JPS63118629A - Adjusting method for bridge circuit of semiconductor pressure sensor - Google Patents
Adjusting method for bridge circuit of semiconductor pressure sensorInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明はウェハプロセスにおける半導体圧力センサの
ブリッジ回路調整方法に関し、さらに詳細にいえば、カ
テーテル先端に取り付けられる医療用の半導体圧力セン
サに代表される半導体圧力センサのブリッジ回路調整方
法に関する。[Detailed Description of the Invention] <Industrial Application Field> The present invention relates to a method for adjusting a bridge circuit of a semiconductor pressure sensor in a wafer process. The present invention relates to a bridge circuit adjustment method for a semiconductor pressure sensor.
〈従来の技術、および発明が解決しようとする問題点〉
半導体圧力センサは、シリコン等の半導体結晶に機械的
応力が加わると、ピエゾ抵抗効果により大きな抵抗値変
化をすることに着目して開発されたものであり、一般的
にはシリコン単結晶体の表面層に歪ゲージ抵抗体を拡散
形成し、この歪ゲージ抵抗体４つでホイーストンブリッ
ジを組み、エツチングによりシリコン単結晶体の裏面に
凹部を形成し、薄い部分をダイアフラムとし、表面の適
所に電極を配置したものである。そして、半導体圧力セ
ンサに圧力が加わった場合に、ダイアフラムが変形し、
歪ゲージ抵抗体の抵抗値がピエゾ抵抗効果により、大き
く変化し、圧力に比例したブリッジ出力を得ることがで
きる。<Prior art and problems to be solved by the invention> Semiconductor pressure sensors were developed with the focus on the fact that when mechanical stress is applied to a semiconductor crystal such as silicon, the resistance value changes significantly due to the piezoresistive effect. Generally, a strain gauge resistor is diffused into the surface layer of a silicon single crystal, a Wheatstone bridge is assembled with four strain gauge resistors, and a recess is formed on the back side of the silicon single crystal by etching. The thin part is used as a diaphragm, and electrodes are placed at appropriate locations on the surface. When pressure is applied to the semiconductor pressure sensor, the diaphragm deforms,
The resistance value of the strain gauge resistor changes greatly due to the piezoresistance effect, making it possible to obtain a bridge output proportional to pressure.
上記の半導体圧力センサは非常に小さく、特に医療用に
おいては、カテーテルの先端に複数個の半導体圧力セン
サを取り付け、体内に挿入することから、温度補償回路
及び圧力感度補償回路等の周辺回路を組み込んだもので
も、１チツプの１辺が１ ｍｍ程度以下の小さいものに
する必要がある。The above-mentioned semiconductor pressure sensors are very small, and in medical applications in particular, multiple semiconductor pressure sensors are attached to the tip of a catheter and inserted into the body, so peripheral circuits such as a temperature compensation circuit and a pressure sensitivity compensation circuit are incorporated. Even if it is a chip, it needs to be small, with each side of one chip being about 1 mm or less.
上記の歪ゲージ抵抗体及び拡散抵抗体を形成する時に発
生する各抵抗素子の抵抗値の不均一、及びエツチングプ
ロセスにおいてダイアフラムを形成するときに発生する
ダイアフラムの厚さの不均一により半導体圧力センサの
特性にバラツキが生じる。Due to non-uniformity in the resistance value of each resistance element that occurs when forming the above-mentioned strain gauge resistor and diffused resistor, and non-uniformity in the thickness of the diaphragm that occurs when forming the diaphragm in the etching process, semiconductor pressure sensors Variations in characteristics occur.
しかし、上述の如く半導体圧力センサが非常に小さく実
際に圧力を加えた状態において電気的特性を測定し、ブ
リッジ回路の抵抗バランスを調整することは非常に困難
である為、現状では、圧力を加えた状態での測定を省略
し、ブリッジ回路の電気的特性のみ測定し、一定許容範
囲を越えるものは、不良品として破棄されていた。However, as mentioned above, semiconductor pressure sensors are very small and it is extremely difficult to measure the electrical characteristics under actual pressure and adjust the resistance balance of the bridge circuit. The electrical characteristics of the bridge circuit were only measured, and those exceeding a certain tolerance range were discarded as defective.
