JPS63118632A - 微少量流体通路用シリコンチツプ - Google Patents
微少量流体通路用シリコンチツプInfo
- Publication number
- JPS63118632A JPS63118632A JP26387486A JP26387486A JPS63118632A JP S63118632 A JPS63118632 A JP S63118632A JP 26387486 A JP26387486 A JP 26387486A JP 26387486 A JP26387486 A JP 26387486A JP S63118632 A JPS63118632 A JP S63118632A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- passage
- silicon chip
- thin groove
- pipe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 18
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 17
- 239000012530 fluid Substances 0.000 title claims 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 abstract description 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Pipe Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、シリコンチップに形成したガス通路用細溝の
改良に関する。
改良に関する。
（従来技術及び問題点）
シリコンチップに形成したガス通路用ｍ溝から成るガス
通路内にガスを流し、ガスの成分を分析・検知する場合
には、分析・検知の用途に応じてガス流量を増減する場
合がある。しかしながら、ガス通路の容積は、細溝形成
の際に一定の寸法で通路用ｍｍが形成されることから、
ガスの流量を多くする場合は、改めて細溝の寸法を拡大
して形成し、ガス通路の容積を増大することにより行な
われた。また、ガス流量を少なくする場合は、細溝の寸
法を縮小し、ガス通路の容積を減少するなど、ガス流量
に応じて細溝の寸法を物理的手段によって拡張もしくは
縮小を図らなければならない煩わしさがあった。
通路内にガスを流し、ガスの成分を分析・検知する場合
には、分析・検知の用途に応じてガス流量を増減する場
合がある。しかしながら、ガス通路の容積は、細溝形成
の際に一定の寸法で通路用ｍｍが形成されることから、
ガスの流量を多くする場合は、改めて細溝の寸法を拡大
して形成し、ガス通路の容積を増大することにより行な
われた。また、ガス流量を少なくする場合は、細溝の寸
法を縮小し、ガス通路の容積を減少するなど、ガス流量
に応じて細溝の寸法を物理的手段によって拡張もしくは
縮小を図らなければならない煩わしさがあった。
さらに、従来はガス流量に応じてガス流を分流する場合
は、ガス注入口の近傍に分流用の通路を共備したＷ／ｉ
ｊ＋Ｔｔを用いて行なわれていたが、かかる分流機構
は、シリコンチップに対比して極めて大観（ズなりｔ造
となり、小型化を図ることの障害となっていた。
は、ガス注入口の近傍に分流用の通路を共備したＷ／ｉ
ｊ＋Ｔｔを用いて行なわれていたが、かかる分流機構
は、シリコンチップに対比して極めて大観（ズなりｔ造
となり、小型化を図ることの障害となっていた。
（発明の目的）
本発明はかかるγ入流量の増減に応じて細溝の寸法を物
理的手段によって細溝を微少変更する煩わしさを除去し
、−のシリコンチップでガス流量の増減に拘わらず細溝
の寸法の変更を要しない微少量流体通路用シリコンチッ
プを提供することを目的とする。
理的手段によって細溝を微少変更する煩わしさを除去し
、−のシリコンチップでガス流量の増減に拘わらず細溝
の寸法の変更を要しない微少量流体通路用シリコンチッ
プを提供することを目的とする。
（発明の概要）
本発明の構成を概説すると、本発明は〃人通路用細溝を
形成したシリコンチップであって、−のシリコンチップ
にメインガス通路用細溝と、バイパスガス通路用細溝と
をｉ４ｃ備することを特徴とし、数１０気圧のガス流を
メインガス通路とバイパスが人通路へ分流し、ガス通路
内でガス流を乱流させることなく整流できることを特徴
とする。
形成したシリコンチップであって、−のシリコンチップ
にメインガス通路用細溝と、バイパスガス通路用細溝と
をｉ４ｃ備することを特徴とし、数１０気圧のガス流を
メインガス通路とバイパスが人通路へ分流し、ガス通路
内でガス流を乱流させることなく整流できることを特徴
とする。
（発明の実施例）
本発明の構成及び実施例を図面に基づき説明する。第１
図（１）は、本発明に係るシリコンチップの平面図であ
り、第１図（２）は、裏面図である。
図（１）は、本発明に係るシリコンチップの平面図であ
り、第１図（２）は、裏面図である。
１はシリコンチップであり、２はバイパス用細溝であり
、３はメイン通路用細溝であり、４はガス通路用貫通孔
である。シリコンチップ１には等方性・異方性エツチン
グにより表面側（第１図（１）参照）へバイパス用細溝
２を形成し、裏面側（第１図（２）参照）へメイン通路
用細溝３を形成する。
、３はメイン通路用細溝であり、４はガス通路用貫通孔
である。シリコンチップ１には等方性・異方性エツチン
グにより表面側（第１図（１）参照）へバイパス用細溝
２を形成し、裏面側（第１図（２）参照）へメイン通路
用細溝３を形成する。
