JPS63143259A - 合金薄膜作成装置 - Google Patents
合金薄膜作成装置Info
- Publication number
- JPS63143259A JPS63143259A JP29094286A JP29094286A JPS63143259A JP S63143259 A JPS63143259 A JP S63143259A JP 29094286 A JP29094286 A JP 29094286A JP 29094286 A JP29094286 A JP 29094286A JP S63143259 A JPS63143259 A JP S63143259A
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- Japan
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- ion gun
- film forming
- ions
- ion
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- Pending
Links
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、金属薄膜作成装置に間するものである。
金属薄膜を作成する装置には各種のものがあるが、その
うちイオンビームを用いるスパッタリング方式を第２図
に示す。
うちイオンビームを用いるスパッタリング方式を第２図
に示す。
同図で１はスパッタ室を示し、内部にはイオン銃２、タ
ーゲット３および試料４が取付けられている。
ーゲット３および試料４が取付けられている。
５はイオン銃２に導入されたＡｒ（アルゴン）ガス、６
はイオン銃２に設けられた電極の陽極を示し、正の高電
圧が印加される。７は陰極で、陽極６０両側に配置され
、接地電位の負電圧側に接続されている。８はイオンビ
ームを照射する照射口で、陰極７０片側の中心部に設け
られている。９は電子運動の軌跡を表わす曲線を示す。
はイオン銃２に設けられた電極の陽極を示し、正の高電
圧が印加される。７は陰極で、陽極６０両側に配置され
、接地電位の負電圧側に接続されている。８はイオンビ
ームを照射する照射口で、陰極７０片側の中心部に設け
られている。９は電子運動の軌跡を表わす曲線を示す。
図においてスパッタ室１は約１０−４Ｐａ （パスカル
）の真空状態よりＡｒガス６の導入に伴ない約１０４Ｐ
ａの真空に保たれる。
）の真空状態よりＡｒガス６の導入に伴ない約１０４Ｐ
ａの真空に保たれる。
ここで電極６および７に高電圧が印加されると電極６．
７０周辺で局部的グロー放１！を生じ、電子は曲線９に
示すような運動を行ないながらＡｒガスと衝突してこれ
をイオン化させる。
７０周辺で局部的グロー放１！を生じ、電子は曲線９に
示すような運動を行ないながらＡｒガスと衝突してこれ
をイオン化させる。
イオン化されたプラスのＡｒイオンは陰極７に向りて加
速され、その一部が照射口８を通過してターゲット３と
衝突する。このときターゲット３からは原子または分子
状態の微粒子が叩き出され、これらの微粒子が試料４に
飛着することによシ金属薄膜が得られるのである。
速され、その一部が照射口８を通過してターゲット３と
衝突する。このときターゲット３からは原子または分子
状態の微粒子が叩き出され、これらの微粒子が試料４に
飛着することによシ金属薄膜が得られるのである。
上述したように従来の合金薄膜作成装置では、イオンビ
ームを照射する照射口が一個所だけであるから、例えば
二種類のターゲラ）１−用い、それぞれに照射してそれ
ぞれの原子または分子を飛散させようとするような場合
は、イオン銃を二台用いるかまたはこの二種類のターゲ
ットの境界に目標を定めて照射しなければならず装置が
大型で複雑どなる。また二種類のターゲットに対してイ
オンビームが一つのため、イオンビームの出力およびス
ポット径をそれぞれのターゲットに対して最適の状態に
調整することができない不便があった。
ームを照射する照射口が一個所だけであるから、例えば
二種類のターゲラ）１−用い、それぞれに照射してそれ
ぞれの原子または分子を飛散させようとするような場合
は、イオン銃を二台用いるかまたはこの二種類のターゲ
ットの境界に目標を定めて照射しなければならず装置が
