JPS63119438A - 新規不飽和イノソ−ス誘導体およびその製造法 - Google Patents
新規不飽和イノソ−ス誘導体およびその製造法Info
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Landscapes
- Saccharide Compounds (AREA)
- Pyrane Compounds (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
CIl、OR’
(式中、R1は水酸基の保護基を示す。)で表わされる
新規不飽和イノソース誘導体およびその製造法に関する
しのである。
新規不飽和イノソース誘導体およびその製造法に関する
しのである。
バリエナミンおよびパリオールアミン、およびそれらの
N−置換誘導体[J、 Antibiotics、 3
5巻、16−24−1626頁(1982年);J。
N−置換誘導体[J、 Antibiotics、 3
5巻、16−24−1626頁(1982年);J。
八ntibiotics、 3 7 巻、 130
1−1307 頁(1984年);特開昭57−200
35]はα−グルコシダーゼ阻害活性を有し、人や動物
の過血糖症状およびこれに起因する種々の疾病、例えば
、糖尿病、肥満症、高脂血症などの予防剤や治療剤とし
て有用な化合物であり、前記新規不飽和イノソース誘導
体[1]はパリエナミン、パリオールアミンおよびそれ
らのN−置換誘導体の製造原料として重要な化合物であ
る。
1−1307 頁(1984年);特開昭57−200
35]はα−グルコシダーゼ阻害活性を有し、人や動物
の過血糖症状およびこれに起因する種々の疾病、例えば
、糖尿病、肥満症、高脂血症などの予防剤や治療剤とし
て有用な化合物であり、前記新規不飽和イノソース誘導
体[1]はパリエナミン、パリオールアミンおよびそれ
らのN−置換誘導体の製造原料として重要な化合物であ
る。
俊米q斑斂
本発明者らは先にバリエナミン、パリオールアミン等の
擬似アミノ糖およびそれらのN−置換誘導体が強いα−
グルコシダーゼ阻害活性を示すこと[J、 Antib
iotics、 35巻、1624−1626頁(1
982年); J、 Antibiotics、 37
巻。
擬似アミノ糖およびそれらのN−置換誘導体が強いα−
グルコシダーゼ阻害活性を示すこと[J、 Antib
iotics、 35巻、1624−1626頁(1
982年); J、 Antibiotics、 37
巻。
1301−1307頁(1984年);特開昭57−2
0035];バリエナミン、パリオールアミンはストレ
プトミセス・ハイグロスコピクス・サブスピーシス・リ
モネウス (Streptomyceshygrosc
opicus 5ubsp、 limoneus)の
培養液から単離し得ること[J、 Antibiot
ics、 37巻。
0035];バリエナミン、パリオールアミンはストレ
プトミセス・ハイグロスコピクス・サブスピーシス・リ
モネウス (Streptomyceshygrosc
opicus 5ubsp、 limoneus)の
培養液から単離し得ること[J、 Antibiot
ics、 37巻。
1301−1307頁(1984年)];バリエナミン
はバリダマイシンあるいはバリドキシルアミンを微生物
分解に付すことによって製造し得ること[特開昭57−
54593.特開昭58−152496];パリオール
アミンはバリエナミンを原料として合成し得ること[C
arbohydr、 Res、。
はバリダマイシンあるいはバリドキシルアミンを微生物
分解に付すことによって製造し得ること[特開昭57−
54593.特開昭58−152496];パリオール
アミンはバリエナミンを原料として合成し得ること[C
arbohydr、 Res、。
140巻、180−200頁(1985年);特開昭5
7−1791741を見出した。
7−1791741を見出した。
一方、DL−バリエナミンの化学合成による製造法とし
てはDL−1,2,3−)ソー0−アセチル−(1,3
/2,4.6)−4−ブロモ−6−プロモメチルー1.
2.3−シクロヘキサントリオールを中間体として経由
する方法[T、 Toyokuniら。
てはDL−1,2,3−)ソー0−アセチル−(1,3
/2,4.6)−4−ブロモ−6−プロモメチルー1.
2.3−シクロヘキサントリオールを中間体として経由
する方法[T、 Toyokuniら。
Bull、 Chem、 Soc、 Jpn、、 56
巻、1161−1170頁(1983年)]および]D
L−2.3−ジー〇−アセチル1.7−0−ペンノリデ
シー(1゜3.4/2,5.6)−4−アジド−6−(
ヒドロキシメチル)−1,2,3,5−シクロヘキサン
テトロールを中間体として経由する方法[S、 Oga
vaら。
巻、1161−1170頁(1983年)]および]D
L−2.3−ジー〇−アセチル1.7−0−ペンノリデ
シー(1゜3.4/2,5.6)−4−アジド−6−(
ヒドロキシメチル)−1,2,3,5−シクロヘキサン
テトロールを中間体として経由する方法[S、 Oga
vaら。
J、 Org、 Chem、、 48巻、1203−1
207頁(1983年)コが報告されているが、これら
の方法はいずれもDL体の光学分割の工程が未開発であ
る。光学活性な天然型のD−バリエナミンの化学合成に
よる製造法としては、L−(−)−クエブラチトール(
quebrachitol)からの合成法[H。
207頁(1983年)コが報告されているが、これら
の方法はいずれもDL体の光学分割の工程が未開発であ
る。光学活性な天然型のD−バリエナミンの化学合成に
よる製造法としては、L−(−)−クエブラチトール(
quebrachitol)からの合成法[H。
Paulsen、 F、 R,He1ker、 Jus
tus Liebigs Ann。
tus Liebigs Ann。
Chem、、 1981年、2180−2203頁]が
報告されているが、工程数が多く、バリエナミンの工業
的製造法としては必ずしも適した方法ではない。
報告されているが、工程数が多く、バリエナミンの工業
的製造法としては必ずしも適した方法ではない。
その外、D−グルコースからl I)−(1,3,6/
2)−4−ベンゾイルオキシメチル−6−ブロモ−1,
2,3−トリーO−ベンジルー4−シクロヘキセン−1
,2,3−トリオールおよびそのID−(1,3/2,
6)−異性体を経由してN−置換パリエナミン誘導体を
合成する方法[N、 5akairi、 II。
2)−4−ベンゾイルオキシメチル−6−ブロモ−1,
2,3−トリーO−ベンジルー4−シクロヘキセン−1
,2,3−トリオールおよびそのID−(1,3/2,
6)−異性体を経由してN−置換パリエナミン誘導体を
合成する方法[N、 5akairi、 II。
Xuzuhara、 Tetrahedron Le
tt、、 23巻、5327−5330頁(1982年
)]や、DL−1,2゜3−トリー〇−アセチル−(1
,3/2.4)−4−ブロモ−6−メチレン−1,2,
3−シクロヘキサントリオールを経由してDL−ペンタ
−N、0−アセチルパリオールアミンを合成する方法[
S。
tt、、 23巻、5327−5330頁(1982年
)]や、DL−1,2゜3−トリー〇−アセチル−(1
,3/2.4)−4−ブロモ−6−メチレン−1,2,
3−シクロヘキサントリオールを経由してDL−ペンタ
−N、0−アセチルパリオールアミンを合成する方法[
S。
Ogawaら、 Chem、 Lett、、 l 5
81−1582頁(1985年)]が報告されている。
81−1582頁(1985年)]が報告されている。
発明が解決しようとする問題点
前述したように、これまで報告されているバリエナミン
の化学合成による製造法は立体異性体の分割の工程の開
発を必要としたり、原料の入手が困難であったり、工程
数が多い等の理由のため、工業的製造法として適した方
法とは言い難い。−方、バリエナミン(あるいは、パリ
オールアミン)そのものを直接発酵法によって製造する
方法は最も直裁的な方法ではあるが、現時点ではまだ収
量の面で工業的製造法としては充分ではない。また、バ
リダマイノンあるいはバリドキシルアミンを微生物分解
することによってバリエナミンを製造する方法もあるが
、この場合原料であるバリグマイシンあるいはバリドキ
シルアミンの構成成分の一部のみしかバリエナミンの製
造の目的に利用できないという欠点がある。従ってこれ
らの公知の製造法に比して工業的に有利なバリエナミン
の製造法の出現が強く望まれていた。
の化学合成による製造法は立体異性体の分割の工程の開
発を必要としたり、原料の入手が困難であったり、工程
数が多い等の理由のため、工業的製造法として適した方
法とは言い難い。−方、バリエナミン(あるいは、パリ
オールアミン)そのものを直接発酵法によって製造する
方法は最も直裁的な方法ではあるが、現時点ではまだ収
量の面で工業的製造法としては充分ではない。また、バ
リダマイノンあるいはバリドキシルアミンを微生物分解
することによってバリエナミンを製造する方法もあるが
、この場合原料であるバリグマイシンあるいはバリドキ
シルアミンの構成成分の一部のみしかバリエナミンの製
造の目的に利用できないという欠点がある。従ってこれ
らの公知の製造法に比して工業的に有利なバリエナミン
の製造法の出現が強く望まれていた。
問題点を解決するための手段
そこで本発明者らは、前述の問題点を解決するため鋭意
研究を重ねた結果、入手が容易で且つ安価なり一グルコ
ースあるいはそれから容易に製造し得るD−グルコノ−
1,5−ラクトン(D−グルコン酸 δ−ラクトン)を
出発原料として、まず、一般式 (式中、R1は水酸基の保護基を、R″は炭化水素残基
を示す。)で表わされる新規化合物を製造することに成
功し、更に、この化合物[11]を塩基で処理すること
により、バリエナミン合成の重要な中間体となりうる一
般式 (式中、R1は水酸基の保護基を示す。)で表わされる
新規不飽和イノソース誘導体を得ることに成功した。
研究を重ねた結果、入手が容易で且つ安価なり一グルコ
ースあるいはそれから容易に製造し得るD−グルコノ−
1,5−ラクトン(D−グルコン酸 δ−ラクトン)を
出発原料として、まず、一般式 (式中、R1は水酸基の保護基を、R″は炭化水素残基
を示す。)で表わされる新規化合物を製造することに成
功し、更に、この化合物[11]を塩基で処理すること
により、バリエナミン合成の重要な中間体となりうる一
般式 (式中、R1は水酸基の保護基を示す。)で表わされる
新規不飽和イノソース誘導体を得ることに成功した。
なお、バリエナミンからのバリオールアミンの製造法は
本発明者によって既に確立されており(特開昭57−1
79174)、化合物[1]および化合物[■]はとも
にパリオールアミンおよびそのN−置換誘導体の製造原
料として重要な化合物である。
本発明者によって既に確立されており(特開昭57−1
79174)、化合物[1]および化合物[■]はとも
にパリオールアミンおよびそのN−置換誘導体の製造原
料として重要な化合物である。
以下に化合物[1]の製造法および化合物[Nからのバ
リエナミンの製造法について具体的に説明するとともに
その製造工程式を図1および図2に示す。なお、各式中
、R1は水酸基の保護基を、R2は炭化水素残基を、R
3は有機スルホニル基の有機残基を示す。
リエナミンの製造法について具体的に説明するとともに
その製造工程式を図1および図2に示す。なお、各式中
、R1は水酸基の保護基を、R2は炭化水素残基を、R
3は有機スルホニル基の有機残基を示す。
図1
[[1] 0R”
「lコ 0R”図2 一般式[I]、一般式[II]および図11図2に示し
たその他の各式において、nlで示される水酸基の保護
基としては、糖の化学で水酸基の保護基として用いられ
る保護基のうち、例えばエーテル型保護基、アセタール
型保護基、ケタール型保護基、オルトエステル型保護基
等が有利に用いられる。
「lコ 0R”図2 一般式[I]、一般式[II]および図11図2に示し
たその他の各式において、nlで示される水酸基の保護
基としては、糖の化学で水酸基の保護基として用いられ
る保護基のうち、例えばエーテル型保護基、アセタール
型保護基、ケタール型保護基、オルトエステル型保護基
等が有利に用いられる。
エーテル型保護基としては例えば、ハロゲン。
炭素数1〜5の低級アルコキシル基、ベンジルオキシ基
、フェニル基で置換されていてもよい炭素数1〜5の低
級アルキル基;炭素数2〜4のアルケニル基;炭素数1
〜5の低級アルキル基、フェニル基、ベンジル基等が置
換基であるトリ置換シリル基;炭素数1〜5の低級アル
コキシル基、ニトロ基で置換されていてもよいベンジル
基:炭素数1〜5の低級アルコキシル基:ハロゲンで置
換されていてもよいテトラヒドロピラニル括またはテト
ラヒドロフラニル基等が用いられる。
、フェニル基で置換されていてもよい炭素数1〜5の低
級アルキル基;炭素数2〜4のアルケニル基;炭素数1
〜5の低級アルキル基、フェニル基、ベンジル基等が置
換基であるトリ置換シリル基;炭素数1〜5の低級アル
コキシル基、ニトロ基で置換されていてもよいベンジル
基:炭素数1〜5の低級アルコキシル基:ハロゲンで置
換されていてもよいテトラヒドロピラニル括またはテト
