JPS63128348A - Mask correcting method - Google Patents
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Classifications
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- G—PHYSICS
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はマスク修正技術、特に半導体装置の製造工程で
使用されるマスクのパターン修正に適用して有効な技術
に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a mask modification technique, and particularly to a technique that is effective when applied to pattern modification of a mask used in the manufacturing process of a semiconductor device.
マスクのパターン修正に適用して有効な技術としては、
特開昭５７−１１８２４７号公報を例示することができ
る。Techniques that are effective when applied to mask pattern correction include:
JP-A-57-118247 can be cited as an example.
ところで、半導体装置の製造工程においては、種々のマ
スクを用いたりソグラフィ技術により、シリコン単結晶
などからなる半導体ウェハ上に微細な回路素子や配線な
どのパターン転写を行うため、このマスクにおけるパタ
ーンの精度が半導体装置の良否に大きな影響を及ぼすこ
とになる。By the way, in the manufacturing process of semiconductor devices, patterns such as minute circuit elements and wiring are transferred onto semiconductor wafers made of silicon single crystal using various masks or lithography techniques, so the precision of the patterns in these masks is important. This has a great influence on the quality of the semiconductor device.
上記マスクは、通常、石英ガラスなどからなる透明基板
上にクロムなどの遮光性物質を被着し、電子ビーム描画
法やエツチングなどによって所定のパターンを形成する
ことにより製造される。The above-mentioned mask is usually manufactured by depositing a light-shielding substance such as chromium on a transparent substrate made of quartz glass or the like, and forming a predetermined pattern by electron beam lithography, etching, or the like.
ところが、このようにして形成されたパターンには、そ
の一部に欠けやピンホールなどの欠陥部が生じることが
ある。また、上記クロムなどのパターン構成物質は、石
英ガラスに対してさほど強固な密着力を有してはいない
ため、マスクの使用中にパターンの一部に同様の欠陥部
が生じることもある。However, a pattern formed in this manner may have defects such as a chip or a pinhole in a portion thereof. Furthermore, since the pattern-constituting material such as chromium does not have very strong adhesion to quartz glass, similar defects may occur in a part of the pattern during use of the mask.
そこで、このような欠陥部を修正する方法として、欠陥
個所にホトレジストを塗布して再度露光を行った後、ク
ロムなどをスパッタリングするりフトオフ法、熱やレー
ザーを用いたＣＶＤ法あるいは収束イオンビーム法など
が採用されている。Therefore, methods for repairing such defects include applying photoresist to the defective area, exposing it again, and then sputtering chromium or the like, a lift-off method, a CVD method using heat or laser, or a focused ion beam method. etc. are being adopted.
例えば、前記特開昭５７−１１８２４７号公報に開示さ
れた修正方法は、クロムからなるパターン上に銀−チタ
ン含有錯体層を塗布形成し、その上方から欠陥部にレー
ザーを照射して錯体構成金属（銀−チタン）を析出させ
ることにより、欠けやピンホールを塞ぐというものであ
る。For example, the repair method disclosed in JP-A No. 57-118247 involves coating and forming a silver-titanium-containing complex layer on a pattern made of chromium, and irradiating the defective part with a laser from above to form a layer of the complex-constituting metal. By depositing (silver-titanium), chips and pinholes are filled.
ところが本発明者は、上述した従来の修正方法には下記
のような問題のあることを見出した。However, the present inventor found that the conventional correction method described above has the following problems.
すなわちこれらの修正方法は、いずれも欠陥部以外の個
所をホトレジストなどでマスクした後、欠陥部にクロム
などのパターン構成物質を被着ささせる方法であるため
、修正作業に熟練を要し、しかも長時間を要するという
問題がある。In other words, all of these repair methods involve masking areas other than the defective part with photoresist or the like, and then depositing a pattern-constituting material such as chromium on the defective part, which requires skill and skill in the repair work. There is a problem that it takes a long time.
また、ホトレジスト塗布によってマスク表面が汚染され
たり、修正作業中に正常なパターンの一部が欠けてしま
うなど、新たな欠陥部を作ってしまう虞れもある。さら
に、サブミクロン単位の極めて微細なパターンを有する
超ＬＳＩ製造用マスクなどの場合には、これらの方法で
上記欠陥部を修正するのは極めて困難である。Furthermore, there is a risk that new defects may be created, such as the mask surface being contaminated by photoresist application or a portion of a normal pattern being chipped during repair work. Furthermore, in the case of masks for manufacturing VLSIs having extremely fine patterns on the order of submicrons, it is extremely difficult to correct the defective portions using these methods.
本発明の目的は、信頼性の高いマスク修正技術を提供す
ることにある。An object of the present invention is to provide a highly reliable mask repair technique.
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
不順において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。A brief summary of typical inventions disclosed in Non-Jun is as follows.
すなわち、透明基板の表面に所定のパターンが形成され
た第１のマスクと、前記第１のマスクのパターン欠陥部
に対応する個所に、その欠陥部を補う補助パターンを形
成してなる第２のマスクとを重ね合わせることにより、
前記第１のマスクにあけるパターン欠陥部の修正を行う
ものである。That is, a first mask has a predetermined pattern formed on the surface of a transparent substrate, and a second mask has an auxiliary pattern formed at a location corresponding to a pattern defect of the first mask to compensate for the defect. By overlapping the mask,
This is to correct a pattern defect formed in the first mask.
上記した手段によれば、第１のマスクにおけるパターン
の欠陥部を補う補助パターンが第２のマスクの対応個所
に形成されていることから、前記欠陥部を直接修正しな
くとも、これらのマスクを重ね合わせて使用すれば、欠
陥部が被転写物に転写されないため、間接的に欠陥部の
修正が達成される。According to the above-mentioned means, since the auxiliary patterns that compensate for the defective portions of the patterns in the first mask are formed at the corresponding locations on the second mask, these masks can be replaced without directly correcting the defective portions. If they are used in combination, the defective portion will not be transferred to the object to be transferred, so that the defective portion will be indirectly corrected.
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の一実施例であるマスク
修正方法を工程順に示すマスクの斜視図である。FIGS. 1A to 1C are perspective views of a mask showing step by step a mask repair method according to an embodiment of the present invention.
本実施例で使用するマスクは、例えば紫外線を光源とす
る露光によって、シリコンなどの半導体ウェハ（以下、
単にウェハという）上に所定のパターンを転写するため
のマスクである。The mask used in this example is made of silicon or other semiconductor wafers (hereinafter referred to as
A mask for transferring a predetermined pattern onto a wafer (simply referred to as a wafer).
このマスクは、第１図（ａ）に示すように、例えば石英
ガラスからなる透明基板３ａの上にクロムなどの遮光性
物質を全面被着してホトレジストを塗布した後、電子ビ
ーム描画法などによって所定のパターン４を描画し、次
いで不要個所の遮光性物質やホトレジストをエツチング
により除去したものである。As shown in FIG. 1(a), this mask is made by depositing a light-shielding substance such as chromium on the entire surface of a transparent substrate 3a made of quartz glass, applying a photoresist, and then using an electron beam lithography method or the like. A predetermined pattern 4 is drawn, and then unnecessary portions of the light-shielding material and photoresist are removed by etching.
ところが、例えば上記ホトレジスト中に存在したピンホ
ールなどが原因でこのマスク１のパターン４の一部に欠
陥部６が生じた場合、このマスク１を使用してウェハ上
にパターン転写を行うと、上記欠陥部６もウェハ上に転
写されてしまう。However, if a defect 6 occurs in a part of the pattern 4 of this mask 1 due to, for example, a pinhole existing in the photoresist, when the pattern is transferred onto a wafer using this mask 1, the above-mentioned The defective portion 6 is also transferred onto the wafer.
そこで、まず上記欠陥部６の位置と面積とを測定した後
、第１図（ｂ）に示すように、別途透明基板３ｂを用意
し、上記測定値に基いて欠陥部６の位 、置に対応す
る個所に補助パターン５を形成してなる補助マスク２を
製造する。Therefore, after first measuring the position and area of the defective part 6, as shown in FIG. An auxiliary mask 2 having auxiliary patterns 5 formed at corresponding locations is manufactured.
上記補助マスク２を製造するには、透明基板３ｂの上に
クロムなどの遮光性物質を被着してホトレジストを塗布
した後、電子ビーム描画法などによって補助パターン５
を描画し、次いで不要個所の遮光性物質やホトレジスト
をエツチングにより除去すればよい。この補助マスク２
に形成される補助パターン５の面積は、欠陥部６の面積
より幾分大きめとすることが好ましい。To manufacture the auxiliary mask 2, a light-shielding material such as chromium is deposited on the transparent substrate 3b and a photoresist is coated, and then the auxiliary pattern 5 is formed using an electron beam drawing method or the like.
, and then remove unnecessary portions of the light-shielding material and photoresist by etching. This auxiliary mask 2
It is preferable that the area of the auxiliary pattern 5 formed in the auxiliary pattern 5 is somewhat larger than the area of the defective portion 6.
次に、ウェハ上に前記マスク１のパターン４を転写する
際には、第１図（Ｃ）に示すように、このマスク１と上
記補助マスク２とを重ね合わせて使用すればよい。すな
わち、これら二枚のマスク１．２を、その各々に形成さ
れたアライメントマーク７ａ、７ｂ同士が一致するよう
に重ね合わせることにより、上記欠陥部６と補助パター
ン５とが重なり合って紫外線などが欠陥部５を透過する
のが防止されるため、ウェハ上に欠陥のないパターンを
転写することが可能となる。Next, when transferring the pattern 4 of the mask 1 onto the wafer, this mask 1 and the auxiliary mask 2 may be used in a superimposed manner, as shown in FIG. 1(C). That is, by overlapping these two masks 1.2 so that the alignment marks 7a and 7b formed on each mask coincide with each other, the defect portion 6 and the auxiliary pattern 5 overlap, and ultraviolet rays etc. Since transmission through the portion 5 is prevented, it is possible to transfer a defect-free pattern onto the wafer.
このように、本実施例においては以下の効果を得ること
ができる。In this way, the following effects can be obtained in this embodiment.
（１）、マスク１のパターン４の一部に生じた欠陥部６
を補う補助パターン４を補助マスク２の対応個所に形成
し、これら二枚のマスク１．２を重ね合わせて使用する
ことにより、光源からの紫外線などが欠陥部６を透過す
るのが妨げられるため、前記欠陥部６を直接修正しなく
とも、ウェハ上に欠陥のないパターンを転写することが
できる。(1) Defect portion 6 occurring in a part of pattern 4 of mask 1
By forming an auxiliary pattern 4 to compensate for this in the corresponding part of the auxiliary mask 2 and using these two masks 1.2 in an overlapping manner, ultraviolet rays etc. from the light source are prevented from passing through the defective part 6. , a defect-free pattern can be transferred onto the wafer without directly repairing the defective portion 6 .
〔２）、欠陥部６を直接修正するものではないため、修
正作業中にマスク１の表面が汚染されたり、正常なパタ
ーンの一部が欠けてしまうなど、新たな欠陥部を作る虞
れはない。[2) Since the defective part 6 is not directly repaired, there is no risk of creating a new defective part, such as the surface of the mask 1 becoming contaminated or part of the normal pattern being chipped during the repair work. do not have.
（３）、前記（１）、（２）により、マスク修正作業の
信頼性が著しく向上し、歩留りの高い半導体装置が得ら
れる。また、サブミクロン単位の極めて微細なパターン
上に生じた欠陥部の修正も容易に行うことができる。(3) According to (1) and (2) above, the reliability of mask repair work is significantly improved, and a semiconductor device with a high yield can be obtained. In addition, defects occurring on extremely fine patterns in submicron units can be easily repaired.
以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。As above, the invention made by the present inventor has been specifically explained based on Examples, but it should be noted that the present invention is not limited to the Examples and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. Not even.
例えば、縮小露光を行う際に使用するマスク、すなわち
レチクルに適用できるのは勿論、Ｘ線やイオンビームを
照射源としてリングラフィを行う際に使用するマスクに
適用することもできる。For example, it can of course be applied to a mask used when performing reduction exposure, that is, a reticle, but also to a mask used when performing phosphorography using X-rays or ion beams as an irradiation source.
以上の説明では、主として本発明者によってなされた発
明をその背景となった利用分野である半導体ウェハ用マ
スクのパターン修正技術に適用した場合について説明し
たが、本発明はこれに限定されるものではなく、一般に
、照射源と、この照射源に対して非透過性の物質を用い
てパターン形成した原版とにより、被転写物に所定のパ
ターン転写を行う際のパターン修正技術として広く適用
することができる。In the above description, the invention made by the present inventor was mainly applied to pattern correction technology for masks for semiconductor wafers, which is the background field of application, but the present invention is not limited to this. In general, it can be widely applied as a pattern correction technique when transferring a predetermined pattern onto an object using an irradiation source and an original plate formed with a pattern using a material that is opaque to the irradiation source. can.
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。A brief explanation of the effects obtained by typical inventions disclosed in this application is as follows.
すなわち、透明基板の表面に所定のパターンが形成され
た第１のマスクと、この第１のマスクのパターン欠陥部
に対応する個所に、その欠陥部を補う補助パターンを形
成してなる第２のマスクとを重ね合わせることにより、
前記欠陥部を直接修正しなくとも、欠陥部が被転写物に
転写されないため、信頼性の高いマスク修正技術を提供
することができる。That is, there is a first mask in which a predetermined pattern is formed on the surface of a transparent substrate, and a second mask in which an auxiliary pattern is formed at a location corresponding to a pattern defect of the first mask to compensate for the defect. By overlapping the mask,
Even if the defective portion is not directly corrected, the defective portion is not transferred to the object to be transferred, so that a highly reliable mask repair technique can be provided.
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の一実施例であるマスク
修正方法を工程順に示すマスクの斜視図である。
１・・・マスク、２・・・補助マスク、３ａ。
３ｂ・・・透明基板、４・・・パターン、５・・・補助
パターン、６・・・欠陥部、７ａ、７ｂ・・・アライメ
ントマーク。FIGS. 1A to 1C are perspective views of a mask showing step by step a mask repair method according to an embodiment of the present invention. 1...Mask, 2...Auxiliary mask, 3a. 3b...Transparent substrate, 4...Pattern, 5...Auxiliary pattern, 6...Defect portion, 7a, 7b...Alignment mark.
Claims (1)
形成されるパターンの欠陥部を修正する方法であって、
前記透明基板の表面に所定のパターンを形成してなる第
１のマスクと、前記第１のマスクのパターン欠陥部に対
応する個所に、その欠陥部を補う補助パターンを形成し
てなる第２のマスクとを重ね合わせることを特徴とする
マスク修正方法。 ２、前記マスクが半導体ウェハ上に所定のパターンを転
写するためのマスクであることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載のマスク修正方法。[Scope of Claims] 1. A method for correcting defects in a pattern formed by depositing a light-shielding substance on the surface of a transparent substrate, comprising:
A first mask formed by forming a predetermined pattern on the surface of the transparent substrate, and a second mask formed by forming an auxiliary pattern to compensate for the defective portion at a location corresponding to the pattern defective portion of the first mask. A mask correction method characterized by overlapping a mask. 2. The mask repair method according to claim 1, wherein the mask is a mask for transferring a predetermined pattern onto a semiconductor wafer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61273993A JPS63128348A (en) | 1986-11-19 | 1986-11-19 | Mask correcting method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61273993A JPS63128348A (en) | 1986-11-19 | 1986-11-19 | Mask correcting method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63128348A true JPS63128348A (en) | 1988-05-31 |
Family
ID=17535449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61273993A Pending JPS63128348A (en) | 1986-11-19 | 1986-11-19 | Mask correcting method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63128348A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003014092A (en) * | 2001-06-28 | 2003-01-15 | Tochigi Fuji Ind Co Ltd | Pinion shaft fixing structure |
-
1986
- 1986-11-19 JP JP61273993A patent/JPS63128348A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003014092A (en) * | 2001-06-28 | 2003-01-15 | Tochigi Fuji Ind Co Ltd | Pinion shaft fixing structure |
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