JPS63124946A - はんだ付状態検査装置 - Google Patents
はんだ付状態検査装置Info
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- JPS63124946A JPS63124946A JP26994486A JP26994486A JPS63124946A JP S63124946 A JPS63124946 A JP S63124946A JP 26994486 A JP26994486 A JP 26994486A JP 26994486 A JP26994486 A JP 26994486A JP S63124946 A JPS63124946 A JP S63124946A
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- Japan
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- light
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- bridge
- inspection device
- image sensor
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- 238000005476 soldering Methods 0.000 title claims description 24
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims description 14
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 9
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 8
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 abstract description 6
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
- G01N21/95684—Patterns showing highly reflecting parts, e.g. metallic elements
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、多ピン部品（ＩＣ等）のリード部のはんだ
付は状態を検査する装置において、はんだ付は不良箇所
の誤検出を防止するための装置に関する。
付は状態を検査する装置において、はんだ付は不良箇所
の誤検出を防止するための装置に関する。
、Ｕ板にはんだ付けされた多ピン部品の１つのリード部
のはんだ付は部分とそれに隣接するリード部のはんだ付
は部分との間には、きれ目があるのが正−１ｊ：ｉ−な
状態である。これらのはんだ付は部分量りがつながって
いる箇所ははんだ付は不良箇所であり、このはんだ付は
不良は「ブリッジ」と呼ばれる。
のはんだ付は部分とそれに隣接するリード部のはんだ付
は部分との間には、きれ目があるのが正−１ｊ：ｉ−な
状態である。これらのはんだ付は部分量りがつながって
いる箇所ははんだ付は不良箇所であり、このはんだ付は
不良は「ブリッジ」と呼ばれる。
このブリッジ箇所を検出するためには、多ピン部品をは
んだ付けした基板に光を照射し、該基板からの散乱光を
イメージセンサに受光させ、前記多ピン部品のリード部
のはんだ付は部分からの散乱光を受光した際に出力され
るレベル以上のレベルの信号が出力された前記ノン板上
の範囲が一定長以上にわたっているとき、該範囲を、ブ
リッジ箇所として検出するようにしている。
んだ付けした基板に光を照射し、該基板からの散乱光を
イメージセンサに受光させ、前記多ピン部品のリード部
のはんだ付は部分からの散乱光を受光した際に出力され
るレベル以上のレベルの信号が出力された前記ノン板上
の範囲が一定長以上にわたっているとき、該範囲を、ブ
リッジ箇所として検出するようにしている。
ところで、基板上の緑色のソルダーレジスト部分に光を
照射したときには、ソルダーレジスト部分が、イメージ
センサの飽和受光光量を超える光を散乱させることがあ
る。同様に、第３図（ａ）のようなり−ドＡの曲がり部
分に光を照射したときにも、リードＡが、イメージセン
サの飽和受光光量を超える光を散乱させることがあり、
第３図（ｂ）のようなり−ドΔが出ていない部分に光を
照射したときにも、平らなはんだ面Ｂが、イメージセン
サの飽和受光光量を超える光を散乱させることがある。