ラヒドロフラニル基等が用いられる。
上記のハロゲンとしてはふっ素、塩素、臭素。
よう素が、炭素数1〜5のアルキル基としては、例えば
メチル、エチル、プロピル、イソプロピル。
メチル、エチル、プロピル、イソプロピル。
ブチル、イソブチル、 5ec−ブチル、 tert−
ブチル、ペンデル、イソペンチル、ネオペンチル基等が
、炭素数1〜5のアルコキシル基としては例えばハロゲ
ンで置換されていてもよいメトキシル。
ブチル、ペンデル、イソペンチル、ネオペンチル基等が
、炭素数1〜5のアルコキシル基としては例えばハロゲ
ンで置換されていてもよいメトキシル。
エトキシル、プロポキシル、ブトキシル、ペンチルオキ
シ、ビニルオキシ、アリルオキシ基等が、炭素数2〜4
のアルケニル基としてはビニル、アリル、イソプロペニ
ル、l−プロペニル、l−ブテニル、2−ブテニル、3
−ブテニル等が用いられる。
シ、ビニルオキシ、アリルオキシ基等が、炭素数2〜4
のアルケニル基としてはビニル、アリル、イソプロペニ
ル、l−プロペニル、l−ブテニル、2−ブテニル、3
−ブテニル等が用いられる。
エーテル型保護基を更に具体的に示せば、メチル、メト
キシメチル、ペンチルオキンメチル。
キシメチル、ペンチルオキンメチル。
tert−ブトキシメチル、2−メトキシエトキシメチ
ル、2,2.2−トリクロロメトキシメチル、エヂル、
l−エトキシエヂル、l−メチル−1−メトキシエヂル
、2,2.2−4リクロロエチル、プロピル、イソプロ
ピル、ブチル、イソブチル。
ル、2,2.2−トリクロロメトキシメチル、エヂル、
l−エトキシエヂル、l−メチル−1−メトキシエヂル
、2,2.2−4リクロロエチル、プロピル、イソプロ
ピル、ブチル、イソブチル。
5ec−ブチル、 tert−ブチル、エトキシエチル
。
。
トリフェニルメチル、p−メトキシフェニルジフェニル
メチル;アリル;トリメチルシリル、 tert−ブチ
ルジメチルシリル、 tert−ブチルジフェニルシリ
ル:ベンジル、p−メトキシベンジル、p−ニトロベン
ジル、p−クロロベンジル;テトラヒドロピラニル、3
−ブロモテトラヒドロピラニル、4−メトキシテトラヒ
ドロピラニル、テトラヒドロフラニル等である。
メチル;アリル;トリメチルシリル、 tert−ブチ
ルジメチルシリル、 tert−ブチルジフェニルシリ
ル:ベンジル、p−メトキシベンジル、p−ニトロベン
ジル、p−クロロベンジル;テトラヒドロピラニル、3
−ブロモテトラヒドロピラニル、4−メトキシテトラヒ
ドロピラニル、テトラヒドロフラニル等である。
アセタール型、ケタール型およびオルトエステル型保護
基は好ましくは1〜10の炭素数からなる。その具体例
を示せば、メチレン、エヂリデン。
基は好ましくは1〜10の炭素数からなる。その具体例
を示せば、メチレン、エヂリデン。
1−tert−ブチルエチリデン、1−フェニルエチリ
デン、2,2.2−)リクロロエチリデン;イソプロピ
リデン、ブチリデン。シクロペンチリデン。
デン、2,2.2−)リクロロエチリデン;イソプロピ
リデン、ブチリデン。シクロペンチリデン。
ンクロへキソリデン、シクロへブチリデン;ベンジリデ
ン、p−メトキシベンシリ、テン。2.4−ジブロモメ
トキシベンジリデン、p−ジメチルアミノベンノリテン
。0−ニトロペンジリデン:メトキノメヂレン、エトキ
シメチレン、ジメトキシメチレン、1−メトキシエヂリ
デン、l、2−ジメトキシエヂリデン等である。
ン、p−メトキシベンシリ、テン。2.4−ジブロモメ
トキシベンジリデン、p−ジメチルアミノベンノリテン
。0−ニトロペンジリデン:メトキノメヂレン、エトキ
シメチレン、ジメトキシメチレン、1−メトキシエヂリ
デン、l、2−ジメトキシエヂリデン等である。
化合物中のl’(lで示される水酸基の保護基の種類は
すべて同じであってもよいし、2種以上の異なった保護
基を含んでいてもよい。また、例えば、環状アセタール
型、環状ケタール型、環状オルトエステル型保護基の場
合のように2つの水酸基を一つの保護基で保護してもよ
い。
すべて同じであってもよいし、2種以上の異なった保護
基を含んでいてもよい。また、例えば、環状アセタール
型、環状ケタール型、環状オルトエステル型保護基の場
合のように2つの水酸基を一つの保護基で保護してもよ
い。
一般式[11]において、R2で示される炭化水素残基
としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプ
ロピル、ブチル等のアルキル基、フェニル等のアリール
基、ベンノル等のアラルキル基等が挙げられるが、炭素
数1〜・1の低級アルキル基が便宜に用いられる。
としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプ
ロピル、ブチル等のアルキル基、フェニル等のアリール
基、ベンノル等のアラルキル基等が挙げられるが、炭素
数1〜・1の低級アルキル基が便宜に用いられる。
化合物[IIは、例えば、図1に示す様にグルコノ−1
,5−ラクトン誘導体(1)を出発原料として下記の工
程1〜4、すなわち、 工程l 一般弐〇03P(0)(OR’:L [II[コ(式中
、R2は炭化水素残基を示す。)で表わされるメチルホ
スホン酸エステルを塩基、例えば、n−ブチルリチウム
で処理して得られるホスホナートカルボアニオンをグル
コノ−1,5−ラクトン誘導体(1)と反応させてl−
デオキシ−1−ホスポリルーD−グルコ−2−へプチュ
ロピラノース誘導体(2)を製造する工程、 工程2 化合物(2)のへミケタールを形成しているカルボニル
基をアルコールに還元することによってピラノース環を
開環してヘプチトール誘導体(3)を製造する工程、 工程3 化合物(3)の2位および6位の水酸基を酸化して1−
デオキシ−1−ホスホリル−D−キシロ−2,6−ヘブ
トジウロース誘導体[n]を製造する工程、 工程4 化合物[I[]を塩基で処理することによって4L−4
,615−トリヒドロキシ−3−ヒドロキシメチル−2
−シクロヘキセノン誘導体[Ilを製造する工程、 を経て合成することができる。
,5−ラクトン誘導体(1)を出発原料として下記の工
程1〜4、すなわち、 工程l 一般弐〇03P(0)(OR’:L [II[コ(式中
、R2は炭化水素残基を示す。)で表わされるメチルホ
スホン酸エステルを塩基、例えば、n−ブチルリチウム
で処理して得られるホスホナートカルボアニオンをグル
コノ−1,5−ラクトン誘導体(1)と反応させてl−
デオキシ−1−ホスポリルーD−グルコ−2−へプチュ
ロピラノース誘導体(2)を製造する工程、 工程2 化合物(2)のへミケタールを形成しているカルボニル
基をアルコールに還元することによってピラノース環を
開環してヘプチトール誘導体(3)を製造する工程、 工程3 化合物(3)の2位および6位の水酸基を酸化して1−
デオキシ−1−ホスホリル−D−キシロ−2,6−ヘブ
トジウロース誘導体[n]を製造する工程、 工程4 化合物[I[]を塩基で処理することによって4L−4
,615−トリヒドロキシ−3−ヒドロキシメチル−2
−シクロヘキセノン誘導体[Ilを製造する工程、 を経て合成することができる。
バリエナミンおよびその誘導体は、例えば、図2に示す
様に化合物[Ilを原料として下記の工程5−9、すな
わち、 工程5 化合物[1]のカルボニル基をアルコールに還元してI
L−(1,3/2.4)−5−ヒドロキシメチル−5−
シクロヘキセン−1,2,3,4−テトロール誘導体(
4)を製造する工程、 工程6 化合物(4)の1位の水酸基を有機スルホニル化して化
合物(5)を製造する工程、 工程7 化合物(5)の有機スルホニルオキシ基をアジド基で置
換してアジド誘導体(6)を製造する工程、工程8およ
び9 化合物(6)のアジド基をアミノ基に還元し、必要なら
ば水酸基の保護基を脱離せしめることによりバリエナミ
ンおよびその誘導体を製造する工程、を経て合成するこ
とができる。
様に化合物[Ilを原料として下記の工程5−9、すな
わち、 工程5 化合物[1]のカルボニル基をアルコールに還元してI
L−(1,3/2.4)−5−ヒドロキシメチル−5−
シクロヘキセン−1,2,3,4−テトロール誘導体(
4)を製造する工程、 工程6 化合物(4)の1位の水酸基を有機スルホニル化して化
合物(5)を製造する工程、 工程7 化合物(5)の有機スルホニルオキシ基をアジド基で置
換してアジド誘導体(6)を製造する工程、工程8およ
び9 化合物(6)のアジド基をアミノ基に還元し、必要なら
ば水酸基の保護基を脱離せしめることによりバリエナミ
ンおよびその誘導体を製造する工程、を経て合成するこ
とができる。
更に、工程2および工程3の代わりに化合物(2)を水
素化ナトリウム、カリウム jert−ブトキシド等の
塩基で処理することによってヘミケタール型として存在
しているカルボニル基をエノチート型に変換してピラノ
ース環を開環させた後、水酸基の酸化反応に付すことに
よっても化合物[11]を合成することができる[ I
l、 −J、 Altenbachet al、、Te
trahedron Letters、 26巻、6
329−6332頁(1985年)参照]。
素化ナトリウム、カリウム jert−ブトキシド等の
塩基で処理することによってヘミケタール型として存在
しているカルボニル基をエノチート型に変換してピラノ
ース環を開環させた後、水酸基の酸化反応に付すことに
よっても化合物[11]を合成することができる[ I
l、 −J、 Altenbachet al、、Te
trahedron Letters、 26巻、6
329−6332頁(1985年)参照]。
また、工程5〜8の代わりに、化合物[1]にヒドロキ
シルアミン(あるいは0−メチルヒドロキシルアミンや
O−ベンジルヒドロキシルアミン等のO−置換ヒドロキ
シルアミン)を反応させて得られるオキシム(あるいは
O−アルキルオキシムやO−アラルキルオキシム)を還
元反応に付すことによっても化合物(7a)を製造する
ことができる。オキシム類のヒドロキシイミノ基のアミ
ノ基への還元反応は、シクリトール部分の水酸基が保護
された状態で行なってもよいし、あるいは水酸基を脱離
さけた後に還元して、化合物(7b)を直接製造しても
よい。還元反応は、例えば、水素化アルミニウムリチウ
ム等の金属水素錯化合物を用いて行なうことができる。
シルアミン(あるいは0−メチルヒドロキシルアミンや
O−ベンジルヒドロキシルアミン等のO−置換ヒドロキ
シルアミン)を反応させて得られるオキシム(あるいは
O−アルキルオキシムやO−アラルキルオキシム)を還
元反応に付すことによっても化合物(7a)を製造する
ことができる。オキシム類のヒドロキシイミノ基のアミ
ノ基への還元反応は、シクリトール部分の水酸基が保護
された状態で行なってもよいし、あるいは水酸基を脱離
さけた後に還元して、化合物(7b)を直接製造しても
よい。還元反応は、例えば、水素化アルミニウムリチウ
ム等の金属水素錯化合物を用いて行なうことができる。
工程lにおいて用いられる一般式[I[Ilで表わされ
るメチルホスホン酸エステルの具体例としては、例えば
、メチルホスホン酸のジメチルエステル。
るメチルホスホン酸エステルの具体例としては、例えば
、メチルホスホン酸のジメチルエステル。
ジエチルエステル、ジプロピルエステル、ジブチルエス
テル等の炭素数1〜4のジアルキルエステル、ジフェニ
ルエステル等のジアリールエステル、ジベンジルエステ
ル等のジアラルキルエステル等が挙げられる。その外、
一般式[II[]の(o R’)、部分が(CsHs)
tであるメヂルンフェニルホスフィンオキシド、[(C
H3)zN]yであるメチルホスホン酸ビス(ツメチル
アミド)等を用いる方法もメチルポスホン酸エステルを
用いる方法の範躊に含まれる。反応は通常−78〜40
’Cで、特に反応の初期において一78℃程度にまで冷
却して行なわれ、好ましくは、アルゴン、窒素等の不活
性ガスの雰囲気中で行なわれる。反応時間は反応温度に
よっても異なるが、通常30分ないし3時間の範囲であ
る。
テル等の炭素数1〜4のジアルキルエステル、ジフェニ
ルエステル等のジアリールエステル、ジベンジルエステ
ル等のジアラルキルエステル等が挙げられる。その外、
一般式[II[]の(o R’)、部分が(CsHs)
tであるメヂルンフェニルホスフィンオキシド、[(C
H3)zN]yであるメチルホスホン酸ビス(ツメチル
アミド)等を用いる方法もメチルポスホン酸エステルを
用いる方法の範躊に含まれる。反応は通常−78〜40
’Cで、特に反応の初期において一78℃程度にまで冷
却して行なわれ、好ましくは、アルゴン、窒素等の不活
性ガスの雰囲気中で行なわれる。反応時間は反応温度に
よっても異なるが、通常30分ないし3時間の範囲であ
る。
工程2および工程5におけるカルボニル基のアルコール
への還元反応に用いられる還元試薬としては金属水素錯
化合物やジボランおよび置換ジボラン等が挙げられる。
への還元反応に用いられる還元試薬としては金属水素錯
化合物やジボランおよび置換ジボラン等が挙げられる。
具体的には、例えば、水素化はう素ナトリウム、水素化
はう素カリウム、水素化はう素すヂウム、水素化はう素
亜鉛、水素化トリメトキシはう素ナトリウム、水素化ト
リー5ec−ブチルはう素カリウム、水素化トリーse
c −ブチルはう素すヂウム、水素化トリー5ec−ブ
