JPS63147112A - 光導波回路 - Google Patents
光導波回路Info
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- JPS63147112A JPS63147112A JP29456586A JP29456586A JPS63147112A JP S63147112 A JPS63147112 A JP S63147112A JP 29456586 A JP29456586 A JP 29456586A JP 29456586 A JP29456586 A JP 29456586A JP S63147112 A JPS63147112 A JP S63147112A
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- Japan
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- Pending
Links
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Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光導波回路中に複数本の導波路を近接並列し
て設ける場合に、これら導波路間での洩光によるクロス
トークを防止する技Ｙ’ｒ Ｋ Ｚする。
て設ける場合に、これら導波路間での洩光によるクロス
トークを防止する技Ｙ’ｒ Ｋ Ｚする。
一般に、１つの基板内に光導波回路を形成する場合、例
えばマツハツエンダ−干渉計光回路のように、複数本の
導波路を近接させて平方に走らせる回路パターンが多く
用いられる。
えばマツハツエンダ−干渉計光回路のように、複数本の
導波路を近接させて平方に走らせる回路パターンが多く
用いられる。
そして素子の縮小化、回路の高密度集積化の要請に伴な
って光導波路間の間隔をより小さくすることが強く望ま
れている。
って光導波路間の間隔をより小さくすることが強く望ま
れている。
一般に導波路からの洩光損失は皿の多少はあるにせよ避
は難いものであり、このような洩光は導波路間の間隔が
充分に大であれば基板内を通る間での吸収、散乱等によ
り減衰して隣接導波路への入光による影響が無視し得る
ものとなる。
は難いものであり、このような洩光は導波路間の間隔が
充分に大であれば基板内を通る間での吸収、散乱等によ
り減衰して隣接導波路への入光による影響が無視し得る
ものとなる。
しかしながら、導波路間の間隔が小さくなるについて、
隣接導波路からの洩光による影響が無視できないものと
なり、回路の動作特性、精度、信頼性等に悪影響を及ぼ
すという問題を生じる。
隣接導波路からの洩光による影響が無視できないものと
なり、回路の動作特性、精度、信頼性等に悪影響を及ぼ
すという問題を生じる。
共通の基板１で複数本の光導波路を近接して設けた先導
波回路において、前記導波路間領域に、これら導波路か
らの洩光を捕捉するための前記導波路よりも高屈折率の
ダミー路を設けた。
波回路において、前記導波路間領域に、これら導波路か
らの洩光を捕捉するための前記導波路よりも高屈折率の
ダミー路を設けた。
基板がＬｉＮｂＯ３結晶の場合であれば、結晶のＺ軸方
向を基板の厚み方向とし、導波路を周知のＴｉ拡散で形
成するとともに、導波路間の基板領域において、一定の
幅、厚み、長さにわたり結晶中のリチウム原子を水素原
子で置換することにより高屈折率化して上記のダミー路
を形成することができる。
向を基板の厚み方向とし、導波路を周知のＴｉ拡散で形
成するとともに、導波路間の基板領域において、一定の
幅、厚み、長さにわたり結晶中のリチウム原子を水素原
子で置換することにより高屈折率化して上記のダミー路
を形成することができる。
このようなＬｉＮｂＯ３結晶基板の特定領域のみに限定
した水素置換は、基板面をアルミニウム膜等の被膜で被
覆し、水素置換すべき箇所に開口を設け、この開口を通
して基板面にカルボン酸等の水素基を有する化合物溶液
を接触させ、例えば安息香酸を接触させ／ＳＱ″Ｃない
し２５０°Ｃの温度で数分ないし数時間加熱処理するこ
とにより実施できる。
した水素置換は、基板面をアルミニウム膜等の被膜で被
覆し、水素置換すべき箇所に開口を設け、この開口を通
して基板面にカルボン酸等の水素基を有する化合物溶液
を接触させ、例えば安息香酸を接触させ／ＳＱ″Ｃない
し２５０°Ｃの温度で数分ないし数時間加熱処理するこ
とにより実施できる。
そして上記の結晶Ｚ軸方向への水素置換により、ＬｉＮ
ｂＯ３基板結晶の屈折率は６３３ｎｍ波長光で約０．７
２前後増大し、この値はＴｉ拡散によるＬｉＮｂＯ３結
晶の屈折率増加量に比べて数倍大きい。
ｂＯ３基板結晶の屈折率は６３３ｎｍ波長光で約０．７
２前後増大し、この値はＴｉ拡散によるＬｉＮｂＯ３結
晶の屈折率増加量に比べて数倍大きい。
本発明の導波回路構造によれば、導波路内を伝搬する光
のうち境界面に全反射臨界角以上の角度で入射して導波
路外へ洩れ出た光はダミー路に入り、このダミー路は導
波路よりも高屈折率であるため上記の光もこのダミー路
内に大部分が閉じ込められ、隣接導波路への入射光景は
従来の回路に比べて減少する。
のうち境界面に全反射臨界角以上の角度で入射して導波
路外へ洩れ出た光はダミー路に入り、このダミー路は導