従って、歩留まりが悪いという問題点がある。Therefore, there is a problem that the yield is low.
〈発明の目的〉
この発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり
、現実に使用される状態に近似した状態における半導体
圧力センサの出力に基づき、ブリッジ回路の出力バラン
スの調整を行い、歩留まりを良くする半導体圧力センサ
のブリッジ回路調整方法を提供することを目的としてい
る。<Purpose of the Invention> The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to adjust the output balance of a bridge circuit based on the output of a semiconductor pressure sensor in a state approximating the state in which it is actually used. The present invention aims to provide a bridge circuit adjustment method for semiconductor pressure sensors that improves yield.
く問題点を解決する為の手段〉
上記の目的を達成するための、この発明の半導体圧力セ
ンサのブリッジ回路調整方法は、ダイアフラム型半導体
圧力センサの拡散プロセスにおいて歪ゲージ抵抗体と該
歪ゲージ抵抗体を接続する拡散抵抗体とからなるブリッ
ジ回路の主要部を形成し、配線プロセスにおいて上記拡
散抵抗体から所定間隔毎に電気良導体からなる配線を引
き出し、該電気良導体からなる各配線の端部に電極を設
けておき、テストプロセスにおいてダイアフラムの裏面
を真空吸引し、仮想的にダイアフラムの表面側から圧力
を加えた状態を作りだし、上記ブリッジ回路を利用して
、ダイアフラムの表面側から半導体圧力センサの圧力感
度を測定し、この測定された圧力感度に基づき、上記電
気良導体からなる各配線に設けられた電極を選択し、ボ
ンディングしてブリッジ回路の出力バランスを調整する
ものである。Means for Solving the Problems> In order to achieve the above object, a method for adjusting a bridge circuit of a semiconductor pressure sensor of the present invention includes a strain gauge resistor and a strain gauge resistor in a diffusion process of a diaphragm type semiconductor pressure sensor. In the wiring process, wires made of a good electrical conductor are drawn out from the diffused resistor at predetermined intervals, and at the ends of each wire made of a good electrical conductor. An electrode is provided, and during the test process, vacuum is applied to the back side of the diaphragm, creating a state in which pressure is virtually applied from the front side of the diaphragm, and using the bridge circuit described above, the semiconductor pressure sensor is applied from the front side of the diaphragm. Pressure sensitivity is measured, and based on the measured pressure sensitivity, electrodes provided on each wiring made of the electrically conductive material are selected and bonded to adjust the output balance of the bridge circuit.
く作用〉
以上の半導体圧力センサのブリッジ回路調整方法であれ
ば、テストプロセスにおいて、ダイアフラムの裏面側か
ら真空吸引することにより、ダイアフラムが負圧を受け
て変形し、ダイアフラムの変形に応じてダイアフラム上
に形成されたブリッジ回路の主要部である歪ゲージ抵抗
体の抵抗値が、ピエゾ抵抗効果により変化し、上記ブリ
ッジ回路の出力変化を半導体圧力センサの表面に形成さ
れた電極を利用してＭ１定することができる。In the above method for adjusting the bridge circuit of a semiconductor pressure sensor, the diaphragm deforms under negative pressure by applying vacuum from the back side of the diaphragm during the test process, and the diaphragm is deformed in response to the deformation of the diaphragm. The resistance value of the strain gauge resistor, which is the main part of the bridge circuit formed in the semiconductor pressure sensor, changes due to the piezoresistance effect. can do.