チルはう素ナトリウム、水素化トリジアミルはう素カリ
ウム、水素化トリアミルはう素リチウム等の水素化はう
素金属、例えば、シアノ水素化はう素ナトリウム、水素
化シアノはう素テトラーn−ブチルアンモニウム等のシ
アノ水素化はう素アルカリ金属、例えば、水素化アルミ
ニウムリチウム。
はう素カリウム、水素化はう素すヂウム、水素化はう素
亜鉛、水素化トリメトキシはう素ナトリウム、水素化ト
リー5ec−ブチルはう素カリウム、水素化トリーse
c −ブチルはう素すヂウム、水素化トリー5ec−ブ
チルはう素ナトリウム、水素化トリジアミルはう素カリ
ウム、水素化トリアミルはう素リチウム等の水素化はう
素金属、例えば、シアノ水素化はう素ナトリウム、水素
化シアノはう素テトラーn−ブチルアンモニウム等のシ
アノ水素化はう素アルカリ金属、例えば、水素化アルミ
ニウムリチウム。
水素化トリメトキシアルミニウムリチウム、水素化トリ
(tert−ブトキシ)アルミニウムリチウム等の水素
化アルミニウムアルカリ金属、例えば、2゜3−ジメチ
ル−2−ブチルボラン、ビス−3−メチル−2−ブチル
ボラン、ジイソピノカンフェニルボラン、ジシクロヘキ
シルボラン、9−ボラビシクロ[3,3,1]ノナン、
NB−エナントラン(N B −Enantrane)
、 N B−エナントライド(NB−Enantrid
e)等のアルキルボラン、例えば、ジメチルアミンボラ
ン、水素化はう素テトラメチルアンモニウム等のアルキ
ルアミノボラン等が挙げられる。また、工程5における
ような、α、β−不飽和ケトンのカルボニル基をアルコ
ールに還元する場合の好ましい方法としては、例えば、
塩化セリウム(■)、塩化サマリウム(■)、塩化ユー
ロピウム(III)等の希土類元素のハロゲン化物の存
在下に、例えば、水素化はう素ナトリウム等の水素化は
う素アルカリ金属を用いて還元する方法が挙げられる。
(tert−ブトキシ)アルミニウムリチウム等の水素
化アルミニウムアルカリ金属、例えば、2゜3−ジメチ
ル−2−ブチルボラン、ビス−3−メチル−2−ブチル
ボラン、ジイソピノカンフェニルボラン、ジシクロヘキ
シルボラン、9−ボラビシクロ[3,3,1]ノナン、
NB−エナントラン(N B −Enantrane)
、 N B−エナントライド(NB−Enantrid
e)等のアルキルボラン、例えば、ジメチルアミンボラ
ン、水素化はう素テトラメチルアンモニウム等のアルキ
ルアミノボラン等が挙げられる。また、工程5における
ような、α、β−不飽和ケトンのカルボニル基をアルコ
ールに還元する場合の好ましい方法としては、例えば、
塩化セリウム(■)、塩化サマリウム(■)、塩化ユー
ロピウム(III)等の希土類元素のハロゲン化物の存
在下に、例えば、水素化はう素ナトリウム等の水素化は
う素アルカリ金属を用いて還元する方法が挙げられる。
これらの還元反応の温度は還元剤の種類によって差異が
あるが、通常−30〜40℃で、場合によっては、特に
反応の初期においては、−78℃程度にまで冷却して行
なわれ、また場合によっては80°C程度にまで加熱し
て行なわれる。反応時間も還元剤の種類や反応温度によ
って差異があるが、通常数分ないし24時間程度反応さ
せることによって目的を達することができる。
あるが、通常−30〜40℃で、場合によっては、特に
反応の初期においては、−78℃程度にまで冷却して行
なわれ、また場合によっては80°C程度にまで加熱し
て行なわれる。反応時間も還元剤の種類や反応温度によ
って差異があるが、通常数分ないし24時間程度反応さ
せることによって目的を達することができる。
工程3における、ヘプチトール誘導体(3)の保護され
ていない水酸基を酸化してヘプトジウロース誘導体[n
]を製造する反応は、糖類あるいは多価アルコールの第
二級水酸基をカルボニル基に酸化するための反応条件が
用いられる。例えば、ジメチルスルホキシドと無水トリ
フルオロ酢酸、ジメチルスルホキシドと無水酢酸、ジメ
チルスルホキシドと五酸化りん、ジメチルスルホキシド
と三酸化硫黄−ビリジン錯体、ジメチルスルホキシドと
オキサリルクロリド等のジメチルスルホキシドとその活
性化試薬、好ましくはジメチルスルホキシドと(Hl(
水トリフルオロ酢酸を用いて酸化する方法か用いられる
。また、二酸化クロム−ピリジン錯体、ジクロム酸ピリ
ジニウム、酸化ルテニウム(■)等を用いて酸化する方
法を用いてもよい。
ていない水酸基を酸化してヘプトジウロース誘導体[n
]を製造する反応は、糖類あるいは多価アルコールの第
二級水酸基をカルボニル基に酸化するための反応条件が
用いられる。例えば、ジメチルスルホキシドと無水トリ
フルオロ酢酸、ジメチルスルホキシドと無水酢酸、ジメ
チルスルホキシドと五酸化りん、ジメチルスルホキシド
と三酸化硫黄−ビリジン錯体、ジメチルスルホキシドと
オキサリルクロリド等のジメチルスルホキシドとその活
性化試薬、好ましくはジメチルスルホキシドと(Hl(
水トリフルオロ酢酸を用いて酸化する方法か用いられる
。また、二酸化クロム−ピリジン錯体、ジクロム酸ピリ
ジニウム、酸化ルテニウム(■)等を用いて酸化する方
法を用いてもよい。
反応条件は用いる酸化剤の種類によって異なるが、反応
溶媒としては、例えば、ジクロロメタン。
溶媒としては、例えば、ジクロロメタン。
クロロホルム、ベンゼン、トルエン、ジメチルホルムア
ミド、ジメチルスルホキシド、無水酢酸等が、単独また
は混合溶媒として用いられ、反応は通常、−10〜40
℃で、場合によっては、特に反応の初期において、−7
8℃程度にまで冷却して行なわれる。反応時間は1時間
ないし24時間程度である。
ミド、ジメチルスルホキシド、無水酢酸等が、単独また
は混合溶媒として用いられ、反応は通常、−10〜40
℃で、場合によっては、特に反応の初期において、−7
8℃程度にまで冷却して行なわれる。反応時間は1時間
ないし24時間程度である。
工程4におけるホスホリルージケトース誘導体[III
を塩基で処理して分子内開環反応に付し、不飽和イノソ
ース誘導体[I]を製造する反応は分子内ウイッティッ
ヒ(w+ttig)反応あるいはワズヮースーエモンズ
(Wadsworth −Emmons)反応[参考文
献:W、S、 Wadsworth、 Jr、、 Or
ganic Reaction、 2 =i巻、73−
253頁(1977年): K、 B、 Becker
。
を塩基で処理して分子内開環反応に付し、不飽和イノソ
ース誘導体[I]を製造する反応は分子内ウイッティッ
ヒ(w+ttig)反応あるいはワズヮースーエモンズ
(Wadsworth −Emmons)反応[参考文
献:W、S、 Wadsworth、 Jr、、 Or
ganic Reaction、 2 =i巻、73−
253頁(1977年): K、 B、 Becker
。
Tetrahedron、 36巻、 1717−17
45頁(1980年);W、 S、 Wadswort
h、 Jr6. and W、 D。
45頁(1980年);W、 S、 Wadswort
h、 Jr6. and W、 D。
Emmons、 J、 Amer、 Chem、 Sa
c、、 83巻、1733−1738頁(1961年)
]として知られている反応に属するしのであり、これら
の反応について知られている方法が有利に用いられる。
c、、 83巻、1733−1738頁(1961年)
]として知られている反応に属するしのであり、これら
の反応について知られている方法が有利に用いられる。
化合物[[1]の化合物[11への分子内閉環反応にお
いて用いられる塩基としては、例えば、炭酸カリウム、
炭酸ナトリウム1重炭酸カリウム等のアルカリ金属の塩
、水酸化カリウム、水酸化ナトリラム等の水酸化アルカ
リ金属、水素化ナトリウム。
いて用いられる塩基としては、例えば、炭酸カリウム、
炭酸ナトリウム1重炭酸カリウム等のアルカリ金属の塩
、水酸化カリウム、水酸化ナトリラム等の水酸化アルカ
リ金属、水素化ナトリウム。
水素化カリウム、水素化リチウム等の水素化アルカリ金
属、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カ
リウム−tert−ブトキシド等のアルカリ金属アルコ
キシド、ブチルリチウム、プロピルリチウム等のアルキ
ルアルカリ金属等が挙げられる。また、化合物[11]
の化合物[同への塩基を用いる分子内閉環反応のうち、
好ましい方法としては、例えば、18−クラウン−6、
ジベンゾ−18−クラウン−6、ジシクロへキシル−1
8−クラウン−6,15−クラウン−5等のクラウンエ
ーテルの存在下に、塩基として炭酸カリウム。
属、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カ
リウム−tert−ブトキシド等のアルカリ金属アルコ
キシド、ブチルリチウム、プロピルリチウム等のアルキ
ルアルカリ金属等が挙げられる。また、化合物[11]
の化合物[同への塩基を用いる分子内閉環反応のうち、
好ましい方法としては、例えば、18−クラウン−6、
ジベンゾ−18−クラウン−6、ジシクロへキシル−1
8−クラウン−6,15−クラウン−5等のクラウンエ
ーテルの存在下に、塩基として炭酸カリウム。
炭酸ナトリウム等の炭酸アルカリ金属を用いる方法が挙
げられる[参考文献:P、^、Ar15toff。
げられる[参考文献:P、^、Ar15toff。
5ynthetic Communication、
13巻、145−150頁(1983年)]。反反応
媒は用いる塩基の種類によっても異なるが、例えば、ベ
ンゼン。
13巻、145−150頁(1983年)]。反反応
媒は用いる塩基の種類によっても異なるが、例えば、ベ
ンゼン。
トルエン等の芳香族炭化水素、テトラヒドロフラン、エ
チレングリコールモノエチルエーテル、エチルエーテル
等のエーテル類等が有利に用いられる。反応温度も用い
られる塩基や反応溶媒の種類によって異なるが、通常、
10℃ないし溶媒の沸騰点の範囲で、場合によっては、
特に反応の初期においては一78°C程度にまで冷却し
て行なわれる。反応時間は反応温度によっても異なるが
通常1〜18時間の範囲である。
チレングリコールモノエチルエーテル、エチルエーテル
等のエーテル類等が有利に用いられる。反応温度も用い
られる塩基や反応溶媒の種類によって異なるが、通常、
10℃ないし溶媒の沸騰点の範囲で、場合によっては、
特に反応の初期においては一78°C程度にまで冷却し
て行なわれる。反応時間は反応温度によっても異なるが
通常1〜18時間の範囲である。
工程6の擬似不飽和糖誘導体(4)の保護されていない
水酸基を有機スルホニル化して化合物(5)を製造する
方法としては、例えば、化合物(4)を一般式R’−8
ot−Xで表わされるハロゲン化スルホニル[式中、X
は塩素、臭素、よう素などのハロゲンを、R3は低級ア
ルキル基、塩素、臭素。
水酸基を有機スルホニル化して化合物(5)を製造する
方法としては、例えば、化合物(4)を一般式R’−8
ot−Xで表わされるハロゲン化スルホニル[式中、X
は塩素、臭素、よう素などのハロゲンを、R3は低級ア
ルキル基、塩素、臭素。
よう素、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ニトロ基
等で置換されていてもよいフェニル基、ベンノル基、ナ
フチル基、イミダゾリル基を示す。]、好ましくは、例
えば塩化メタンスルホニル、塩化p−トルエンスルホニ
ル、塩化イミダゾリルスルホニルと反応させる方法、更
に詳細には、不飽和シクリトール誘導体1モルに対して
ハロゲン化スルホニル1モル以上、好ましくは1.2〜
3モルを有機塩基(例えば、トリエチルアミン等の三級
アミン、ピリジン等)、および場合によってはジメチル
ホルムアミド、ベンゼン、トルエン、アセトン等の不活
性溶媒の存在下において、通常−30〜40℃で、場合
によっては、特に反応の初期においては一50℃程度に
まで冷却下に、また場合によっては80℃程度にまで加
熱して反応させる方法が挙げられる。
等で置換されていてもよいフェニル基、ベンノル基、ナ
フチル基、イミダゾリル基を示す。]、好ましくは、例
えば塩化メタンスルホニル、塩化p−トルエンスルホニ
ル、塩化イミダゾリルスルホニルと反応させる方法、更
に詳細には、不飽和シクリトール誘導体1モルに対して
ハロゲン化スルホニル1モル以上、好ましくは1.2〜
3モルを有機塩基(例えば、トリエチルアミン等の三級
アミン、ピリジン等)、および場合によってはジメチル
ホルムアミド、ベンゼン、トルエン、アセトン等の不活
性溶媒の存在下において、通常−30〜40℃で、場合
によっては、特に反応の初期においては一50℃程度に
まで冷却下に、また場合によっては80℃程度にまで加
熱して反応させる方法が挙げられる。
工程7の有機スルホニル誘導体(5)からアジド誘導体
(6)を製造する方法としては例えば、ベンゼン、トル
エン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドな
どの単一の有機溶媒、あるいはこれらの有機溶媒および
水の任意の組み合わせの混合溶媒中で、例えば、有機ス
ルホニル誘導体(5)をアジ化ナトリウム、アジ化リチ
ウムなどのアジ化アルカリ金属、あるいは、アジ化テト
ラ−n−ブチルアンモニウムなどのアジ化テトラ低級ア
