JPS61263213A - 処理装置 - Google Patents
処理装置Info
- Publication number
- JPS61263213A JPS61263213A JP10372085A JP10372085A JPS61263213A JP S61263213 A JPS61263213 A JP S61263213A JP 10372085 A JP10372085 A JP 10372085A JP 10372085 A JP10372085 A JP 10372085A JP S61263213 A JPS61263213 A JP S61263213A
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- Japan
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- light beam
- light
- reaction
- window
- processing
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は、処理技術、特に、光エネルギによって膜形成
反応を促進させる光ＣＶＤ技術に適用して有効な技術に
間する。
反応を促進させる光ＣＶＤ技術に適用して有効な技術に
間する。
［背景技術］
たとえば、半導体装置の製造においては、ウェハに所定
の薄膜を形成させるため、膜形成反応を光エネルギによ
って促進させる、いわゆる光ＣｖＤ装置が用いられる場
合がある。
の薄膜を形成させるため、膜形成反応を光エネルギによ
って促進させる、いわゆる光ＣｖＤ装置が用いられる場
合がある。
すなわち、処理室内に位置されるウェハに処理室の壁面
に設けられた透明な光透過窓を通じて所定の波長の光線
を照射し、処理室内に供給される反応ガスを光エネルギ
によって励起させ、ウェハの表面における膜形成反応を
促進させるものであしかしながら、上記のような光ＣＶ
Ｄ装置においては、膜形成反応の進行とともに、光線が
透過される光透過窓の内面側の反応ガスに接触される部
分にもウェハ上に形成される膜と同一の物質が析出され
て堆積され、光透過窓の透明度が低下してウェハに照射
される光線の透過量が減少される結果、ウェハ上におけ
る膜形成反応が不安定になり安定な膜形成処理ができな
いなどの欠点があることを本発明者は見いだした。
に設けられた透明な光透過窓を通じて所定の波長の光線
を照射し、処理室内に供給される反応ガスを光エネルギ
によって励起させ、ウェハの表面における膜形成反応を
促進させるものであしかしながら、上記のような光ＣＶ
Ｄ装置においては、膜形成反応の進行とともに、光線が
透過される光透過窓の内面側の反応ガスに接触される部
分にもウェハ上に形成される膜と同一の物質が析出され
て堆積され、光透過窓の透明度が低下してウェハに照射
される光線の透過量が減少される結果、ウェハ上におけ
る膜形成反応が不安定になり安定な膜形成処理ができな
いなどの欠点があることを本発明者は見いだした。
なお、光ＣＶＤ技術について説明されている文献として
は、株式会社工業調査会、昭和５７年１１月１５日発行
［電子材料Ｊ １９８３年１１月号別冊、Ｐ６１がある
。
は、株式会社工業調査会、昭和５７年１１月１５日発行
［電子材料Ｊ １９８３年１１月号別冊、Ｐ６１がある
。
［発明の目的］
本発明の目的は、処理を促進させる光線の照射量の変動
を防止して、良好な処理結果を得ることが可能な処理技
術を提供することにある。
を防止して、良好な処理結果を得ることが可能な処理技
術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
［発明の概要］
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、つぎの通りである。
を簡単に説明すれば、つぎの通りである。
すなわち、被処理物が位置される処理室に設けられ、被
処理物表面における膜形成反応を促進する第１の光線が
透過される光透過窓の内面側近傍に前記第１の光線と波
長の異なる第２の光線が照射され、前記処理室には前記
第１の光線に励起されて膜形成反応を行う第１の反応ガ
スと、前記第２の光線に励起され、前記第１の反応ガス
によって形成される物質に対してエツチング作用をなす
第２の反応ガスとが供給されるように構成することによ
