JPS63148626A - X線リソグラフイ装置 - Google Patents
X線リソグラフイ装置Info
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- JPS63148626A JPS63148626A JP61295043A JP29504386A JPS63148626A JP S63148626 A JPS63148626 A JP S63148626A JP 61295043 A JP61295043 A JP 61295043A JP 29504386 A JP29504386 A JP 29504386A JP S63148626 A JPS63148626 A JP S63148626A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の属する分野]
本発明はX線リソグラフィ装置に関し、特にX線の作用
範囲内に蛍光体を含む開口板を設けることによりパター
ン形成成分以外の余分なX線をカットするとともに、カ
ットしたX線を蛍光体により蛍光線すなわち紫外線およ
び可視光線に変換することによって同時補助露光を行な
い、レジスト等の感光性物質の実効感度の増強を計らし
めるものである。
範囲内に蛍光体を含む開口板を設けることによりパター
ン形成成分以外の余分なX線をカットするとともに、カ
ットしたX線を蛍光体により蛍光線すなわち紫外線およ
び可視光線に変換することによって同時補助露光を行な
い、レジスト等の感光性物質の実効感度の増強を計らし
めるものである。
[従来技術]
X線リソグラフィは直進性、非干渉性および低回折性等
のX線固有の性質に基づき、これまでの可視光や紫外光
によるリソグラフィと較べて−多くのより優れた点を有
している。そのため、近年ではサブミクロンリソグラフ
ィやククオーターミクロンリソグラフィの有力な手段と
して注目されてきている。しかし、X線リソグラフィは
可視光や紫外光によるリソグラフィに比較して多くの優
位点を持ちながらも、X線源のパワー不足、レジストの
低感度、アライメントの困難さ、マスク材料の選定およ
び加工方法の困難さ等から生産性が低く、従ってコスト
が高いという欠点があり実用化が遅れている。
のX線固有の性質に基づき、これまでの可視光や紫外光
によるリソグラフィと較べて−多くのより優れた点を有
している。そのため、近年ではサブミクロンリソグラフ
ィやククオーターミクロンリソグラフィの有力な手段と
して注目されてきている。しかし、X線リソグラフィは
可視光や紫外光によるリソグラフィに比較して多くの優
位点を持ちながらも、X線源のパワー不足、レジストの
低感度、アライメントの困難さ、マスク材料の選定およ
び加工方法の困難さ等から生産性が低く、従ってコスト
が高いという欠点があり実用化が遅れている。
[発明が解決しようとする問題点]
ところで、これまでリソグラフィに関する文献等におい
て紹介されたものの中で最も実績のある実用レジストと
してはポリメチルメタクリレート(PMMA)が挙げら
れる。このレジストはエレクトロンビーム用レジストと
しても実績があり、特に、0.1μm以下に対応できる
ものとして他に競合できるものは見当らない。しかしな
がら、X線リソグラフィにおいて大きな問題として残っ
ているのは、感度の問題である。通常、X線リソグラフ
ィにおけるレジストのX線利用効率は0.3%以下とい
われており、これが感度の低下を来たしている。例えば
PMMAの場合、X線としてPdKa線を使用すると実
効感度は1000〜2000a+J/cm’といわれて
いる。ここで、感度は露光時のX線照射量で示している
。すなわち、照射量が低い程高感度である。高感度の実
用レジストとしてはクロロメチル化ポリスチレン(CM
S、東洋ソーダ製)があるが、上述と同様の条件での実
効感度は約100 mJ/ cm’である。X線リソグ
ラフィが実用化される条件の1つとして、X線レジスト
の実効感度を1011IJ/c112以下にすることが
望まれており、そのようなX線レジストの出現が待たれ
ている。
て紹介されたものの中で最も実績のある実用レジストと
してはポリメチルメタクリレート(PMMA)が挙げら
れる。このレジストはエレクトロンビーム用レジストと
しても実績があり、特に、0.1μm以下に対応できる
ものとして他に競合できるものは見当らない。しかしな