ルキルアンモニウムと、通常、−10〜120℃の範囲
で、1〜24時間反応さ仕る方法が用いられる。
(6)を製造する方法としては例えば、ベンゼン、トル
エン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドな
どの単一の有機溶媒、あるいはこれらの有機溶媒および
水の任意の組み合わせの混合溶媒中で、例えば、有機ス
ルホニル誘導体(5)をアジ化ナトリウム、アジ化リチ
ウムなどのアジ化アルカリ金属、あるいは、アジ化テト
ラ−n−ブチルアンモニウムなどのアジ化テトラ低級ア
ルキルアンモニウムと、通常、−10〜120℃の範囲
で、1〜24時間反応さ仕る方法が用いられる。
工程8における、アジド誘導体(6)を還元してバリエ
ナミン誘導体(7)を製造する方法としては、例えば、
水素化アルミニウムリチウム、水素化トリメトキシアル
ミニウムリチウム、水素化トリQert−ブトキシ)ア
ルミニウムリチウム等の水素化アルミニウム金属を用い
て還元する方法が用いられる。更に詳細には、例えば、
化合物(6)をテトラヒドロフラン、エチルエーテル等
の溶媒中で、還元剤として水素化アルミニウムリチウム
を用いて、−30〜40℃で1〜3時間反応させること
によって化合物(7a)を製造することができる。
ナミン誘導体(7)を製造する方法としては、例えば、
水素化アルミニウムリチウム、水素化トリメトキシアル
ミニウムリチウム、水素化トリQert−ブトキシ)ア
ルミニウムリチウム等の水素化アルミニウム金属を用い
て還元する方法が用いられる。更に詳細には、例えば、
化合物(6)をテトラヒドロフラン、エチルエーテル等
の溶媒中で、還元剤として水素化アルミニウムリチウム
を用いて、−30〜40℃で1〜3時間反応させること
によって化合物(7a)を製造することができる。
その外、アジド化合物中に二重結合が存在している場合
に、アジド基を選択的にアミノ基に還元する方法として
、水素化はう素ナトリウム、水素化はう素リチウム等の
水素化はう素アルカリ金属を用いて、場合によっては臭
化へキサデンルトリブチルホスホニウム等の相転位触媒
(phase−transfer catalyst
)の存在下に還元する方法;プロパン−1,3−ジチオ
ールとトリエチルアミンを用いろ方法:塩化第一クロム
(CrC1f)を用いる方法、ピリジン−水中で硫化水
素で還元する方法;トリフェニルホスフィンを用いる方
法;リンドラ−(Lindlar)触媒を用いて接触還
元する方法などが挙げられる。
に、アジド基を選択的にアミノ基に還元する方法として
、水素化はう素ナトリウム、水素化はう素リチウム等の
水素化はう素アルカリ金属を用いて、場合によっては臭
化へキサデンルトリブチルホスホニウム等の相転位触媒
(phase−transfer catalyst
)の存在下に還元する方法;プロパン−1,3−ジチオ
ールとトリエチルアミンを用いろ方法:塩化第一クロム
(CrC1f)を用いる方法、ピリジン−水中で硫化水
素で還元する方法;トリフェニルホスフィンを用いる方
法;リンドラ−(Lindlar)触媒を用いて接触還
元する方法などが挙げられる。
化合物(7a)の水酸基の保護基を除去する必要のある
場合には、用いた保護基の種類に応じて、公知の常用さ
れている脱保護法を用いて行なうことができる。
場合には、用いた保護基の種類に応じて、公知の常用さ
れている脱保護法を用いて行なうことができる。
例えば、水酸基の保護基としてテトラヒドロピラニル基
を用いた場合には、酸を用いて、例えば、酢酸と水の混
合溶液中で、通常、30〜80℃で、3〜8時間加水分
解することによってパリエナミン(7b)を製造するこ
とができる。
を用いた場合には、酸を用いて、例えば、酢酸と水の混
合溶液中で、通常、30〜80℃で、3〜8時間加水分
解することによってパリエナミン(7b)を製造するこ
とができる。
パリオールアミンは、化合物(7a)および化合物(7
b)より、例えば、図3に示した方法で製造することが
できる。すなわち、化合物(7a)あるいは化合物(7
b)に一般式R’−0−Co−Z(式中、Zはハロゲン
原子、活性エステルの残基あるいは炭酸エステルの残基
を示す。)で表わされるカルボニル化剤を反応させてN
−アシル誘導体(8)を合成する工程、化合物(8)を
ハロゲン化剤、例えば臭素と反応さU゛て環状カルバメ
ート誘導体(9)を合成する工程、還元的脱ハロゲン化
剤、例えば、水素化はう素ナトリウムで還元して化合物
(lO)を合成する工程、化合物(10)の環状カルバ
メート結合を加水分解して化合物(lla)またはパリ
オールアミン(llb)を製造する工程、および、もし
必要ならば化合物(lla)の水酸基の保護基を脱離せ
しめる工程を経由して製造することができる[Carb
ohyd、 Res、、 140巻、185−200
頁(1985年)参照]。
b)より、例えば、図3に示した方法で製造することが
できる。すなわち、化合物(7a)あるいは化合物(7
b)に一般式R’−0−Co−Z(式中、Zはハロゲン
原子、活性エステルの残基あるいは炭酸エステルの残基
を示す。)で表わされるカルボニル化剤を反応させてN
−アシル誘導体(8)を合成する工程、化合物(8)を
ハロゲン化剤、例えば臭素と反応さU゛て環状カルバメ
ート誘導体(9)を合成する工程、還元的脱ハロゲン化
剤、例えば、水素化はう素ナトリウムで還元して化合物
(lO)を合成する工程、化合物(10)の環状カルバ
メート結合を加水分解して化合物(lla)またはパリ
オールアミン(llb)を製造する工程、および、もし
必要ならば化合物(lla)の水酸基の保護基を脱離せ
しめる工程を経由して製造することができる[Carb
ohyd、 Res、、 140巻、185−200
頁(1985年)参照]。
なお、図3の各式中、R4は水素原子または水酸基の保
護基を、R5はアルキル、アリールまたはアラルキルな
どの炭化水素残基を、Xはハロゲン原子を示す。またR
4で示される水酸基の保護基としては、R1で示される
水酸基の保護基として上記したものが同様に用いられる
。
護基を、R5はアルキル、アリールまたはアラルキルな
どの炭化水素残基を、Xはハロゲン原子を示す。またR
4で示される水酸基の保護基としては、R1で示される
水酸基の保護基として上記したものが同様に用いられる
。
図3
図13図2および図3に示した不飽和イノソース誘導体
[+]をはじめとする各化合物は自体公知の手段、例え
ば、濃縮、減圧濃縮、ろ過、遠心分離、乾燥、凍結乾燥
、吸着、脱着、各種溶媒に対する溶解度の差を利用する
方法(例えば、溶媒抽出、転溶、沈澱、結晶化、再結晶
など)、クロマトグラフィー(例えば、イオン交換樹脂
、活性炭。
[+]をはじめとする各化合物は自体公知の手段、例え
ば、濃縮、減圧濃縮、ろ過、遠心分離、乾燥、凍結乾燥
、吸着、脱着、各種溶媒に対する溶解度の差を利用する
方法(例えば、溶媒抽出、転溶、沈澱、結晶化、再結晶
など)、クロマトグラフィー(例えば、イオン交換樹脂
、活性炭。
ハイポーラスポリマー、セファデックス、セファデック
スイオン交換体、セルローズ、イオン交換セルローズ、
シリカゲル、アルミナなどを用いるクロマトグラフィー
)などにより単離、精製できる。
スイオン交換体、セルローズ、イオン交換セルローズ、
シリカゲル、アルミナなどを用いるクロマトグラフィー
)などにより単離、精製できる。
発明の効果
バリエナミンおよびパリオールアミンのN−置換誘導体
、取り分はパリオールアミンのN−置換誘導体、例えば
、N−[2−ヒドロキシ−1−(ヒドロキンメヂル)エ
チル]パリオールアミンは強いα−グルコシダーゼ阻害
作用を有し、炭水化物の代謝を抑制するので、血糖上昇
抑制作用を有しており、過血糖症状および過血糖に起因
する種々の疾患、例えば、糖尿病、肥満症、高脂血症等
の治療および予防に有用な化合物である。
、取り分はパリオールアミンのN−置換誘導体、例えば
、N−[2−ヒドロキシ−1−(ヒドロキンメヂル)エ
チル]パリオールアミンは強いα−グルコシダーゼ阻害
作用を有し、炭水化物の代謝を抑制するので、血糖上昇
抑制作用を有しており、過血糖症状および過血糖に起因
する種々の疾患、例えば、糖尿病、肥満症、高脂血症等
の治療および予防に有用な化合物である。
本発明の不飽和イノソース誘導体[Nは上記のようにバ
リエナミン、およびバリエナミンを経由するパリオール
アミンおよびそれらのN−置換誘導体の製造原料として
重要な化合物であるが、この不飽和イノソース誘導体[
+]をD−グルコースあるいはD−グルコースから安価
に、且つ容易に製造し得るD−グルコノ−1,5−ラク
トンを原料として化合物[11]を経由して製造するこ
とに成功した。
リエナミン、およびバリエナミンを経由するパリオール
アミンおよびそれらのN−置換誘導体の製造原料として
重要な化合物であるが、この不飽和イノソース誘導体[
+]をD−グルコースあるいはD−グルコースから安価
に、且つ容易に製造し得るD−グルコノ−1,5−ラク
トンを原料として化合物[11]を経由して製造するこ
とに成功した。
以下に、参考例および実施例を挙げて本発明を更に具体
的に説明するが本発明の範囲はこれに限定されるもので
はない。なお、参考例、実施例で用いた混合溶媒の混合
比は、特にことわらない限りは容積比(y/v)で示し
た。
的に説明するが本発明の範囲はこれに限定されるもので
はない。なお、参考例、実施例で用いた混合溶媒の混合
比は、特にことわらない限りは容積比(y/v)で示し
た。
参考例1
2.3,4.6−チトチー0−(テトラヒドロピラニル
)−D−グルコノ−1,5−ラクトンD−グルコノー1
.5−ラクトン(20g)をN。
)−D−グルコノ−1,5−ラクトンD−グルコノー1
.5−ラクトン(20g)をN。
N−ジメチルホルムアミド(DMF)(50m9)に溶
解し、p−トルエンスルホン酸(0,5g)を加えて氷
水で冷却下に3,4−ジヒドロ−20−ビラン(100
mlりを滴下し、2時間攪拌後、更に室温で1時間攪拌
した。反応液を酢酸エチル(1,2Q)と水(0,41
2)の混合液に加え、酢酸エチル層を分離し、飽和炭酸
水素ナトリウム溶液で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾
燥後、減圧濃縮した。残留物をシリカゲルカラムクロマ
ト(1,512)に付し、トルエンで洗浄後、トルエン
・酢酸エチル(9:I)で溶出した。溶出画分を減圧濃
縮し、更に減圧下に乾燥して2,3,4.6−チトチー
0−(テトラヒドロピラニル)−D−グルコノ−1,5
−ラクトン(54,7g)を得た。
解し、p−トルエンスルホン酸(0,5g)を加えて氷
水で冷却下に3,4−ジヒドロ−20−ビラン(100
mlりを滴下し、2時間攪拌後、更に室温で1時間攪拌
した。反応液を酢酸エチル(1,2Q)と水(0,41
2)の混合液に加え、酢酸エチル層を分離し、飽和炭酸
水素ナトリウム溶液で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾
燥後、減圧濃縮した。残留物をシリカゲルカラムクロマ
ト(1,512)に付し、トルエンで洗浄後、トルエン
・酢酸エチル(9:I)で溶出した。溶出画分を減圧濃
縮し、更に減圧下に乾燥して2,3,4.6−チトチー
0−(テトラヒドロピラニル)−D−グルコノ−1,5
−ラクトン(54,7g)を得た。
eat
I R: v 1765cm−’l1aX
元素分析: CzaHa*O+。
計算値(%):C,60,68; H,8,23実験値
(%):C,81,21; H,8,17参考例2 3.4,5.7−テトラ−0−ベンジル−1−デオキシ
−1−(ジメトキシホスホリル)−D−グルコ−2−ヘ
プチュロピラノース ジメチル メチルホスホナート(4,4d)をテトラヒ
ドロフラン(50d)に溶解し、アルゴン気流中冷却下
(−70〜−78℃)にn−ブチルリチウムのn−ヘキ
サン溶液(1,7M溶液、+7d)を滴下し、30分間
攪拌した。更に反応液を同温度に冷却下、2.3,4.
6−テトラ−0−ベンジルーD−グルコノ−1,5−ラ
クトン(5,3g)のテトラヒドロフラン(25d)溶
液を滴下し、30分間攪拌後、冷却浴を除いて反応温度
が0℃に上昇するまで攪拌した。反応液を水冷した10
%(W/■)塩化アンモニウム溶液(100d)と酢酸
エチル(300d)の混合液に加え、酢酸エチル層を分
離し、水洗し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧a縮
した。残留物をシリカゲルカラムクロマト(400d)
に付し、トルエン・酢酸エチル(2: I )で溶出し
た。溶出画分を減圧濃縮し、更に減圧下に乾燥して3,
4,5.7−テトラ−0−ベンジル−1−デオキシ−1
−(ジメトキシホスホリル)−D−グルコ−2−へプチ
ュロピラノース(+3.0g)を得た。
(%):C,81,21; H,8,17参考例2 3.4,5.7−テトラ−0−ベンジル−1−デオキシ
−1−(ジメトキシホスホリル)−D−グルコ−2−ヘ
プチュロピラノース ジメチル メチルホスホナート(4,4d)をテトラヒ
ドロフラン(50d)に溶解し、アルゴン気流中冷却下
(−70〜−78℃)にn−ブチルリチウムのn−ヘキ
サン溶液(1,7M溶液、+7d)を滴下し、30分間
攪拌した。更に反応液を同温度に冷却下、2.3,4.