り゛、被処理物の表面における膜形成反応の進行ととも
に光透過窓の内面近傍においてエツチング反応が進行さ
れるようにして、膜を形成する物質が、被処理物の表面
と同時に光透過窓内面にも堆積して光透過窓の透明度が
低下されることを回避し、被処理物表面における膜形成
反応が不安定になることを防止して良好な処理結果を得
るようにしたものである。
処理物表面における膜形成反応を促進する第１の光線が
透過される光透過窓の内面側近傍に前記第１の光線と波
長の異なる第２の光線が照射され、前記処理室には前記
第１の光線に励起されて膜形成反応を行う第１の反応ガ
スと、前記第２の光線に励起され、前記第１の反応ガス
によって形成される物質に対してエツチング作用をなす
第２の反応ガスとが供給されるように構成することによ
り゛、被処理物の表面における膜形成反応の進行ととも
に光透過窓の内面近傍においてエツチング反応が進行さ
れるようにして、膜を形成する物質が、被処理物の表面
と同時に光透過窓内面にも堆積して光透過窓の透明度が
低下されることを回避し、被処理物表面における膜形成
反応が不安定になることを防止して良好な処理結果を得
るようにしたものである。
［実ｉ例１］
第１図は、本発明の一実施例である光ＣＶＤ装置の略断
面図である。
面図である。
処理室１の内部には、ウェハ２（被処理物）が着脱自在
に水平に載置されるサセプタ３が設けられている。
に水平に載置されるサセプタ３が設けられている。
このサセプタ３の内部には、サセプタ３に載置されるウ
ェハ２を所定の温度に加熱するヒータ（図示せず）が設
けられている。
ェハ２を所定の温度に加熱するヒータ（図示せず）が設
けられている。
さらに、処理室ｌの上部には、たとえば石英などからな
る透明な光透過窓４が設けられており、処理室１の外部
に設けられた、たとえば低圧水銀ランプ５などの光源か
ら発生される所定の波長の処理光線６（第１の光線）が
透過され、処理室１の内部に位置されたウェハ２の表面
に照射されるように構成されている。
る透明な光透過窓４が設けられており、処理室１の外部
に設けられた、たとえば低圧水銀ランプ５などの光源か
ら発生される所定の波長の処理光線６（第１の光線）が
透過され、処理室１の内部に位置されたウェハ２の表面
に照射されるように構成されている。
そして、処理室１の底部に設けられた排気ノズルを通じ
て処理室１の内部は所定の真空度にされるように構成さ
れ、処理室１の側面に設けられた反応ガス供給ノズル８
を通じて供給され、前記処理光線６によって励起される
モノシラン（ＳｉＨ４）（第１の反応ガス）の分解反応
によって、ウェハ２の表面には多結晶シリコンなどから
なる薄膜が形成されるものである。
て処理室１の内部は所定の真空度にされるように構成さ
れ、処理室１の側面に設けられた反応ガス供給ノズル８
を通じて供給され、前記処理光線６によって励起される
モノシラン（ＳｉＨ４）（第１の反応ガス）の分解反応
によって、ウェハ２の表面には多結晶シリコンなどから
なる薄膜が形成されるものである。
この場合、処理室１の上部側面には、光透過窓９が設け
られ、処理室１の側方外部に設けられたレーザ光源１０
から放射される、前記処理光線６と異なる波長を有する
、たとえばエキシマレーザ１１（第２の光線）が処理室
１の内部に照射され、前記光透過窓４の内面近傍を通過
されるように構成されている。
られ、処理室１の側方外部に設けられたレーザ光源１０
から放射される、前記処理光線６と異なる波長を有する
、たとえばエキシマレーザ１１（第２の光線）が処理室
１の内部に照射され、前記光透過窓４の内面近傍を通過
されるように構成されている。
さらに、前記反応ガス供給ノズル８を通じて、モノシラ
ン（ＳｉＨａ）とともに塩素ガス（第２の反応ガス）が
処理室ｌの内部に供給され、処理室１の内部において光
透過窓４の内面部近傍を通過されるエキシマレーザ１１
の光路に位置される塩素ガスは、エキシマレーザ１１に
励起され、モノシラン（Ｓ ｉＨａ ）の分解反応によ
ってウェハ２の表面と同時に光透過窓４の内面のモノシ
ラン（ＳｉＨ４）に接触される部分に析出される多結晶
シリコンに対してエツチング作用が行われる構造とされ
ている。
ン（ＳｉＨａ）とともに塩素ガス（第２の反応ガス）が
処理室ｌの内部に供給され、処理室１の内部において光
透過窓４の内面部近傍を通過されるエキシマレーザ１１