大型で複雑どなる。また二種類のターゲットに対してイ
オンビームが一つのため、イオンビームの出力およびス
ポット径をそれぞれのターゲットに対して最適の状態に
調整することができない不便があった。
本発明の目的は、コンパクトで高性能の合金薄膜作成装
置を提供することにある。
置を提供することにある。
本発明は、高真空のスパッタ室にイオン銃、ターゲット
および試料を配置し、前記イオン銃に高電圧を印加して
アルゴンガスをイオン化し、このイオンを前記ターゲッ
トに照射して金属微粒子を飛散させ、この飛散した金属
微粒子を前記試料に附着させて金属薄膜全作成する合金
薄膜作成装置において、前記イオン銃が中心陽極と、こ
の陽極を挾んで両側に設けられた円筒状の陰極とを備え
、二種類の独立したターゲットに個別にイオンを照射す
る一対のイオン照射口を有するととを特徴とし、；ンバ
クトで高性能の装置が得られるようにして目的の達成を
計ったものである。
および試料を配置し、前記イオン銃に高電圧を印加して
アルゴンガスをイオン化し、このイオンを前記ターゲッ
トに照射して金属微粒子を飛散させ、この飛散した金属
微粒子を前記試料に附着させて金属薄膜全作成する合金
薄膜作成装置において、前記イオン銃が中心陽極と、こ
の陽極を挾んで両側に設けられた円筒状の陰極とを備え
、二種類の独立したターゲットに個別にイオンを照射す
る一対のイオン照射口を有するととを特徴とし、；ンバ
クトで高性能の装置が得られるようにして目的の達成を
計ったものである。
本発明の合金薄膜作成装置では、一つのイオン銃を用い
て二つの方向にイオンが照射されるようにし、それぞれ
のイオンの照射方向には独立に二種類のターゲットを設
け、これら二つのターゲットから生ずる金属微粒子が試
料に附着するようにしであるので、コンパクトで高性能
の合金薄膜作成装置が得られる。
て二つの方向にイオンが照射されるようにし、それぞれ
のイオンの照射方向には独立に二種類のターゲットを設
け、これら二つのターゲットから生ずる金属微粒子が試
料に附着するようにしであるので、コンパクトで高性能
の合金薄膜作成装置が得られる。
以下、本発明の一実施例を図によシ説明する。
第１図は本発明の合金＊ｇ作成装置の一実施例の説明図
で、第２図と同一部分には同一符号が用いられている。
で、第２図と同一部分には同一符号が用いられている。
図において１０はイオン銃で、陰極７の両側の中心部に
二つのイオン照射口１１．１２が設けられている。１３
および１４はターゲットで、それぞれイオン銃１０の方
向に傾斜して配置されておシ、ターゲットエ３には照射
口１１よシイオンが照射され、ターゲット１４には照射
口１２よシイオンが照射される。１５は試料４を保持す
る試料台、１６は試料４に飛散する微粒子を開閉するシ
ャッタ、１７はイオン銃１０ｔ−冷却する水冷パイプで
ある。
二つのイオン照射口１１．１２が設けられている。１３
および１４はターゲットで、それぞれイオン銃１０の方
向に傾斜して配置されておシ、ターゲットエ３には照射
口１１よシイオンが照射され、ターゲット１４には照射
口１２よシイオンが照射される。１５は試料４を保持す
る試料台、１６は試料４に飛散する微粒子を開閉するシ
ャッタ、１７はイオン銃１０ｔ−冷却する水冷パイプで
ある。
この実施例の合金薄膜作成装置では、イオン銃１０にＡ
ｒガス５が導入され、スパッタ室工が１０゛１ＰａＯ高
真空状態に保たれ、電極６．７に高電圧ＨＶが与えられ
ると、電極６．７附近にグロー放電が生じＡｒガス５が
イオン化される。イオン化されたプラスのＡｒイオンは
陰極７の両側の方向に加速され、その一部が照射口１１
および１２よシ照射されてターゲットエ３および１４に
衝突する。ターゲラ）１３および１４からはそれぞれの
原子または分子が飛散し、これらの飛散した原子（分子
）が試料４に附着して合金薄膜が作成されることになる
。
ｒガス５が導入され、スパッタ室工が１０゛１ＰａＯ高
真空状態に保たれ、電極６．７に高電圧ＨＶが与えられ
ると、電極６．７附近にグロー放電が生じＡｒガス５が
イオン化される。イオン化されたプラスのＡｒイオンは
陰極７の両側の方向に加速され、その一部が照射口１１
および１２よシ照射されてターゲットエ３および１４に
衝突する。ターゲラ）１３および１４からはそれぞれの
原子または分子が飛散し、これらの飛散した原子（分子
）が試料４に附着して合金薄膜が作成されることになる