がら、X線リソグラフィにおいて大きな問題として残っ
ているのは、感度の問題である。通常、X線リソグラフ
ィにおけるレジストのX線利用効率は0.3%以下とい
われており、これが感度の低下を来たしている。例えば
PMMAの場合、X線としてPdKa線を使用すると実
効感度は1000〜2000a+J/cm’といわれて
いる。ここで、感度は露光時のX線照射量で示している
。すなわち、照射量が低い程高感度である。高感度の実
用レジストとしてはクロロメチル化ポリスチレン(CM
S、東洋ソーダ製)があるが、上述と同様の条件での実
効感度は約100 mJ/ cm’である。X線リソグ
ラフィが実用化される条件の1つとして、X線レジスト
の実効感度を1011IJ/c112以下にすることが
望まれており、そのようなX線レジストの出現が待たれ
ている。
現在各方面で線源のパワーアップ、透過性の良いX線マ
スク、高感度レジストの3方向から生産性を上げるため
の研究が進められてきているが、数多くの制限要因から
大きな発展は早急には望めそうもない。しかし、この中
でもレジストの感度の向上はX線がデバイスに与えるダ
メージから見ても必要な条件である。これは、今後、マ
スクおよび線源の性能がたとえ上ったとしても必要であ
り欠くべからざることであることは云うまでもない。
スク、高感度レジストの3方向から生産性を上げるため
の研究が進められてきているが、数多くの制限要因から
大きな発展は早急には望めそうもない。しかし、この中
でもレジストの感度の向上はX線がデバイスに与えるダ
メージから見ても必要な条件である。これは、今後、マ
スクおよび線源の性能がたとえ上ったとしても必要であ
り欠くべからざることであることは云うまでもない。
本発明は上述従来形の問題点等に鑑み、X線照射エネル
ギーとともに蛍光(紫外)線を照射することにより、レ
ジスト等の感光性物質の実効感度を増加せしめるX線リ
ソグラフィ装置を提供し、もって良好なりソグラフィを
実施することを目的とする。
ギーとともに蛍光(紫外)線を照射することにより、レ
ジスト等の感光性物質の実効感度を増加せしめるX線リ
ソグラフィ装置を提供し、もって良好なりソグラフィを
実施することを目的とする。
[問題点を解決するための手段]
本発明によれば、上記目的は、X線リソグラフィ用感光
性材料の分光感度域に対応した波長域の蛍光線を発する
蛍光物質を含む開口板をX線作用範囲内に設け、X線に
より蛍光線を発光させることにより達成される。
性材料の分光感度域に対応した波長域の蛍光線を発する
蛍光物質を含む開口板をX線作用範囲内に設け、X線に
より蛍光線を発光させることにより達成される。
さらに具体的に述べれば、本発明は、X線リソグラフィ
用マスクすなわちパターン化されたX線吸収体が設置さ
れた膜体上に照射されるX線の照射域に、蛍光物質を含
む開口板を設けるものである。そしてこの開口板は、蛍
光物質を含む板状体に適当な形状の孔、例えば円形、角
形、長方形等の孔をあけた開孔板、または蛍光物質を含
む長方形等の形状の板状体を2枚並べてスリットを形成
したもの等が用いられる(例を第2図(a)〜(d)に
示す)。また、この開口部(開孔部やスリット等)はX
線を妨げないという意味での開口であるから、実際に孔
がおいておらず開口部がX線透過膜等で構成されていて
もよい。すなわち、X線源からのパターン形成X線ビー
ムの光路は妨げないような開口部を有し、その開口部の
周囲に蛍光物質が配されているようなものは、すべて本
発明で用いる開口板の範囲である。
用マスクすなわちパターン化されたX線吸収体が設置さ
れた膜体上に照射されるX線の照射域に、蛍光物質を含
む開口板を設けるものである。そしてこの開口板は、蛍
光物質を含む板状体に適当な形状の孔、例えば円形、角
形、長方形等の孔をあけた開孔板、または蛍光物質を含
む長方形等の形状の板状体を2枚並べてスリットを形成
したもの等が用いられる(例を第2図(a)〜(d)に
示す)。また、この開口部(開孔部やスリット等)はX
線を妨げないという意味での開口であるから、実際に孔
がおいておらず開口部がX線透過膜等で構成されていて
もよい。すなわち、X線源からのパターン形成X線ビー
ムの光路は妨げないような開口部を有し、その開口部の
周囲に蛍光物質が配されているようなものは、すべて本
発明で用いる開口板の範囲である。
この開口板はパターン形成X線ビームの光路を妨げない