の光路に位置される塩素ガスは、エキシマレーザ１１に
励起され、モノシラン（Ｓ ｉＨａ ）の分解反応によ
ってウェハ２の表面と同時に光透過窓４の内面のモノシ
ラン（ＳｉＨ４）に接触される部分に析出される多結晶
シリコンに対してエツチング作用が行われる構造とされ
ている。
以下、本実施例の作用について説明する。
はじめに、ウェハ２がサセプタ３に載置され、サセプタ
３に設けられたヒータによって所定の温度に加熱される
とともに、処理室ｌの底部に設けられた排気ノズル７を
通じて処理室１の内部は所定の真空度にされる。
３に設けられたヒータによって所定の温度に加熱される
とともに、処理室ｌの底部に設けられた排気ノズル７を
通じて処理室１の内部は所定の真空度にされる。
次に、反応ガス供給ノズル８を通じてモノシラン（Ｓｉ
Ｈ＝）および塩素ガスが所定の比率で混合された反応ガ
スが処理室１の内部に供給されるとともに、処理室１の
外部に設けられた低圧水銀ランプ５から発生される処理
光線６が処理室１の上部に設けられた光透過窓４を通じ
て処理室１の内部に位置されるウェハ２の表面に照射さ
れ、処理光線６によって励起されたモノシラン（ＳｉＨ
４）の分解反応によってウェハ２の表面には多結晶シリ
コンからなる薄膜が形成される。
Ｈ＝）および塩素ガスが所定の比率で混合された反応ガ
スが処理室１の内部に供給されるとともに、処理室１の
外部に設けられた低圧水銀ランプ５から発生される処理
光線６が処理室１の上部に設けられた光透過窓４を通じ
て処理室１の内部に位置されるウェハ２の表面に照射さ
れ、処理光線６によって励起されたモノシラン（ＳｉＨ
４）の分解反応によってウェハ２の表面には多結晶シリ
コンからなる薄膜が形成される。
この場合、処理光線６が透過される光透過窓４の内面部
は処理室１の内部に供給されるモノシラン（ＳｉＨ４）
に接触されるため、光透過窓４の内面部には多結晶シリ
コンが析出され、光透過窓４の透明度が低下されること
が考えられるが、本実施例においては、前記の処理光線
６のウェハ２に対する照射と同時に、光透過窓４の近傍
に設けられた他の光透過窓９を通じて、レーザ光源１０
から放射されるエキシマレーザ１１が光透過窓４の内面
近傍を通過するように照射され、光路の近傍に位置され
る塩素ガスが励起されて光透過窓４の内面部に析出され
る多結晶シリコンに対してエツチングが行われるように
構成されているため、光透過窓４の内面部においては、
モノシラン（ＳｉＨ，）からの多結晶シリコンの析出反
応と、析出されたシリコンに対するエツチング反応が同
時に競合して進行されることとなり、処理光線６が透過
される光透過窓４の内面部に多結晶シリコンなどが析出
して堆積されることが回避される。
は処理室１の内部に供給されるモノシラン（ＳｉＨ４）
に接触されるため、光透過窓４の内面部には多結晶シリ
コンが析出され、光透過窓４の透明度が低下されること
が考えられるが、本実施例においては、前記の処理光線
６のウェハ２に対する照射と同時に、光透過窓４の近傍
に設けられた他の光透過窓９を通じて、レーザ光源１０
から放射されるエキシマレーザ１１が光透過窓４の内面
近傍を通過するように照射され、光路の近傍に位置され
る塩素ガスが励起されて光透過窓４の内面部に析出され
る多結晶シリコンに対してエツチングが行われるように
構成されているため、光透過窓４の内面部においては、
モノシラン（ＳｉＨ，）からの多結晶シリコンの析出反
応と、析出されたシリコンに対するエツチング反応が同
時に競合して進行されることとなり、処理光線６が透過
される光透過窓４の内面部に多結晶シリコンなどが析出
して堆積されることが回避される。
この結果、多結晶シリコンなどの堆積に起因して処理光
Ｍ６が透過される光透過窓４の透明度が低下され、光透
過窓４における処理光線６の透過量が減少されることが
防止されるため、ウェハ２の表面には、所定の膜形成に
必要とされる量の処理光線６が安定に照射され、ウェハ
２の表面においては多結晶シリコンなどの膜形成反応が
安定に行われ、良好な膜形成処理結果が得られる。
Ｍ６が透過される光透過窓４の透明度が低下され、光透
過窓４における処理光線６の透過量が減少されることが
防止されるため、ウェハ２の表面には、所定の膜形成に
必要とされる量の処理光線６が安定に照射され、ウェハ
２の表面においては多結晶シリコンなどの膜形成反応が
安定に行われ、良好な膜形成処理結果が得られる。
［実施例２］
第２図は、本発明の他の実施例である光ＣＶＤ装置の略
断面図である。
断面図である。
本実施例２においては、処理光線６が透過される光透過
窓４およびこの光透過窓４の内面近傍を通過されるエキ
シマレーザ１１が透過される透過窓９が設けられる部分
が、処理室１から突出されるように設けられているとこ
ろが前記実施例１と異なり、作用および効果は前記実施
例１の場合と同様である。
窓４およびこの光透過窓４の内面近傍を通過されるエキ
シマレーザ１１が透過される透過窓９が設けられる部分
が、処理室１から突出されるように設けられているとこ
ろが前記実施例１と異なり、作用および効果は前記実施
例１の場合と同様である。
［効果］
（１）、被処理物が位置される処理室に設けられ、被処
理物表面における膜形成反応を促進する第１の光線が透
過される光透過窓の内面側近傍に前記第１の光線と波長
の異なる第２の光線が照射され、前記処理室には前記第
１の光線に励起されて膜形成反応を行う第１の反応ガス
と、前記第２の光線に励起され、前記第１の反応ガスに
よって形成される物質に対してエツチング作用をなす第
２の反応ガスとが供給されるように構成されているため
、被処理物の表面における膜形成反応の進行とともに光
透過窓の内面近傍においてはエツチング反応が進行され
、第１の光線に励起される第１の反応ガスから析出され
る物質が被処理物の表面と同時に、光透過窓内面に堆積
して光透過窓の透明度が低下されることが回避され、光
透過窓を透過する第１の光線の透過量が減少されること
が防止でき、第１の光線の照射によって促進される被処
理物表面における膜形成反応が不安定になることが防止
され良好な処理結果を得ることができる。
理物表面における膜形成反応を促進する第１の光線が透
過される光透過窓の内面側近傍に前記第１の光線と波長
の異なる第２の光線が照射され、前記処理室には前記第
１の光線に励起されて膜形成反応を行う第１の反応ガス
と、前記第２の光線に励起され、前記第１の反応ガスに
よって形成される物質に対してエツチング作用をなす第
２の反応ガスとが供給されるように構成されているため
、被処理物の表面における膜形成反応の進行とともに光
透過窓の内面近傍においてはエツチング反応が進行され
、第１の光線に励起される第１の反応ガスから析出され
る物質が被処理物の表面と同時に、光透過窓内面に堆積
して光透過窓の透明度が低下されることが回避され、光
透過窓を透過する第１の光線の透過量が減少されること
が防止でき、第１の光線の照射によって促進される被処
理物表面における膜形成反応が不安定になることが防止
され良好な処理結果を得ることができる。
（２）、前記ｉｌｌの結果、光透過窓の交換や洗浄など
の保守管理が軽減され、処理装置の稼働率稼働率が向上
される。
の保守管理が軽減され、処理装置の稼働率稼働率が向上
される。
（３）、前記（１１の結果、ウェハ表面に、たとえば多
結晶シリコンからなる薄膜が均一に形成され、半導体装
置の製造における歩留りが向上される。
結晶シリコンからなる薄膜が均一に形成され、半導体装
置の製造における歩留りが向上される。
（４）、前記（１）〜（３）の結果、半導体装置の製造
における生産性が向上される。
における生産性が向上される。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、反応ガスおよび反応ガスを励起させる光線の
組合せは、３以上であっても良い。
組合せは、３以上であっても良い。
［利用分野］
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である光ＣＶＤ技術に適用
した場合について説明したが、それに限定されるもので
はなく、光線の照射によって反応ガスを励起させて所定
の物質を析出させる技術に広（適用できる。
をその背景となった利用分野である光ＣＶＤ技術に適用
した場合について説明したが、それに限定されるもので
はなく、光線の照射によって反応ガスを励起させて所定
の物質を析出させる技術に広（適用できる。
第１図は、本発明の一実施例である光ＣＶＤ装置の略断
面図、 第２図は、本発明の他の実施例である光ＣＶＤ装置の略
断面図である。 １・・・処理室、２・・・ウェハ（被処理物）、３・・
・サセプタ、４・・・光透過窓、５・・・低圧水銀ラン
プ、６・・・処理光線（第１の光線）、７・・・排気ノ
ズル、８・・・反応ガス供給ノズル、９・・・光透過窓