さらにバイパス用細溝２とメイン通路用細溝３を連通す
る貫通孔４を穿設する。
る貫通孔４を穿設する。
第２図は、本発明の実施例を示す分解図であり、本発明
に係るシリコンチップ１に対して、パイプ挿入孔５を兵
備したガラス板６及びパイプ７と熱伝導度により〃ス成
分を分析・検知する検出器８を配設する。
に係るシリコンチップ１に対して、パイプ挿入孔５を兵
備したガラス板６及びパイプ７と熱伝導度により〃ス成
分を分析・検知する検出器８を配設する。
第３図は、本発明の使用状態を示す断面図である。パイ
プ７からガスを注入すると（矢印参照）、ガスは、バイ
パス用通路２とメイン通路３へ流れ、メイン通路３内に
配設される検出器８を介して〃ス成分の分析が行なわれ
、バイパス通路２を経由したガスとメイン通路３を経由
したガスが合流してパイプ７より排出される。
プ７からガスを注入すると（矢印参照）、ガスは、バイ
パス用通路２とメイン通路３へ流れ、メイン通路３内に
配設される検出器８を介して〃ス成分の分析が行なわれ
、バイパス通路２を経由したガスとメイン通路３を経由
したガスが合流してパイプ７より排出される。
（発明の効果）
本発明は、以上の構成であり、−のシリコンチップでバ
イパス用通路とメイン通路にガス流を分流できるため、
ガス通路の容積がガス注入量の増減に影響されない効果
を奏し、別途分流機構を設置することを不要にすること
から検出器の小型化を図ることができる効果を奏する。
イパス用通路とメイン通路にガス流を分流できるため、
ガス通路の容積がガス注入量の増減に影響されない効果
を奏し、別途分流機構を設置することを不要にすること
から検出器の小型化を図ることができる効果を奏する。
第１図（１）（２＞は本発明の構成を示す平面図及び裏
面図であり、第２図は本発明の実施例を示す分解図であ
り、第３図は本発明の使用状態を示す断面図である。 １・・・シリコンチップ ２・・・バイパス用細溝
３・・・メイン通路用細溝 ４・・・ガス通路貫通孔 ５・・・パイプ挿入孔６
・・・ガラス板 ７・・・パイプ８・・・検
出器
面図であり、第２図は本発明の実施例を示す分解図であ
り、第３図は本発明の使用状態を示す断面図である。 １・・・シリコンチップ ２・・・バイパス用細溝
３・・・メイン通路用細溝 ４・・・ガス通路貫通孔 ５・・・パイプ挿入孔６
・・・ガラス板 ７・・・パイプ８・・・検
出器
Claims (1)
- 一のシリコンチップに、バイパス用細溝とメイン通路用
細溝とを具備したことを特徴とする微少量流体通路用シ
リコンチップ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26387486A JPS63118632A (ja) | 1986-11-07 | 1986-11-07 | 微少量流体通路用シリコンチツプ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26387486A JPS63118632A (ja) | 1986-11-07 | 1986-11-07 | 微少量流体通路用シリコンチツプ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63118632A true JPS63118632A (ja) | 1988-05-23 |
Family
ID=17395439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26387486A Pending JPS63118632A (ja) | 1986-11-07 | 1986-11-07 | 微少量流体通路用シリコンチツプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63118632A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0354434A (ja) * | 1989-04-12 | 1991-03-08 | Puritan Bennett Corp | 検査ガスの未知のパラメータを測定する装置 |
| WO2016075208A1 (en) * | 2014-11-14 | 2016-05-19 | Danmarks Tekniske Universitet | A device for extracting volatile species from a liquid |
-
1986
- 1986-11-07 JP JP26387486A patent/JPS63118632A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0354434A (ja) * | 1989-04-12 | 1991-03-08 | Puritan Bennett Corp | 検査ガスの未知のパラメータを測定する装置 |
| WO2016075208A1 (en) * | 2014-11-14 | 2016-05-19 | Danmarks Tekniske Universitet | A device for extracting volatile species from a liquid |
| US10930486B2 (en) | 2014-11-14 | 2021-02-23 | Danmarks Tekniske Universitet | Device for extracting volatile species from a liquid |
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