ことが重要であり、そのためその開口部はパターン形成
用X線ビーム域よりも太き目に設定する。また、開口部
の周囲に配される蛍光物質(層)は、X線源からのX線
照射により発光する蛍光線が、パターン化された吸収体
をもつ膜体上で均一になるように、設定場所を決定する
。さらに、蛍光物質の保持体としてはガラス板(Cor
ning 9863. Pyrex化学用等)、石英板
等の紫外線透過性の無機物質、そしてアクリル、スチロ
ール等の有機のポリマーシート材料を用いることができ
る。また、CaF等のそれ自体で開孔板に加工できまた
はスリットを形成できるものも使用できる。
ことが重要であり、そのためその開口部はパターン形成
用X線ビーム域よりも太き目に設定する。また、開口部
の周囲に配される蛍光物質(層)は、X線源からのX線
照射により発光する蛍光線が、パターン化された吸収体
をもつ膜体上で均一になるように、設定場所を決定する
。さらに、蛍光物質の保持体としてはガラス板(Cor
ning 9863. Pyrex化学用等)、石英板
等の紫外線透過性の無機物質、そしてアクリル、スチロ
ール等の有機のポリマーシート材料を用いることができ
る。また、CaF等のそれ自体で開孔板に加工できまた
はスリットを形成できるものも使用できる。
以上の構成を用いることにより、感光性材料にはX線と
膜体透過後の蛍光線とが同時に照射されることになる。
膜体透過後の蛍光線とが同時に照射されることになる。
本発明のりソグラフィ装置で用いる感光性材料としては
、X線等の主線に感光し、しかも開口板に配するX線で
発光する蛍光物質の蛍光線の波長域に感光性を持つリソ
グラフィ用感光性材料であれば使用可能である。
、X線等の主線に感光し、しかも開口板に配するX線で
発光する蛍光物質の蛍光線の波長域に感光性を持つリソ
グラフィ用感光性材料であれば使用可能である。
例えば主線としてX線を用いる場合は、X線と共に可視
光線または紫外線に感度を有するものが適用可能である
。レジストポリマー自体の固有吸収域が上記適用範囲外
であっても、波長増感剤によって吸収域を広げることに
よって本発明に適用可能となる。
光線または紫外線に感度を有するものが適用可能である
。レジストポリマー自体の固有吸収域が上記適用範囲外
であっても、波長増感剤によって吸収域を広げることに
よって本発明に適用可能となる。
本発明で使用可能な感光性材料として代表的なものとし
ては、キノンアジド・フェノールノボラック系レジスト
、ポリメチルメタクリレート(PMMA)系レジスト、
ポリメチルイソプロペニルケトン(PMIPK)系レジ
スト、ポリケイ皮酸(PVAC)系レジスト、環化ゴム
・ビスアジド系レジスト、クロロメチル化ポリスチレン
(CMS)系レジスト、ポリビニルカルバゾール(Pv
K)系レジスト、重クロム酸(DC)水溶性樹脂系レジ
スト等が挙げられる。
ては、キノンアジド・フェノールノボラック系レジスト
、ポリメチルメタクリレート(PMMA)系レジスト、
ポリメチルイソプロペニルケトン(PMIPK)系レジ
スト、ポリケイ皮酸(PVAC)系レジスト、環化ゴム
・ビスアジド系レジスト、クロロメチル化ポリスチレン
(CMS)系レジスト、ポリビニルカルバゾール(Pv
K)系レジスト、重クロム酸(DC)水溶性樹脂系レジ
スト等が挙げられる。
本発明において用いられる蛍光物質の代表例としては次
のものが挙げられる。
のものが挙げられる。
ZnS : 八g、 Zn
S :Cu 、^交、Zn25in4: Mn
、 CaWO4、Ca2MgSi20. : C
e 、 ZnO: Zn。
S :Cu 、^交、Zn25in4: Mn
、 CaWO4、Ca2MgSi20. : C
e 、 ZnO: Zn。
ZnS : Cu、 Y2O2
5: Tb。
5: Tb。
Y2SiO5: Ce% YAlO3:
Ce、Ag。
Ce、Ag。
ZnS : Ag、Ga、CQ、 ZnS :
Zn+ In2O3、Ba5t20. : Pb、
(Sr、Ca)B40. : Eu2°
、Ca、B50.Cu : Eu”、 5r4S1
306CJ24 : Eu”、BaMgAQ+40z3
:Eu”、BaO・6A120.: Mn。
Zn+ In2O3、Ba5t20. : Pb、
(Sr、Ca)B40. : Eu2°
、Ca、B50.Cu : Eu”、 5r4S1
306CJ24 : Eu”、BaMgAQ+40z3
:Eu”、BaO・6A120.: Mn。