6−テトラ−0−ベンジルーD−グルコノ−1,5−ラ
クトン(5,3g)のテトラヒドロフラン(25d)溶
液を滴下し、30分間攪拌後、冷却浴を除いて反応温度
が0℃に上昇するまで攪拌した。反応液を水冷した10
%(W/■)塩化アンモニウム溶液(100d)と酢酸
エチル(300d)の混合液に加え、酢酸エチル層を分
離し、水洗し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧a縮
した。残留物をシリカゲルカラムクロマト(400d)
に付し、トルエン・酢酸エチル(2: I )で溶出し
た。溶出画分を減圧濃縮し、更に減圧下に乾燥して3,
4,5.7−テトラ−0−ベンジル−1−デオキシ−1
−(ジメトキシホスホリル)−D−グルコ−2−へプチ
ュロピラノース(+3.0g)を得た。
[αコ26−12.5° (c= 1 、 CH
C13)’H−N1vlrt(CD C13)δ: 1
.69(dd、J=15.19Hz)および2J2(d
d、J= 15.1811z) (各i11.− CI
ItP−) 。
C13)’H−N1vlrt(CD C13)δ: 1
.69(dd、J=15.19Hz)および2J2(d
d、J= 15.1811z) (各i11.− CI
ItP−) 。
3、60(3H,d、 J = 1lllz、−0CH
3) 、 3.66(311,d、 J= 11fiz
、 QCTo) 元素分析: C37114sOsP 計算値(%):C,67,06; H,6,54実験値
(%):C,67,15; H,6,54参考例3 3.4.5.7−チトチー0−(テトラヒドロピラニル
)−1−デオキソ−1−(ジメトキシホスホリル)−D
−グルコ−2−へプヂュロピラノースジメヂル メチル
ホスホナート(+5.31.Il)をエチルエーテル(
300d)に溶解し、アルゴン気流中冷却下(−70〜
−78°C)にn−ブチルリチウムのn−ヘキサン溶液
(1,6M溶液、84d)を滴下し、30分間攪拌した
。更に反応液を同温度に冷却下、2.3.4.6−チト
チー0−(テトラヒドロピラニル)−D−グルコノ−1
,5−ラクトン(23,2g)のエチルエーテル(80
TnIl)溶液を滴下し、1時間儂拌後、冷却浴を除い
て反応温度が0℃に上昇するまで攪拌した。反応液を、
水冷した10%(w/v)塩化アンモニウム溶液(25
0りとエチルエーテル(+20d)の混合液に加え、エ
チルエーテル層を分離し、水層をエチルエーテルで抽出
した。抽出液を集め、水洗し、無水硫酸マグネシウムで
乾燥後、減圧濃縮し、更に減圧下に乾燥して3,4,5
.7−チトチー0−(テトラヒドロピラニル)−1−デ
オキシ−1−(ジメトキシホスホリル)−D−グルコ−
2−へプチュロピラノース(26,6g)を得た。
3) 、 3.66(311,d、 J= 11fiz
、 QCTo) 元素分析: C37114sOsP 計算値(%):C,67,06; H,6,54実験値
(%):C,67,15; H,6,54参考例3 3.4.5.7−チトチー0−(テトラヒドロピラニル
)−1−デオキソ−1−(ジメトキシホスホリル)−D
−グルコ−2−へプヂュロピラノースジメヂル メチル
ホスホナート(+5.31.Il)をエチルエーテル(
300d)に溶解し、アルゴン気流中冷却下(−70〜
−78°C)にn−ブチルリチウムのn−ヘキサン溶液
(1,6M溶液、84d)を滴下し、30分間攪拌した
。更に反応液を同温度に冷却下、2.3.4.6−チト
チー0−(テトラヒドロピラニル)−D−グルコノ−1
,5−ラクトン(23,2g)のエチルエーテル(80
TnIl)溶液を滴下し、1時間儂拌後、冷却浴を除い
て反応温度が0℃に上昇するまで攪拌した。反応液を、
水冷した10%(w/v)塩化アンモニウム溶液(25
0りとエチルエーテル(+20d)の混合液に加え、エ
チルエーテル層を分離し、水層をエチルエーテルで抽出
した。抽出液を集め、水洗し、無水硫酸マグネシウムで
乾燥後、減圧濃縮し、更に減圧下に乾燥して3,4,5
.7−チトチー0−(テトラヒドロピラニル)−1−デ
オキシ−1−(ジメトキシホスホリル)−D−グルコ−
2−へプチュロピラノース(26,6g)を得た。
[a ] D+ 34 、6°(C= 1 、 CHC
13)’HNMR(CDC13)δ: 3.72(61
1,d、J=12■2゜−0CII、 X 2) 元素力′g′r: CteHs+O+sP計算値(%
):C,54,54; H,8,05実験値(%):C
,54,83,H,8,18参考例4 3.4,5.7−テトラ−0−ベンジル−1−デオキシ
−1−(ジメトキシホスホリル)−D−グリセロ−D−
ギューローへブチトールおよび1,3゜4.5−テトラ
−O−ベンジル−7−ジオキシ−7−(ジメトキシホス
ホリル)−D−グリセロ−し−ギューローへブチトール 3.4,5.7−チトチーO−ベンジルー1−デオキシ
−1−(ジメトキシホスホリル)−D−グルコ−2−ヘ
ブチュロビラノース(13,8g)をテトラヒドロフラ
ン(140d)に溶解し、水素化はう素ナトリウム(1
,4g)を加えて室温で一夜攪拌した。反応液を威圧濃
縮し、残留物を酢酸エチル(500d)と水(300d
)に分配した。酢酸エチル層を水洗し、無水硫酸ナトリ
ウムで乾燥後、減圧濃縮した。残留物をシリカゲルカラ
ムクロマト(550d)に付し、トルエン・アセトン(
2:1)で溶出した。溶出画分を減圧濃縮し、更に減圧
下に乾燥して3,4,5.7−テトラ−0−ベンジル−
1−デオキシ−1−(ジメトキシホスホリル)−〇−グ
リセローD−ギューローへブチトールと1゜3.4.5
−テトラ−0−ベンジル−7−ジオキシ−7−(ジメト
キシホスホリル)−D−グリセロ−し−ギューローへブ
チトールの混合物(12,4g)を得た。
13)’HNMR(CDC13)δ: 3.72(61
1,d、J=12■2゜−0CII、 X 2) 元素力′g′r: CteHs+O+sP計算値(%
):C,54,54; H,8,05実験値(%):C
,54,83,H,8,18参考例4 3.4,5.7−テトラ−0−ベンジル−1−デオキシ
−1−(ジメトキシホスホリル)−D−グリセロ−D−
ギューローへブチトールおよび1,3゜4.5−テトラ
−O−ベンジル−7−ジオキシ−7−(ジメトキシホス
ホリル)−D−グリセロ−し−ギューローへブチトール 3.4,5.7−チトチーO−ベンジルー1−デオキシ
−1−(ジメトキシホスホリル)−D−グルコ−2−ヘ
ブチュロビラノース(13,8g)をテトラヒドロフラ
ン(140d)に溶解し、水素化はう素ナトリウム(1
,4g)を加えて室温で一夜攪拌した。反応液を威圧濃
縮し、残留物を酢酸エチル(500d)と水(300d
)に分配した。酢酸エチル層を水洗し、無水硫酸ナトリ
ウムで乾燥後、減圧濃縮した。残留物をシリカゲルカラ
ムクロマト(550d)に付し、トルエン・アセトン(
2:1)で溶出した。溶出画分を減圧濃縮し、更に減圧
下に乾燥して3,4,5.7−テトラ−0−ベンジル−
1−デオキシ−1−(ジメトキシホスホリル)−〇−グ
リセローD−ギューローへブチトールと1゜3.4.5
−テトラ−0−ベンジル−7−ジオキシ−7−(ジメト
キシホスホリル)−D−グリセロ−し−ギューローへブ
チトールの混合物(12,4g)を得た。
[i2]D+1.7°(c= I 、 CHCIs)+
f−I−NMR(CDC13)δ: 1.5〜2.3
(211,m、 −C1l、P−)、3.04(2■、
ブロードs、−0Hx 2)、3.63および3.66
(合計6H,d、J=11Hz、 0CR3X2)元
素分析: C37H,50,P 計算値(%):C,68,86,H,8,82,P、4
.66実験値(%):C,66,91,H,6,93,
P、4.81参考例5 3.4,5.7−チトチー0−(テトラヒドロピラニル
)−1−デオキシ−1−(ジメトキシホスホリル)−D
−グリセロ−D−ギューローへブチトールおよび1.3
.4.5−テトラ−0−(テトラヒドロピラニル)−7
−ジオキシ−7−(ジメトキシホスホリル)−D−グリ
セロ−L−ギューローへブチトール 3.4,5.7−チトチー0−(テトラヒドロピラニル
)−1−デオキシ−1−(ジメトキシホスホリル)−D
−グルコ−2−ヘプチュロビラノース(26,6g)を
エチルs、−7−/l/(300+J)l:溶解し、水
素化はう素ナトリウム(3,0g)を加えて室温で一夜
攪拌した。不溶物をろ去し、エチルエーテルで洗浄後、
ろ液と洗液を集めて10%(V/ V)塩化ナトリウム
溶液で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、威圧濃
縮した。残留物をシリカゲルカラムクロマト(IQ)に
付し、トルエン・アセトン(1:I)で溶出した。溶出
画分を減圧濃縮し、更に減圧下に乾燥して3,4,5.
7−チトチー0−(テトラヒドロピラニル)=!−デオ
キシー1−(ジメトキシホスホリル)−D−グリセロ−
D−ギューローへブチトールと1.’3,4.5−テト
ラー0−(テトラヒドロピラニル)−7−ジオキシ−7
−(ジメトキシホスホリル)−D−グリセロ−し−ギュ
ーローへブチトールの混合物(+ia、8g)を得た。
f−I−NMR(CDC13)δ: 1.5〜2.3
(211,m、 −C1l、P−)、3.04(2■、
ブロードs、−0Hx 2)、3.63および3.66
(合計6H,d、J=11Hz、 0CR3X2)元
素分析: C37H,50,P 計算値(%):C,68,86,H,8,82,P、4
.66実験値(%):C,66,91,H,6,93,
P、4.81参考例5 3.4,5.7−チトチー0−(テトラヒドロピラニル
)−1−デオキシ−1−(ジメトキシホスホリル)−D
−グリセロ−D−ギューローへブチトールおよび1.3
.4.5−テトラ−0−(テトラヒドロピラニル)−7
−ジオキシ−7−(ジメトキシホスホリル)−D−グリ
セロ−L−ギューローへブチトール 3.4,5.7−チトチー0−(テトラヒドロピラニル
)−1−デオキシ−1−(ジメトキシホスホリル)−D
−グルコ−2−ヘプチュロビラノース(26,6g)を
エチルs、−7−/l/(300+J)l:溶解し、水
素化はう素ナトリウム(3,0g)を加えて室温で一夜
攪拌した。不溶物をろ去し、エチルエーテルで洗浄後、
ろ液と洗液を集めて10%(V/ V)塩化ナトリウム
溶液で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、威圧濃
縮した。残留物をシリカゲルカラムクロマト(IQ)に
付し、トルエン・アセトン(1:I)で溶出した。溶出
画分を減圧濃縮し、更に減圧下に乾燥して3,4,5.
7−チトチー0−(テトラヒドロピラニル)=!−デオ
キシー1−(ジメトキシホスホリル)−D−グリセロ−
D−ギューローへブチトールと1.’3,4.5−テト
ラー0−(テトラヒドロピラニル)−7−ジオキシ−7
−(ジメトキシホスホリル)−D−グリセロ−し−ギュ
ーローへブチトールの混合物(+ia、8g)を得た。
[α]26+ + 2.6°(c= l 、 CHC1
G)元素分析: CzsHs3013P 計算値(%):C,54,36,H,8,34実験値(
%):C,54,73; l−T、8.57参考例6 3.4,5.7−テトラ−0−ベンジル−1−デオキシ
−1−(ジメトキシホスホリル)−D−キシロ−2,6
−へプトジウロース ジメチルスルホキシド(8、1d)のジクロロメタン(
87d)溶液を−65〜−75℃に冷却し、この溶液に
無水トリフルオロ酢酸(9,831n1.)のジクロロ
メタン(40d)溶液を滴下し、30分間攪拌後、3,
4,5.7−チトチーO−ベンジルー1−デオキシ−1
−(ジメトキシホスホリル)−D−グリセロ−D−ギュ
ーローへブチトールと1゜3.4.5−テトラ−O−ベ
ンジル−7−ジオキシ−7−(ジメトキシホスホリル)
−D−グリセロ−し−ギューローへブチトールの混合物
(11,6g)のジクロロメタン(80d)溶液を滴下
し、同温度で1時間攪拌した。更に反応液を同温度に冷
却下にトリエチルアミン(23,2d)を滴下し、30
分間攪rP後、冷却浴を除いて反応温度が0℃に上昇す
るまで攪拌した。反応液を水冷したジクロロメタン(3
00成)と2N塩酸(250成)の混合液に加え、ジク
ロロメタン層を分離し、飽和炭酸水素ナトリウム溶液で
洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧濃縮した
。残留物をシリカゲルカラムクロマト(5001R1)
に付しトルエン・酢酸エチル(1:1)で溶出した。溶
出画分を減圧濃縮し、更に減圧下に乾燥して3,4,5
.7−テトラ−0−ベンジル−1−デオキシ−1−(ジ
メトキシホスホリル)−D−キシロ−2,6−ヘブトジ
ウロース(z、5g)を得た。
G)元素分析: CzsHs3013P 計算値(%):C,54,36,H,8,34実験値(
%):C,54,73; l−T、8.57参考例6 3.4,5.7−テトラ−0−ベンジル−1−デオキシ
−1−(ジメトキシホスホリル)−D−キシロ−2,6
−へプトジウロース ジメチルスルホキシド(8、1d)のジクロロメタン(
87d)溶液を−65〜−75℃に冷却し、この溶液に
無水トリフルオロ酢酸(9,831n1.)のジクロロ
メタン(40d)溶液を滴下し、30分間攪拌後、3,
4,5.7−チトチーO−ベンジルー1−デオキシ−1
−(ジメトキシホスホリル)−D−グリセロ−D−ギュ
ーローへブチトールと1゜3.4.5−テトラ−O−ベ
ンジル−7−ジオキシ−7−(ジメトキシホスホリル)
−D−グリセロ−し−ギューローへブチトールの混合物
(11,6g)のジクロロメタン(80d)溶液を滴下
し、同温度で1時間攪拌した。更に反応液を同温度に冷
却下にトリエチルアミン(23,2d)を滴下し、30
分間攪rP後、冷却浴を除いて反応温度が0℃に上昇す
るまで攪拌した。反応液を水冷したジクロロメタン(3
00成)と2N塩酸(250成)の混合液に加え、ジク
ロロメタン層を分離し、飽和炭酸水素ナトリウム溶液で
洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧濃縮した
。残留物をシリカゲルカラムクロマト(5001R1)
に付しトルエン・酢酸エチル(1:1)で溶出した。溶
出画分を減圧濃縮し、更に減圧下に乾燥して3,4,5
.7−テトラ−0−ベンジル−1−デオキシ−1−(ジ
メトキシホスホリル)−D−キシロ−2,6−ヘブトジ
ウロース(z、5g)を得た。
[α]23−28.5°(c= 1 、 CHC13)
I n:v ””131?33.1704cm−’ (
C=O)ax 元素分析: C5,I]4IO0P 計算値(%):c、a7.z6; H,6,25,P、
4.69実験値(%):C,67,70; H,6,3
2,P、4.69参考例7 3.4,5.7−チトチー0−(テトラヒドロピラニル
)−1−デオキシ−1−(ジメトキシホスホリル)−D
−キシロ−2,6−へブトジウロースジメチルスルホキ
シド(9,4d)のジクロロメタン(100d)溶液を
−65〜−75°Cに冷却し、この溶液に無水トリフル
オロ酢酸(t2.3d)のジクロロメタン(50Ml)
溶液を滴下し、30分間攪拌後、3,4.5.7−チト
チー0−(テトラヒドロピラニル)−1−デオキシ−1
−(ジメトキシホスホリル)−D−グリセロ−D−ギュ
ーローへブチトールと1.3,4.5−テトラ−0−(
テトラヒドロピラニル)−7−ジオキシ−7−(ジメト
キシホスホリル)−D−グリセロ−し−ギューローへブ
チトールの混合物(14,0g)のジクロロメタン(7
(hJ)溶液を滴下し、同温度で1時間攪拌した。
I n:v ””131?33.1704cm−’ (
C=O)ax 元素分析: C5,I]4IO0P 計算値(%):c、a7.z6; H,6,25,P、
4.69実験値(%):C,67,70; H,6,3
2,P、4.69参考例7 3.4,5.7−チトチー0−(テトラヒドロピラニル
)−1−デオキシ−1−(ジメトキシホスホリル)−D
−キシロ−2,6−へブトジウロースジメチルスルホキ
シド(9,4d)のジクロロメタン(100d)溶液を
−65〜−75°Cに冷却し、この溶液に無水トリフル
オロ酢酸(t2.3d)のジクロロメタン(50Ml)
溶液を滴下し、30分間攪拌後、3,4.5.7−チト
チー0−(テトラヒドロピラニル)−1−デオキシ−1
−(ジメトキシホスホリル)−D−グリセロ−D−ギュ
ーローへブチトールと1.3,4.5−テトラ−0−(
テトラヒドロピラニル)−7−ジオキシ−7−(ジメト
キシホスホリル)−D−グリセロ−し−ギューローへブ
チトールの混合物(14,0g)のジクロロメタン(7
(hJ)溶液を滴下し、同温度で1時間攪拌した。
更に反応液を同温度に冷却下にトリエチルアミン(27
,5滅)のジクロロメタン(50滅)溶液を滴下し、3
0分間攪拌後、冷却浴を除いて反応温度h<o℃に上昇
するまで攪拌した。反応液を水冷したジクロロメタン(
200滅)と2N塩酸(200戒)の混合液に加え、ジ
クロロメタン層を分離し、飽和炭酸水素ナトリウム溶液
で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧a縮した
。残留物をシリカゲルカラムクロマト(5QOyJ)に
付し、トルエン・アセトン(2:l)で溶出した。溶出
画分を減圧濃縮し、更に減圧下に乾燥して3,4.5.
