に、l走査期間内に4パルスを必要とするためフレー
ム周波数を一定とした場合表示容量が大きくできないと
いう問題点を有していた。
とオフ電圧を反転させており、駆動回路が複雑になると
共に、l走査期間内に4パルスを必要とするためフレー
ム周波数を一定とした場合表示容量が大きくできないと
いう問題点を有していた。
本発明は上記問題点を解決するために同時に2本以上の
走査電極を選択するものである。
走査電極を選択するものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために本発明の光学変調素子の駆
動方法は同時に少なくとも2本以上の走査電極を選択す
ると共に、走査期間を少なくとも4位相に分割しその内
の2位相で第1の安定状態にし、所定の位相の第1の電
圧波高値で第2の安定状態にし、第2の電圧波高値で第
2の安定状態を保持するように駆動することである。
動方法は同時に少なくとも2本以上の走査電極を選択す
ると共に、走査期間を少なくとも4位相に分割しその内
の2位相で第1の安定状態にし、所定の位相の第1の電
圧波高値で第2の安定状態にし、第2の電圧波高値で第
2の安定状態を保持するように駆動することである。
作用
本発明は、上記した方法により、IH内のパルスを2パ
ルスにすることができ、フレーム周波数を一定とした場
合表示容量を大きくすることができる。
ルスにすることができ、フレーム周波数を一定とした場
合表示容量を大きくすることができる。
実施例
以下、本発明の一実施例の光学変調素子の駆動方法につ
いて、図面を参照しながら説明する。
いて、図面を参照しながら説明する。
第1図は本発明の一実施例における強誘電性液晶パネル
のオフ画素およびオン画素に印加される1/4バイアス
の電圧波形図である。強誘電性液晶は印加電圧の時間積
分値の大きさによって双安定状態が決定されるという特
性がある。いま第1図で最小パルス幅をτとしくしたが
って1走査期間は4τとなる)印加電圧の時間積分値が
一4vnτ以下の時リセット状態、4Vn 1以上の時
セット状態になり、印加電圧の時間積分の絶対値が4V
n τより小さい時以前の状態を保持する特性の素子と
すれば、第1図(C)で示される第4図のオフ画素21
の印加電圧は、選択期間のセントパルス50の時間積分
値は6Vn τであるからオン状態になり、次のリセッ
トパルス51の時間積分値は4■nτであるからオフ状
態に反転し、非選択期間内の印加電圧の時間積分の絶対
値は最大2Vn τであるからオフ状態を保持する。ま
た、第1図fd)で示されるオン画素22の印加電圧は
、選択期間のリセットパルス53の時間積分値は4Vn
τであるからオン状態になり、次のリセットパルス5
3の時間積分値は3Vn τであるからセットパルス5
2によるオン状態を保持し、非選択期間はオフ画素と同
様であるからオン状態を保持する。第4図の他の画素1
).12.31.32.41.42も同様にそれぞれ第
1図のta+、 (b)、 (e)、 (f)、 (g
l、 (hl(7)斜線で示すパルスによって決定され
る状態となる。また、第2図に第1図の電圧波形を得る
ための第4図の走査電極10.20.30.40の印加
電圧波形図(a)、 (b)、 (cl。
のオフ画素およびオン画素に印加される1/4バイアス
の電圧波形図である。強誘電性液晶は印加電圧の時間積
分値の大きさによって双安定状態が決定されるという特
性がある。いま第1図で最小パルス幅をτとしくしたが
って1走査期間は4τとなる)印加電圧の時間積分値が
一4vnτ以下の時リセット状態、4Vn 1以上の時
セット状態になり、印加電圧の時間積分の絶対値が4V
n τより小さい時以前の状態を保持する特性の素子と
すれば、第1図(C)で示される第4図のオフ画素21
の印加電圧は、選択期間のセントパルス50の時間積分
値は6Vn τであるからオン状態になり、次のリセッ
トパルス51の時間積分値は4■nτであるからオフ状
態に反転し、非選択期間内の印加電圧の時間積分の絶対
値は最大2Vn τであるからオフ状態を保持する。ま
た、第1図fd)で示されるオン画素22の印加電圧は
、選択期間のリセットパルス53の時間積分値は4Vn
τであるからオン状態になり、次のリセットパルス5
3の時間積分値は3Vn τであるからセットパルス5
2によるオン状態を保持し、非選択期間はオフ画素と同
様であるからオン状態を保持する。第4図の他の画素1
).12.31.32.41.42も同様にそれぞれ第
1図のta+、 (b)、 (e)、 (f)、 (g
l、 (hl(7)斜線で示すパルスによって決定され
る状態となる。また、第2図に第1図の電圧波形を得る
ための第4図の走査電極10.20.30.40の印加
電圧波形図(a)、 (b)、 (cl。
(dlを、第3図に、第4図の信号電極1.2の印加電
圧波形図(al、 (blを示す。第2図および第3図
のように走査電極を同時に2本選択すると共にIH毎に
表示データを反転したデータにより信号電極印加電圧の
波高値を選択している。
圧波形図(al、 (blを示す。第2図および第3図
のように走査電極を同時に2本選択すると共にIH毎に
表示データを反転したデータにより信号電極印加電圧の
波高値を選択している。
なお、本実施例では1走査期間内に4パルスを印加する
方法としたが、4パルス以上でもよい。
方法としたが、4パルス以上でもよい。
また、走査電極を同時に2本選択したが、これも3本以
上同時に選択してもよい。また1/4バイアスとしたが
これも1/4に限られるものではない。
上同時に選択してもよい。また1/4バイアスとしたが
これも1/4に限られるものではない。
発明の効果
以上のように、本発明は同時に2本以上の走査電極を選
択すると共に1走査期間を少なくとも4位相に分割し、
その内の2位相と最終位相で双安定状態を決定すること
により第1図および第5図から理解できるようにIH内
のパルスを2パルスにすることができるためフレーム周
波数を一定とした場合2倍の表示容量が得られる。
択すると共に1走査期間を少なくとも4位相に分割し、
その内の2位相と最終位相で双安定状態を決定すること
により第1図および第5図から理解できるようにIH内
のパルスを2パルスにすることができるためフレーム周
波数を一定とした場合2倍の表示容量が得られる。
第1図(a)、 (bl、 (C1,(h)は本発明の
一実施例におけるオフ画素の印加電圧波形図、および第
1図cd)。 (el、 ([1,(glはオン画素の印加電圧波形図
、第2図(al、 (bl、 (c)、 fd)は本発
明の一実施例における走査電極印加電圧波形図、第3図
(a) 、 (b)は本発明の一実施例における信号電
極印加電圧波形図、第4図はマトリクスパネルの構成図
、第5図(a)、 (b)は従来の駆動法におけるオフ
画素の印加電圧波形図およびその画素の透過光量の変化
の概略図、第6図(al、 (b)は従来の駆動法にお
