JPS63149380A - Ｃｖｄ装置 - Google Patents
Ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS63149380A JPS63149380A JP29533186A JP29533186A JPS63149380A JP S63149380 A JPS63149380 A JP S63149380A JP 29533186 A JP29533186 A JP 29533186A JP 29533186 A JP29533186 A JP 29533186A JP S63149380 A JPS63149380 A JP S63149380A
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- chamber
- cvd
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- gaseous
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- Pending
Links
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明にＣＶＤ装置に関するものである。
半導体デバイス作製において使用されるＣＶＤ装置では
、一般に基板以外の部分への反応生成力の付着が生じる
。時にシラン系ガスを用いたＳ ｉｏ＊膜等のＣＶＤ装
置の場合は１反応生成物が微粒子状態で壁面に付着する
ため、にがｎてＳ ｉ Ｏｘ膜上にふりつもるなどのト
ラブルが多い。
、一般に基板以外の部分への反応生成力の付着が生じる
。時にシラン系ガスを用いたＳ ｉｏ＊膜等のＣＶＤ装
置の場合は１反応生成物が微粒子状態で壁面に付着する
ため、にがｎてＳ ｉ Ｏｘ膜上にふりつもるなどのト
ラブルが多い。
このような基板以外の部分への反応生成物の付けでろる
０この方法で窓等小面槓の部分への堆積は有効に防止で
きるが、面積の大きい壁面全体への堆積を防止する友め
には壁面全体にゆきわたるように不活性ガスを吹きつけ
る必要があり、このようにすると、堆積を防止さｔ′Ｌ
次微次子粒子板上にふ９つもるという新友な贅害を生む
ことになる〇この九めに従来のＣＶＤ装置でｒＸ１壁面
等へのふりつもりは避けがたいこととみなされ、このよ
うな反応生成物を定期的に除去するチャンバ全体のクリ
ーニングが必要であ−）几〇 〔発明が燐火しようとする問題点〕 上述した従来のＣＶＤ！ａでは、チャンバ全体のクリー
ニングが必要であるので、このクリーニングに多くの工
数がかか≠す、ま之、ＣＶＯ終了後の十分に温度が下が
９切らない基板上に反応生成物がふ９つもると、膜質が
劣化することにもなる七いう欠点がある。
０この方法で窓等小面槓の部分への堆積は有効に防止で
きるが、面積の大きい壁面全体への堆積を防止する友め
には壁面全体にゆきわたるように不活性ガスを吹きつけ
る必要があり、このようにすると、堆積を防止さｔ′Ｌ
次微次子粒子板上にふ９つもるという新友な贅害を生む
ことになる〇この九めに従来のＣＶＤ装置でｒＸ１壁面
等へのふりつもりは避けがたいこととみなされ、このよ
うな反応生成物を定期的に除去するチャンバ全体のクリ
ーニングが必要であ−）几〇 〔発明が燐火しようとする問題点〕 上述した従来のＣＶＤ！ａでは、チャンバ全体のクリー
ニングが必要であるので、このクリーニングに多くの工
数がかか≠す、ま之、ＣＶＯ終了後の十分に温度が下が
９切らない基板上に反応生成物がふ９つもると、膜質が
劣化することにもなる七いう欠点がある。
本発明のＣＶＤ装置は、装置の内壁面とこの装置の内部
に設置し友電憧との間に電圧を印加して放′ｗＬを生じ
させる放電機構全具備している。
に設置し友電憧との間に電圧を印加して放′ｗＬを生じ
させる放電機構全具備している。
ｆｙ、膜の副産物として微粒子状の反応生成物の虫取を
ともなうＣＶＤの終了後、ＣＶＤチャンバにＡｒ ガス
を流し、チャンバの壁面には負の電圧を、また壁面と対