そして、拡散抵抗体から所定間隔毎に電気良導体からな
る配線を引き出すことにより、拡散抵抗体の抵抗値を段
階的に設定することができるので、上記圧力感度の測定
結果に基づき、少なくとも１つの電極を選択してボンデ
ィングすることにより、拡散抵抗体の分配を行え、抵抗
値の調整及を行うことができる。By pulling out wiring made of a good electrical conductor from the diffused resistor at predetermined intervals, the resistance value of the diffused resistor can be set stepwise. By selecting and bonding, the diffused resistors can be distributed and the resistance value can be adjusted.
従って、圧力を加えた場合におけるブリッジ回路の抵抗
バランスの調整を行い、ウェハをダイシングする前に半
導体圧力センサのブリッジ回路の調整を行うことを可能
にする。Therefore, it is possible to adjust the resistance balance of the bridge circuit when pressure is applied, and to adjust the bridge circuit of the semiconductor pressure sensor before dicing the wafer.
〈実施例〉 以下、実施例を示す添付図面によって詳細に説明する。<Example> Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings showing examples.
第１図は、この発明の半導体圧力センサのブリッジ回路
調整方法を示す該略平面図、第２図は、半導体圧力セン
サの概略横断面図を示し、半導体圧力センサ（１）は、
全体の厚さは略４００卯の非常に小さいものであり、ｎ
−型シリコン単結晶からなる基板（２）の表面に数にΩ
のｐ−型歪ゲージ抵抗体（３ａ） Ｈｂ） （３ｃ）
（３ｄ）を形成し、１０２Ω櫨オーダのｐ＋拡散抵抗体
（４）により上記歪ゲージ抵抗体４つを直列に配線する
とともに、基板［２）の表面上の周囲に延設し、この延
設された拡散抵抗体（４１上にＡＱパッド（５ａ） （
５ｂ） （５ｃ） （５ｄ）を形成している。そして、
シリコン単結晶体［２）の裏面に凹部（６）を形成し、
薄い部分（厚さがｌＯ〜３０μｌ）をダイアフラム（刀
としている。FIG. 1 is a schematic plan view showing the bridge circuit adjustment method for a semiconductor pressure sensor of the present invention, and FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the semiconductor pressure sensor.
The total thickness is very small, approximately 400 μm, and
The surface of the substrate (2) made of − type silicon single crystal is coated with several Ω.
p-type strain gauge resistor (3a) Hb) (3c)
(3d), and wire the four strain gauge resistors in series using a p+ diffused resistor (4) of the order of 102Ω, and extend it around the surface of the substrate [2]. AQ pad (5a) on the diffused resistor (41) (
5b) (5c) (5d) are formed. and,
Forming a recess (6) on the back surface of the silicon single crystal [2],
The thin part (thickness 10~30 μl) is used as a diaphragm.
以上公知の半導体圧力センサ（１）に加えて、へ〇パッ
ド［８）・・・を増設し、歪ゲージ抵抗体（３Ｃ）と歪
ゲージ抵抗体（３ｂ）の間に形成されている拡散抵抗体
（４）の所定の間隔毎から電気良導体（具体的には、ｊ
Ｖ。In addition to the well-known semiconductor pressure sensor (1) described above, a pad [8] is added to the diffused resistance formed between the strain gauge resistor (3C) and the strain gauge resistor (3b). A good electrical conductor (specifically, j
V.
金、銀、鋼等）からなる配線（９）・・・を引き出して
設け、上記各配線（９）・・・をそれぞれＡＱバッド（
８］・・・に接続する。即ち、１本の配線（９］につき
１つの／Ｖパッド）８）が設けられている。Wires (9) made of gold, silver, steel, etc.) are pulled out and installed, and each of the above wires (9) is connected to an AQ pad (
8] Connect to... That is, one /V pad (8) is provided for one wiring (9).