波路よりも高屈折率であるため上記の光もこのダミー路
内に大部分が閉じ込められ、隣接導波路への入射光景は
従来の回路に比べて減少する。
特にＬｉＮｂＯ３基板に適用した場合、結晶のＺ軸方向
への水素置換によってＴｉ拡散導波路に比べて極めて高
い屈折率のダミー路を形成でき、上記の洩光閉じ込め効
果が特に顕著である。
への水素置換によってＴｉ拡散導波路に比べて極めて高
い屈折率のダミー路を形成でき、上記の洩光閉じ込め効
果が特に顕著である。
以下本発明を図面に示した実施例に基づいて詳細に説明
する。
する。
第１図は本発明に係る光導波回路の断面図であり、第２
図は第１図の各部分に対応する屈折率分布（基板屈折率
との差）を示す図である。
図は第１図の各部分に対応する屈折率分布（基板屈折率
との差）を示す図である。
第１図で基板／はＬｉＮｂＯ２の結晶から成り、結晶の
Ｚ軸方向を基板の厚み方向とする結晶配向を選んで成形
されている。
Ｚ軸方向を基板の厚み方向とする結晶配向を選んで成形
されている。
この基板ｌには二本の光導波路２Ａ、２Ｂが基板中への
チタン（Ｔｉ）の拡散によって埋め込み形成してあり、
これら光導波路、ｉＡ、２Ｂは小間隔をおいて平行に配
置されている。そしてこれら光導波路ｊＡ、、２Ｂ間の
基板領域３にこれら導波路ｊＡ。
チタン（Ｔｉ）の拡散によって埋め込み形成してあり、
これら光導波路、ｉＡ、２Ｂは小間隔をおいて平行に配
置されている。そしてこれら光導波路ｊＡ、、２Ｂ間の
基板領域３にこれら導波路ｊＡ。
２Ｂよりも屈折率が充分に犬なダミー路ダが、基板結晶
中のリチウム（Ｌｉ）原子を水素原子で置換することに
よって形成しである。このダミー路ダは両側面と画先導
波路の側面との間に着量の空隙ｗ１．ｗ２をおき、且つ
深さ方向には、その底面が両導波路の底面と同等ないし
はそれよりも深い位置となるように設けている。
中のリチウム（Ｌｉ）原子を水素原子で置換することに
よって形成しである。このダミー路ダは両側面と画先導
波路の側面との間に着量の空隙ｗ１．ｗ２をおき、且つ
深さ方向には、その底面が両導波路の底面と同等ないし
はそれよりも深い位置となるように設けている。
なおダミー路弘の長手方向両端は、図示はしていないが
回路基板の端縁に臨ませてもよいし、あるいは端縁より
内側で終端としてもよい。
回路基板の端縁に臨ませてもよいし、あるいは端縁より
内側で終端としてもよい。
上記の導波回路において、第３図に示すように一方の光
導波路２Ａ内を伝搬する光線のうち、界面に全反射臨界
角以上の角度θ２で入射する光線乙は導波路−への側方
から洩出し、隣接導波路２Ｂに向う。
導波路２Ａ内を伝搬する光線のうち、界面に全反射臨界
角以上の角度θ２で入射する光線乙は導波路−への側方
から洩出し、隣接導波路２Ｂに向う。
しかるに両導波路２Ａ、ｊＢ間に高屈折率のダミー路ｔ
があるため、上記の洩出光６はこのダミー路グ内に入り
、上記角度θ２が該ダミー路ｑの界面の全反射臨界角以
内であればこの光６はダミー路≠を側方に透過すること
なく全反射を繰り返しながらダミー路グ内を進行する。
があるため、上記の洩出光６はこのダミー路グ内に入り
、上記角度θ２が該ダミー路ｑの界面の全反射臨界角以
内であればこの光６はダミー路≠を側方に透過すること
なく全反射を繰り返しながらダミー路グ内を進行する。
このようにして洩出光乙はダミー路ｌ内に閉じ込められ
、隣接導波路２Ｂ内への入射が防止される。
、隣接導波路２Ｂ内への入射が防止される。
〔発明の効果〕
本発明によれば近接して平行に走るＳ波路間で、洩光に
よる相互干渉が従来に比べ減少し、回路の動作特性、精
度、信顕性が向上する。
よる相互干渉が従来に比べ減少し、回路の動作特性、精
度、信顕性が向上する。
特にＬｉＮｂＯ３基板の場合であれば、水素置換によっ
てＴｉ拡散導波路に比べて極めて屈折率の大なダミー路
を形成でき、特に効果が顕著である。
てＴｉ拡散導波路に比べて極めて屈折率の大なダミー路
を形成でき、特に効果が顕著である。
さらに水素置換は結晶軸に沿って一方向に進野し、周辺
への拡散がほとんど生じないため置換領域の断ｍｊは、
はぼ四辺形となり、したがって極めて狭小な導波路間領
域にも高精度の側辺輪郭で設けることができる。
への拡散がほとんど生じないため置換領域の断ｍｊは、
はぼ四辺形となり、したがって極めて狭小な導波路間領
域にも高精度の側辺輪郭で設けることができる。
さらに、導波路自体を当初から超高屈折率化する場合に
比べ、本発明のダミー路は光７アイパとの結合効率を配
慮する必要がないため断面形状あるいは屈折率分布を接
続光ファイバに近似させる必要がなく作成も容易である
。
比べ、本発明のダミー路は光７アイパとの結合効率を配
慮する必要がないため断面形状あるいは屈折率分布を接
続光ファイバに近似させる必要がなく作成も容易である
。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図は第１
図における各部分の基板との屈折率差を示す図、第３図
は第１図の平面図である。 ／・・ 基 板 コＡ、！・・・・光導波路弘・・・・
ダミー路 特許出願人 日本板硝子株式会社 第１図 第２図 幅方向
図における各部分の基板との屈折率差を示す図、第３図
は第１図の平面図である。 ／・・ 基 板 コＡ、！・・・・光導波路弘・・・・
ダミー路 特許出願人 日本板硝子株式会社 第１図 第２図 幅方向
