JPS63130776A - Ｃｖｄ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ＣＶＤ装置、特に光を励起手段とするＣ、　
Ｖ　Ｄ装置に適用して有効な技術に関する。

〔従来の技術〕

たとえば、半導体装置を製造する際の薄膜形成技術の一
つに、いわゆるＣ　Ｖ　Ｄ　（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａ
ｐｏｒＤｅｐｏｓ　ｉｔ　１ｏｎ）法すなわち化学蒸着
法があり、この技術については、昭和６０年１１月２０
日、株式％式％ 冊、Ｐ５６に説明されている。

上記ＣＶＤ法には、反応ガスの励起を光で行う光ＣＶＤ
法がある。これは、たとえば紫外線（以下ＵＶともいう
）ランプを備えた反応室に反応ガスを導入し、上記ＵＶ
ランプを反応ガスに照射して反応を起こさせ、その反応
生成物を予め収容されている半導体ウェハの表面に被着
せしめ、被膜の形成を行うものである。

通常、上記ＵＶランプは、反応室との間に石英ガラス等
からなる窓を介して設置されている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところが、上記の如＜ＣＶＤ処理を行う場合、反応ガス
がアンモニア（ＮＨ３）とジシラン（Ｓｉ２　Ｈｅ　）
とである場合には、窒化ケイ素膜が上記半導体ウェハの
表面に被着されると同時に上記窓にも被着されることに
なる。したがって、上記窓における紫外線の透過率が次
第に低下していき、反応室における反応を励起すること
ができなくなるという問題がある。

本発明の目的は、ＣＶＤの被膜成分の被着に起因して励
起光の透過率が低下することを防止できる技術を提供す
ることにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。

〔問題点を解決するための手段〕

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。

すなわち、ＣＶＤ装置の反応室下方に液体を貯留し、該
液体中に光源を位置せしめるものである。

〔作用〕

上記した手段によれば、処理を行った結果、上記液体表
面に被膜成分の被着が起こった場合であっても、該液体
を循環させる等により上記被着成分を容易に除去するこ
とができるため、常に上記液体を清浄な状態におくこと
ができる。その結果、光の透過率の低下を防ぐことがで
き、上記目的を達成できるものである。

〔実施例〕

第１図は本発明による一実施例であるＣＶＤ装置を示す
概略説明図である。

本実施例のＣＶＤ装置は、箱形の容器ｌからなる。上記
容器１の内部には反応室２と、その上方に位置し、該反
応室２との間を石英ガラスからなる窓３で仕切られた部
屋４と、下方に位置する液体層５とが形成されている。

上記部屋４には、試料を加熱するための赤外線ランプ６
が収容されている。

また、上記反応室２には、上記窓３とほぼ平行に試料設
置板７が設けられており、該試料設置板７には所定部に
赤外線の照射ロアａが形成されている。そして、容器１
の左側壁には、上記反応室２へ反応ガスを供給するため
の給気管８が、右側壁には排気管９がそれぞれ設けられ
ている。

また、上記反応室２の下方に位置する容器１の底部には
極めて高沸点の飽和脂肪族炭化水素が貯留された上記液
体層５があり、該液体層５の中には紫外線ランプ１０が
位置されている。上記液体層５の左方（底部近傍）と右
方（液体表面近傍）に位置する容器１の壁面には互いに
連通ずる送液管１１が連結されており、該送液管１１の
途中にはフィルタ１２とポンプ１３とが介設されている
。

次に本実施例の作用について、窒化ケイ素膜の被着形成
を例にして説明する。

まず、上記試料設置板７の所定位置に半導体ウェハ１４
を取付ける。その際、上記半導体ウェハ１４の裏面で照
射ロアａを塞ぐようにする。

半導体ウェハ１４の設置が終わったところで、該ウェハ
１４を加熱するため赤外線ランプ６および反応を励起す
るための紫外線ランプ１０を作動させる。同時に、ポン
プ１３を作動させ、液体層５の液体を循環させる。

上記条件が整ったところで、給気管８よりアンモニア（
ＮＨ３）とジシラン（ＳｔｉＨｓ）との混合ガス（反応
ガス）を反応室２の中に供給し、排気成分を排気管９よ
り除去する。上記反応ガスの供給を所定時間継続するこ
とにより、上記半導４一 体ウェハ１４０表面に窒化ケイ素（Ｓ　ｉｓ　Ｈ４）膜
を被着形成することができるものである。

このように、本実施例においては次の効果が得られる。

（１）６反応室２の下方に液体層５の中に紫外線ランプ
１０を位置させることにより、処理時に被膜成分である
窒化ケイ素が上記液体層５０表面に付着した場合であっ
ても、該液体層５の液体をポンプ１３で循環せしめ、フ
ィルタ１２で上記窒化ケイ素を除去できるので、常時上
記液体層５を清浄な状態にしておくことができる。

（２）、上記（１）により、反応室２と紫外線ランプ１
０との間に窓が形成されている場合のように該窓に被膜
成分が次第に付着していき、紫外線の透過率が低下する
ことを防止できるので、ＣＶＤの連続処理が可能となる
。

（３）、上記（２）と同様の理由により、窓がある場合
に必要とされる該窓に付着した被膜成分を除去するクリ
ーニングが不要となるので、作業効率の向上が達成でき
る。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。

たとえば、液体層５を構成する液体は、前記実施例の飽
和脂肪族炭化水素に限るものでなく、処理時における蒸
気圧が十分に低く、かつ反応を励起するに必要な波長の
光を透過する性質を有する液体物質であれば、如何なる
ものであってもよい。

また、前記実施例では装置構造およびその形成材料等を
具体的に示したが、これに限るものでなく、所期の目的
を達成できるものであれば如何なる構造または材料等か
らなるものであってもよいことはいうまでもない。そし
て、被着形成する被膜も窒化ケイ素に限るものでなく、
二酸化ケイ素（Ｓ１０２）等の被膜形成であってもよい
ことは勿論である。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。

すなわち、反応室の下方に液体を貯留し、該液体中に光
源を位置せしめることにより、処理を行った結果、上記
液体表面に被膜成分の被着が起こっても、該液体を循環
させる等により上記被膜成分を容易に除去することがで
きるので、常に上記液体を清浄にしておくことができる
。したがって、反応室に照射する励起光の透過率が低下
することを防止できるので、特別にクリーニング工程を
設けることなく連続した処理を行うことができるもので
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による一実施例であるＣＶＤ装置を示す
概略説明図である。 １・・・容器、２・・・反応室、３・・・窓、４・・・
部屋、５・・・液体層、６・・・赤外線ランプ、７・・
・試料設置板、７ａ・・・赤外線照射口、８・・・給気
管、９・・・排気管、１０・・・紫外線ランプ、１１・
・・送液管、１２・・・フィルタ、１３・・・ポンプ、
１４・・・半導体ウェハ。 第　　１　　図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、反応室の下方に貯留された液体中に光励起手段が位
   置されてなるＣＶＤ装置。 ２、光励起手段が紫外線ランプであることを特徴とする
   特許請求の範囲第１項記載のＣＶＤ装置。 ３、上記液体が循環されていることを特徴とする特許請
   求の範囲第１項記載のＣＶＤ装置。 ４、上記液体が飽和脂肪族炭化水素であることを特徴と
   する特許請求の範囲第１項記載のＣＶＤ装置。