そして、ＪＶパッド（５ａ）と（５ｄ）を接続し、ＡＱ
パッド（５ａ） （５ｄ）とＡＱバッド（８）間に電圧
を加え、ＡＱパッド（５ｂ）とＡＱバッド（５ｃ）間か
ら出力を取り出す。即ち、ブリッジ回路を構成し、何れ
かのＡＱパッド（８）を適宜選択してボンデングするこ
とにより、歪ゲージ抵抗体く３ｃ）と歪ゲージ抵抗体（
３ｂ）との間に配線として形成されている拡散抵抗体（
４）の抵抗値の調整を行うことができる（第５図参照）
。Then, connect JV pads (5a) and (5d), and
A voltage is applied between the pads (5a) (5d) and the AQ pad (8), and the output is taken out between the AQ pad (5b) and the AQ pad (5c). That is, by configuring a bridge circuit and appropriately selecting and bonding one of the AQ pads (8), the strain gauge resistor (3c) and the strain gauge resistor (3c) are connected.
3b), which is formed as a wiring between the diffused resistor (
4) The resistance value can be adjusted (see Figure 5).
.
尚、上記の抵抗調整回路口は、歪ゲージ抵抗体（３ｂ）
（３ｃ）の間のみに限られず、他の歪ゲージ抵抗体の
間に設けて、全ての、拡散抵抗体〔４）の抵抗調整を行
ってもよい。又、拡散抵抗体〔４）から配線（９］・・
・を引き出す間隔は、抵抗体の抵抗特性（Ω−用）に応
じて、設定されるものであり、抵抗特性がリニアであれ
ば、等間隔にするのが好ましい。The above resistance adjustment circuit port is connected to the strain gauge resistor (3b).
It is not limited to only between (3c), but may be provided between other strain gauge resistors to adjust the resistance of all the diffused resistors [4]. Also, from the diffused resistor [4] to the wiring (9)...
The intervals at which the * is drawn out are set according to the resistance characteristics (for Ω-) of the resistor, and if the resistance characteristics are linear, it is preferable to set them at equal intervals.
第３図は、半導体圧力センサの圧力感度を測定する１例
を示す概略断面図であり、（１１）は、ウェハステージ
台であり、ステンレス、合成樹脂等の板材上に軟質性合
成樹脂（具体的には、スチレン、ブタジェン、あるいは
シリコンゴム等）からなる厚さ１０μｍオーダの真空洩
れ防止用の封止材（１２〉を有し、そして、ウェハステ
ージ台（１１）の適所に上記ダイアフラム（刀の凹部（
６）を真空吸引するための貫通孔（１３）を少なくとも
１つ設けている。上記の貫通孔（１３）の上に、半導体
圧力センサ（１〕の凹部（６）を位置させ、半導体圧力
センサ（１）の表面に設けたＡＱパッド（５ａ） （５
ｄ）とＡＱバッド（８）（ブリッジ入力端子間）、及び
ＡＱパッド（５ｂ）とＭ’パッド（５ｂ） （ブリッジ
出力端子間）に測定用プローブ（１４）を接触させてい
る。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing one example of measuring the pressure sensitivity of a semiconductor pressure sensor. (11) is a wafer stage table, and a soft synthetic resin (concrete) is mounted on a plate material such as stainless steel or synthetic resin. Specifically, the diaphragm (12) is made of styrene, butadiene, silicone rubber, etc. and has a sealing material (12) for preventing vacuum leakage on the order of 10 μm in thickness. recess (
6) is provided with at least one through hole (13) for vacuum suction. The recess (6) of the semiconductor pressure sensor (1) is positioned above the through hole (13), and the AQ pad (5a) (5) provided on the surface of the semiconductor pressure sensor (1)
A measurement probe (14) is brought into contact with the AQ pad (5b) and the AQ pad (5b) (between the bridge output terminals) and the AQ pad (5b) (between the bridge output terminals).
尚、ウェハステージ台（１１）の貫通孔（１３）の上に
半導体圧力センサ（１］の凹部（６）を位置させるには
、ウェハステージ台（１１）と測定プローブ（１４）を
固定しておいて、ウェハ（１５）を移動させるか、ウェ
ハ（１５）を固定しておいて、ウェハステージ台（１１
）及び測定プローブ（１３）を移動させればよい。Note that in order to position the recess (6) of the semiconductor pressure sensor (1) above the through hole (13) of the wafer stage (11), the wafer stage (11) and measurement probe (14) must be fixed. Then, move the wafer (15) or fix the wafer (15) and place it on the wafer stage table (11).