。
この場合シャッタ１６は通常は閉じているが装置が稼動
状態になシ試料台１５が回転すると自動的に開いて微粒
子を通過させ試料４に附着させる動作を行なう。
状態になシ試料台１５が回転すると自動的に開いて微粒
子を通過させ試料４に附着させる動作を行なう。
以上、本実施例を用いることによシ次のような効果が得
られる。
られる。
（１）イオン統一台で機能を倍加させることができるの
で、装置全体をコンパクトで高性能にすることができる
。
で、装置全体をコンパクトで高性能にすることができる
。
（２）一台のイオン銃で二種類のターゲットに照射する
ことができるから合金薄膜を効率よく作成することがで
きる。
ことができるから合金薄膜を効率よく作成することがで
きる。
（３）イオン銃の両側の照射口のサイズを任意に変える
ことによジターゲットに照射するパワーを個別に開被す
ることができる。
ことによジターゲットに照射するパワーを個別に開被す
ることができる。
本発明によれば、コンパクトで高性能の合金薄膜作成装
置を提供することができる。
置を提供することができる。
第１図は本発明の合金薄膜作成装置の一実施例の説明図
、第２図は従来例の説明図である。 １・・・スパッタ室、４・・・試料、５・・・アルゴン
ガス、６・・・陽極、７・・・陰極、１０・・・イオン
銃、１３．１４・・・ターゲット。 特許出願人の名称 日立工機株式会社ル１区 ＋３１４・ツ→”ット
、第２図は従来例の説明図である。 １・・・スパッタ室、４・・・試料、５・・・アルゴン
ガス、６・・・陽極、７・・・陰極、１０・・・イオン
銃、１３．１４・・・ターゲット。 特許出願人の名称 日立工機株式会社ル１区 ＋３１４・ツ→”ット
Claims (1)
- １、高真空のスパッタ室にイオン銃、ターゲットおよび
試料を配置し、前記イオン銃に高電圧を印加してアルゴ
ンガスをイオン化し、該イオンを前記ターゲットに照射
して金属微粒子を飛散させ、該飛散した金属微粒子を前
記試料に附着させて金属薄膜を作成する合金薄膜作成装
置において、前記イオン銃が中心陽極と、該陽極を挾ん
で両側に設けられた円筒状の陰極とを備え、二種類の独
立したターゲットに個別にイオンを照射する一対のイオ
ン照射口を有することを特徴とする合金薄膜作成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29094286A JPS63143259A (ja) | 1986-12-05 | 1986-12-05 | 合金薄膜作成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29094286A JPS63143259A (ja) | 1986-12-05 | 1986-12-05 | 合金薄膜作成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63143259A true JPS63143259A (ja) | 1988-06-15 |
Family
ID=17762485
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29094286A Pending JPS63143259A (ja) | 1986-12-05 | 1986-12-05 | 合金薄膜作成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63143259A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6353265A (ja) * | 1986-08-23 | 1988-03-07 | Nissin Electric Co Ltd | イオンビ−ムスパツタリング装置 |
-
1986
- 1986-12-05 JP JP29094286A patent/JPS63143259A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6353265A (ja) * | 1986-08-23 | 1988-03-07 | Nissin Electric Co Ltd | イオンビ−ムスパツタリング装置 |
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