BaSO4,: Pb% BaFCl
: Eu”、La2O2S : Tb、
Gd2θ2S:Tb。
: Eu”、La2O2S : Tb、
Gd2θ2S:Tb。
MgB4(17: Tb、 Li2B
40y : Cu。
40y : Cu。
Ba2S120s : Pb% NaI
: TQsCaF2: Eu、
MgF2 : Eu。
: TQsCaF2: Eu、
MgF2 : Eu。
にC1:Tu、 CaS:Bi。
a Ca5iOs : Pb、 βCab
in、: Pb。
in、: Pb。
BaSi2O5: Pb、 Zn1SiO4
: Ti。
: Ti。
CaO・Mg0・2Si02 : Ti% Ca5
(PO2)z : Ce5Ga3(PQ4’Jx
: Ce−Mn s Ga5(Po4nt :
TΩ、gW04 これらは単独で用いてもよいし、二種以上の混合物とし
て用いてもよい。なお、前記蛍光体材料の化学式中のコ
ロンは、コロンの右側の元素またはイオンが添加的であ
ることを示すための記号である。
(PO2)z : Ce5Ga3(PQ4’Jx
: Ce−Mn s Ga5(Po4nt :
TΩ、gW04 これらは単独で用いてもよいし、二種以上の混合物とし
て用いてもよい。なお、前記蛍光体材料の化学式中のコ
ロンは、コロンの右側の元素またはイオンが添加的であ
ることを示すための記号である。
本発明で利用できる照射エネルギーとしてはX線が挙げ
られるが、さらにSOR光への対応も可能である。また
、特にX線の波長域には制限がないが、感光性材料の分
光感度域に対応した波長域の蛍光線を発する蛍光物質を
選択する必要がある。一般にはX線リソグラフィ用とし
てのX線波長は1〜400人が好ましく、特に4〜20
人の範囲の波長域が望まれる。
られるが、さらにSOR光への対応も可能である。また
、特にX線の波長域には制限がないが、感光性材料の分
光感度域に対応した波長域の蛍光線を発する蛍光物質を
選択する必要がある。一般にはX線リソグラフィ用とし
てのX線波長は1〜400人が好ましく、特に4〜20
人の範囲の波長域が望まれる。
[作 用]
次に、本発明の作用について述べる。
本発明のX線リソグラフィ用装置において、感光性物質
(レジスト等)にマスクパターンを投iするのはあくま
でもX線であり、蛍光線は感光性物質の実効感度を増強
せしめる役割を果たすにすぎない。いいかえれば蛍光線
はレーレス則(S=0.61λ/N、A、 : Sは解
像度、λは使用波長、N、^。
(レジスト等)にマスクパターンを投iするのはあくま
でもX線であり、蛍光線は感光性物質の実効感度を増強
せしめる役割を果たすにすぎない。いいかえれば蛍光線
はレーレス則(S=0.61λ/N、A、 : Sは解
像度、λは使用波長、N、^。
は開口数)に従った使用波長と解像度の関係には関与せ
ず、X線の波長に依存した解像度が得られることになる
。
ず、X線の波長に依存した解像度が得られることになる
。
すなわち本発明は、感光性物質が閾値以下の照射エネル
ギーの照射量ではほとんど現像できず(感光せず)閾値
を越えたところから現像が可能になる(感光が始まる)
という感光性物質の特性に基づき、蛍光線量はこの閾値
を越えない程度に抑える必要がある。従って本発明にお
いては、パターンを投影するためのX線の強度は、本来
のX線のみの露光時に必要とした強度に比べて弱いもの
で足り、照射X線量を減少させることができる。すなわ
ち増感を計ることができるのである。
ギーの照射量ではほとんど現像できず(感光せず)閾値
を越えたところから現像が可能になる(感光が始まる)
という感光性物質の特性に基づき、蛍光線量はこの閾値
を越えない程度に抑える必要がある。従って本発明にお
いては、パターンを投影するためのX線の強度は、本来
のX線のみの露光時に必要とした強度に比べて弱いもの
で足り、照射X線量を減少させることができる。すなわ
ち増感を計ることができるのである。
なお、この閾値は、感光性物質の種類、特に分子量、側
鎖の活性種の比率、また感光性物質の厚さ、そして感光
性物質のベーキング等により異なるため一義的には決め
られないが、以上の条件等が定まれば実験的考案により
求めることができる。
鎖の活性種の比率、また感光性物質の厚さ、そして感光
性物質のベーキング等により異なるため一義的には決め
られないが、以上の条件等が定まれば実験的考案により
求めることができる。
[実施例]