) and the measurement probe (13).
上記の如く、ウェハ（１５）をウェハステージ台（１１
）上に載置し、貫通孔（１３）を利用して真空吸引すれ
ば、ウェハステージ台（１１）上の封止材がシリコン結
晶体（２）とウェハステージ台（１１）との接合部から
の真空洩れを防止し、半導体圧力センサ（１）の凹部（
６）に表面から加えた圧力に対応した負圧を発生させて
、ダイアフラム（刀が表面側から圧力を受けた場合と同
様に変形する。As mentioned above, the wafer (15) is placed on the wafer stage table (11).
), and by applying vacuum through the through hole (13), the sealant on the wafer stage base (11) will close the joint between the silicon crystal body (2) and the wafer stage base (11). This prevents vacuum leakage from the recess (1) of the semiconductor pressure sensor (1).
6) A negative pressure corresponding to the pressure applied from the surface is generated, and the diaphragm deforms in the same way as when a sword receives pressure from the surface side.
第４図は、上記ダイアフラム（刀が変形した状態を示し
、第５図に示すブリッジ回路を構成する４つの歪ゲージ
抵抗体（３ａ） （３ｂ） （３ｃ） （３ｄ）の内、
ダイアフラム（７）の中央部に拡散された歪ゲージ抵抗
体（３ａ） （３ｃ）は、ダイアフラム（７）の変形に
ともなって圧縮され、ダイアフラム（′７）の周辺部に
拡散された歪ゲージ抵抗体（３ｂ） （３ｄ）は、ダイ
アフラム口の変形にともなって伸張される。FIG. 4 shows a state in which the diaphragm (sword) is deformed, and among the four strain gauge resistors (3a) (3b) (3c) (3d) constituting the bridge circuit shown in FIG.
The strain gauge resistors (3a) (3c) diffused in the center of the diaphragm (7) are compressed as the diaphragm (7) deforms, and the strain gauge resistors (3c) diffused in the periphery of the diaphragm ('7) are compressed as the diaphragm (7) deforms. The bodies (3b) (3d) are stretched as the diaphragm mouth deforms.
上記の歪ゲージ抵抗体として、圧縮応力に比例して抵抗
値が増加するものを利用し、歪ゲージ抵抗体（３ａ）
（３ｂ） （３ｃ） （３ｄ）の抵抗値をそれぞれ、Ｒ
１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４とすると、ダイアフラム口の変形
にともなって、Ｒ２、Ｒ４は増加し、Ｒ１、Ｒ３は減少
する。As the strain gauge resistor described above, a strain gauge resistor (3a) whose resistance value increases in proportion to compressive stress is used.
The resistance values of (3b), (3c), and (3d) are R
1, R2, R3, and R4, R2 and R4 increase and R1 and R3 decrease as the diaphragm opening deforms.
即ち、Ｒ２の端子間電位ｖ１は増加し、Ｒ３の端子間電
位Ｖ２は減少する。That is, the potential V1 between the terminals of R2 increases, and the potential V2 between the terminals of R3 decreases.
従って、ダイアフラム［７）の変形に比例してブリッジ
出力、即ち、Ｖ ｔ Ｖ ２は増加する。Therefore, the bridge output, ie V t V 2, increases in proportion to the deformation of the diaphragm [7].
上記ブリッジ出力を、半導体圧力センサ（１）のＪＶパ
ッド（４）を利用して測定プローブ（１４）により測定
を行うことにより、ウェハ（１５）をダイシングする前
に半導体圧力センサ（１）の圧力感度の測定を行うこと
ができる。By measuring the bridge output with the measurement probe (14) using the JV pad (4) of the semiconductor pressure sensor (1), the pressure of the semiconductor pressure sensor (1) is measured before dicing the wafer (15). Sensitivity measurements can be made.
