JPS63122265A - シリコン・オン・インシユレ−タ−基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明ハシリコン・オン・インシュレーター（８０工）
基板の絶縁層構造に関する。

〔従来の技術〕

従来、ｇｏ工基板は第４図に示す如き構造をとるのが通
例でありた。すなわち、ｓ４単単結晶基板３１０面下に
°はｓｈｏまたはｓｕｍイオン打込み１冨が形成され、
該絶縁膜上に８（単結晶膜おが形成されて成るのが通例
であった。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかし、上記従来技術によると、絶縁層が剥離するとい
う問題点があり九１本発明はかかる従来技術の問題点を
なくシ、絶縁屡の剥離のない８０工基板を提供する。事
を目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

上記問題点を解決するために１本発明は、　ＢＯ工基板
に於て、 （１）８（単結晶基板表面下にはシリコン窒化膜層がイ
オン打込みにより形成され、＃シリコン窒化膜層上には
シリコン酸化膜層がイオン打込みＫより形成され、該シ
リコン酸化１ＫＮ！上にはシリコン単結晶膜を形成する
手数をとる事及び。

（２）８（単結晶基板表面下にはシリコン窒化膜層をは
さんでシリコン酸化膜層をイオン打込みＫより形成する
手数をとる事及び。

（３）Ｓｓ単単結晶基板面面下はシリコン酸化窒化膜層
を形成する手数をとる事。

等である。

〔作用〕

８１単結晶中にシリコン窒化膜やシリコン酸化膜を単層
で形成すると、シリコン窒化膜は圧縮応力、シリコン酸
化膜は引張り応力がシリコンに作用し、これらの絶縁膜
が剥離する作用がある為。

シリコン酸化膜とシリコン窒化膜を混合あるいは多層構
造で形成する事により絶縁膜の応力を中立となす作用が
ある。

〔実施列〕

以下、実施列によシ本発明を詳述する。

第１図乃至第３図は本発明の実施列を示すＳＯ工基板、
の断面図である。

第１図では、ｓ４単結晶基板ｌの表面下に１３（Ｎまた
はｓｈｏｗイオン打込み層２が形成され、該層の上にｓ
ｈｏイオン打込み層３が形成され、該層の表面にはＳ＜
単結晶ＩＫ４が形成されて我るｔａ２図では、８（単結
晶基板１１の表面下にはｓｈｏイオン打込み層上２．及
び１４がｓｕｍまたは５６０Ｎイオン打込み層上３ｔ−
はさんで形成され。

これら絶縁表面にはａ＜単結晶＠１５が形成されて成る
。

第３図では、Ｂｉ単単結晶基板２１衣 ＯＮイオン打込み層ｎが形成され、該層表面には１３４
単結晶膜羽が形成されて成る。

尚，ａ４単結晶基板表面下にｓｈｏイオン打込み層を形
成し，該層上にｓｉｍまたは８ｊＯＭイオン打込み層を
形成し、該層上Ｖｃｓ４単結晶膜を形成しても良いこと
い云うまでもない。

更に，ｓ４単結晶膜は、σαＡ３単結晶膜等他の化合物
半導体膜であっても良い。

〔発明の効果〕

本発明による日０工基板構造では，絶縁膜の剥離がなく
なると云う効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第３図は本発明の実施例を示すＳＯ工基板の
断面図，第４図は従来技術によるｓＯ工基板断面図であ
る。 １　、　１１　、　２１　、　３１・・・Ｓ（単結晶基
板２、１３・・・ＢイＮまたはａ４ｏｘイオン打込み層 ３　、　１２　、　１４・・・ａｇｏイオン打込み層４
、１５，２３，３３・・・ｓ４単結晶膜ｎ−−６８４０
１イオン打込み層 諺・・・ｓｈｏまたはａ４ｍイオン打込み層板　　　上

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）Ｓｉ単結晶基板下にはシリコン窒化膜層がイオン
   打込みにより形成され、該シリコン窒化膜層上にはシリ
   コン酸化膜層がイオン打込みにより形成され、該シリコ
   ン酸化膜層上にはシリコン単結晶膜が形成されて成る事
   を特徴とするシリコン・オン・インシュレーター基板。