向していてチャンバからの取出しが容易な電極には正の
電圧をそｎぞれ印加すると。
ともなうＣＶＤの終了後、ＣＶＤチャンバにＡｒ ガス
を流し、チャンバの壁面には負の電圧を、また壁面と対
向していてチャンバからの取出しが容易な電極には正の
電圧をそｎぞれ印加すると。
Ａｒガスは放電してプラズマ状態とな５Ａｒ イオンと
エレクトロンを生じる。Ａｒ イオンは負電極である
壁面に付着した微粒子状の反応生成物に高速で衝突して
スパッタ作用によって反応生成物１ｒ：壁面から遊離さ
せる。遊離した反応生成物に相対して設けられた内側の
′電極付近に付層する。
エレクトロンを生じる。Ａｒ イオンは負電極である
壁面に付着した微粒子状の反応生成物に高速で衝突して
スパッタ作用によって反応生成物１ｒ：壁面から遊離さ
せる。遊離した反応生成物に相対して設けられた内側の
′電極付近に付層する。
本発明はこのようにＡｒ イオンによるスパッタを利
用して微粒子状の反応生ｉ’ｍ’ｔチャンバ内の特定箇
所に集め、飛散等による基板上へのふ９つもりを防ぐこ
とができる。また、微粒子状の反応生成物除去のために
は内側１の′ｒ＆極を変換するだけでよい。
用して微粒子状の反応生ｉ’ｍ’ｔチャンバ内の特定箇
所に集め、飛散等による基板上へのふ９つもりを防ぐこ
とができる。また、微粒子状の反応生成物除去のために
は内側１の′ｒ＆極を変換するだけでよい。
次に１本発明について図面上参照して詳細に説明する。
第１１框本発明のＣＶＤ装置の一実施例を示す模式的構
収図でｓ Ｓ １０ｘのＣＶＤに適用した例を示す。
収図でｓ Ｓ １０ｘのＣＶＤに適用した例を示す。
四重において、基板２はチャンバｌの中のヒータ７の上
に固定さｎる。原料ガスのＳｉＨ４ガス１０及びＮｚＯ
ガスＩＩＨ基板２の上を基板２とほぼ平行の向きに供給
される０チヤンバ１内はロータリーポンプ６によって排
気さｎる。ＳｉＯ２膜のＣＶＤ後、原料ガスのＳｉＨ４
ガス１０ 、 Ｎ２０ガス１１を止めてＡｒガス１２を
流し、チャンバ１の壁面に直流電源４により一５ｋＶを
、また′＃ＩＬ憔３に同じく直流電源４により＋５ｋＶ
を印加する。壁面に付層したＳｉＯ２微粒子にＡｒ イ
オンにょクスバッタさｎて取出しの容易な電極３上に集
められる。また電極３から洛下したＳｉＯ２微粒子はプ
レート９に溜められる。チャンバ１の外部に高圧部分が
露出しないように絶、縁体５で囲まれている。また、電
極ヒータ端子間絶縁体８によりヒータ７端子と電極３の
間の放ｔを防ぐ。
に固定さｎる。原料ガスのＳｉＨ４ガス１０及びＮｚＯ
ガスＩＩＨ基板２の上を基板２とほぼ平行の向きに供給
される０チヤンバ１内はロータリーポンプ６によって排
気さｎる。ＳｉＯ２膜のＣＶＤ後、原料ガスのＳｉＨ４
ガス１０ 、 Ｎ２０ガス１１を止めてＡｒガス１２を
流し、チャンバ１の壁面に直流電源４により一５ｋＶを
、また′＃ＩＬ憔３に同じく直流電源４により＋５ｋＶ
を印加する。壁面に付層したＳｉＯ２微粒子にＡｒ イ
オンにょクスバッタさｎて取出しの容易な電極３上に集
められる。また電極３から洛下したＳｉＯ２微粒子はプ
レート９に溜められる。チャンバ１の外部に高圧部分が
露出しないように絶、縁体５で囲まれている。また、電
極ヒータ端子間絶縁体８によりヒータ７端子と電極３の
間の放ｔを防ぐ。
このように本実施例でニゲ％Ａｒイオンによるスパッタ
で、ＳｉＯ２微粒子をチャンバ内の取出しの容易な特定
箇所に集めることができる。また、壁面に付着している
Ｓ ｉ ０２微粒子のほとんどが電極３の上ＫｆＪめら
れるので、ＣＶＤ終了直後のまだ温度の高い基板の上へ
のふりつもりを防ぐことができて膜質に劣化が生じない
。さらにチャンバ内のＳｉＯ２微粒子金とり除く作業は
単にｔ惚３とプレート９をそｎぞれ清浄なものと交換す
るだ ′けでよいので、クリーニングにかかる工数を大
幅に低減できる。
で、ＳｉＯ２微粒子をチャンバ内の取出しの容易な特定
箇所に集めることができる。また、壁面に付着している
Ｓ ｉ ０２微粒子のほとんどが電極３の上ＫｆＪめら
れるので、ＣＶＤ終了直後のまだ温度の高い基板の上へ