次に、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第1図は、本発明の一実施例に係るX線リソグラフィ装
置を示す模式図である。
置を示す模式図である。
同図において、1はX線源、2は開口板を形成する蛍光
物質、3は蛍光物質保持板(例えばガラス、石英等)で
ある。蛍光物’[2が配された開口板は図に示した通り
、パターン形成に関与するX線ビームの進路を妨げない
ように設ける。4はマスク枠、5はマスク材保持薄暎で
ありマイラー等の紫外線およびX線を透過する膜よりな
る。6は金、白金、タングステン等により形成されたマ
スクパターンである。7は感光性物質で、8はクエへで
ある。9はX線により蛍光物質2から発光した蛍光線を
示す。感光性物′Jlt、7に対しては、X線源(ター
ゲット)1から発生したX線がマスクパターン6を介し
て照射され、それと同時に蛍光線9もマスクパターン6
を介して照射される。そして上述した通り、あくまでX
線を主線としたパターンの投影が計られる。
物質、3は蛍光物質保持板(例えばガラス、石英等)で
ある。蛍光物’[2が配された開口板は図に示した通り
、パターン形成に関与するX線ビームの進路を妨げない
ように設ける。4はマスク枠、5はマスク材保持薄暎で
ありマイラー等の紫外線およびX線を透過する膜よりな
る。6は金、白金、タングステン等により形成されたマ
スクパターンである。7は感光性物質で、8はクエへで
ある。9はX線により蛍光物質2から発光した蛍光線を
示す。感光性物′Jlt、7に対しては、X線源(ター
ゲット)1から発生したX線がマスクパターン6を介し
て照射され、それと同時に蛍光線9もマスクパターン6
を介して照射される。そして上述した通り、あくまでX
線を主線としたパターンの投影が計られる。
次に、上記構成において開口板の形状や蛍光物質等に種
々のものを使用して動作させた場合につき具体的に説明
する。
々のものを使用して動作させた場合につき具体的に説明
する。
Km fHユ
開口板に配された蛍光物質2としてZnS :Agを用
い、 ZnS : Agをターゲットとするスパッタ蒸
着法により蛍光物質保持板3に5μmの厚さに蒸着した
。蛍光物質保持板3には石英板を用い、その形状は第2
図(a) に示すドーナツ型で厚さ2.0mmのものを
使用した。以上の構造から成り立つ蛍光体層をX線源(
固定ターゲットPdL 4.4人)α から10cmの位置に配置し、そしてX線透過膜5との
ギャップを20cmとした。
い、 ZnS : Agをターゲットとするスパッタ蒸
着法により蛍光物質保持板3に5μmの厚さに蒸着した
。蛍光物質保持板3には石英板を用い、その形状は第2
図(a) に示すドーナツ型で厚さ2.0mmのものを
使用した。以上の構造から成り立つ蛍光体層をX線源(
固定ターゲットPdL 4.4人)α から10cmの位置に配置し、そしてX線透過膜5との
ギャップを20cmとした。
なお、感光性材料7としては環化ゴム・ビスアジド系レ
ジスト(OMR−83:東京応化製)を用いた。このレ
ジストの処理法は、まずシリコン基板上にスピンナーに
より1μm厚さに塗布する。
ジスト(OMR−83:東京応化製)を用いた。このレ
ジストの処理法は、まずシリコン基板上にスピンナーに
より1μm厚さに塗布する。
その後、85℃で25分間のブリベータ後、この装置を
用いてX線露光を行なった。OMR−83のX線のみで
の感度は700IIIJ 7cm2であるが、本装置を
用いると200mJ 7cm2となり4倍の増感が得ら
れた。
用いてX線露光を行なった。OMR−83のX線のみで
の感度は700IIIJ 7cm2であるが、本装置を
用いると200mJ 7cm2となり4倍の増感が得ら
れた。
実施例2
開孔(スリット)蛍光物質保持板3の材質をパイレック
スガラスとし、その形状を第2図(b) とした。蛍光
物質2としてはBaSi、0. : Pbを用い、PV
AをバインダーとしてBa5i20a : Pb微粒子
を分散させた。蛍光物質保持板3にP’VA(ポリビニ
ルアルコール)中を分散するBaSi20. : Pb
微粒子からなる溶液を10μm厚さに塗布し、その後水
分を蒸発させるために 100℃で1時間乾燥器中に保
管して、できあがった蛍光層を実施例1と同様の位置に
セットした。
スガラスとし、その形状を第2図(b) とした。蛍光
物質2としてはBaSi、0. : Pbを用い、PV