7−チトチー0−(テトラヒドロピラニル)−1−デオ
キシ−1−(ジメトキシホスホリル)−D−キシロ−2
,6−へプトジウロース(12,4g)を得た。
,5滅)のジクロロメタン(50滅)溶液を滴下し、3
0分間攪拌後、冷却浴を除いて反応温度h<o℃に上昇
するまで攪拌した。反応液を水冷したジクロロメタン(
200滅)と2N塩酸(200戒)の混合液に加え、ジ
クロロメタン層を分離し、飽和炭酸水素ナトリウム溶液
で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧a縮した
。残留物をシリカゲルカラムクロマト(5QOyJ)に
付し、トルエン・アセトン(2:l)で溶出した。溶出
画分を減圧濃縮し、更に減圧下に乾燥して3,4.5.
7−チトチー0−(テトラヒドロピラニル)−1−デオ
キシ−1−(ジメトキシホスホリル)−D−キシロ−2
,6−へプトジウロース(12,4g)を得た。
[α]26+ 39.3’ (c= l 、 CHCl
3)eat I n : シ1738cm−’(C= 0)ax 参考例8 3.4.5.7−チトチーO−ベンジルー1−デオキシ
−1−(ジメトキシホスホリル)−D−グルコ−2−へ
プチュロピラノース n−ブチルリチウムのn−ヘキサン溶液(1,6モル溶
液、68.8d)を、ジメチル メチルホスホナート(
13,65g)のテトラヒドロフラン(200h4)溶
液に、アルゴン気流中−70〜−75℃で滴下した。こ
の溶液に、2,3,4.6−テトラ−0−ベンジルーD
−グルコノ−1,5−ラクトン(29,6g)のテトラ
ヒドロフラン(150々l)溶液を滴下し、同温度で1
時間攪拌した後、冷却浴を除き、反応温度が0℃に上昇
するまで攪拌した。この反応液に、水冷した10%(W
/V)塩化アンモニウム溶液(400d)を加え、生じ
た油状物を酢酸エチル(1,2R)で抽出した。抽出液
を2N塩酸と飽和炭酸水素ナトリウム溶液で洗浄し、無
水硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧濃縮した。残留物にエ
チルエーテル−石油エーテル(1:3,400d)を加
え、−夜冷蔵庫中に放置して3.4,5.7−チトチー
O−ベンジルー!−デオキシ−1−(ジメトキシホスホ
リル)−D−グルコ−2−へブヂュロピラノース(33
,1g)を白色結晶として得た。
3)eat I n : シ1738cm−’(C= 0)ax 参考例8 3.4.5.7−チトチーO−ベンジルー1−デオキシ
−1−(ジメトキシホスホリル)−D−グルコ−2−へ
プチュロピラノース n−ブチルリチウムのn−ヘキサン溶液(1,6モル溶
液、68.8d)を、ジメチル メチルホスホナート(
13,65g)のテトラヒドロフラン(200h4)溶
液に、アルゴン気流中−70〜−75℃で滴下した。こ
の溶液に、2,3,4.6−テトラ−0−ベンジルーD
−グルコノ−1,5−ラクトン(29,6g)のテトラ
ヒドロフラン(150々l)溶液を滴下し、同温度で1
時間攪拌した後、冷却浴を除き、反応温度が0℃に上昇
するまで攪拌した。この反応液に、水冷した10%(W
/V)塩化アンモニウム溶液(400d)を加え、生じ
た油状物を酢酸エチル(1,2R)で抽出した。抽出液
を2N塩酸と飽和炭酸水素ナトリウム溶液で洗浄し、無
水硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧濃縮した。残留物にエ
チルエーテル−石油エーテル(1:3,400d)を加
え、−夜冷蔵庫中に放置して3.4,5.7−チトチー
O−ベンジルー!−デオキシ−1−(ジメトキシホスホ
リル)−D−グルコ−2−へブヂュロピラノース(33
,1g)を白色結晶として得た。
融点 112〜113℃
[α] −15,6° (C= I
、 CI(C1,)I R(KBr): 3226c
m−’ (OH); C=Oの吸収(1700〜180
0cm″″1)は認められない。
、 CI(C1,)I R(KBr): 3226c
m−’ (OH); C=Oの吸収(1700〜180
0cm″″1)は認められない。
元素分析:C5tH430sP
計算値(%):C,67,06; H,6,54,P、
4.67実験値(%):C,67,09; H,6,3
9,P、4.82参考例9 4L−4,615−)−リ(ベンジルオキシ)−3−(
ベンジルオキシメチル)−2−シクロへキセノン オキ
シム 4L−4,615−トリ(ベンジルオキシ)−3−(ベ
ンジルオキシメチル)−2−シクロヘキセノン(2,0
g)のジメチルスルホキンド(10Tn1.)溶液に塩
酸ヒドロキシルアミン(2,0g)を加え、室温で24
時間攪拌した。反応液を酢酸エチル(25゜d)と水(
150d)に分配し、有機溶媒層を2N塩酸と飽和炭酸
水素ナトリウム溶液で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾
燥後、減圧濃縮した。残留物をシリカゲルカラムクロマ
ト(250d)に付し、トルエン−酢酸エチル(10:
l)で溶出した。溶出画分(450〜800d)を減圧
濃縮乾固して、オキシム(1,27g)を無色シロップ
として得た。
4.67実験値(%):C,67,09; H,6,3
9,P、4.82参考例9 4L−4,615−)−リ(ベンジルオキシ)−3−(
ベンジルオキシメチル)−2−シクロへキセノン オキ
シム 4L−4,615−トリ(ベンジルオキシ)−3−(ベ
ンジルオキシメチル)−2−シクロヘキセノン(2,0
g)のジメチルスルホキンド(10Tn1.)溶液に塩
酸ヒドロキシルアミン(2,0g)を加え、室温で24
時間攪拌した。反応液を酢酸エチル(25゜d)と水(
150d)に分配し、有機溶媒層を2N塩酸と飽和炭酸
水素ナトリウム溶液で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾
燥後、減圧濃縮した。残留物をシリカゲルカラムクロマ
ト(250d)に付し、トルエン−酢酸エチル(10:
l)で溶出した。溶出画分(450〜800d)を減圧
濃縮乾固して、オキシム(1,27g)を無色シロップ
として得た。
元素分析:Ca5HssNOs
計算値(%):C,76,48; H,6,42,N、
2.55実験値(%):C,76,66、H,8,32
,N、2.35実施例1 4L−4,615−トリ(ベンジルオキシ)−3=(ベ
ンジルオキシメチル)−2−シクロヘキセノン 3.4,5.7−テトラ−0−ベンジル−1−デオキノ
ー1−(ジメトキシホスホリル)−D−キシロ−2,6
−ヘブトジウロース(12,5g)をトルエン(500
成)に溶解し、18−クラウン−6(200mg)と炭
酸カリウム(8,0g)を加えて室温で一夜攪拌後、不
溶物をろ去し、トルエンで洗浄した。ろ液と洗液を集め
、2N塩酸と飽和炭酸水素ナトリウム溶液で洗浄し、無
水硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧濃縮した。残留物をシ
リカゲルカラムクロマト(5001n1)に付し、トル
エン・酢酸エチル(20:1)で溶出した。溶出画分を
減圧濃縮し、更に減圧下に乾燥して4L−4,615−
トリ(ベンジルオキシ)−3−(ベンジルオキシメチル
)−2−シクロヘキセノン(5,7g)を得た。
2.55実験値(%):C,76,66、H,8,32
,N、2.35実施例1 4L−4,615−トリ(ベンジルオキシ)−3=(ベ
ンジルオキシメチル)−2−シクロヘキセノン 3.4,5.7−テトラ−0−ベンジル−1−デオキノ
ー1−(ジメトキシホスホリル)−D−キシロ−2,6
−ヘブトジウロース(12,5g)をトルエン(500
成)に溶解し、18−クラウン−6(200mg)と炭
酸カリウム(8,0g)を加えて室温で一夜攪拌後、不
溶物をろ去し、トルエンで洗浄した。ろ液と洗液を集め
、2N塩酸と飽和炭酸水素ナトリウム溶液で洗浄し、無
水硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧濃縮した。残留物をシ
リカゲルカラムクロマト(5001n1)に付し、トル
エン・酢酸エチル(20:1)で溶出した。溶出画分を
減圧濃縮し、更に減圧下に乾燥して4L−4,615−
トリ(ベンジルオキシ)−3−(ベンジルオキシメチル
)−2−シクロヘキセノン(5,7g)を得た。
[α]D −12,2°(c= 1 、 CH013)
■旧、 CllCl°1694cm−’ (C=O)a
x ’ HN M R(CD C13)δ : 6.17〜
6.25(l11.m。
■旧、 CllCl°1694cm−’ (C=O)a
x ’ HN M R(CD C13)δ : 6.17〜
6.25(l11.m。
2−C11)
元素分析;C3sII、40゜
計算値(%):C,78,63; H,6,41実験値
(%):C,7g、83; H,6,27実施例2 4L−4,615−トリ(テトラヒドロピラニルオキシ
)−3−(テトラヒドロピラニルオキシメチル)−2−
シクロヘキセノン a) 3,4,5.7−チトチー0−(テトラヒドロ
ピラニル)−1−デオキシ−1−(ジメトキシホスホリ
ル)−D−キシロ−2,6−ヘブトジウロース(12,
1g)をトルエン(500d)に溶解し、18−クラウ
ン−6(200mg)と炭酸カリウム(8,0g)を加
えて室温で一夜攪拌した。不溶物をろ去し、トルエンで
洗浄後、ろ液と洗液を集め、2N塩酸と飽和炭酸水素ナ
トリウム溶液で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、
減圧濃縮した。残留物をシリカゲルカラムクロマト(5
00d)に付し、トルエン・酢酸エチル(3:1)で溶
出した。溶出画分を減圧、13縮し、更に減圧下に乾燥
して4L−4゜615−)す(テトラヒドロピラニルオ
キシ)−3−(テトラヒドロピラニルオキシメチル)−
2−シクロヘキセノン(7,5g)を得た。
(%):C,7g、83; H,6,27実施例2 4L−4,615−トリ(テトラヒドロピラニルオキシ
)−3−(テトラヒドロピラニルオキシメチル)−2−
シクロヘキセノン a) 3,4,5.7−チトチー0−(テトラヒドロ
ピラニル)−1−デオキシ−1−(ジメトキシホスホリ
ル)−D−キシロ−2,6−ヘブトジウロース(12,
1g)をトルエン(500d)に溶解し、18−クラウ
ン−6(200mg)と炭酸カリウム(8,0g)を加
えて室温で一夜攪拌した。不溶物をろ去し、トルエンで
洗浄後、ろ液と洗液を集め、2N塩酸と飽和炭酸水素ナ
トリウム溶液で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、
減圧濃縮した。残留物をシリカゲルカラムクロマト(5
00d)に付し、トルエン・酢酸エチル(3:1)で溶
出した。溶出画分を減圧、13縮し、更に減圧下に乾燥
して4L−4゜615−)す(テトラヒドロピラニルオ
キシ)−3−(テトラヒドロピラニルオキシメチル)−
2−シクロヘキセノン(7,5g)を得た。
b) 3,4,5.7−チトチー0−(テトラヒドロピ
ラニル)−1−デオキシ−1−(ジメトキシホスホリル
)−D−グルコ−2−ヘプチュロピラノース(6,3g
)をトルエン(50d)に溶解し、水素化ナトリウム(
270mg)を加えて室温で2時間攪拌後、不溶物をろ
去した。ジメチルスルホキシド(3,4d)をジクロロ
メタン(25d)に溶解し、冷却下(−65〜−75°
C)に無水トリフルオロ酢酸(5,0d)のジクロロメ
タン(25ML)溶液を滴下し、30分間攪拌後、同温
度で上記のトルエン溶液を滴下し、1時間攪拌した。更
に同温度でトリエチルアミン(10d)のジクロロメタ
ン(30成)溶液を滴下し、10分間攪拌後、冷却浴を
除いて反応温度が10℃に上昇するまで攪拌した。
ラニル)−1−デオキシ−1−(ジメトキシホスホリル
)−D−グルコ−2−ヘプチュロピラノース(6,3g
)をトルエン(50d)に溶解し、水素化ナトリウム(
270mg)を加えて室温で2時間攪拌後、不溶物をろ
去した。ジメチルスルホキシド(3,4d)をジクロロ
メタン(25d)に溶解し、冷却下(−65〜−75°
C)に無水トリフルオロ酢酸(5,0d)のジクロロメ
タン(25ML)溶液を滴下し、30分間攪拌後、同温
度で上記のトルエン溶液を滴下し、1時間攪拌した。更
に同温度でトリエチルアミン(10d)のジクロロメタ
ン(30成)溶液を滴下し、10分間攪拌後、冷却浴を
除いて反応温度が10℃に上昇するまで攪拌した。
反応液を水冷したジクロロメタン(200tnl)と水
(100rd)の混合液に加え、ジクロロメタン層を分
離し、水洗し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧濃縮
した。残留物をトルエン(70りに溶解し、18−クラ
ウン−6(100a+g)と炭酸カリウム(2,0g)
を加えて室温で8時間攪拌後、反応液に酢酸エチル(1
50mQ)と水(50d)を加えた。
(100rd)の混合液に加え、ジクロロメタン層を分
離し、水洗し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧濃縮
した。残留物をトルエン(70りに溶解し、18−クラ
ウン−6(100a+g)と炭酸カリウム(2,0g)
を加えて室温で8時間攪拌後、反応液に酢酸エチル(1
50mQ)と水(50d)を加えた。
有機溶媒層を分離し、2N塩酸と飽和炭酸水素ナトリウ
ム溶液で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧濃
縮した。残留物をシリカゲルカラムクロマト(200d
)に付し、トルエン・酢酸エチル(4:1)で溶出した
。溶出画分を減圧濃縮し、更に減圧下に乾燥して4L−
4,615−トリ(テトラヒドロピラニルオキシ)−3
−(テトラヒドロピラニルオキシメチル)−2−シクロ
ヘキセノン(1,3g)を得た。
ム溶液で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧濃
縮した。残留物をシリカゲルカラムクロマト(200d
)に付し、トルエン・酢酸エチル(4:1)で溶出した