照射したときには、ソルダーレジスト部分が、イメージ
センサの飽和受光光量を超える光を散乱させることがあ
る。同様に、第３図（ａ）のようなり−ドＡの曲がり部
分に光を照射したときにも、リードＡが、イメージセン
サの飽和受光光量を超える光を散乱させることがあり、
第３図（ｂ）のようなり−ドΔが出ていない部分に光を
照射したときにも、平らなはんだ面Ｂが、イメージセン
サの飽和受光光量を超える光を散乱させることがある。
このような飽和受光光量を超える散乱光をイメージセン
サが受光すると、イメージセンサの出方信号のレベルが
、はんだ付は部分からの散乱光を受光した際に出力され
るレベルよりも高くなり、且つ、実際には受光していな
いイメージセンサの隣接ビットの受光出力があたかもは
んだ付は部分からの散乱光を受光しているかのような高
いレベルとなる。したがって、ソルダー−ジス１一部分
を含む箇所や第３図（ａ）、（ｂ）のリード、平らなは
んだ面を含む箇所を、ブリッジ箇所として誤検出してし
まうことがあった。
サが受光すると、イメージセンサの出方信号のレベルが
、はんだ付は部分からの散乱光を受光した際に出力され
るレベルよりも高くなり、且つ、実際には受光していな
いイメージセンサの隣接ビットの受光出力があたかもは
んだ付は部分からの散乱光を受光しているかのような高
いレベルとなる。したがって、ソルダー−ジス１一部分
を含む箇所や第３図（ａ）、（ｂ）のリード、平らなは
んだ面を含む箇所を、ブリッジ箇所として誤検出してし
まうことがあった。
この発明は上述の点に鑑みてなされたもので、飽和受光
光量を超える散乱光により非ブリッジ箇所をブリッジ箇
所として誤認することを防止するようにしたはんだ付状
態検査装置を提供しようとするものである。
光量を超える散乱光により非ブリッジ箇所をブリッジ箇
所として誤認することを防止するようにしたはんだ付状
態検査装置を提供しようとするものである。
この発明に係るはんだ付状態検査装置は、はんだ付部に
照射した光の散乱光をイメージセンサにより受光し、こ
の受光出力信号に基づき、所定の第１のレベル以上の受
光出力レベルの箇所が所定長以上持続している場合その
部分をブリッジとして判定するはんだ付状態検査装置に
おいて、回路基板のソルダーレジスト部分の色をカット
するために上記イメージセンサの集光光学系に設けられ
たフィルタと、上記受光出力レベルが上記第１のレベル
よりも高い飽和受光量に対応する第２のレベルを超えた
場合、それに対応する箇所はブリッジと判定しないよう
にする非ブリッジ判定手段とを具えたことを特徴として
いる。
照射した光の散乱光をイメージセンサにより受光し、こ
の受光出力信号に基づき、所定の第１のレベル以上の受
光出力レベルの箇所が所定長以上持続している場合その
部分をブリッジとして判定するはんだ付状態検査装置に
おいて、回路基板のソルダーレジスト部分の色をカット
するために上記イメージセンサの集光光学系に設けられ
たフィルタと、上記受光出力レベルが上記第１のレベル
よりも高い飽和受光量に対応する第２のレベルを超えた
場合、それに対応する箇所はブリッジと判定しないよう
にする非ブリッジ判定手段とを具えたことを特徴として
いる。
基板上のソルダーレジスト部分に光を照射したとき、該
部分の色をフィルターによりカットし。
部分の色をフィルターによりカットし。
該部分からの散乱光を、飽和受光光量未満の光量に減少
させてイメージセンサに受光させる。どれにより、ソル
ダーレジスト部分を含む箇所をブリッジ箇所として誤検
出することが防止される。
させてイメージセンサに受光させる。どれにより、ソル
ダーレジスト部分を含む箇所をブリッジ箇所として誤検
出することが防止される。
他方、前述のリードの曲がり部分、リードが出ていない
部分（平らなはんだ面）に光を照射したときには、イメ
ージセンサは、飽和受光光量を超える散乱光を前述のリ
ード部、平らなはんだ面から受光する。したがって、イ
メージセンサからは、飽和受光光量を超える光を受光し
た際に出力されるレベル（第２のレベル）の信号が出力
される。
部分（平らなはんだ面）に光を照射したときには、イメ
ージセンサは、飽和受光光量を超える散乱光を前述のリ
ード部、平らなはんだ面から受光する。したがって、イ
メージセンサからは、飽和受光光量を超える光を受光し
た際に出力されるレベル（第２のレベル）の信号が出力
される。
このとき、非ブリッジ判定手段は、曲ったリード部及び
、平らなはんだ面を含む箇所を、ブリッジ箇所と判定し
ないようにする。これにより１曲ったリード部、平らな
はんだ面を含む箇所をブリッジ箇所として誤検出するこ
とが防止される。
、平らなはんだ面を含む箇所を、ブリッジ箇所と判定し
ないようにする。これにより１曲ったリード部、平らな