AをバインダーとしてBa5i20a : Pb微粒子
を分散させた。蛍光物質保持板3にP’VA(ポリビニ
ルアルコール)中を分散するBaSi20. : Pb
微粒子からなる溶液を10μm厚さに塗布し、その後水
分を蒸発させるために 100℃で1時間乾燥器中に保
管して、できあがった蛍光層を実施例1と同様の位置に
セットした。
感光性材料7にはポリケイ皮酸系レジスト(TPRLO
I:東京応化製)を用いた。このレジストをシリコン基
板上にスピンナーにより1μm厚さに塗布した後、80
℃のブリベータを20分間行なった。その後、第1図の
装置に基づいて露光を開始したところ、3倍の増感かえ
られた。
I:東京応化製)を用いた。このレジストをシリコン基
板上にスピンナーにより1μm厚さに塗布した後、80
℃のブリベータを20分間行なった。その後、第1図の
装置に基づいて露光を開始したところ、3倍の増感かえ
られた。
Kλ璽旦
蛍光物質2と蛍光物質保持板3とを兼ね備えた材料とし
て、CaF2 : Euが挙げられる。CaF2: E
uを開孔板状に研摩加工し、ここでは第2図(a)のよ
うなドーナツ型の形状を選択して、厚さ1 mmのCa
F2 : Eu板を作った。この開孔を有する蛍光層を
第1図のように実施例1と同様の条件に従ってセットし
た。ここで使用した感光性材料7は環化ゴム・ビスアジ
ド系レジスト(OMR−85:東京応化製)を用いた。
て、CaF2 : Euが挙げられる。CaF2: E
uを開孔板状に研摩加工し、ここでは第2図(a)のよ
うなドーナツ型の形状を選択して、厚さ1 mmのCa
F2 : Eu板を作った。この開孔を有する蛍光層を
第1図のように実施例1と同様の条件に従ってセットし
た。ここで使用した感光性材料7は環化ゴム・ビスアジ
ド系レジスト(OMR−85:東京応化製)を用いた。
この処理法は実施例1のレジスト処理法と同様にした。
その処理後、本装置を用いて露光したが、X線源はRh
L 4.8人を使用α した。その結果、700mJ 7cm2である感度が1
70IIJ/cm2となり約4倍の増感が得られた。
L 4.8人を使用α した。その結果、700mJ 7cm2である感度が1
70IIJ/cm2となり約4倍の増感が得られた。
五」1吐A
開口板を、ポリマー高分子中に蛍光物質を分散させて作
成した。すなわち、アクリル樹脂の板状体の中に、キャ
スティング金型により第2図(d)のような形にYAU
Os 二Ceの微粒子を分散させて1mm厚に成形した
。この蛍光物質層を実施例1と同様の位置にセットし、
X線源をPdL 4.4人とα して感光性材料であるポリケイ皮酸系レジスト(KPR
:に□dak製)に照射したところ3倍の増感が得られ
た。
成した。すなわち、アクリル樹脂の板状体の中に、キャ
スティング金型により第2図(d)のような形にYAU
Os 二Ceの微粒子を分散させて1mm厚に成形した
。この蛍光物質層を実施例1と同様の位置にセットし、
X線源をPdL 4.4人とα して感光性材料であるポリケイ皮酸系レジスト(KPR
:に□dak製)に照射したところ3倍の増感が得られ
た。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明のX線リソグラフィ装置を
用いてリソグラフィを行なえば、補助照射線すなわち照
射エネルギーの一部として蛍光線を利用しているので、
単独にX線のみを照射して露光するよりも感光性物質の
実効感度を上げることが可能である。すなわち、蛍光線
とX線の両方によりて感光性物質を感光するので、実質
上の感光性物質の感度が向上し、良好なりソグラフィを
実施することができる。
用いてリソグラフィを行なえば、補助照射線すなわち照
射エネルギーの一部として蛍光線を利用しているので、
単独にX線のみを照射して露光するよりも感光性物質の
実効感度を上げることが可能である。すなわち、蛍光線
とX線の両方によりて感光性物質を感光するので、実質
上の感光性物質の感度が向上し、良好なりソグラフィを
実施することができる。
また、X線リソグラフィ上で大きな問題であるマスク材
保持薄膜のX線透過率の厳しい条件を緩和するりソグラ
フィを実施することができる。
保持薄膜のX線透過率の厳しい条件を緩和するりソグラ
フィを実施することができる。
さらに、本発明の特徴は不必要なX線成分を利用して蛍
光線を発せしめている点である。蛍光物質を発光させる