けるオン画素の印加電圧波形図およびその画素の透過光
量の変化の概略図である。 1.2・・・・・・信号電極、10.20.30.40
・・・・・・走査電極、1).12.21.22.31
.32.41.42・・・・・・表示画素、50.52
・・・・・・セットパルス、5L 53・・・・・・リ
セットパルス。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか1名℃ 減 へ 、
^u Hcys
−e区 へ へ へ1冒
蝮 。 −の −、 第4図
一実施例におけるオフ画素の印加電圧波形図、および第
1図cd)。 (el、 ([1,(glはオン画素の印加電圧波形図
、第2図(al、 (bl、 (c)、 fd)は本発
明の一実施例における走査電極印加電圧波形図、第3図
(a) 、 (b)は本発明の一実施例における信号電
極印加電圧波形図、第4図はマトリクスパネルの構成図
、第5図(a)、 (b)は従来の駆動法におけるオフ
画素の印加電圧波形図およびその画素の透過光量の変化
の概略図、第6図(al、 (b)は従来の駆動法にお
けるオン画素の印加電圧波形図およびその画素の透過光
量の変化の概略図である。 1.2・・・・・・信号電極、10.20.30.40
・・・・・・走査電極、1).12.21.22.31
.32.41.42・・・・・・表示画素、50.52
・・・・・・セットパルス、5L 53・・・・・・リ
セットパルス。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか1名℃ 減 へ 、
^u Hcys
−e区 へ へ へ1冒
蝮 。 −の −、 第4図
Claims (5)
- (1)走査電極群と信号電極群を有し、前記走査電極群
と信号電極群の間の電界に対して双安定性を有する光学
変調物質を配置した構造を有する光学変調素子の駆動方
法において、前記走査電極群から同時に少なくとも2本
以上の走査電極を選択するとともに、選択された走査電
極の選択期間を少なくとも4位相に分割し、前記少なく
とも4位相の内の2位相で第1の安定状態にし、前記少
なくとも4位相の内の所定の位相の第1の電圧波高値で
第2の安定状態にし、第2の電圧波高値で前記第1の安
定状態を保持するとともに、非選択期間で、前記選択期
間での安定状態を保持することを特徴とする光学変調素
子の駆動方法。 - (2)第1の安定状態にする2位相が同一の電圧波高値
であることを特徴とする特許請求の範囲第(1)項記載
の光学変調素子の駆動方法。 - (3)第1の安定状態にする2位相と最終位相の極性が
異なることを特徴とする特許請求の範囲第(1)項また
は第(2)項のいずれかに記載の光学変調素子の駆動方
法。 - (4)双安定性を有する光学変調物質が強誘電性液晶で
あることを特徴とする特許請求の範囲第(1)項、第(
2)項または第(3)項のいずれかに記載の光学変調素
子の駆動方法。 - (5)強誘電性液晶がカイラルスメクティック相を有す
る液晶であることを特徴とする特許請求の範囲第(4)
項記載の光学変調素子の駆動方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29940586A JPS63151929A (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | 光学変調素子の駆動方法 |
US07/132,883 US4901066A (en) | 1986-12-16 | 1987-12-09 | Method of driving an optical modulation device |
EP87311005A EP0272079A3 (en) | 1986-12-16 | 1987-12-15 | Method of driving an optical modulation device |
KR1019870014338A KR920007944B1 (ko) | 1986-12-16 | 1987-12-15 | 광학변조소자의 구동방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29940586A JPS63151929A (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | 光学変調素子の駆動方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63151929A true JPS63151929A (ja) | 1988-06-24 |
Family
ID=17872133
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29940586A Pending JPS63151929A (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | 光学変調素子の駆動方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63151929A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0886258A1 (en) * | 1997-06-20 | 1998-12-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Ferroelectric liquid crystal device and method of addressing a ferroelectric liquid crystal device |
-
1986
- 1986-12-16 JP JP29940586A patent/JPS63151929A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0886258A1 (en) * | 1997-06-20 | 1998-12-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Ferroelectric liquid crystal device and method of addressing a ferroelectric liquid crystal device |
US6137463A (en) * | 1997-06-20 | 2000-10-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device and method of addressing a liquid crystal device |
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