上記のように圧力加えた状態における半導体圧力センサ
の出力を測定し、測定値に僅かでも誤差のある半導体圧
力センサは、半導体圧力センサに作り込まれた調整用回
路（財）により、出力バランスが調整される。即ち、各
拡散抵抗体（４）ア所定間隔毎から引き出された配線（
９）を選択すれば、半導体圧力センサをダイシングする
前において、容易に半導体圧力センサのブリッジ回路の
調整を行うことができる。The output of the semiconductor pressure sensor is measured under pressure as described above, and if there is even a slight error in the measured value, the output balance will be adjusted by the adjustment circuit built into the semiconductor pressure sensor. be adjusted. That is, the wiring (
If 9) is selected, the bridge circuit of the semiconductor pressure sensor can be easily adjusted before dicing the semiconductor pressure sensor.
以上要約すれば、電気的測定は半導体圧力センサ（１）
の表面側から行い、圧力を加えるのは、半導体圧力セン
サ（１）の裏面側から行うことにより、ウェハプロセス
において半導体圧力センサ（１）の圧力感度の測定を行
っている。そして、この測定において誤差のある半導体
圧力センサは、拡散抵抗体（４）の抵抗値を調整してブ
リッジ回路の出力バランスを調整を行うことにより、半
導体圧力センサのブリッジ回路の調整を行うことができ
る。To summarize the above, electrical measurement is performed using a semiconductor pressure sensor (1).
The pressure sensitivity of the semiconductor pressure sensor (1) is measured in the wafer process by applying pressure from the back side of the semiconductor pressure sensor (1). If the semiconductor pressure sensor has an error in this measurement, the bridge circuit of the semiconductor pressure sensor can be adjusted by adjusting the resistance value of the diffusion resistor (4) and adjusting the output balance of the bridge circuit. can.
〈発明の効果〉
以上のように、この発明の半導体圧力センサのブリッジ
回路調整方法によれば、裏面側から仮想的にダイアフラ
ムに圧力を加えた状態を作りだし、現実の使用状態と略
同様な状態において電気的出力を測定を行い、この測定
に基づいて、拡散抵抗体の所定間隔毎から引き出された
配線上に形成された電極を適宜選択してボンディングす
ることにより、拡散抵抗体の抵抗値を調整して、半導体
圧力センサのブリッジ回路のバランス調整を行うことを
可能にするため、歩留まりを良くすることができるとい
う特有の効果を奏する。<Effects of the Invention> As described above, according to the bridge circuit adjustment method of a semiconductor pressure sensor of the present invention, a state in which pressure is virtually applied to the diaphragm from the back side is created, and a state substantially similar to the actual usage state is created. The resistance value of the diffused resistor can be determined by measuring the electrical output at the step and bonding the electrodes formed on the wiring drawn out from each predetermined interval of the diffused resistor. Since it is possible to adjust the balance of the bridge circuit of the semiconductor pressure sensor by adjusting the balance, it has the unique effect of improving the yield.
第１図は、この発明の半導体圧力センサのブリッジ回路
調整方法の１実施例をｒす概略平面図第２図は、半導体
圧力センサの横断面図、第３図は、半導体圧力センサの
圧力感度をｎ１定する実施例を示す概略断面図、
第４図は、半導体圧力センサに圧力を加えた状態図、
第５図は、半導体圧力センサの電気的構成を示す電気回
路図。
（１）・・・半導体圧力センサ、（４）・・・拡散抵抗
体、（７）・・・ダイアフラム、（８）・・・ＡＱパッ
ド、（９］ ・・・配線、（３ａ） （３ｂ） （３ｃ
） （３ｄ）−歪ゲージ抵抗体、（５ａ） （５ｂ）
（５ｃ） （５ｄ） ＝−Ａ１２パツド。
特許出願人 住友電気工業株式会社
Ｉ
第３図
第４図
第５図FIG. 1 is a schematic plan view showing one embodiment of the bridge circuit adjustment method for a semiconductor pressure sensor according to the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view of the semiconductor pressure sensor, and FIG. 3 is a pressure sensitivity of the semiconductor pressure sensor. FIG. 4 is a diagram showing a state in which pressure is applied to a semiconductor pressure sensor. FIG. 5 is an electric circuit diagram showing an electrical configuration of the semiconductor pressure sensor. (1)... Semiconductor pressure sensor, (4)... Diffused resistor, (7)... Diaphragm, (8)... AQ pad, (9)... Wiring, (3a) (3b ) (3c
) (3d) - Strain gauge resistor, (5a) (5b)
(5c) (5d) =-A12 pad. Patent applicant: Sumitomo Electric Industries, Ltd. I Figure 3 Figure 4 Figure 5
Claims (1)
おいて歪ゲージ抵抗体と該歪ゲージ抵抗体を接続する拡
散抵抗体とからなるブリッジ回路の主要部を形成し、 配線プロセスにおいて上記拡散抵抗体から所定間隔毎に
電気良導体からなる配線を引き出し、該電気良導体から
なる各配線の端部に電極を設けておき、テストプロセス
においてダイアフラムの裏面を真空吸引し、仮想的にダ
イアフラムの表面側から圧力を加えた状態を作りだし、 上記ブリッジ回路を利用して、ダイアフラムの表面側か
ら半導体圧力センサの圧力感度を測定し、この測定され
た圧力感度に基づき、上記電気良導体からなる各配線の
端部に設けられた電極を選択し、ボンディングしてブリ
ッジ回路の出力バランスを調整することを特徴とする半
導体圧力センサのブリッジ回路の調整方法。[Claims] 1. In the diffusion process of a diaphragm type semiconductor pressure sensor, the main part of a bridge circuit consisting of a strain gauge resistor and a diffusion resistor connecting the strain gauge resistor is formed, and in the wiring process, the above diffusion Wires made of a good electrical conductor are pulled out from the resistor at predetermined intervals, electrodes are provided at the ends of each wire made of a good electrical conductor, and in the test process, the back side of the diaphragm is vacuum-suctioned, and virtually the front side of the diaphragm is drawn out. Using the bridge circuit described above, the pressure sensitivity of the semiconductor pressure sensor is measured from the surface side of the diaphragm, and based on the measured pressure sensitivity, the end of each wiring made of the electrically conductive material is 1. A method for adjusting a bridge circuit of a semiconductor pressure sensor, the method comprising selecting electrodes provided in a portion thereof and bonding them to adjust the output balance of the bridge circuit.
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61264748A JPS63118629A (en) | 1986-11-06 | 1986-11-06 | Adjusting method for bridge circuit of semiconductor pressure sensor |
| US07/110,662 US4809536A (en) | 1986-11-06 | 1987-10-20 | Method of adjusting bridge circuit of semiconductor pressure sensor |
| EP87115916A EP0266681B1 (en) | 1986-11-06 | 1987-10-29 | Method of adjusting bridge circuit of semiconductor pressure sensor |
| DE8787115916T DE3784009T2 (en) | 1986-11-06 | 1987-10-29 | BRIDGE CIRCUIT ADJUSTMENT METHOD FOR SEMICONDUCTOR PRESSURE TRANSDUCERS. |
| KR1019870012430A KR910001842B1 (en) | 1986-11-06 | 1987-11-05 | The method of coordination of bridge circuit |
| AU80891/87A AU591817B2 (en) | 1986-11-06 | 1987-11-06 | Method of adjusting bridge circuit of semiconductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61264748A JPS63118629A (en) | 1986-11-06 | 1986-11-06 | Adjusting method for bridge circuit of semiconductor pressure sensor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63118629A true JPS63118629A (en) | 1988-05-23 |
Family
ID=17407634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61264748A Pending JPS63118629A (en) | 1986-11-06 | 1986-11-06 | Adjusting method for bridge circuit of semiconductor pressure sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63118629A (en) |
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1986
- 1986-11-06 JP JP61264748A patent/JPS63118629A/en active Pending
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