上で強度的に問題となるX線量を損なうことなく、実質
上のX線量を保持できることは大きなメリットとなる。
光線を発せしめている点である。蛍光物質を発光させる
上で強度的に問題となるX線量を損なうことなく、実質
上のX線量を保持できることは大きなメリットとなる。
また、従来の方式ではX線マスクホルダー等のパターン
形成域以外の場所にもX線が照射されるためにその部分
の温度の上昇や二次線の放出等がみられ、実際にリソグ
ラフィを行なうに当って悪影晋を及ぼしてきた。本発明
はこのような問題に対しても、蛍光体を配した開口板を
用いることによりX線を遮断(カット)し改善すること
ができる。
形成域以外の場所にもX線が照射されるためにその部分
の温度の上昇や二次線の放出等がみられ、実際にリソグ
ラフィを行なうに当って悪影晋を及ぼしてきた。本発明
はこのような問題に対しても、蛍光体を配した開口板を
用いることによりX線を遮断(カット)し改善すること
ができる。
蛍光物質の形状は蛍光物質とX線透過膜との間の適切な
ギャップにより蛍光線の均一化を計ることができるため
問題視されず、装置に見合ったものが選択できるという
メリットをもつ。
ギャップにより蛍光線の均一化を計ることができるため
問題視されず、装置に見合ったものが選択できるという
メリットをもつ。
以上のように本発明は従来法と比較して極めて優れたX
線リソグラフィ法と言える。
線リソグラフィ法と言える。
第1図は、本発明の一実施例に係るX線リソグラフィ装
置の模式図、 第2図は、蛍光物質保持板の主な形状を例として示した
図である。 1:X線源、 2:蛍光物質、 3:蛍光物質保持板、 4:マスク枠、 5:X線透過膜、 6:マスクパターン、 7;感光性物質、 8;ウェハ、 9:蛍光線。 特許出願人 キャノン株式会社 代理人 弁理士 伊 東 辰 雄 代理人 弁理士 伊 東 哲 也 (a) 第 (b) 2図
置の模式図、 第2図は、蛍光物質保持板の主な形状を例として示した
図である。 1:X線源、 2:蛍光物質、 3:蛍光物質保持板、 4:マスク枠、 5:X線透過膜、 6:マスクパターン、 7;感光性物質、 8;ウェハ、 9:蛍光線。 特許出願人 キャノン株式会社 代理人 弁理士 伊 東 辰 雄 代理人 弁理士 伊 東 哲 也 (a) 第 (b) 2図
Claims (1)
- 膜体上にパターン化されたX線吸収体を設けたマスクを
用いてX線で該パターンを投影するX線リソグラフィ装
置の、X線源とマスクとの間のX線作用域内に、蛍光体
を含む開口板を設けることを特徴とするX線リソグラフ
ィ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29504386A JPH0732115B2 (ja) | 1986-12-12 | 1986-12-12 | X線リソグラフイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29504386A JPH0732115B2 (ja) | 1986-12-12 | 1986-12-12 | X線リソグラフイ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63148626A true JPS63148626A (ja) | 1988-06-21 |
JPH0732115B2 JPH0732115B2 (ja) | 1995-04-10 |
Family
ID=17815581
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29504386A Expired - Fee Related JPH0732115B2 (ja) | 1986-12-12 | 1986-12-12 | X線リソグラフイ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0732115B2 (ja) |
-
1986
- 1986-12-12 JP JP29504386A patent/JPH0732115B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0732115B2 (ja) | 1995-04-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |