JPS63125655A - 表面改質装置 - Google Patents
表面改質装置Info
- Publication number
- JPS63125655A JPS63125655A JP26923586A JP26923586A JPS63125655A JP S63125655 A JPS63125655 A JP S63125655A JP 26923586 A JP26923586 A JP 26923586A JP 26923586 A JP26923586 A JP 26923586A JP S63125655 A JPS63125655 A JP S63125655A
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- Japan
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- shutter
- sputtering rate
- cooling
- ion beam
- shielding plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明は、例えば、イオンビーム照射によるイオン照
射装置、又は、真空蒸着あるいはスパッタリングによる
膜形成装置などを、単独使用あるいは併用して基板表面
を改質する表面改質装置に関し、特にそのシャッターの
改良に関する。
射装置、又は、真空蒸着あるいはスパッタリングによる
膜形成装置などを、単独使用あるいは併用して基板表面
を改質する表面改質装置に関し、特にそのシャッターの
改良に関する。
〈従来の技術〉
この種表面改質装置としては、例えば、イオン源と、蒸
発源とを用いて、イオンビーム照射と真空蒸着を併用し
て基板表面に膜を形成するものがある。
発源とを用いて、イオンビーム照射と真空蒸着を併用し
て基板表面に膜を形成するものがある。
この揮装置は、例えば、第６図に示す如く、真空容器１
内に、基板２を保持する回転式のホルダ６が設けられ、
イオンビーム４１を発生し得るイオン源４と蒸発物質５
１を発生し得る蒸発源５がそれぞれホルダ６の方に向け
て配置されているうそして、基板２に入射するイオンビ
ーム４１、蒸発物質５１等を断続するシャッター６がボ
ルダ６とイオン源４、蒸発源５の間に介在して設けられ
ている。このシャッター６の構造は第４図に示すように
、遮蔽板６２にビームパワーおよび蒸発源５からの輻射
熱による温度上昇を低くするため冷却バイブロ４がロー
付けにより固着されている。
内に、基板２を保持する回転式のホルダ６が設けられ、
イオンビーム４１を発生し得るイオン源４と蒸発物質５
１を発生し得る蒸発源５がそれぞれホルダ６の方に向け
て配置されているうそして、基板２に入射するイオンビ
ーム４１、蒸発物質５１等を断続するシャッター６がボ
ルダ６とイオン源４、蒸発源５の間に介在して設けられ
ている。このシャッター６の構造は第４図に示すように
、遮蔽板６２にビームパワーおよび蒸発源５からの輻射
熱による温度上昇を低くするため冷却バイブロ４がロー
付けにより固着されている。
この冷却バイブロ４はパイプ状のアーム６５の中を挿通
して真空容器１の外部に導出されており、内部に冷却水
や冷却ガス等からなる冷却媒体が循環するようにされて
いる。そして、シャッター６は第５図の平面断面図に示
すように、真空容器１の外部に設けられたシャッター駆
動装置（図示せず）によって矢印の方向に平行移動して
開閉がなされる。尚、このシャッターの遮蔽板６２には
、銅（以下Ｃｕと記す）、モリブデン（以下Ｍｏと記す
）、ステンレス（以下ＳＯ８と記す）等の材質のものが
用いられている。
して真空容器１の外部に導出されており、内部に冷却水
や冷却ガス等からなる冷却媒体が循環するようにされて
いる。そして、シャッター６は第５図の平面断面図に示
すように、真空容器１の外部に設けられたシャッター駆
動装置（図示せず）によって矢印の方向に平行移動して
開閉がなされる。尚、このシャッターの遮蔽板６２には
、銅（以下Ｃｕと記す）、モリブデン（以下Ｍｏと記す
）、ステンレス（以下ＳＯ８と記す）等の材質のものが
用いられている。
〈発明が解決しようとする問題点〉
ところが、このような構成によれば、異質の膜を形成す
るとき遮蔽板に前の物質が付着していると、これが不純
物となって後の成膜に悪影響を及ぼすため、これを取り
除く作業に際して、第４図にて示す図示しないボルトに
より締着されたフランジ６６ａ、 ６６ｂの部分および
冷却バイブロ４の真空容器の外部に設けられた図示しな
い連結部分をその都度はずし、アーム６５から冷却バイ
ブロ４を引抜くようにして一体に形成された遮蔽板６２
、冷却バイブロ４、支持金具６７、フランジ６６ａを取
りはずさなければならず作業が大変であり、また、前の
付着物質をきれいに除去出来なければ取りはずした部分
ごと新しいものに取り替えなければならない等の問題が
ある。
るとき遮蔽板に前の物質が付着していると、これが不純
物となって後の成膜に悪影響を及ぼすため、これを取り
除く作業に際して、第４図にて示す図示しないボルトに
より締着されたフランジ６６ａ、 ６６ｂの部分および
冷却バイブロ４の真空容器の外部に設けられた図示しな
い連結部分をその都度はずし、アーム６５から冷却バイ
ブロ４を引抜くようにして一体に形成された遮蔽板６２
、冷却バイブロ４、支持金具６７、フランジ６６ａを取
りはずさなければならず作業が大変であり、また、前の
付着物質をきれいに除去出来なければ取りはずした部分
ごと新しいものに取り替えなければならない等の問題が
ある。
そしてまた、前記遮蔽板６２として、Ｍｏを用いると、
スパッタ率が低く熱伝導率も比較的良好であるためこの
点においては好ましいが、ＣｕあるいはＳＵＳとのロー
付は性があまり良くないため、ＣｕやＳＵＳを用いる冷
却バイブロ４との固着の点において難点がある。一方、
ＣｕやＳＵＳを用いると、スパッタ率が高いため、この
点に難点がある。
スパッタ率が低く熱伝導率も比較的良好であるためこの
点においては好ましいが、ＣｕあるいはＳＵＳとのロー
付は性があまり良くないため、ＣｕやＳＵＳを用いる冷
却バイブロ４との固着の点において難点がある。一方、
ＣｕやＳＵＳを用いると、スパッタ率が高いため、この
点に難点がある。
即ち、スパッタ率が高いと真空容器内の汚れにつながる
ためスパッタ率が低いものであること。
ためスパッタ率が低いものであること。
また、冷却効果を大きくするためや冷却パイプとの固着
を良くするため熱伝導率およびロー付は性が良好である
こと等、遮蔽板としてのこれらの条件を全て満足するも
のが無いという問題がある。
を良くするため熱伝導率およびロー付は性が良好である
こと等、遮蔽板としてのこれらの条件を全て満足するも
のが無いという問題がある。
〈問題点を解決するための手段〉
本発明の表面改質装置は、シャッターを、基板側の面に
冷却パイプが固着されたＣｕからなる取付板に、スパッ
タ率が低い金属からなる遮蔽板を前記取付板の基板側と
反対側の面に取りはずし可能に取り付けて構成すること
を特徴とする。
冷却パイプが固着されたＣｕからなる取付板に、スパッ
タ率が低い金属からなる遮蔽板を前記取付板の基板側と
反対側の面に取りはずし可能に取り付けて構成すること
を特徴とする。
〈作用〉
シャッターをＣｕからなる取付板にスパッタ率が低い金
属からなる遮蔽板を取りはずし可能に取り付けて構成す
ると、それぞれの材質の短所を互いにカバーすることか
ら、取付板と遮蔽板を組み合せたものとしては、スパッ
タ率が低く、熱伝導率およびロー付は性が良好なものと
なる。
属からなる遮蔽板を取りはずし可能に取り付けて構成す
ると、それぞれの材質の短所を互いにカバーすることか
ら、取付板と遮蔽板を組み合せたものとしては、スパッ
タ率が低く、熱伝導率およびロー付は性が良好なものと
なる。
〈実施例〉
第１図はこの発明の一実施例に係る表面改質装置を示す
概略図であり、第２図はそのシャッタ一部分の詳細を示
す図である。尚、第６図および第４図と同等部分は同一
符号を付している。
概略図であり、第２図はそのシャッタ一部分の詳細を示
す図である。尚、第６図および第４図と同等部分は同一
符号を付している。
第２図に示すように、シャッターの構造は基板２側の面
に例えばＣｕあるいはＳＵＳからなる冷却バイブロ４が
固着されたＣｕからなる取付板６１に、スパッタ率が低
いＭＯまたはタンタル（以下Ｔａと記す）からなる遮蔽
板６２を、例えば、ボルト６６等により前記取付板６１
の基板側と反対側の面に取りはずし可能に取付ける。
に例えばＣｕあるいはＳＵＳからなる冷却バイブロ４が
固着されたＣｕからなる取付板６１に、スパッタ率が低
いＭＯまたはタンタル（以下Ｔａと記す）からなる遮蔽
板６２を、例えば、ボルト６６等により前記取付板６１
の基板側と反対側の面に取りはずし可能に取付ける。
尚、この遮蔽板６２は、取付板６１に用いるＯｕがスパ
ッタ率が高いことより、これを覆うために取付けるもの
であることから、好ましくは取付板６１に対し、平面寸
法において略々同一以上のものであることが必要である
。
ッタ率が高いことより、これを覆うために取付けるもの
であることから、好ましくは取付板６１に対し、平面寸
法において略々同一以上のものであることが必要である
。
〈発明の効果〉
以上のようにこの発明によれば、シャッターが、熱伝導
率の良好なスパッタ率の低いものとなることより、シャ
ッターの冷却効果を大きく、また、真空容器内の汚れを
少なくすることが出来、更に、真空容器内において最も
付着が多く、特に清掃の必要がある遮蔽板を取りはずし
可能にしたことより、付着物質の除去作業を容易にする
ことが出来るので、この種装置として保守作業の便利な
ものとなる。
率の良好なスパッタ率の低いものとなることより、シャ
ッターの冷却効果を大きく、また、真空容器内の汚れを
少なくすることが出来、更に、真空容器内において最も
付着が多く、特に清掃の必要がある遮蔽板を取りはずし
可能にしたことより、付着物質の除去作業を容易にする
ことが出来るので、この種装置として保守作業の便利な
ものとなる。
第１図は、本発明の一実施例に係る表面改質装置を示す
概略図で、第２図はそのシャッタ一部分の詳細図を示す
。 ＄６図は、従来例の表面改質装置を示す概略図で、第４
図はそのシャッタ一部分の詳細図を示す。 第５図は、第１図および第６図の平面断面図を示す。 １・・・真空容器、２・・・基板、６・・・ホルダ、４
・・・イオン源、４１・・・イオンビーム、５１９．蒸
発源、５１・・・蒸発物質、６・・・シャッター、６１
・・・取付板、６２１．・遮蔽板、６４・・・冷却パイ
プ。
概略図で、第２図はそのシャッタ一部分の詳細図を示す
。 ＄６図は、従来例の表面改質装置を示す概略図で、第４
図はそのシャッタ一部分の詳細図を示す。 第５図は、第１図および第６図の平面断面図を示す。 １・・・真空容器、２・・・基板、６・・・ホルダ、４
・・・イオン源、４１・・・イオンビーム、５１９．蒸
発源、５１・・・蒸発物質、６・・・シャッター、６１
・・・取付板、６２１．・遮蔽板、６４・・・冷却パイ
プ。
Claims (1)
- 真空中で基板表面を改質する装置において、シャッター
を、基板側の面に冷却パイプが固着された銅からなる取
付板に、スパッタ率が低い金属からなる遮蔽板を前記取
付板の基板側と反対側の面に取りはずし可能に取り付け
て構成したことを特徴とする表面改質装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26923586A JPS63125655A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | 表面改質装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26923586A JPS63125655A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | 表面改質装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63125655A true JPS63125655A (ja) | 1988-05-28 |
Family
ID=17469543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26923586A Pending JPS63125655A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | 表面改質装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63125655A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999022396A3 (en) * | 1997-10-24 | 1999-09-10 | Filplas Vacuum Technology Pte | Enhanced macroparticle filter and cathode arc source |
| WO2011038561A1 (zh) * | 2009-09-30 | 2011-04-07 | 东莞宏威数码机械有限公司 | 真空镀膜用处理装置 |
| WO2011116564A1 (zh) * | 2010-03-23 | 2011-09-29 | 东莞宏威数码机械有限公司 | 挡板冷却装置 |
-
1986
- 1986-11-12 JP JP26923586A patent/JPS63125655A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999022396A3 (en) * | 1997-10-24 | 1999-09-10 | Filplas Vacuum Technology Pte | Enhanced macroparticle filter and cathode arc source |
| GB2347148A (en) * | 1997-10-24 | 2000-08-30 | Filplas Vacuum Technology Pte | Enhanced macroparticle filter and cathode arc source |
| JP2001521066A (ja) * | 1997-10-24 | 2001-11-06 | フィルプラス ヴァキューム テクノロジー ピーティーイー．リミテッド | 強化されたマクロ粒子フィルタおよび陰極アーク源 |
| GB2347148B (en) * | 1997-10-24 | 2002-11-13 | Filplas Vacuum Technology Pte | Enhanced macroparticle filter and cathode arc source |
| WO2011038561A1 (zh) * | 2009-09-30 | 2011-04-07 | 东莞宏威数码机械有限公司 | 真空镀膜用处理装置 |
| WO2011116564A1 (zh) * | 2010-03-23 | 2011-09-29 | 东莞宏威数码机械有限公司 | 挡板冷却装置 |
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