。溶出画分を減圧濃縮し、更に減圧下に乾燥して4L−
4,615−トリ(テトラヒドロピラニルオキシ)−3
−(テトラヒドロピラニルオキシメチル)−2−シクロ
ヘキセノン(1,3g)を得た。
[α]26 +2.3°(c = 1 、 CHC13
)I R: ν”IC1lC13l690’ (C=O
)aX ’ HN M R(CD C13)δ : 6.14〜
6.25(ill、m。
)I R: ν”IC1lC13l690’ (C=O
)aX ’ HN M R(CD C13)δ : 6.14〜
6.25(ill、m。
2−C11)
元素分析: Ct ? H4* Os計算値(%):
C,63,51: H,8,29実験値(%):C,6
3,94,H,8,36実施例3 IL−(1,3/2.4)−2,3,4−トリー〇−ベ
ンジル−5−(ベンジルオキシメチル)−5−シクロヘ
キセン−1,2,3,4−テトロール塩化第一セリウム
(745mg)のメタノール溶液(15d)に水素化は
う素ナトリウム(220mg)を−70〜−78℃に冷
却下に加え、1時間攪拌した。この溶液に、4 L−4
,615−1−リ(ベンジルオキシ)−3−(ベンジル
オキシメチル)−2−シクロヘキセノン(1,0g)の
エタノール−テトラヒドロフラン(1:1. l O
td、’)溶液を一70〜=78℃で滴下し、同温度で
1時間攪拌した。反応液に水冷した0、2N塩酸(50
d)と酢酸エチル(100d)を加え、氷水で冷却下に
約10分間攪拌した。酢酸エチル層を分離し、飽和炭酸
水素ナトリウム溶液で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾
燥後、減圧濃縮した。残留物にエチルエーテル−石油エ
ーテル(1:20.50Tn1.)を加え、−夜冷蔵庫
中に放置してlt、−(1,3/2.4)−2,3゜4
−トリー〇−ベンジル−5−(ベンジルオキシメチル)
−5−シクロヘキセン−1,2,3,4−テトロールの
白色結晶(750mg)を得た。
C,63,51: H,8,29実験値(%):C,6
3,94,H,8,36実施例3 IL−(1,3/2.4)−2,3,4−トリー〇−ベ
ンジル−5−(ベンジルオキシメチル)−5−シクロヘ
キセン−1,2,3,4−テトロール塩化第一セリウム
(745mg)のメタノール溶液(15d)に水素化は
う素ナトリウム(220mg)を−70〜−78℃に冷
却下に加え、1時間攪拌した。この溶液に、4 L−4
,615−1−リ(ベンジルオキシ)−3−(ベンジル
オキシメチル)−2−シクロヘキセノン(1,0g)の
エタノール−テトラヒドロフラン(1:1. l O
td、’)溶液を一70〜=78℃で滴下し、同温度で
1時間攪拌した。反応液に水冷した0、2N塩酸(50
d)と酢酸エチル(100d)を加え、氷水で冷却下に
約10分間攪拌した。酢酸エチル層を分離し、飽和炭酸
水素ナトリウム溶液で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾
燥後、減圧濃縮した。残留物にエチルエーテル−石油エ
ーテル(1:20.50Tn1.)を加え、−夜冷蔵庫
中に放置してlt、−(1,3/2.4)−2,3゜4
−トリー〇−ベンジル−5−(ベンジルオキシメチル)
−5−シクロヘキセン−1,2,3,4−テトロールの
白色結晶(750mg)を得た。
融点 74〜75℃
[αコD −66,9° (c = 1 、 C
T−I C+3)’H−NMR(CDC+3)δ :
1.85〜2.05(ill、m。
T−I C+3)’H−NMR(CDC+3)δ :
1.85〜2.05(ill、m。
−011)、3.56(Ill、ddj=7.411z
、9.811z、2−CH)。
、9.811z、2−CH)。
3.85(ill 、 dd、 J = 7.1llz
、9.811z、 3− Ct() 、 3.90(i
ll。
、9.811z、 3− Ct() 、 3.90(i
ll。
ブロードd、J= 12.2112)および4.24(
Ill、ブロードd、J= 12.211z)(CHt
O)、4.27〜4.34(211,m、1−CI+お
よび4−C11)、4.43〜4.98(811,m、
Phct12−x4 )。
Ill、ブロードd、J= 12.211z)(CHt
O)、4.27〜4.34(211,m、1−CI+お
よび4−C11)、4.43〜4.98(811,m、
Phct12−x4 )。
5.72(ill、ブロードs、6− Cl1)、7.
24〜7.35(2011,m。
24〜7.35(2011,m。
Ca1ls x4)。
元素分析: Cs5H3eO5
計算値(%):C,78J3: H,6,76実験値(
%):C,78,24; H,6,64実施例4 1t、−(1,3/2.4)−2,3,4−トリー〇−
(テトラヒドロピラニル)−5−(テトラヒドロピラニ
ルオキシメチル)−5−シクロヘキセン=1゜2,3.
4−テトロール 4L−4,615−トリ(テトラヒドロピラニルオキン
)−3−(テトラヒドロピラニルオキシメチル)−2−
シクロヘキセノン(25g)をメタノール(250d)
に溶解し、−10〜−15℃に冷却下に水素化はう素ナ
トリウム(2,5g)を加え、同温度で2,5時間攪拌
した。反応液を減圧濃縮し、残留物を酢酸エチル(IQ
)と15%(V/ V)塩化ナトリウム溶液(500d
)に分配した。水層を酢酸エチル(500d)で抽出し
、酢酸エチル層を集め、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸
ナトリウムで乾燥後、減圧濃縮した。残留物をシリカゲ
ルカラムクロマト(1,1f2)に付し、カラムをトル
エン・酢酸エチル(2:1)で洗浄後、トルエン・酢酸
エチル(3:2)で溶出した。溶出画分を減圧濃縮し、
更に減圧下に乾燥してIL−(1,3/2.4)−2,
3,4−ドリー〇−(テトラヒドロピラニル)−5−(
テトラヒドロピラニルオキシメチル)−5−シクロヘキ
セン−1,2,3,4−テトロール(13,6g)を得
た。
%):C,78,24; H,6,64実施例4 1t、−(1,3/2.4)−2,3,4−トリー〇−
(テトラヒドロピラニル)−5−(テトラヒドロピラニ
ルオキシメチル)−5−シクロヘキセン=1゜2,3.
4−テトロール 4L−4,615−トリ(テトラヒドロピラニルオキン
)−3−(テトラヒドロピラニルオキシメチル)−2−
シクロヘキセノン(25g)をメタノール(250d)
に溶解し、−10〜−15℃に冷却下に水素化はう素ナ
トリウム(2,5g)を加え、同温度で2,5時間攪拌
した。反応液を減圧濃縮し、残留物を酢酸エチル(IQ
)と15%(V/ V)塩化ナトリウム溶液(500d
)に分配した。水層を酢酸エチル(500d)で抽出し
、酢酸エチル層を集め、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸
ナトリウムで乾燥後、減圧濃縮した。残留物をシリカゲ
ルカラムクロマト(1,1f2)に付し、カラムをトル
エン・酢酸エチル(2:1)で洗浄後、トルエン・酢酸
エチル(3:2)で溶出した。溶出画分を減圧濃縮し、
更に減圧下に乾燥してIL−(1,3/2.4)−2,
3,4−ドリー〇−(テトラヒドロピラニル)−5−(
テトラヒドロピラニルオキシメチル)−5−シクロヘキ
セン−1,2,3,4−テトロール(13,6g)を得
た。
[αコD +2.9’ (C=1. C1(C1
3)元素分析: C,、H440゜ 計算値(%):C,63,26; H,8,65実験値
(%):C,63,67、H,8,63実施例5 IL−(1,3/2.4)−2,3,4−)リー〇−ベ
ンジル−1−0−(イミダゾリルスルホニル)−5−(
ベンジルオキシメチル)−5−シクロヘキセン−1,2
,3,4−テトロール l L−(1,3/2.4)−2,3,4−トリー〇−
ベンジル−5−(ベンジルオキシメチル)−5−シクロ
ヘキセン−1,2,3,4−テトロール(2,5g)を
DMF(2Qd)に溶解し、−60℃に冷却下に塩化ス
ルフリル(0,79d)を滴下後、−40〜−45℃で
30分間攪拌した。反応液を再び一60℃に冷却し、イ
ミダゾール(3,3g)を加えた後、−10℃で1時間
攪拌した。反応液を水冷した酢酸エチル(100りと水
(100d)の混合液に加えた後、酢酸エチル層を分離
し、水層を酢酸エチル(50d)で抽出した。抽出液を
集め、2N塩酸と飽和炭酸水素ナトリウム溶液で洗浄し
、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧島縮した。残留物
をシリカゲルカラムクロマト(150d)に付し、トル
エン・酢酸エチル(20:I)で溶出した。
3)元素分析: C,、H440゜ 計算値(%):C,63,26; H,8,65実験値
(%):C,63,67、H,8,63実施例5 IL−(1,3/2.4)−2,3,4−)リー〇−ベ
ンジル−1−0−(イミダゾリルスルホニル)−5−(
ベンジルオキシメチル)−5−シクロヘキセン−1,2
,3,4−テトロール l L−(1,3/2.4)−2,3,4−トリー〇−
ベンジル−5−(ベンジルオキシメチル)−5−シクロ
ヘキセン−1,2,3,4−テトロール(2,5g)を
DMF(2Qd)に溶解し、−60℃に冷却下に塩化ス
ルフリル(0,79d)を滴下後、−40〜−45℃で
30分間攪拌した。反応液を再び一60℃に冷却し、イ
ミダゾール(3,3g)を加えた後、−10℃で1時間
攪拌した。反応液を水冷した酢酸エチル(100りと水
(100d)の混合液に加えた後、酢酸エチル層を分離
し、水層を酢酸エチル(50d)で抽出した。抽出液を
集め、2N塩酸と飽和炭酸水素ナトリウム溶液で洗浄し
、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧島縮した。残留物
をシリカゲルカラムクロマト(150d)に付し、トル
エン・酢酸エチル(20:I)で溶出した。
溶出画分を減圧濃縮し、更に減圧下に乾燥してIL−(
1,3/2.4)−2,3,4−トリー〇−ベンジル−
1−0−(イミダゾリルスルホニル)−5−(ベンノル
オキシメチル)−5−シクロヘキセン−1,2,3,4
−テトロール(1,6g)を得た。
1,3/2.4)−2,3,4−トリー〇−ベンジル−
1−0−(イミダゾリルスルホニル)−5−(ベンノル
オキシメチル)−5−シクロヘキセン−1,2,3,4
−テトロール(1,6g)を得た。
[α]26−16.7°(C=1、ClCl5)元素分
析: C3a Hs @N t Oq S計算値(%
):C,6g、45; H,5,47;N、4.2Q;
S、4.81 実験値(%):C,6&、92; H15,93,N、
3.99゜S、4.911 実施例6 1 L−(1,3/2.4)−1−0−(イミダゾリル
スルホニル)−2,3,4−)す〜0−(テトラヒドロ
ピラニル)−5−(テトラヒドロピラニルオキシメチル
)−5−シクロヘキセン−1,2,3,4−テトロール IL−(1,3/2,4)−2,3,4−トリー〇−(
テトラヒドロピラニル)−5−(テトラヒドロピラニル
オキシメチル)−5−シクロヘキセン=1゜2.3.4
−テトロール(11,3g)をI) M F(100滅
)に溶解し、−60℃以下に冷却下に塩化スルフリル(
4,3d)を滴下後、−40〜=45℃で30分間攪拌
した。反応液を再び一60℃以下に冷却してイミダゾー
ル(14,55g)を加え、0〜5℃で一夜攪拌後、更
に室温で3時間攪拌した。反応液を、水冷した酢酸エチ
ル(1e)と水(250d)の混合液に加え、酢酸エチ
ル層を分離し、水洗し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、
減圧濃縮した。残留物をシリカゲルカラムクロマト(5
50d)に付し、トルエン・酢酸エチル(5:りで溶出
した。溶出画分を減圧Dt縮し、更に減圧下に乾燥して
t L−(1,3/2.4)−1−0−(イミダゾリル
スルホニル)−2,3,4−トリー〇−(テトラヒドロ
ピラニル)−5−(テトラヒドロピラニルオキシメチル
)−5−シクロヘキセン−1,2,3,4−テトロール
(8,5g)を得た。
析: C3a Hs @N t Oq S計算値(%
):C,6g、45; H,5,47;N、4.2Q;
S、4.81 実験値(%):C,6&、92; H15,93,N、
3.99゜S、4.911 実施例6 1 L−(1,3/2.4)−1−0−(イミダゾリル
スルホニル)−2,3,4−)す〜0−(テトラヒドロ
ピラニル)−5−(テトラヒドロピラニルオキシメチル
)−5−シクロヘキセン−1,2,3,4−テトロール IL−(1,3/2,4)−2,3,4−トリー〇−(
テトラヒドロピラニル)−5−(テトラヒドロピラニル
オキシメチル)−5−シクロヘキセン=1゜2.3.4
−テトロール(11,3g)をI) M F(100滅
)に溶解し、−60℃以下に冷却下に塩化スルフリル(
4,3d)を滴下後、−40〜=45℃で30分間攪拌
した。反応液を再び一60℃以下に冷却してイミダゾー
ル(14,55g)を加え、0〜5℃で一夜攪拌後、更
に室温で3時間攪拌した。反応液を、水冷した酢酸エチ
ル(1e)と水(250d)の混合液に加え、酢酸エチ
ル層を分離し、水洗し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、
減圧濃縮した。残留物をシリカゲルカラムクロマト(5
50d)に付し、トルエン・酢酸エチル(5:りで溶出
した。溶出画分を減圧Dt縮し、更に減圧下に乾燥して
t L−(1,3/2.4)−1−0−(イミダゾリル
スルホニル)−2,3,4−トリー〇−(テトラヒドロ
ピラニル)−5−(テトラヒドロピラニルオキシメチル
)−5−シクロヘキセン−1,2,3,4−テトロール
(8,5g)を得た。
[αコ24 s、oo (c= 1 、
CHCla)元素分析:C3゜H4s N t O+
IS計算値(%):C,56,06; H,7,21
,N、4.36゜S、4.99 実験値(%):C,55,89; I−1,7,34,
N、4.18゜S、5.33 実施例7 1L−(1,3/2,4)−1−0−(メタンスルホニ
