JPS6313004A - 偏波性光導波素子 - Google Patents
偏波性光導波素子Info
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- JPS6313004A JPS6313004A JP15701786A JP15701786A JPS6313004A JP S6313004 A JPS6313004 A JP S6313004A JP 15701786 A JP15701786 A JP 15701786A JP 15701786 A JP15701786 A JP 15701786A JP S6313004 A JPS6313004 A JP S6313004A
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Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
r産業上の利用分野J
本発明は光通信、光学機器等の分野において、光分岐器
、光偏波器、フィルタ、光スィッチなど′ の光回
路部品として適用することのできる偏波性先導波素子に
関する。
、光偏波器、フィルタ、光スィッチなど′ の光回
路部品として適用することのできる偏波性先導波素子に
関する。
r従来の技術J
一般に、光回路部品用の光導波素子を製造するとき、ガ
ラス、石英、半導体などの材料からなる基板上に、液相
化学反応法、気相化学反応法、あるいは物理的なデポジ
ション手段により、薄膜または厚膜からなるスラブ状導
波路を形成し、必要に応じてリングラフィなどの技術で
二次元パターンを作製している。
ラス、石英、半導体などの材料からなる基板上に、液相
化学反応法、気相化学反応法、あるいは物理的なデポジ
ション手段により、薄膜または厚膜からなるスラブ状導
波路を形成し、必要に応じてリングラフィなどの技術で
二次元パターンを作製している。
その他、基板上にドープ材を付着させてパターンを作製
し、熱拡散する方法とか、不要部分をマスクしてイオン
交換によりパターンを作製する方法なども併用されてい
る。
し、熱拡散する方法とか、不要部分をマスクしてイオン
交換によりパターンを作製する方法なども併用されてい
る。
r発明が解決しようとする問題点J
上述した従来例の場合、高価な基板を用いること、導波
膜の成長速度が遅いこと、製造設備が複雑高価であるこ
となどに起因し、得られる光導波素子が必然的にコスト
高となる。
膜の成長速度が遅いこと、製造設備が複雑高価であるこ
となどに起因し、得られる光導波素子が必然的にコスト
高となる。
一方、従来例の光導波素子を特性上から検討した場合、
基板に平行な偏光(TEモード)も、基板に垂直な偏光
(7Mモード)も、伝送損失に大きな差がないので、偏
光モードが規制しがたい欠点がある。
基板に平行な偏光(TEモード)も、基板に垂直な偏光
(7Mモード)も、伝送損失に大きな差がないので、偏
光モードが規制しがたい欠点がある。
本発明は上記の問題点に鑑み、低コスト、高速製造、明
確な偏波性等を満足させることのできる光導波素子を提
供しようとするものである。
確な偏波性等を満足させることのできる光導波素子を提
供しようとするものである。
「問題点を解決するための手段】
本発明に係る偏波性光導波素子は、所期の目的を達成す
るため、アルミニウム酸の基板上に形成された先導波路
が透明な多孔質酸化膜からなり、当該多孔質酸化膜が、
その膜面と直交する多数の細孔を有することをことを特
徴とする。
るため、アルミニウム酸の基板上に形成された先導波路
が透明な多孔質酸化膜からなり、当該多孔質酸化膜が、
その膜面と直交する多数の細孔を有することをことを特
徴とする。
1作用】
本発明の偏波性光導波素子は、アルミニウム酸の基板上
に形成された光導波路が透明な多孔質酸化膜からなるが
、かかる多孔質酸化膜は、陽極酸化法による電気的/化
学的手段を介し、安価なアルミニウム基板上に成長させ
ることにより高速成膜でき、その先導波路形状もマスキ
ング手段により簡易に任意のものが得られるから、低コ
スト、高速製造を満足させることができ、偏波性も良好
である。
に形成された光導波路が透明な多孔質酸化膜からなるが
、かかる多孔質酸化膜は、陽極酸化法による電気的/化
学的手段を介し、安価なアルミニウム基板上に成長させ
ることにより高速成膜でき、その先導波路形状もマスキ
ング手段により簡易に任意のものが得られるから、低コ
スト、高速製造を満足させることができ、偏波性も良好
である。
T実 施 例」
以下、本発明に係る偏波性先導波素子の実施例につき、
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
第1図、第2図において、10はアルミニウム酸の基板
、20は基板10の表面に陽極酸化法とパターンニング
手段とを介して形成された直線型の光導波路20であり
、この光導波路20は透明な多孔質酸化膜30からなる
。
、20は基板10の表面に陽極酸化法とパターンニング
手段とを介して形成された直線型の光導波路20であり
、この光導波路20は透明な多孔質酸化膜30からなる
。
多孔質酸化膜30は、第2図のごとく、上位の多孔質層
31と下位のバリア層32とからなり、その多孔質R3
1は、細孔33を有する六角柱状の各セル34が面状に
連続した構造となっている。
31と下位のバリア層32とからなり、その多孔質R3
1は、細孔33を有する六角柱状の各セル34が面状に
連続した構造となっている。
多孔質醸化膜30からなる光導波路20の形状としては
、第3図のごときY型、その他任意のパターンが採用で
きる。
、第3図のごときY型、その他任意のパターンが採用で
きる。
光導波路20を構成している多孔質酸化膜30の細孔3
3は、第2図に略示するごとく、必要に応じ封孔される
が、この際の封孔材40としては、金属、染料、誘電体
など、任意のものが光導波路20の特性に応じて採用さ
れる。
3は、第2図に略示するごとく、必要に応じ封孔される
が、この際の封孔材40としては、金属、染料、誘電体
など、任意のものが光導波路20の特性に応じて採用さ
れる。
上述した実施例におけるスラブ状の偏波性先導波素子は
、第1図、第3図のごとく、光導波路20を介して光を
伝送することができる。
、第1図、第3図のごとく、光導波路20を介して光を
伝送することができる。
この際1多孔質酸化膜30に対して平行に偏光された光
RHは低損失となるが、多孔質酸化膜30に対して垂直
に偏光された光RVには、大きな減衰を与える。
RHは低損失となるが、多孔質酸化膜30に対して垂直
に偏光された光RVには、大きな減衰を与える。
つぎに、本発明偏波性光導波素子を製造する際の具体例
について説明する。
について説明する。
具体例1
アルミニウム酸の基板10として、純度99.99%、
focrA角のAl板を電解研磨した後、これをエチル
アルコールで洗浄し乾燥したものを用いた。
focrA角のAl板を電解研磨した後、これをエチル
アルコールで洗浄し乾燥したものを用いた。
その表面は完全な鏡面様を呈している。
つぎに、上記基板lOに形成された多孔質酸化膜30の
表面に、耐酸性のレジストをY型、X型、直線型など、
任意形状に塗布して、光導波路20のパターンニングを
行なった。
表面に、耐酸性のレジストをY型、X型、直線型など、
任意形状に塗布して、光導波路20のパターンニングを
行なった。
しかる後、上記基板10を陽極とし、アルミニウム平板
を陰極とする陽極酸化法を、浴温22℃の15$H2S
Oa浴中において下記■■の条件で実施した。
を陰極とする陽極酸化法を、浴温22℃の15$H2S
Oa浴中において下記■■の条件で実施した。
■の場合
陽極電流密度:10mA/cm2 、処理時間=120
分。
分。
この条件により膜厚的35pmの多孔質酸化膜30が得
られた。
られた。
■の場合
陽極電流密度:40mA/cm2 、処理時間二80分
。
。
この条件により膜厚約70弘層の多孔質酸化膜30が得
られた。
られた。
これら多孔質酸化膜30は、いずれも前記第2図に述べ
た通りの細孔33を多数有し、上記レジスト除去後、多
孔質酸化膜30からなる光導波路20に、水平成分、垂
直成分の偏光を通したところ、水平成分のみをよく通過
させる偏波特性を示した。
た通りの細孔33を多数有し、上記レジスト除去後、多
孔質酸化膜30からなる光導波路20に、水平成分、垂
直成分の偏光を通したところ、水平成分のみをよく通過
させる偏波特性を示した。
これにより、比較的短時間で光導波路として十分な厚さ
と良好な偏波特性とを確保できることが確認された。
と良好な偏波特性とを確保できることが確認された。
なお、先導波路20を構成している多孔質酸化膜30の
細孔33を、必要に応じて封孔するとき、バトリ氏浴に
よるニッケル封孔例では、上記基板10、ニッケル板を
電極とする金属封孔法を実施すればよく、その例として
は、沸凰水による水和処理も採用できる。
細孔33を、必要に応じて封孔するとき、バトリ氏浴に
よるニッケル封孔例では、上記基板10、ニッケル板を
電極とする金属封孔法を実施すればよく、その例として
は、沸凰水による水和処理も採用できる。
前者の場合は、硫酸ニッケル100g/4とホウ酸50
g/lとの混合浴(浴温40〜45℃)中において印加
電圧(交流):10V 、処理時間5分の条件で実施し
て多孔質酸化膜30をニッケルにより封孔できる。
g/lとの混合浴(浴温40〜45℃)中において印加
電圧(交流):10V 、処理時間5分の条件で実施し
て多孔質酸化膜30をニッケルにより封孔できる。
具体例2
具体例1と同様のアルミニウム基板10を用い、これを
パターンニングすることなく、具体例1と同様の陽極酸
化法を実施したところ、前記と同じ膜厚の多孔質酸化膜
30が基板10の上側表面に形成された。
パターンニングすることなく、具体例1と同様の陽極酸
化法を実施したところ、前記と同じ膜厚の多孔質酸化膜
30が基板10の上側表面に形成された。
つぎに、上記基板10上に形成された多孔質酸化膜30
の表面に、耐酸性のレジストを前記と反転させて塗布す
ることにより、光導波路20のパターンニングを行ない
、その後、当該基板10をエツチング液中に浸漬し、レ
ジストで覆われていない部分の多孔質酸化膜30をエツ
チング除去したところ、所定のパターンを有する光導波
路20が得られた。
の表面に、耐酸性のレジストを前記と反転させて塗布す
ることにより、光導波路20のパターンニングを行ない
、その後、当該基板10をエツチング液中に浸漬し、レ
ジストで覆われていない部分の多孔質酸化膜30をエツ
チング除去したところ、所定のパターンを有する光導波
路20が得られた。
具体例2により得られた偏波性光導波素子も、生産性、
偏波特性が良好である。
偏波特性が良好である。
具体例2の場合も、その後、光導波路20を構成してい
る多孔質酸化膜30の細孔33を前述した手段で封孔し
てよい。
る多孔質酸化膜30の細孔33を前述した手段で封孔し
てよい。
r発明の効果J
以上説明した通り、本発明に係る偏波性光導波素子は、
アルミニウム製の基板上に形成された光導波路が、透明
な多孔質酸化膜、しかも、その膜面と直交する多数の細
孔を有する多孔質酸化膜からなるので、安価な材料と簡
易な製作手段とを介して偏波性の良好なものを構成する
ことができ、したがって、その素子の品質、価格、製作
易度等を満足させることができる。
アルミニウム製の基板上に形成された光導波路が、透明
な多孔質酸化膜、しかも、その膜面と直交する多数の細
孔を有する多孔質酸化膜からなるので、安価な材料と簡
易な製作手段とを介して偏波性の良好なものを構成する
ことができ、したがって、その素子の品質、価格、製作
易度等を満足させることができる。
第1図は本発明に係る偏波性光導波素子の一実施例を略
示した斜視図、第2図はその偏波性光導波素子の要部拡
大図、第3図は本発明偏波性光導波素子の他実施例を略
示した斜視図である。 10・・・・・・基板 20・・・・・・光導波路 30・・・・・・多孔質酸化膜 31・・・・・・多孔質層 32・・・・・・バリア層 33・・・・・・細孔 34・・・・・・セル 40・・・・・・封孔材 代理人 弁理士 斎 藤 義 雄 第3図 鱈 第2図 第1図
示した斜視図、第2図はその偏波性光導波素子の要部拡
大図、第3図は本発明偏波性光導波素子の他実施例を略
示した斜視図である。 10・・・・・・基板 20・・・・・・光導波路 30・・・・・・多孔質酸化膜 31・・・・・・多孔質層 32・・・・・・バリア層 33・・・・・・細孔 34・・・・・・セル 40・・・・・・封孔材 代理人 弁理士 斎 藤 義 雄 第3図 鱈 第2図 第1図
Claims (3)
- (1)アルミニウム製の基板上に形成された光導波路が
透明な多孔質酸化膜からなり、当該多孔質酸化膜が、そ
の膜面と直交する多数の細孔を有することをことを特徴
とする偏波性光導波素子。 - (2)多孔質酸化膜の細孔が封孔されている特許請求の
範囲第1項記載の偏波性光導波素子。 - (3)封孔材が金属、誘電体のいずれかからなる特許請
求の範囲第2項記載の偏波性光導波素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61157017A JP2569313B2 (ja) | 1986-07-03 | 1986-07-03 | 偏波性光導波素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61157017A JP2569313B2 (ja) | 1986-07-03 | 1986-07-03 | 偏波性光導波素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6313004A true JPS6313004A (ja) | 1988-01-20 |
JP2569313B2 JP2569313B2 (ja) | 1997-01-08 |
Family
ID=15640360
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61157017A Expired - Lifetime JP2569313B2 (ja) | 1986-07-03 | 1986-07-03 | 偏波性光導波素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2569313B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03114108U (ja) * | 1990-03-12 | 1991-11-22 | ||
US8312963B2 (en) | 2008-02-14 | 2012-11-20 | Nagoya Oilchemical Co., Ltd | Sound absorbing skin material and sound absorbing material utilizing the same |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54104463A (en) * | 1978-02-06 | 1979-08-16 | Ricoh Co Ltd | Surface treating method for aluminum |
JPS575077A (en) * | 1980-06-13 | 1982-01-11 | Asahi Glass Co Ltd | Liquid crystal display element |
JPS5972663A (ja) * | 1982-10-19 | 1984-04-24 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 光磁気記録媒体 |
JPS60168121A (ja) * | 1984-02-13 | 1985-08-31 | Nec Corp | カラ−マトリツクス液晶表示装置 |
JPS60182689A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-18 | 日本メクトロン株式会社 | 固体蛍光素子の製造法 |
JPS6188493A (ja) * | 1984-09-25 | 1986-05-06 | 日本メクトロン株式会社 | 発光体の製造法 |
-
1986
- 1986-07-03 JP JP61157017A patent/JP2569313B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54104463A (en) * | 1978-02-06 | 1979-08-16 | Ricoh Co Ltd | Surface treating method for aluminum |
JPS575077A (en) * | 1980-06-13 | 1982-01-11 | Asahi Glass Co Ltd | Liquid crystal display element |
JPS5972663A (ja) * | 1982-10-19 | 1984-04-24 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 光磁気記録媒体 |
JPS60168121A (ja) * | 1984-02-13 | 1985-08-31 | Nec Corp | カラ−マトリツクス液晶表示装置 |
JPS60182689A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-18 | 日本メクトロン株式会社 | 固体蛍光素子の製造法 |
JPS6188493A (ja) * | 1984-09-25 | 1986-05-06 | 日本メクトロン株式会社 | 発光体の製造法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03114108U (ja) * | 1990-03-12 | 1991-11-22 | ||
US8312963B2 (en) | 2008-02-14 | 2012-11-20 | Nagoya Oilchemical Co., Ltd | Sound absorbing skin material and sound absorbing material utilizing the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2569313B2 (ja) | 1997-01-08 |
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