はんだ面を含む箇所をブリッジ箇所として誤検出するこ
とが防止される。
以下、添付図面を参照してこの発明の実施例を詳細に説
明する。
明する。
第１図は、この発明に係るはんだ付状態検査装置の一実
施例を示す。１は多ピン部品をはんだ付けした被検査基
板、２，３，４は夫々オプチカルファイバー、カメラレ
ンズ、イメージセンサ（チャージカップルドデバイスか
らなる）である。オプチカルファイバー２は被検査基板
１に光を照射し、カメラレンズ３は被検査基板１からの
散乱光を集光してイメージセンサ４に受光させる。
施例を示す。１は多ピン部品をはんだ付けした被検査基
板、２，３，４は夫々オプチカルファイバー、カメラレ
ンズ、イメージセンサ（チャージカップルドデバイスか
らなる）である。オプチカルファイバー２は被検査基板
１に光を照射し、カメラレンズ３は被検査基板１からの
散乱光を集光してイメージセンサ４に受光させる。
６．７ａ及び７ｂ、８ａ及び８ｂ、９ａ及び９ｂは夫々
チャージカップルドデバイス駆動回路。
チャージカップルドデバイス駆動回路。
増幅回路、Ａ／Ｄ変換器、ラッチ回路である。チャージ
カップルドデバイス駆動回路６は、イメージセンサ４の
各ＣＣＤ索子を順次スキャンし、偶数番目のＣＣＤ素子
からの受光出力信号ＥＶＥＮ（第２図（ａ）参照）を増
幅回路７ａに与える。
カップルドデバイス駆動回路６は、イメージセンサ４の
各ＣＣＤ索子を順次スキャンし、偶数番目のＣＣＤ素子
からの受光出力信号ＥＶＥＮ（第２図（ａ）参照）を増
幅回路７ａに与える。
この受光出力信号ＥＶＥＮはＡ／Ｄ変換器８ａでディジ
タル変換されて、ラッチ回路９ａにラッチされる。イメ
ージセンサ４に配列されたＣＣＤ索子のうちの奇数番目
の素子からの出力信号０ＤＤ（第２図（ａ）参照）は増
幅回路７ｂ、Ａ／Ｄ変換器８ｂを経てラッチ回路９ｂに
ラッチされる。
タル変換されて、ラッチ回路９ａにラッチされる。イメ
ージセンサ４に配列されたＣＣＤ索子のうちの奇数番目
の素子からの出力信号０ＤＤ（第２図（ａ）参照）は増
幅回路７ｂ、Ａ／Ｄ変換器８ｂを経てラッチ回路９ｂに
ラッチされる。
１０ａ及び１０ｂ、ｌｌａ及びｌｌｂは夫々の２値化回
路、ブリッジ検出回路である。２値化回路１０ａ、１０
ｂは、受光出力信号ＥＶＥＮ、ＯＤＤをそのレベルに応
じて“１”又は“０”に２値化するための基準レベルＬ
Ｌ（第２図（ａ）参照）をスライスレベルとして夫々設
定しており、ラッチ回路９ａ、９ｂの出力レベルとスラ
イスレベルＬ１とを夫々比較する。そして、該出力レベ
ルが５１以上のとき信号Ｉｔ Ｉ Ｉ＋を、５１未満の
とき信号１１０ ｔｌを夫々ブリッジ検出回路１１ａ、
１１ｂに与える。ブリッジ検出回路１１ａ、ｌｌｂは、
２値化回路１０ａ、１０ｂからの信号゛１”が基板１上
の所定長以上の範囲に対応して持続して与えられるとき
、それに対応する部分をブリッジ箇所として検出する。
路、ブリッジ検出回路である。２値化回路１０ａ、１０
ｂは、受光出力信号ＥＶＥＮ、ＯＤＤをそのレベルに応
じて“１”又は“０”に２値化するための基準レベルＬ
Ｌ（第２図（ａ）参照）をスライスレベルとして夫々設
定しており、ラッチ回路９ａ、９ｂの出力レベルとスラ
イスレベルＬ１とを夫々比較する。そして、該出力レベ
ルが５１以上のとき信号Ｉｔ Ｉ Ｉ＋を、５１未満の
とき信号１１０ ｔｌを夫々ブリッジ検出回路１１ａ、
１１ｂに与える。ブリッジ検出回路１１ａ、ｌｌｂは、
２値化回路１０ａ、１０ｂからの信号゛１”が基板１上
の所定長以上の範囲に対応して持続して与えられるとき
、それに対応する部分をブリッジ箇所として検出する。
５．１２は夫々ＭＣフィルター、比較器である。
ＭＣフィルター５は、基板１のソルダーレジスト面の色
である緑色と補色関係にある赤色のフィルターであり、
カメラレンズ３に取付けられている。
である緑色と補色関係にある赤色のフィルターであり、
カメラレンズ３に取付けられている。
比較器１２では、イメージセンサ４の飽和受光量に対応
する受光出力信号レベルＬ２ （Ｌ２＞ＬＬである）（
第２図（ａ）参照）をスライスレベルとして設定してお
り、増幅回路７ｂを経た受光出力信号ＯＤＤのレベルを
スライスレベルＬ２と比較する。そして受光出力信号○
ＤＤのレベルがレベル５２以上のときラッチ回路９ａ、
９ｂにクリアパルスを与え、そのラッチ内容を夫々クリ
アする。なお、通常のブリッジ部分では飽和受光量を超
えることはないため、通常のブリッジ部分に関するラッ
チ回路９ａ、９ｂの内容はクリアされることはない。
する受光出力信号レベルＬ２ （Ｌ２＞ＬＬである）（
第２図（ａ）参照）をスライスレベルとして設定してお
り、増幅回路７ｂを経た受光出力信号ＯＤＤのレベルを
スライスレベルＬ２と比較する。そして受光出力信号○