ル)−2,3,4−トリー〇−(テトラヒドロピラニル
)−5−(テトラヒドロピラニルオキシメチル)−5−
シクロヘキセン−1,2,3,4−テトロール IL−(1,3/2.4)−2,3,4−トリー〇−(
テトラヒドロピラニル)−5−(テトラヒドロピラニル
オキシメチル)−5−シクロヘキセン−1゜2.3.4
−テトロール(2,55g)をピリジン(20d)に溶
解し、−20〜−30°Cに冷却下メタンスルホニルク
ロリド(0,77d)を滴下後、0〜5℃で一夜攪拌し
た。反応液を減圧濃縮し、残留物を酢酸エチルと水に分
配した。酢酸エチル層を2N塩酸と飽和炭酸水素ナトリ
ウム溶液で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧
濃縮した。残留物をシリカゲルカラムクロマト(250
成)に付し、トルエン・酢酸エチル(4:1)で溶出し
た。溶出画分を減圧a縮後、更に減圧下に乾燥してIL
−(1,3/2.4)−1−0−(メタンスルホニル)
−2,3,4−)リ−0−(テトラヒドロピラニル)−
5−(テトラヒドロピラニルオキシメチル)−5−シク
ロヘキセン−1,2,3,4−テトロール(1,21g
)を得た。
CHCla)元素分析:C3゜H4s N t O+
IS計算値(%):C,56,06; H,7,21
,N、4.36゜S、4.99 実験値(%):C,55,89; I−1,7,34,
N、4.18゜S、5.33 実施例7 1L−(1,3/2,4)−1−0−(メタンスルホニ
ル)−2,3,4−トリー〇−(テトラヒドロピラニル
)−5−(テトラヒドロピラニルオキシメチル)−5−
シクロヘキセン−1,2,3,4−テトロール IL−(1,3/2.4)−2,3,4−トリー〇−(
テトラヒドロピラニル)−5−(テトラヒドロピラニル
オキシメチル)−5−シクロヘキセン−1゜2.3.4
−テトロール(2,55g)をピリジン(20d)に溶
解し、−20〜−30°Cに冷却下メタンスルホニルク
ロリド(0,77d)を滴下後、0〜5℃で一夜攪拌し
た。反応液を減圧濃縮し、残留物を酢酸エチルと水に分
配した。酢酸エチル層を2N塩酸と飽和炭酸水素ナトリ
ウム溶液で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧
濃縮した。残留物をシリカゲルカラムクロマト(250
成)に付し、トルエン・酢酸エチル(4:1)で溶出し
た。溶出画分を減圧a縮後、更に減圧下に乾燥してIL
−(1,3/2.4)−1−0−(メタンスルホニル)
−2,3,4−)リ−0−(テトラヒドロピラニル)−
5−(テトラヒドロピラニルオキシメチル)−5−シク
ロヘキセン−1,2,3,4−テトロール(1,21g
)を得た。
実施例8
1 D−(1,3,6/2)−1,2,3−トリー〇−
(テトラヒドロピラニル)−6−アジド−4−(テトラ
ヒドロピラニルオキシメチル)−4−シクロヘキセン−
1,2,3−)リオール IL−(1,3/2.4)−1−0−(イミダゾリルス
ルホニル)−2,3,4−トリー〇−テトラヒドロピラ
ニル−5−(テトラヒドロピラニルオキシメチル)−5
−シクロヘキセン−1,2,3,4−テトロール(1,
7g)をトルエン(35旙)に溶解し、テトラ−n−ブ
チルアンモニウムアジド(1,7g)を加え、加熱還流
下に2時間攪拌した。反応液に酢酸エチル(+00d)
を加え、水洗し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧濃
縮した。残留物をシリカゲルカラムクロマト(150+
J)に付し、トルエン・酢酸エチル(4:I)で溶出し
た。溶出画分を減圧濃縮し、更に減圧下に乾燥してl
D−(1。
(テトラヒドロピラニル)−6−アジド−4−(テトラ
ヒドロピラニルオキシメチル)−4−シクロヘキセン−
1,2,3−)リオール IL−(1,3/2.4)−1−0−(イミダゾリルス
ルホニル)−2,3,4−トリー〇−テトラヒドロピラ
ニル−5−(テトラヒドロピラニルオキシメチル)−5
−シクロヘキセン−1,2,3,4−テトロール(1,
7g)をトルエン(35旙)に溶解し、テトラ−n−ブ
チルアンモニウムアジド(1,7g)を加え、加熱還流
下に2時間攪拌した。反応液に酢酸エチル(+00d)
を加え、水洗し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧濃
縮した。残留物をシリカゲルカラムクロマト(150+
J)に付し、トルエン・酢酸エチル(4:I)で溶出し
た。溶出画分を減圧濃縮し、更に減圧下に乾燥してl
D−(1。
3.6/2)−1,2,3−トリー〇−(テトラヒドロ
ピラニル)−6−アジド−4−(テトラヒドロピラニル
オキシメチル)−4−シクロヘキセン−1゜2.3−1
−リオール(880mg)を得た。
ピラニル)−6−アジド−4−(テトラヒドロピラニル
オキシメチル)−4−シクロヘキセン−1゜2.3−1
−リオール(880mg)を得た。
[α コ24 +62.6 ° (c= l
、 C)[Cla)eat I n: v 2100cm−’ (アジド
基)ax ’HNMR(CDCIs)δ :5.81(IH,ブロ
ードS。
、 C)[Cla)eat I n: v 2100cm−’ (アジド
基)ax ’HNMR(CDCIs)δ :5.81(IH,ブロ
ードS。
5−CH)
元素分析: C* ? H43N s Os計算値(
%):C,60,32,H,8,06:N、7.82;
実験値(%):C,6G、78; H,8,32,N、
7.59゜実施例9 ID−(1,3,6/2)−1,2,3−トリー〇−テ
トラヒドロピラニル)−6−アジド−4−(テトラヒド
ロピラニルオキシメチル)−4−フクロヘキセン−1,
2,3−1リオール I L−(1,3/2.4)−1−0−(メタンスルホ
ニル)−2,3,4−トリー〇−(テトラヒドロピラニ
ル)−5−(テトラヒドロピラニルオキシメチル)−5
−シクロヘキセン−1,2,3,4−テトロール(1,
1g)をDMF(20りに溶解し、アジ化ナトリウム(
250mg)を加えて、80℃で3時間攪拌した。反応
液を減圧濃縮し、残留物を酢酸エチルと水に分配した。
%):C,60,32,H,8,06:N、7.82;
実験値(%):C,6G、78; H,8,32,N、
7.59゜実施例9 ID−(1,3,6/2)−1,2,3−トリー〇−テ
トラヒドロピラニル)−6−アジド−4−(テトラヒド
ロピラニルオキシメチル)−4−フクロヘキセン−1,
2,3−1リオール I L−(1,3/2.4)−1−0−(メタンスルホ
ニル)−2,3,4−トリー〇−(テトラヒドロピラニ
ル)−5−(テトラヒドロピラニルオキシメチル)−5
−シクロヘキセン−1,2,3,4−テトロール(1,
1g)をDMF(20りに溶解し、アジ化ナトリウム(
250mg)を加えて、80℃で3時間攪拌した。反応
液を減圧濃縮し、残留物を酢酸エチルと水に分配した。
酢酸エチル層を水洗し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、
減圧濃縮した。残留物をシリカゲルカラムクロマト(l
oad)に付し、トルエン・酢酸エチル(4:I)で溶
出した。溶出両分を減圧濃縮し、更に減圧下に乾燥して
ID−(1,3,6/2)−1,2,3−)−リ−0−
(yトラヒドロピラニル)−6−アジド−4−(テトラ
ヒドロピラニルオキシメチル)−4−シクロヘキセン−
1,2,3−トリオール(1,0g)を得た。
減圧濃縮した。残留物をシリカゲルカラムクロマト(l
oad)に付し、トルエン・酢酸エチル(4:I)で溶
出した。溶出両分を減圧濃縮し、更に減圧下に乾燥して
ID−(1,3,6/2)−1,2,3−)−リ−0−
(yトラヒドロピラニル)−6−アジド−4−(テトラ
ヒドロピラニルオキシメチル)−4−シクロヘキセン−
1,2,3−トリオール(1,0g)を得た。
実施例10
+D−(1,3,6/2)−)リー0−(テトラヒドロ
ピラニル)−6−アミノ−4−(テトラヒドロピラニル
オキシメチル)−4−シクロヘキセン−1,2,3−ト
リオール[テトラ−0−(テトラヒドロピラニル)バリ
エナミン] ID−(1,3,6/2)−1,2,3−トリー〇−(
テトラヒドロピラニル)−6−アジド−5−(テトラヒ
ドロピラニルオキシメチル)−4−シクロヘキセン−1
,2,3−)リオール(880mg)をテトラヒドロフ
ラン(47d)に溶解し、氷水で冷却下に水素化アルミ
ニウムリチウム(280mg)を少しづつ加えた後、同
温度で30分間、更に室温で1.5時間攪拌した。反応
液を氷水で冷却し、メタノール(約toy)、更に水(
約10d)を滴下した後、生じた不溶物をろ去し、メタ
ノールで洗浄した。ろ液と洗液を集めて減圧濃縮し、残
留物を酢酸エチルと水に分配した。酢酸エチル層を水洗
し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧a Kn L、
更に減圧下に乾燥してテトラ−0−(テトラヒドロピラ
ニル)バリエナミン(700mg)を得た。
ピラニル)−6−アミノ−4−(テトラヒドロピラニル
オキシメチル)−4−シクロヘキセン−1,2,3−ト
リオール[テトラ−0−(テトラヒドロピラニル)バリ
エナミン] ID−(1,3,6/2)−1,2,3−トリー〇−(
テトラヒドロピラニル)−6−アジド−5−(テトラヒ
ドロピラニルオキシメチル)−4−シクロヘキセン−1
,2,3−)リオール(880mg)をテトラヒドロフ
ラン(47d)に溶解し、氷水で冷却下に水素化アルミ
ニウムリチウム(280mg)を少しづつ加えた後、同
温度で30分間、更に室温で1.5時間攪拌した。反応
液を氷水で冷却し、メタノール(約toy)、更に水(
約10d)を滴下した後、生じた不溶物をろ去し、メタ
ノールで洗浄した。ろ液と洗液を集めて減圧濃縮し、残
留物を酢酸エチルと水に分配した。酢酸エチル層を水洗
し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧a Kn L、
更に減圧下に乾燥してテトラ−0−(テトラヒドロピラ
ニル)バリエナミン(700mg)を得た。
実施例!!
I D−(1,3,6/2)−6−アミノ−4−(ヒド
ロキシメチル)−4−シクロヘキセン−1,2゜3−ト
リオール [バリエナミンコ テトラ−0−(テトラヒドロピラニル)バリエナミン(
700mg)を80%酢酸(35d)に溶解し、50℃
で5時間攪拌した。反応液を減圧濃縮し、残留物をダウ
エックス50WX8(I(+型、130蔵)のカラムク
ロマトに付した。カラムを水洗後、0.5Nアンモニア
水で溶出し、溶出画分を減圧濃縮した。残留物をダウエ
ックス1x2(01r型、180TnIl)のカラムク
ロマトに付し、水で溶出した。溶出画分を減圧濃縮後、
凍結乾燥してバリエナミン(180mg)を得た。
ロキシメチル)−4−シクロヘキセン−1,2゜3−ト
リオール [バリエナミンコ テトラ−0−(テトラヒドロピラニル)バリエナミン(
700mg)を80%酢酸(35d)に溶解し、50℃
で5時間攪拌した。反応液を減圧濃縮し、残留物をダウ
エックス50WX8(I(+型、130蔵)のカラムク
ロマトに付した。カラムを水洗後、0.5Nアンモニア
水で溶出し、溶出画分を減圧濃縮した。残留物をダウエ
ックス1x2(01r型、180TnIl)のカラムク
ロマトに付し、水で溶出した。溶出画分を減圧濃縮後、
凍結乾燥してバリエナミン(180mg)を得た。
[α]2’ +87.6°(c= 1 、 HtO)
’H−NMR(D!O)δ :5.89(ltl、dd
、J= 1.5゜4.5Hz、5−Cl1) 13CNMR(DtO+DC1)δ:50.2(d)、
61.9(t)。
’H−NMR(D!O)δ :5.89(ltl、dd
、J= 1.5゜4.5Hz、5−Cl1) 13CNMR(DtO+DC1)δ:50.2(d)、
61.9(t)。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1は水酸基の保護基を示す。)で表わされ
る新規不飽和イノソース誘導体。 2、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1は水酸基の保護基を、R^2は炭化水素
残基を示す。)で表わされる化合物を塩基で処理するこ
とを特徴とする一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1は水酸基の保護基を示す。)で表わされ
る新規不飽和イノソース誘導体の製造法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11667286 | 1986-05-21 | ||
JP61-116672 | 1986-05-21 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63119438A true JPS63119438A (ja) | 1988-05-24 |
JPH0745427B2 JPH0745427B2 (ja) | 1995-05-17 |
Family
ID=14693035
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62117554A Expired - Lifetime JPH0745427B2 (ja) | 1986-05-21 | 1987-05-14 | 新規不飽和イノソ−ス誘導体およびその製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0745427B2 (ja) |
-
1987
- 1987-05-14 JP JP62117554A patent/JPH0745427B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0745427B2 (ja) | 1995-05-17 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |