JPS63148419A - 高密度情報記録盤 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、光ディスク、ビデオディスク等の高密度情報
記録盤に関する。

従来技術 一般に、光ディスク等の高密度情報記録盤にあっては、
高密度であるが故に検索のためのへラドシーク時間の短
縮が大きな課題となっている。

ここに、このような高密度情報記録盤の一例として５例
えば光ディスク１は第２図のように構成されている。ま
ず、光ディスクｌは多数の同心円状又は１本のスパイラ
ル状に形成された案内溝２と、これらの案内溝２間に配
置される複数のセクタ部３とからなり、これらのセクタ
部３には同期パターン及び番地情報パターンによるイン
ジケータ部がビット４の形状として予め形成されている
。

そして、このようなビット４が形成された透明基板５と
そのパターン上に形成してなる記録層６との２層構造に
より光ディスク１が構成されている。

各セクタ部３においては、ビット４による番地情報パタ
ーンに続く部分がデータ領域部とされている。そして、
案内溝２間の間隔は約１．６μｍであり、セクタ部３の
情報の読取り又は書込みは透明基板５の裏面（記録層６
と反対面）側よりレンズ等により集光させたレーザ光ス
ポット７を案内溝２に照射することで、案内溝２に沿う
ように光ピツクアップのフォーカシング制御及びトラッ
キング制御しながら行なう。

ここに、案内溝２の深さはトラッキングエラー信号が最
大となる照射レーザ光の波長λの１／８・ｎ倍の値（但
し、ｎは透明基板５の屈折率）とし、セクタ部における
番地情報のビット４の深さはＲｆ傷信号最大となる照射
レーザ光の波長λの１／４・ｎの値が採用されている。

即ち、案内溝２の深さと番地情報等のインジケータ部の
ビット深さとの光学的位相差がλ／８、λ／４となるよ
うな値に設定することにより、案内溝２からはトラッキ
ングエラー信号の理論的最大値が得られ、セクタ部３の
インジケータ部からはＲｆ傷信号理論的変化の最大値が
トラッキングエラー信号に変化をもたらすことなく得ら
れるというものである。

ここに、このような案内溝２や番地情報ビット４を有す
る透明基板５の製法を考える。まず、通常はフォトレジ
ストを塗布したガラス基板にレーザ露光等によって予め
案内溝２と番地情報等のインジケータ部用のビット４と
を形成する。次に、このガラス基板上に導電性付与のた
めのニッケル膜をスパッタリングし、これをニッケル浴
から電鋳して逆型金型とする。そして、この逆型金型を
用いて射出成形又は２Ｐ法（フォトポリマー）等によっ
て大量に複製するようにしている。

このような製造プロセスによる場合、フォトレジストの
露光・現像や、転写・複製に際して、理論通りの理想的
なビット形状を得ることは困難であり、現実にはディス
ク半径方向及び回転方向の双方にエツジだれを生じたり
、微細形状に変形を生じたりする。この結果、案内溝２
をトラッキングしながらセクタ部３中のデータ領域部か
ら番地情報等のインジケータ部の読取りに移行する場合
において、番地情報のビット４の形状のエツジだれによ
り、光学的位相の深さが理想的なλ／４・ｎからずれた
値となる反射光が存在する。これが、トラッキングエラ
ー信号におけるオフセット電圧として現れる。又、イン
ジケータ部からデータ領域部に入る時にはこのオフセッ
ト電圧が消えるというトラッキングエラー信号の揺らぎ
が発生する。

このようなトラッキングエラー信号の揺らぎがトラッキ
ング特性を不安定にし、場合によってはトラッキング外
れを招来することともなる。

何れにしても、ヘッドシーク時間の増加は、番地読出し
誤りの一因となっているトラッキング外れを一因として
引き起こされる。

目的 本発明は、このような点に鑑みなされたもので、シーク
時間の増加を引き起こす番地情報読出しの誤りの一因と
なるトラッキング外れの問題を解消し、シーク時間の短
縮に寄与する高密度情報記録盤を得ることを目的とする
。

構成 本発明は、上記目的を達成するため、同心円状又はスパ
イラル状の案内溝と、これらの案内溝間に位置して予め
形成された同期パターン又は番地情報パターンによるイ
ンジケータ部とデータ領域部とによるセクタ部とを有し
、前記案内溝に沿って前記セクタ部の情報が読取られ又
は書込まれる高密度情報記録盤において、前記セクタ部
の前記インジケータ部の先頭位置又は最後部位置の少な
くとも一方にこのインジケータ部のパターンにより発生
するトラッキングエラー信号のオフセット電圧値の少な
くとも１／３以上であって２／３以下の電圧値を１０マ
イクロ秒以上継続させるビット形状の緩衝パターンを形
成したことを特徴とするものである。

以下、本発明の一実施例を第１図に基づいて説明する。

第２図で示した部分と同一部分は同一符号を用いて示す
。本実施例では、各セクタ部３中のインジケータ部８の
先頭位置、即ち前セクタ部３のデータ領域部９と該セク
タ部３のインジケータ部８中の同期パターン８ａとの間
に緩衝パターン１０をインジケータ部８と同様に予め形
成したものである。つまり、緩衝パターン１０を各セク
タ部３の先頭位置に形成するものである。ここに、これ
らの緩衝パターン１ｏも前記インジケータ部８における
同期パターン８ａや番地情報パターン８ｂと同様のビッ
ト形状によるものである。

ここで、このような緩衝パターン１０の製法について説
明する。概略的には、原盤製作時に一定線速かつ一定回
転数にて回転しているフォトレジスト塗布基板に対する
レーザ光露光電力を、トラッキングエラー信号のオフセ
ット電圧値に応じて変化させ、ビットの大きさ、深さな
いしはだれ形状を変えることにより、緩衝パターン１０
をインジケータ部８のパターン等とともに形成するもの
である。より具体的には、例えばレジスト塗布ガラス基
板をレーザ光によって露光する時に、インジケータ部８
のビット４形成用としてはレジスト面での露光電力が４
ｍＷ、案内溝３形成時にはレジスト面での露光電力が２
．５ｍＷとなるように設定される。これに対し、インジ
ケータ部８の先頭の緩衝パターン１０は、同期パターン
８ａのビット形成時と同じく周波数条件であってレジス
ト面での露光電力が半分、即ち２ｍＷとして露光するこ
とにより形成される。この緩衝パターン０の時間長さは
約１０μｓｅｃ程度とされる。

このような緩衝パターン１０を形成してなる光ディスク
１を用いることにより、前セクタ部３のデータ領域部９
から該セクタ部３のインジケータ部８に入る際に、この
インジケータ部８の読取り時に発生するトラッキングエ
ラー信号のオフセット電圧値の１／３なるオフセット電
圧値がこの緩衝パターン１０によって検出される。この
後、インジケータ部８の実際の読取りに移行することと
なるが、トラッキング外れを生ずるようなことがなくな
る。即ち、インジケータ部３の先頭位置に所定ビットに
よる緩衝パターン１０が存在することにより、前セクタ
部３のデータ領域部９と該セクタ部３のインジケータ部
３との間での急激な電圧変動が緩衝されることとなる。

よって、製造プロセス上の問題等によりインジケータ部
８のビット形状にエツジだれ等があったとしても、緩衝
パターン１０を経た後、スムーズにインジケータ部８の
読取りに移行することができ、トラッキング外れ等を防
止できるのである。この結果、番地読出しのエラーも減
少し、シーク時間の短縮化を図ることができ、かつ、デ
ータの書込み・読取りのエラーも低減するものとなる。

このような緩衝パターン１０は厳密な意味でインジケー
タ部８の同期パターン８ａの先頭位置に限定されるもの
ではなく、この同期パターン８ａ内の一部として含ませ
その先頭部に形成するものであってもよい。

又、該セクタ部３内においても、そのインジケータ部８
からデータ領域部９に入る際に急激な電圧変動を生じオ
フセット電圧が消滅するようなことがあると、トラッキ
ングエラー信号に揺らぎが生じ好ましくない。そこで、
このような位置、即ち該セクタ部３内においてインジケ
ータ部８の番地情報パターン８ｂの最後尾とデータ領域
部９の先頭との間に前述した緩衝パターン１０と全く同
一の緩衝パターン１１を形成しておくのがよい。

何れにしても、これらの緩衝パターン１０，１１のビッ
ト形状は、露光電力、露光ビーム形状、現像条件等によ
りその形状、大きさが各種異なることとなるが、要は、
インジケータ部８のパターンにより発生するトラッキン
グエラー信号のオフセット電圧値の少なくとも１／３以
上であって２／３息下の電圧値を１０マイクロ秒以上継
続させるビット形状とした場合には、トラッキング外れ
が発生しないことが確認されたものである。

効果 本発明は、上述したようにセクタ部におけるインジケー
タ部の先頭位置又は最後部位置に所定ビット形状の緩衝
パターンを形成し、インジケータ部・データ領域部間の
移行に際しての急激な電圧変動が緩衝パターンによって
緩和されることとなり、よって、番地読取り時のトラッ
キングエラー信号の揺らぎないしはトラッキング外れと
いった不都合を防止し、シーク時間の短縮化を図ること
ができるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す概略的平面図、第２図
は従来例を示す断面図である。 ２・・・案内溝、３・・・セクタ部、４・・・ビット、
８・・・インジケータ部、８ａ・・・同期パターン、８
ｂ・・・番地情報パターン、９・・・データ領域部、１
０．１１・・・緩衝パターン

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　同心円状又はスパイラル状の案内溝と、これらの案内
   溝間に位置して予め形成された同期パターン又は番地情
   報パターンによるインジケータ部とデータ領域部とによ
   るセクタ部とを有し、前記案内溝に沿つて前記セクタ部
   の情報が読取られ又は書込まれる高密度情報記録盤にお
   いて、前記セクタ部の前記インジケータ部の先頭位置又
   は最後部位置の少なくとも一方にこのインジケータ部の
   パターンにより発生するトラッキングエラー信号のオフ
   セット電圧値の少なくとも１／３以上であつて２／３以
   下の電圧値を１０マイクロ秒以上継続させるピット形状
   の緩衝パターンを形成したことを特徴とする高密度情報
   記録盤。