ＤＤのレベルがレベル５２以上のときラッチ回路９ａ、
９ｂにクリアパルスを与え、そのラッチ内容を夫々クリ
アする。なお、通常のブリッジ部分では飽和受光量を超
えることはないため、通常のブリッジ部分に関するラッ
チ回路９ａ、９ｂの内容はクリアされることはない。
この検査装置の動作を示すと、次の通りである。
オプチカルファイバー２が基板１上の緑色のソルダーレ
ジスト部分に光を照射したとき、該部分と補色関係にあ
る赤色のＭＣフィルター５は、該部分からの散乱光を、
飽和受光光量未満の光量に減少させてカメラレンズ３に
入光させる。カメラレンズ３は、この飽和受光光量未満
に減少した散乱光を集光してイメージセンサ４に受光さ
せる。
ジスト部分に光を照射したとき、該部分と補色関係にあ
る赤色のＭＣフィルター５は、該部分からの散乱光を、
飽和受光光量未満の光量に減少させてカメラレンズ３に
入光させる。カメラレンズ３は、この飽和受光光量未満
に減少した散乱光を集光してイメージセンサ４に受光さ
せる。
これにより、ソルダーレジスト部分を含む箇所を演算手
段においてブリッジ箇所として誤検出することが防止さ
れる。
段においてブリッジ箇所として誤検出することが防止さ
れる。
他方、オプチカルファイバー２が第３図（ａ）。
（ｂ）のり〒ドの曲がり部分、リードが出ていない部分
に光を照射したときには、カメラレンズ３は、リード部
又は平らなはんだ面から飽和受光光量を超える散乱光を
集光してイメージセンサ４に受光させる。したがって、
信号ＥＶＥＮ、ＯＤＤのレベルは第２図（ａ）のＸのよ
うに５２以上になり、ラッチ回路９ａ、９ｂはこのレベ
ル５２以上の信号ＥＶＥ、Ｎ、ＯＤＤを夫々ラッチする
。このとき、比較器１２は、前記リード部又は平らなは
んだ面についてのラッチ回路９ａ、９ｂのラッチ内容を
クリアする。その結果、前記リード部又は平らなはんだ
面についての２値化回路１０ａ。
に光を照射したときには、カメラレンズ３は、リード部
又は平らなはんだ面から飽和受光光量を超える散乱光を
集光してイメージセンサ４に受光させる。したがって、
信号ＥＶＥＮ、ＯＤＤのレベルは第２図（ａ）のＸのよ
うに５２以上になり、ラッチ回路９ａ、９ｂはこのレベ
ル５２以上の信号ＥＶＥ、Ｎ、ＯＤＤを夫々ラッチする
。このとき、比較器１２は、前記リード部又は平らなは
んだ面についてのラッチ回路９ａ、９ｂのラッチ内容を
クリアする。その結果、前記リード部又は平らなはんだ
面についての２値化回路１０ａ。
１０ｂの出力信号は、クリアされなければ第２図（ｂ）
のように所定長以上の範囲でＩＩ Ｉ ＩＩとなるとこ
ろが、第２図（Ｃ）に示すように“０″になる。したが
って、前記リード部又は平らなはんだ面を含む箇所がブ
リッジ検出回路１１ａ、ｌｌｂによりブリッジ箇所とし
て誤検出されることが防止される。
のように所定長以上の範囲でＩＩ Ｉ ＩＩとなるとこ
ろが、第２図（Ｃ）に示すように“０″になる。したが
って、前記リード部又は平らなはんだ面を含む箇所がブ
リッジ検出回路１１ａ、ｌｌｂによりブリッジ箇所とし
て誤検出されることが防止される。
尚、この実施例では比較器１２は信号ＯＤＤをスライス
レベルＬ２と比較しているが、もとより信号ＥＶＥＮを
スライスレベルＬ２と比較するようにしてもよい。
レベルＬ２と比較しているが、もとより信号ＥＶＥＮを
スライスレベルＬ２と比較するようにしてもよい。
また、この実施例では、比較器１２の出力でラッチ回路
９ａ、９ｂをクリアするようにしているが、ゲート回路
を設け、このゲート回路を制御するようにしてもよい。
９ａ、９ｂをクリアするようにしているが、ゲート回路
を設け、このゲート回路を制御するようにしてもよい。
以上の通り、この発明に係るはんだ付状態検査装置によ
れば、イメージセンサの飽和受光光量を超える散乱光を
原因とするブリッジ箇所の誤検出を簡易且つ安価に防止
し、ブリッジ箇所検出精度を高めることができる。
れば、イメージセンサの飽和受光光量を超える散乱光を
原因とするブリッジ箇所の誤検出を簡易且つ安価に防止
し、ブリッジ箇所検出精度を高めることができる。
第１図はこの発明に係るはんだ付状態検査装置の一実施
例を示すブロック図、第２図は同実施例中のイメージセ
ンサの出力信号及びラッチ回路のラッチ内容を示す図２
第３図は基板上のリードの曲がり部分、リードが出てい
ない部分を示す側面図である。 １・・・被検査基板、２・・・オプチカルファイバー。 ３・・・カメラレンズ、４・・・イメージセンサ、５・
・・ＭＯフィルター、６・・・チャージカップルドデバ
イス駆動回路、７ａ、７ｂ・・・増幅回路、８ａ、８ｂ
・・・Ａ／Ｄ変換器、９ａ、９ｂ−ラッチ回路、１０ａ
。 １０ｂ・・・２値化回路、Ｌｌａ、Ｌｌｂ・・・ブリッ
ジ検出回路、１２・・・比較器