のふりつもりを防ぐことができて膜質に劣化が生じない
。さらにチャンバ内のＳｉＯ２微粒子金とり除く作業は
単にｔ惚３とプレート９をそｎぞれ清浄なものと交換す
るだ ′けでよいので、クリーニングにかかる工数を大
幅に低減できる。
乍実施例では、電極から壁面への逆スパツタはほとんど
無視できる程度であり、チャンバのクリーニング及び膜
質に影Ｖを与えることはなかった。
無視できる程度であり、チャンバのクリーニング及び膜
質に影Ｖを与えることはなかった。
なお、本発明は必らずしもＳ ｉ （Ｊ２のＣＶＤ装置
のみならず、ＳｉＮ、ＡｔｚＯｓなどの絶縁膜や、半導
体、金属等のＣＶＤ装置にも適用することができる。装
置の棋匠は５ｔ（ｈの場合と全く変わらない。
のみならず、ＳｉＮ、ＡｔｚＯｓなどの絶縁膜や、半導
体、金属等のＣＶＤ装置にも適用することができる。装
置の棋匠は５ｔ（ｈの場合と全く変わらない。
以上説明したように不発明は％ＣＶＤ終了後にスパッタ
により、ＣＶＤチャンバの壁面に付着し友倣粒子状の反
応生５ｙ、＊’ｔチャンバ内の取出し可能な特定箇所に
集めることにより、微粒子の基板へのふりつもジによる
膜質の劣化をもたらすことが少なくなるばかりでなく、
クリーニングに工数がかからないという効果がある。
により、ＣＶＤチャンバの壁面に付着し友倣粒子状の反
応生５ｙ、＊’ｔチャンバ内の取出し可能な特定箇所に
集めることにより、微粒子の基板へのふりつもジによる
膜質の劣化をもたらすことが少なくなるばかりでなく、
クリーニングに工数がかからないという効果がある。
第１図に本発明のＣＶＤ装置の一芙適例全示す模式的栴
成図である。
成図である。
Claims (1)
- 装置の内壁面とこの装置の内部に設置した電極との間に
電圧を印加して放電を生じさせる放電機構を具備するこ
とを特徴とするＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29533186A JPS63149380A (ja) | 1986-12-10 | 1986-12-10 | Ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29533186A JPS63149380A (ja) | 1986-12-10 | 1986-12-10 | Ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63149380A true JPS63149380A (ja) | 1988-06-22 |
Family
ID=17819229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29533186A Pending JPS63149380A (ja) | 1986-12-10 | 1986-12-10 | Ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63149380A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6312569B1 (en) * | 1997-10-15 | 2001-11-06 | Ebara Corporation | Chemical vapor deposition apparatus and cleaning method thereof |
-
1986
- 1986-12-10 JP JP29533186A patent/JPS63149380A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6312569B1 (en) * | 1997-10-15 | 2001-11-06 | Ebara Corporation | Chemical vapor deposition apparatus and cleaning method thereof |
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