、１ｏ・・・レーザ源、１１・・・エキシマレーザ（第
２の光線）。
面図、 第２図は、本発明の他の実施例である光ＣＶＤ装置の略
断面図である。 １・・・処理室、２・・・ウェハ（被処理物）、３・・
・サセプタ、４・・・光透過窓、５・・・低圧水銀ラン
プ、６・・・処理光線（第１の光線）、７・・・排気ノ
ズル、８・・・反応ガス供給ノズル、９・・・光透過窓
、１ｏ・・・レーザ源、１１・・・エキシマレーザ（第
２の光線）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、被処理物に照射される第１の光線の光エネルギによ
って反応ガスを励起させ、被処理物の表面における所定
の物質からなる膜形成反応を促進させる処理装置であっ
て、前記被処理物が位置される処理室に設けられ、前記
第１の光線が透過される光透過窓の内面側近傍に前記第
１の光線と波長の異なる第２の光線が照射され、前記処
理室には前記第１の光線に励起されて膜形成反応を行う
第１の反応ガスと、前記第２の光線に励起され、前記第
１の反応ガスによって形成される物質に対してエッチン
グ作用をなす第２の反応ガスとが供給されるように構成
されてなることを特徴とする処理装置。 ２、前記第１の光線が低圧水銀ランプより得られる光線
であり、前記第２の光線がエキシマレーザであることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の処理装置。 ３、前記第１の反応ガスがモノシランであり、前記第２
の反応ガスが塩素ガスであることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の処理装置。 ４、前記処理装置が光ＣＶＤ装置であることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10372085A JPS61263213A (ja) | 1985-05-17 | 1985-05-17 | 処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10372085A JPS61263213A (ja) | 1985-05-17 | 1985-05-17 | 処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61263213A true JPS61263213A (ja) | 1986-11-21 |
Family
ID=14361521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10372085A Pending JPS61263213A (ja) | 1985-05-17 | 1985-05-17 | 処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61263213A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5368647A (en) * | 1991-06-26 | 1994-11-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Photo-excited processing apparatus for manufacturing a semiconductor device that uses a cylindrical reflecting surface |
-
1985
- 1985-05-17 JP JP10372085A patent/JPS61263213A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5368647A (en) * | 1991-06-26 | 1994-11-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Photo-excited processing apparatus for manufacturing a semiconductor device that uses a cylindrical reflecting surface |
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