Claims (2)
- （１）共通の基板に複数本の光導波路を近接して設けた
光導波回路において、前記導波路間領域に、これら導波
路からの洩光を捕捉するための前記導波路よりも高屈折
率のダミー路を設けたことを特徴とする光導波回路。 - （２）特許請求の範囲第１項において、基板が結晶のＺ
軸方向を厚み方向とするＬｉＮｂＯ＿３結晶から成り、
且つ前記導波路をＴｉ拡散で、また前記ダミー路をＬｉ
の水素置換で形成した光導波回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29456586A JPS63147112A (ja) | 1986-12-10 | 1986-12-10 | 光導波回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29456586A JPS63147112A (ja) | 1986-12-10 | 1986-12-10 | 光導波回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63147112A true JPS63147112A (ja) | 1988-06-20 |
Family
ID=17809431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29456586A Pending JPS63147112A (ja) | 1986-12-10 | 1986-12-10 | 光導波回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63147112A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0883000A1 (en) * | 1997-06-02 | 1998-12-09 | Akzo Nobel N.V. | Optical planar waveguide structure comprising of a stray light capture region and method of manufacture of the same |
| US6304710B1 (en) | 1998-07-07 | 2001-10-16 | Bookham Technology Plc | Integrated optical device providing attenuation |
| JP2006139269A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-06-01 | Hitachi Chem Co Ltd | 光導波路を含む光システム及び光合分波器 |
| JP2006330315A (ja) * | 2005-05-26 | 2006-12-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光機器および光機器配線方法 |
| JP2014002218A (ja) * | 2012-06-15 | 2014-01-09 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 光導波路および電子機器 |
-
1986
- 1986-12-10 JP JP29456586A patent/JPS63147112A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0883000A1 (en) * | 1997-06-02 | 1998-12-09 | Akzo Nobel N.V. | Optical planar waveguide structure comprising of a stray light capture region and method of manufacture of the same |
| US6304710B1 (en) | 1998-07-07 | 2001-10-16 | Bookham Technology Plc | Integrated optical device providing attenuation |
| JP2006139269A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-06-01 | Hitachi Chem Co Ltd | 光導波路を含む光システム及び光合分波器 |
| JP2006330315A (ja) * | 2005-05-26 | 2006-12-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光機器および光機器配線方法 |
| JP4682698B2 (ja) * | 2005-05-26 | 2011-05-11 | 住友電気工業株式会社 | 光機器および光機器配線方法 |
| JP2014002218A (ja) * | 2012-06-15 | 2014-01-09 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 光導波路および電子機器 |
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