例を示すブロック図、第２図は同実施例中のイメージセ
ンサの出力信号及びラッチ回路のラッチ内容を示す図２
第３図は基板上のリードの曲がり部分、リードが出てい
ない部分を示す側面図である。 １・・・被検査基板、２・・・オプチカルファイバー。 ３・・・カメラレンズ、４・・・イメージセンサ、５・
・・ＭＯフィルター、６・・・チャージカップルドデバ
イス駆動回路、７ａ、７ｂ・・・増幅回路、８ａ、８ｂ
・・・Ａ／Ｄ変換器、９ａ、９ｂ−ラッチ回路、１０ａ
。 １０ｂ・・・２値化回路、Ｌｌａ、Ｌｌｂ・・・ブリッ
ジ検出回路、１２・・・比較器
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、はんだ付部に照射した光の散乱光をイメージセンサ
により受光し、この受光出力信号に基づき、所定の第１
のレベル以上の受光出力レベルの箇所が所定長以上持続
している場合その部分をブリッジとして判定するはんだ
付状態検査装置において、回路基板のソルダーレジスト
部分の色をカットするために上記イメージセンサの集光
光学系に設けられたフィルタと、 上記受光出力レベルが上記第１のレベルよりも高い飽和
受光量に対応する第２のレベルを超えた場合、それに対
応する箇所はブリッジと判定しないようにする非ブリッ
ジ判定手段と を具えたはんだ付状態検査装置。 ２、上記フィルタは、ソルダーレジスト部分の色の補色
の色のフィルタである特許請求の範囲第１項記載のはん
だ付状態検査装置。 ３、上記非ブリッジ判定手段は、上記受光出力レベルが
第２のレベルを超えたかを判定する比較手段と、この比
較手段の出力に応じて受光出力信号のレベルを第１のレ
ベルよりも低くする抑制手段とを含む特許請求の範囲第
１項記載のはんだ付状態検査装置。 ４、上記抑制手段は、受光出力信号をラッチし、上記比
較手段の出力に応じてこのラッチ内容をクリアするラッ
チ回路からなる特許請求の範囲第１項記載のはんだ付状
態検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26994486A JPS63124946A (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | はんだ付状態検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26994486A JPS63124946A (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | はんだ付状態検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63124946A true JPS63124946A (ja) | 1988-05-28 |
Family
ID=17479380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26994486A Pending JPS63124946A (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | はんだ付状態検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63124946A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009276208A (ja) * | 2008-05-15 | 2009-11-26 | Shindenshi Corp | 実装基板の外観検査方法 |
| CN110385512A (zh) * | 2018-04-23 | 2019-10-29 | 株式会社日立制作所 | 焊接监视和控制系统及焊接监视和控制方法 |
-
1986
- 1986-11-14 JP JP26994486A patent/JPS63124946A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009276208A (ja) * | 2008-05-15 | 2009-11-26 | Shindenshi Corp | 実装基板の外観検査方法 |
| CN110385512A (zh) * | 2018-04-23 | 2019-10-29 | 株式会社日立制作所 | 焊接监视和控制系统及焊接监视和控制方法 |
| CN110385512B (zh) * | 2018-04-23 | 2021-11-09 | 株式会社日立制作所 | 焊接监视和控制系统及焊接监视和控制方法 |
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